一種電阻片柱并聯電流分布測試方法
【技術領域】
[0001] 本發明屬于過電壓限制器測試領域，涉及一種電阻片柱并聯電流分布測試方法。
【背景技術】
[0002] 在交直流電力系統中，對于限制過電壓的保護電器（如：避雷器、限壓器、電阻器 等），由于保護水平和吸收能量的要求，需要多柱電阻片柱并聯，才能滿足系統的要求。對于 多柱并聯電阻片柱，其電流分布特性是十分關鍵的技術性能。在交直流避雷器和串聯補償 裝置的標準中（GB11032、GB/T22389、GB/T25083、GB/T6115.2、GB/T25309)，都規定了 多柱并聯電阻片的電流分布不均勻系數的要求，一般規定多柱并聯電阻片的電流分布不均 勻系數不大于1. 1。由于保護電器的電阻片并聯柱數多達上百柱和試驗設備的容量，對其電 流分布無法整體同時測量，且在產品生產制造中需要測量準確、測量方法簡單、操作方便及 高效率，因此需要一種新的方法達到上述要求。
【發明內容】
[0003] 本發明的目的在于克服上述現有技術的缺點，提供了一種電阻片柱并聯電流分布 測試方法，該方法能夠準確測量電阻片柱并聯電流分布。
[0004] 為達到上述目的，本發明所述的電阻片柱并聯電流分布測試方法，包括以下步 驟：
[0005] 1)將電阻片配成Μ柱電阻片柱；
[0006] 2)在步驟1)得到的Μ柱電阻片柱中隨機抽取Ν柱電阻片柱，然后將抽取的Ν柱電 阻片柱組成待測電阻片柱組；
[0007] 3)在預設沖擊電流波形及幅值下，分別測量通過待測電阻片柱組中各電阻片柱的 電流值，再選取測量得到的電流值最大的電阻片柱及電流值最小的電阻片柱；
[0008] 4)在剩余電阻片柱中選取k柱電阻片柱，將選取的k柱電阻片柱、步驟3)得到的 電流值最大的電阻片組及電阻值最小的電阻片柱組成新的待測電阻片柱組；
[0009] 5)重復步驟3)及4)，直至Μ柱電阻片柱全部選取完成為止，得最后一次測量得的 最大電流值1_及最小電流值I_，然后根據最后一次測量得到的最大電流值1_及最小電 流值1_得多柱并聯電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數β_，然后根據多柱并聯電阻 片柱組的最大電流分布不均勻系數β_得電阻片柱并聯電流分布。
[0010] 多柱并聯電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數β_的表達式為：
[0011] β max= I max/lmin0
[0012] 步驟1)中的電阻片為金屬氧化物電阻片。
[0013] 所述沖擊電流的幅值為475A-525A。
[0014] 所述沖擊電流波形為30/60μs操作沖擊波形。
[0015] 本發明具有以下有益效果：
[0016] 本發明所述的電阻片柱并聯電流分布測試方法在操作時，先將電阻片配置成Μ 柱電阻片柱，然后通過連續隨機抽取的方法獲取各次測量的待測電阻片柱組，再在預設沖 擊電流波形及幅值下，測量得到最后一次測量的最大電流值及最小電流值，然后再根據測 量得到的最大電流值及最小電流值得到多柱并聯電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數 ，用戶即可根據所述多柱并聯電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數準確獲知電 阻片柱并聯電流分布，操作方便，試驗效率高，特別適用于電阻片柱數較多的情況，并且滿 足現有的標準和產品制造要求。
【具體實施方式】
[0017] 下面結合具體的實施例對本發明做進一步詳細描述，以下是對本發明的解釋而不 是限定。
[0018] 本發明所述的電阻片柱并聯電流分布測試方法包括以下步驟：
[0019] 1)將電阻片配成Μ柱電阻片柱；
[0020] 2)在步驟1)得到的Μ柱電阻片柱中隨機抽取Ν柱電阻片柱，然后將抽取的Ν柱電 阻片柱組成待測電阻片柱組；
[0021] 3)在預設沖擊電流波形及幅值下，分別測量通過待測電阻片柱組中各電阻片柱的 電流值，再選取測量得到的電流值最大的電阻片柱及電流值最小的電阻片柱；
[0022] 4)在剩余電阻片柱中選取k柱電阻片柱，將選取的k柱電阻片柱、步驟3)得到的 電流值最大的電阻片組及電阻值最小的電阻片柱組成新的待測電阻片柱組；
[0023] 5)重復步驟3)及4)，直至Μ柱電阻片柱全部選取完成為止，得最后一次測量得的 最大電流值1_及最小電流值I_，然后根據最后一次測量得到的最大電流值1_及最小電 流值1_得多柱并聯電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數β_，然后根據多柱并聯電阻 片柱組的最大電流分布不均勻系數β_得電阻片柱并聯電流分布。
[0024]多柱并聯電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數β_的表達式為：
[0025] β_=Ι_/Ι_。
[0026] 步驟1)中的電阻片為金屬氧化物電阻片。
[0027] 所述沖擊電流的幅值為475Α-525Α。
[0028] 所述沖擊電流波形為30/60μs操作沖擊波形。
[0029] 實施例一
[0030] 電阻片柱并聯數為48柱，并聯電阻片柱的電流分布不均勻系數不大于1. 05,通過 本發明測試的過程為：
[0031] 1)將48柱電阻片柱隨機抽取8柱電阻片柱組成待測電阻片柱組；
[0032] 2)在30/60μs操作沖擊波形和500±25Α電流下，測量電阻片柱組的電流分布，選 出電流值最大的電阻片柱和電流值最小的電阻片柱，保留電流值最大的電阻片柱和電流值 最小的電阻片柱，補充未測量的電阻片柱，組成新的待測電阻片柱組，重復上述步驟，得最 后一次測量得的最大電流值1_及最小電流值I_，各電阻片柱的測量結果如表1所示：
[0033] 表 1
[0034]
[0036] 5)計算多柱并聯電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數β_，其中
[0037] β_=I_/1_= 511. 32/487. 68 = 1. 048
[0038] 則本發明測量的48柱電阻片柱電流分布不均勻最大系數為1. 048,滿足并聯電阻 片柱的電流分布不均勻系數不大于1. 05的要求。
【主權項】
1. 一種電阻片柱并聯電流分布測試方法，其特征在于，包括以下步驟： 1) 將電阻片配成Μ柱電阻片柱； 2) 在步驟1)得到的Μ柱電阻片柱中隨機抽取Ν柱電阻片柱，然后將抽取的Ν柱電阻片 柱組成待測電阻片柱組； 3) 在預設沖擊電流波形及幅值下，分別測量通過待測電阻片柱組中各電阻片柱的電流 值，再選取測量得到的電流值最大的電阻片柱及電流值最小的電阻片柱； 4) 在剩余電阻片柱中選取k柱電阻片柱，將選取的k柱電阻片柱、步驟3)得到的電流 值最大的電阻片組及電阻值最小的電阻片柱組成新的待測電阻片柱組； 5) 重復步驟3)及4)，直至Μ柱電阻片柱全部選取完成為止，得最后一次測量得的最大 電流值1_及最小電流值I_，然后根據最后一次測量得到的最大電流值1_及最小電流值 1_得多柱并聯電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數β_，然后根據多柱并聯電阻片柱 組的最大電流分布不均勻系數β_得電阻片柱并聯電流分布。2. 根據權利要求1所述的電阻片柱并聯電流分布測試方法，其特征在于，多柱并聯電 阻片柱組的最大電流分布不均勻系數的表達式為： 艮max I maxZlmin03. 根據權利要求1所述的電阻片柱并聯電流分布測試方法，其特征在于，步驟1)中的 電阻片為金屬氧化物電阻片。4. 根據權利要求1所述的電阻片柱并聯電流分布測試方法，其特征在于，所述沖擊電 流的幅值為475A-525A。5. 根據權利要求1所述的電阻片柱并聯電流分布測試方法，其特征在于，所述沖擊電 流波形為30/60μs操作沖擊波形。
【專利摘要】本發明公開了一種電阻片柱并聯電流分布測試方法，包括：1)將電阻片配成M柱電阻片柱；2)隨機抽取N柱電阻片柱，構建待測電阻片柱組；3)在預設沖擊電流波形及幅值下，分別測量通過待測電阻片柱組中各電阻片柱的電流值，再選取測量得到的電流值最大的電阻片柱及電流值最小的電阻片柱；4)在剩余電阻片柱中選取k柱電阻片柱，將選取的k柱電阻片柱、步驟3)得到的電流值最大的電阻片組及電阻值最小的電阻片柱組成新的待測電阻片柱組；重復步驟3)及4)，直至M柱電阻片柱全部選取完成為止，得最后一次測量得的最大電流值及最小電流值，得電阻片柱并聯電流分布。本發明能夠準確測量電阻片柱并聯電流分布。
【IPC分類】G01R19/10
【公開號】CN105425018
【申請號】CN201511029845
【發明人】何計謀, 謝清云, 祝嘉喜, 張宏濤
【申請人】中國西電電氣股份有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年12月31日