一種激光芯片p-i曲線扭折測試方法及裝置的制造方法

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一種激光芯片p-i曲線扭折測試方法及裝置的制造方法
【專利摘要】本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種激光芯片P?I曲線扭折測試方法及裝置，包括：獲取激光芯片的多個輸出光功率，并根據Savitzky?Golay算法確定至少一個目標輸出光功率，針對每個目標輸出光功率，根據L個輸出光功率及一階微分卷積系數，確定目標輸出光功率對應的斜率，然后判斷激光芯片P?I曲線是否存在扭折。該方法通過一階微分卷積系數對L個輸出光功率進行加權運算得到目標輸出光功率對應的斜率，因而降低了部分輸出光功率的數據錯誤對斜率計算結果的正確性的影響，即實現了對輸出光功率的濾波，且該濾波處理與斜率計算同時完成，因此提高了判斷激光芯片P?I曲線是否存在扭折的效率和準確性。
【專利說明】
一種激光芯片p-1曲線扭折測試方法及裝置
技術領域
[0001] 本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種激光芯片P-I曲線扭折測試方法及裝置。
【背景技術】
[0002] 激光芯片扭折現象，是指伴隨著激光器輸入電流的增大，出現光功率跌落或者抖動造成的光功率(P)-電流(I)曲線的非線性變化，帶有扭折現象的激光芯片的P-I曲線如圖 1所示。從應用角度來說，希望P-I曲線無扭折，因為這種扭折，會嚴重影響激光器與光纖的耦合，因而在激光芯片P-I曲線扭折測試過程中能夠提前發現扭折現象，篩選不良芯片，有利于提高后期激光器器件的成品率，減少物料浪費。
[0003] 現有技術中，通過采樣多個輸出光功率及相對應的輸入電流，計算每個輸出光功率對應的斜率以及所有采樣輸出光功率對應的整體線性擬合直線斜率，然后判斷激光芯片是否在至少一個輸出光功率處有扭折現象，若是，則確定激光芯片為具有扭折現象的芯片。
[0004] 現有技術存在的問題是:采樣到的多個輸出光功率及相對應的輸入電流中有很多噪聲數據，導致現有技術下的對激光芯片是否具有扭折現象的判斷不是很準確。

【發明內容】

[0005] 本發明提供一種一種激光芯片P-I曲線扭折測試方法及裝置，用以解決現有技術中存在的對激光芯片P-I曲線是否存在扭折現象的判斷不準確的問題。
[0006 ] -方面，本發明實施例提供一種激光芯片P-1曲線扭折測試方法，包括：
[0007] 獲取激光芯片的多個輸出光功率；
[0008] 根據預設的Savitzky-Golay算法中的樣本數L，從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率；
[0009] 針對所述至少一個目標輸出光功率中的每個目標輸出光功率，確定所述多個輸出光功率中與所述目標輸出光功率對應的L個輸出光功率;根據所述L個輸出光功率及預先選定的所述Sav i tzky-Go lay算法中的一階微分卷積系數，確定所述目標輸出光功率對應的斜率;其中，所述一階微分卷積系數包含L個分子系數。
[0010] 根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0011] 另一方面，本發明實施例提供一種激光芯片P-I曲線扭折測試裝置，包括：
[0012] 獲取單元，用于獲取激光芯片的多個輸出光功率；
[0013]目標輸出光功率確定單元，用于根據預設的Savitzky-Golay算法中的樣本數L，從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率；
[0014]斜率確定單元，用于針對所述至少一個目標輸出光功率中的每個目標輸出光功率，確定所述多個輸出光功率中與所述目標輸出光功率對應的L個輸出光功率;根據所述L 個輸出光功率及預先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數，確定所述目標輸出光功率對應的斜率;其中，所述一階微分卷積系數包含L個分子系數。
[0015] 判斷單元，用于根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷所述激光芯片P-I 曲線是否存在扭折。
[0016] 本發明實施例提供的方法，獲取激光芯片的多個輸出光功率，并根據Savitzky-Golay算法從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率，針對每個目標輸出光功率，根據L個輸出光功率及一階微分卷積系數，確定目標輸出光功率對應的斜率，根據每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折。該方法通過一階微分卷積系數對L個輸出光功率進行加權運算得到目標輸出光功率對應的斜率，降低了噪聲數據對結果的影響，實現了對輸出光功率的濾波，且該濾波處理與斜率計算是同時完成的，即增加的濾波處理沒有帶來計算量的增加，因此提高了判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折的效率和準確性。
【附圖說明】
[0017] 為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0018] 圖1為【背景技術】中帶有扭折現象的激光芯片的P-I曲線示意圖；
[0019] 圖2為本發明實施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測試方法流程圖；
[0020] 圖3為本發明實施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測試方法詳細流程圖；
[0021] 圖4為本發明實施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測試裝置示意圖。
【具體實施方式】
[0022]為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0023]下面結合說明書附圖對本發明實施例作進一步詳細描述。
[0024]如圖2所示，本發明實施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測試方法，包括：
[0025]步驟201、獲取激光芯片的多個輸出光功率；
[0026]步驟202、根據預設的Savitzky-Golay算法中的樣本數L，從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率；
[0027]步驟203、針對所述至少一個目標輸出光功率中的每個目標輸出光功率，確定所述多個輸出光功率中與所述目標輸出光功率對應的L個輸出光功率;根據所述L個輸出光功率及預先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數，確定所述目標輸出光功率對應的斜率;其中，所述一階微分卷積系數包含L個分子系數；
[0028]步驟204、根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0029] Savitzky-Golay算法是由Savitzky A和Go lay于1964年提出的一種在時域內基于多項式，通過移動窗口利用最小二乘法進行最佳擬合的方法實現的低通濾波算法。 [0030]為方便理解本
【發明內容】
，下面對Savitzky-Golay算法的推導過程做簡單描述：
[0031]假設連續2m+l個點，做最小二乘法的n階曲線擬合的多項式如下(n〈2m+l):
[OO33] 對多項式求微分：
[0037] i的取值范圍為(_m，+m)，當i = 0時，
[0039] 從而有
[0043] 根據最小二乘法準則，可以得到如下公式III

[0061] 假設n = 3,可以得到如下方程組：
[0062] S2b3i+S4b33=Fi
[0063] S4b3i+S6b33=F3
[0064] So
[0066] 假設m = 4,可以得到：
[0072]所以n = 3，m = 4的3階微分卷積系數中的分子系數為(_14,7,13,9,0，-9，-13，-7， 14)，分母系數為198,同理可以求出n = 3，m = 4的1階、2階微分的相關系數。并且Savitzky-Golay算法將推到出的卷積系數都存儲于卷積系數表中。
[0073] 上述過程，即為Savitzky-Golay算法對于卷積系數的推到過程，在實際使用中，當需要通過一個多項式來擬合一些樣本點時，只要確定了n，m的取值，就可以查找卷積系數表，找到相應的卷積系數，然后用查找到的卷積系數來計算多項式系數，從而確定了擬合多項式。
[0074]舉例來說，假設有9個樣本點（即2m+l=9，m取值為4)，現在需要用一個3階多項式來擬合這些樣本點（即n = 3)，并且這5個樣本點分別為（1，5)，（3,10)，（5,15)，（6，9)，（8， 20)，（10,25)，（12，15)，（16,9)，（20,6)，即使用下列公式來擬合上述5個樣本點：
[0075] fi = b3〇+b3ii+b32i2+b33i3
[0076] 現在只要求得其中的b3Q，b31，b32，b 33，即可確定該擬合多項式。
[0077]以確定系數b33為例，通過查找卷積系數表，得至Ijn = 3，m = 2時b33對應的3階卷積系數為:分子系數為(_14,7，13,9,0，-9，-13，-7，14)，分母系數為198，則可以通過下列公式確定系數b33:
[0079] 因此，可以計算得到b33 = _0.62,同理，也可以通過查找b3〇，b3i，b32對應的卷積系數，來求得b30，b31，b32。
[0080] 下面通過步驟201~步驟204對本發明實施例確定激光芯片P-I曲線是否存在扭折的方法做具體介紹。
[0081 ] 上述步驟201中，輸出光功率是通過激光芯片的LI V( 1 inerar increas ing volytage，線性增長電壓)測試得到的，在本發明中，設定獲取的輸出光功率的數量為k，并且k > 2m+l〇
[0082] 上述步驟202中，預設的Savitzky-Golay算法中的樣本數U卩為2m+l，假設樣本數L 取值為9，則2m+l為9，即m取值為4。
[0083 ]根據預設的Sa v i t z ky-Go 1 ay算法中的樣本數L，從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率，其中，所述目標輸出光功率為所述多個輸出光功率中需要計算對應的斜率的輸出光功率。
[0084]由于獲取的輸出光功率的數量為1^(即輸出光功率為？1，？2，？3，一，？1〇,5&"以1^-Golay算法中的樣本數L(L = 2m+l)，因此確定的目標輸出光功率為m+1，m+2，…，k-m，即確定的目標輸出光功率為中間的k_2m個輸出光功率。
[0085]下面舉例說明為什么中間的k-2m個輸出光功率是目標輸出光功率。
[0086] 假設k取值為100，L取值為5 (即m= 2)，即k個輸出光功率分別為:PI，P2，P3，P4，P5， P6，P7，…，P93，P94，P95，P96，P97，P98，P99，P100。本發明實施例中，根據Savitzky-Golay算法及PI，P2，P3，P4，P5，可擬合一個多項式，并且擬合的多項式的一階微分作為輸出光功率 P3對應的斜率;根據Savitzky-Golay算法及P2，P3，P4，P5，P6，可擬合一個多項式，并且擬合的多項式的一階微分作為輸出光功率P4對應的斜率；以此類推，根據Savi tzky-Go 1 ay算法及卩96，？97，？98，？99，？100，可擬合一個多項式，并且擬合的多項式的一階微分作為輸出光功率P98對應的斜率。從中可看出，當k取值為100，L取值為5(即m = 2)，可確定目標輸出光功率為P 3，P 4，？5，？6，？7，~，？93，？94，？95，？96，？97，？98,8卩100個輸出光功率中間的96 (100-2*2)個為目標輸出光功率。
[0087] 上述步驟203中，對步驟202中確定出的k-2m個目標輸出光功率，分別計算對應的斜率。由于對于每一個目標輸出光功率計算斜率的方法是一樣的，因此下面針對其中任一個目標輸出光功率對應的斜率的計算步驟進行說明。
[0088]步驟1:確定k個輸出光功率中與目標輸出光功率對應的L個輸出光功率。
[0089] 本發明實施例中，是將目標輸出光功率之前的m個輸出光功率、之后的m個輸出光功率以及目標輸出光功率自身，作為目標輸出光功率對應的L個輸出光功率(其中，L = 2m+ 1)〇
[0090] 還是以k= 100，m = 2為例進行說明，根據步驟202的描述可知，確定的目標輸出光功率為:？3，？4，？5，？6，？7，."，？93，？94，？95，？96，？97，？98，則在該步驟1中，可確定：
[0091]目標輸出光功率P3對應的輸出光功率為:PI，P2，P3，P4，P5;
[0092]目標輸出光功率P4對應的輸出光功率為:P2，P3，P4，P5，P6;
[0093]……
[0094] 目標輸出光功率P98對應的輸出光功率為:P96，P97，P98，P99，P100。
[0095]步驟2:根據所述L個輸出光功率及預先選定的Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數，確定目標輸出光功率對應的斜率。其中，所述一階微分卷積系數包含L個分子系數；
[0096]本發明實施例中，由于是需要確定每個輸出光功率對應的斜率，即擬合多項式的一階微分，本發明實施例對于擬合多項式的階數n不做具體限定，但根據激光芯片的特點，實際應用中激光芯片的輸出光功率與輸入電流之間是接近二次多項式的關系，因此本發明實施例中可選地，所述一階微分卷積系數對應擬合多項式的階數等于2,即n取值為2。
[0097]預先選定的Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數是跟多項式的階數n和樣本數L有關系的，例如n取值為2,L取值為5(8卩m = 2)時，通過查找Savitzky-Golay卷積系數表，得出n = 2，m = 2時的一階微分卷積系數中的分子系數為(-2，-1，0，1，2)，分母系數為10。
[0098] 下面對確定所述目標輸出光功率對應的斜率的方法做具體說明：
[0099] 可選地，所述根據所述L個輸出光功率及預先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數，確定所述目標輸出光功率對應的斜率，包括：
[0100] 根據所述L個輸出光功率及所述一階微分卷積系數中的L個分子系數，確定分子加權和；
[0101] 將所述分子加權和與所述一階微分卷積系數中的分母系數的比值，作為所述目標輸出光功率對應的斜率。
[0102] 上述方法，將目標輸出光功率對應的L個輸出光功率與一階微分卷積系數中的L個分子系數分別相乘，得到分子加權和，然后將分子加權和與一階微分卷積系數中的分母系數的比值，作為目標輸出光功率對應的斜率。其中，之所以選擇一階微分卷積系數，是因為本發明實施例中需要用到的是斜率，而斜率正好是擬合多項式的一階微分。
[0103] 該方法通過一階微分卷積系數對L個輸出光功率進行加權運算得到目標輸出光功率對應的斜率，降低了噪聲數據對結果的影響，即當L個輸出光功率中有某個輸出光功率數據有錯誤，也不會對目標輸出光功率對應的斜率的計算結果有很大的影響，即實現了對輸出光功率的濾波，并且該濾波處理與斜率計算是同時完成的，因而增加的濾波處理沒有帶來計算量的增加。
[0104] 另外，還可將上述方法用公式表示，因此可選地，根據下列公式確定每個目標輸出光功率對應的斜率：
[0106] 其中，Si為第i個目標輸出光功率對應的斜率，i=m+l，m+2，. ..，k-m，k為獲取的輸出光功率的總數量且k2 2m+l，N〇rm為所述一階微分卷積系數中的分母系數，W」為所述一階微分卷積系數中的第j個分子系數，j = l，2,. . .，L，Pj為第j個輸出光功率，L = 2m+1。
[0107] 下面給出一個具體的例子來說明計算每個目標輸出光功率對應的斜率的方法，假設采集的輸出光功率的數量為k=100,且n = 2，m=2(即L = 5)，貝ijSavitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數通過查表可知為:分子系數為(_2，_1，0，1，2)，分母系數為10,則：
，其中i = 3,4, ? ? ? ,98。
[0109]由于采集到的光功率匕，」=1，2，...，100都是已知的，因而可以確定每個目標輸出光功率對應的斜率Si，其中i = 3,4,. . .，98。
[0110]上述步驟204中，根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0111] 可選地，所述根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折，包括：
[0112] 獲取與所述多個輸出光功率對應的多個輸入電流；
[0113] 根據所述多個輸入電流及所述多個輸出光功率，確定整體線性擬合直線斜率；
[0114] 根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0115] 上述方法，首先獲取與多個輸出光功率一一對應的多個輸入電流，假設獲取了k個輸出光功率，則獲取的輸入電流的數量也為k，且與k個輸出光功率一一對應。然后根據獲取的k個輸入電流及k個輸出光功率，確定一條整體線性擬合直線，同時確定該整體線性擬合直線的斜率。具體地，參照圖1，將輸入電流作為橫坐標軸，輸出光功率作為縱坐標軸，則k個輸入電流及k個輸出光功率可以組成k個坐標點，假設獲取的k個輸出光功率為Pj，j = l， 2，. . .，k，獲取的k個輸入電流為Cj，j = 1，2，. . .，k，則組成的k個坐標點為(Cj，Pj)，j = 1， 2, ...，k，通過這k個坐標點來擬合一條整體線性擬合直線的方式有很多，且為現有技術，在此不做贅述，假設確定的整體線性擬合直線斜率為Slope，然后根據每個目標輸出光功率?：對應的斜率Si，i =m+l，m+2，. . .，k-m及所述整體線性擬合直線斜率Slope，判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0116] 可選地，所述根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折，包括：
[0117]針對每個目標輸出光功率，根據所述目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，確定所述目標輸出光功率對應的斜率誤差率；
[0118] 若存在至少一個目標輸出光功率對應的斜率誤差率不小于扭折閾值，則確定所述激光芯片有扭折。
[0119] 上述方法中，假設扭折閾值為KinkThreshold，目標輸出光功率Pi對應的斜率誤差率為KinkValuei，則
，.i =m+l，m+2，? ? ?，k_m。
[0120] 當上述k-2m個斜率誤差率KinkValuei都不大于扭折閾值KinkThreshold時，則認為該激光芯片無扭折；當上述k-2m個斜率誤差率KinkValuei中存在至少一個斜率誤差率大于扭折閾值KinkThreshold時，則認為該激光芯片有扭折。
[0121] 本發明實施例提供的方法，獲取激光芯片的多個輸出光功率，并根據Savitzky-Golay算法從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率，針對每個目標輸出光功率，根據L個輸出光功率及一階微分卷積系數，確定目標輸出光功率對應的斜率，根據每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折。該方法通過一階微分卷積系數對L個輸出光功率進行加權運算得到目標輸出光功率對應的斜率，降低了噪聲數據對結果的影響，實現了對輸出光功率的濾波，且該濾波處理與斜率計算是同時完成的，即增加的濾波處理沒有帶來計算量的增加，因此提高了判斷激光芯片P-I曲線是否存在扭折的效率和準確性。
[0122] 下面對本發明實施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測試方法做詳細描述，如圖3所示，為本發明實施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測試方法詳細流程圖，包括：
[0123] 步驟301、獲取激光芯片的多個輸出光功率及與所述多個輸出光功率一一對應的多個輸入電流；
[0124] 步驟302、根據預設的Savitzky-Golay算法中的樣本數L，從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率；
[0125] 步驟303、針對所述至少一個目標輸出光功率中的每個目標輸出光功率，確定所述多個輸出光功率中與所述目標輸出光功率對應的L個輸出光功率;根據所述L個輸出光功率及預先選定的一階微分卷積系數中的L個分子系數，確定分子加權和;將所述分子加權和與所述一階微分卷積系數中的分母系數的比值，作為所述目標輸出光功率對應的斜率；
[0126] 步驟304、根據所述多個輸入電流及所述多個輸出光功率，確定整體線性擬合直線斜率；
[0127] 步驟305、針對每個目標輸出光功率，根據所述目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，確定所述目標輸出光功率對應的斜率誤差率；
[0128] 步驟306、若存在至少一個目標輸出光功率對應的斜率誤差率不小于扭折閾值，則確定所述激光芯片有扭折。
[0129] 基于相同的技術構思，本發明實施例還提供一種激光芯片P-I曲線扭折測試裝置。本發明實施例提供的激光芯片P-I曲線扭折測試裝置如圖4所示，包括：
[0130] 獲取單元401，用于獲取激光芯片的多個輸出光功率；
[0131]目標輸出光功率確定單元402,用于根據預設的Savitzky-Golay算法中的樣本數 L，從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率;所述目標輸出光功率為所述多個輸出光功率中需要計算對應的斜率的輸出光功率；
[0132] 斜率確定單元403,用于針對所述至少一個目標輸出光功率中的每個目標輸出光功率，確定所述多個輸出光功率中與所述目標輸出光功率對應的L個輸出光功率;根據所述 L個輸出光功率及預先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數，確定所述目標輸出光功率對應的斜率;其中，所述一階微分卷積系數包含L個分子系數。
[0133] 判斷單元404,用于根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷所述激光芯片 P-I曲線是否存在扭折。
[0134] 可選地，所述斜率確定單元403,具體用于：
[0135] 根據所述L個輸出光功率及所述一階微分卷積系數中的L個分子系數，確定分子加權和；
[0136] 將所述分子加權和與所述一階微分卷積系數中的分母系數的比值，作為所述目標輸出光功率對應的斜率。
[0137] 可選地，所述判斷單元404,具體用于：
[0138] 獲取與所述多個輸出光功率對應的多個輸入電流；
[0139] 根據所述多個輸入電流及所述多個輸出光功率，確定整體線性擬合直線斜率；
[0140] 根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。
[0141] 可選地，所述判斷單元404,具體用于：
[0142] 針對每個目標輸出光功率，根據所述目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，確定所述目標輸出光功率對應的斜率誤差率；
[0143] 若存在至少一個目標輸出光功率對應的斜率誤差率不小于扭折閾值，則確定所述激光芯片有扭折。
[0144] 可選地，所述斜率確定單元403,具體用于根據下列公式確定每個目標輸出光功率對應的斜率：
[0146] 其中，Si為第i個目標輸出光功率對應的斜率，i=m+l，m+2，. ..，k-m，k為獲取的輸出光功率的總數量且k2 2m+l，N〇rm為所述一階微分卷積系數中的分母系數，W」為所述一階微分卷積系數中的第j個分子系數，j = l，2,. . .，L，Pj為第j個輸出光功率，L = 2m+1。
[0147] 可選地，所述一階微分卷積系數對應擬合多項式的階數等于2。
[0148] 本發明是參照根據本發明實施例的方法、設備（系統）、和計算機程序產品的流程圖和/或方框圖來描述的。應理解可由計算機程序指令實現流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結合。可提供這些計算機程序指令到通用計算機、專用計算機、嵌入式處理機或其他可編程數據處理設備的處理器以產生一個機器，使得通過計算機或其他可編程數據處理設備的處理器執行的指令產生用于實現在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的裝置。
[0149] 這些計算機程序指令也可存儲在能引導計算機或其他可編程數據處理設備以特定方式工作的計算機可讀存儲器中，使得存儲在該計算機可讀存儲器中的指令產生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實現在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能。
[0150] 這些計算機程序指令也可裝載到計算機或其他可編程數據處理設備上，使得在計算機或其他可編程設備上執行一系列操作步驟以產生計算機實現的處理，從而在計算機或其他可編程設備上執行的指令提供用于實現在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的步驟。
[0151] 盡管已描述了本發明的優選實施例，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優選實施例以及落入本發明范圍的所有變更和修改。
[0152]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1. 一種激光芯片P-I曲線扭折測試方法，其特征在于，包括：獲取激光芯片的多個輸出光功率；根據預設的Savitzky-Go lay算法中的樣本數L，從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率；針對所述至少一個目標輸出光功率中的每個目標輸出光功率，確定所述多個輸出光功率中與所述目標輸出光功率對應的L個輸出光功率;根據所述L個輸出光功率及預先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數，確定所述目標輸出光功率對應的斜率；其中，所述一階微分卷積系數包含L個分子系數；根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。2. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述L個輸出光功率及預先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數，確定所述目標輸出光功率對應的斜率，包括：根據所述L個輸出光功率及所述一階微分卷積系數中的L個分子系數，確定分子加權和；將所述分子加權和與所述一階微分卷積系數中的分母系數的比值，作為所述目標輸出光功率對應的斜率。3. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折，包括：獲取與所述多個輸出光功率對應的多個輸入電流；根據所述多個輸入電流及所述多個輸出光功率，確定整體線性擬合直線斜率；根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。4. 如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折，包括：針對每個目標輸出光功率，根據所述目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，確定所述目標輸出光功率對應的斜率誤差率；若存在至少一個目標輸出光功率對應的斜率誤差率不小于扭折閾值，則確定所述激光芯片有扭折。5. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，根據下列公式確定每個目標輸出光功率對應的斜率：其中，Si為第i個目標輸出光功率對應的斜率，i=m+l，m+2, . . .，k-m，k為獲取的輸出光功率的總數量且k2 2m+l，N〇rm為所述一階微分卷積系數中的分母系數，Wj為所述一階微分卷積系數中的第j個分子系數，j = l，2,. . .，L，Pj為第j個輸出光功率，L = 2m+1。6. -種激光芯片P-I曲線扭折測試裝置，其特征在于，包括：獲取單元，用于獲取激光芯片的多個輸出光功率；目標輸出光功率確定單元，用于根據預設的Savi tzky-Go lay算法中的樣本數L，從所述多個輸出光功率中確定至少一個目標輸出光功率；斜率確定單元，用于針對所述至少一個目標輸出光功率中的每個目標輸出光功率，確定所述多個輸出光功率中與所述目標輸出光功率對應的L個輸出光功率;根據所述L個輸出光功率及預先選定的所述Savitzky-Golay算法中的一階微分卷積系數，確定所述目標輸出光功率對應的斜率;其中，所述一階微分卷積系數包含L個分子系數；判斷單元，用于根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。7. 如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述斜率確定單元，具體用于：根據所述L個輸出光功率及所述一階微分卷積系數中的L個分子系數，確定分子加權和；將所述分子加權和與所述一階微分卷積系數中的分母系數的比值，作為所述目標輸出光功率對應的斜率。8. 如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述判斷單元，具體用于：獲取與所述多個輸出光功率對應的多個輸入電流；根據所述多個輸入電流及所述多個輸出光功率，確定整體線性擬合直線斜率；根據所述每個目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，判斷所述激光芯片P-I曲線是否存在扭折。9. 如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述判斷單元，具體用于：針對每個目標輸出光功率，根據所述目標輸出光功率對應的斜率及所述整體線性擬合直線斜率，確定所述目標輸出光功率對應的斜率誤差率；若存在至少一個目標輸出光功率對應的斜率誤差率不小于扭折閾值，則確定所述激光芯片有扭折。10. 如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述斜率確定單元，具體用于根據下列公式確定每個目標輸出光功率對應的斜率：其中，Si為第i個目標輸出光功率對應的斜率，i=m+l，m+2,…，k-m，k為獲取的輸出光功率的總數量且k2 2m+l，N〇rm為所述一階微分卷積系數中的分母系數，Wj為所述一階微分卷積系數中的第j個分子系數，j = l，2,. . .，L，Pj為第j個輸出光功率，L = 2m+1。
【文檔編號】G01R31/26GK105891692SQ201610099195
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年2月23日
【發明人】馬軍濤
【申請人】青島海信寬帶多媒體技術有限公司

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