射頻信號峰值探測器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及集成電路領域，特別是涉及一種射頻信號峰值探測器。
【背景技術】
[0002]射頻Rad1 Frequency，簡稱RF射頻就是射頻電流，它是一種高頻交流變化電磁波的簡稱。每秒變化小于1000次的交流電稱為低頻電流，大于10000次的稱為高頻電流，而射頻就是這樣一種高頻電流。射頻技術在無線通信領域具有廣泛的、不可替代的作用。射頻發射器通常需要一個功率/峰值探測器用來監控和控制輸出功率，但現有射頻發射器峰值探測器結構比較復雜，制作成本較高。
【發明內容】
[0003]本發明要解決的技術問題是提供一種與現有射頻信號峰值探測器相比結構簡單制造成本低的射頻信號峰值探測器。
[0004]為解決上述技術問題，本發明提供的射頻信號峰值探測器，包括:
[0005]耦合電容Cl的負極作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸入端P1，耦合電容Cl的正極連接第一電阻Rl的一端，第一電阻Rl的另一端連接第二電阻R2 —端以及第四電阻R4的一端；
[0006]第二電阻R2的另一端接二極管D的負極，二極管D的正極接地；
[0007]第四電阻R4的另一端作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸出端P2并通過低通電容C2接地；
[0008]進一步改進，還包括，第三電阻R3，其一端連接于第一電阻Rl和第四電阻R4之間另一端接地。
[0009]進一步改進，二極管D可由一個PMOS、NM0S、雙極PNP或雙極NPN代替。
[0010]本發明工作時，射頻信號的電壓波形通過耦合電容Cl和第一電阻Rl耦合至VDET端(詳見附圖1)。耦合電容C和第一電阻Rl的參數可以通過射頻信號的頻率及耦合點的阻抗進行調整。當沒有射頻信號時，VDET端的直流電壓為0，二極管D零偏并處于高阻狀態。當射頻功率逐漸上升時，VDET端的電壓擺幅逐漸上升，但仍然在OV附近。當其擺幅的谷值低于-Vth (Vth是二極管D的導通電壓)時，二極管D瞬間導通并為VDET端提供一個到地的通路，將VDET端的低電壓鉗位于-Vth。當射頻功率進一步上升時，電壓波形的谷值鉗位于-Vth，流過二極管D的電流通過第三電阻R3放電，這樣VDET端的直流電壓正比于其交流信號的幅度。本發明中的低通電容C2濾波可以濾除射頻信號，并保持其輸出電壓VOUT的直流分量。本發明中的輸出電壓VOUT可以通過模擬電路進一步處理其檢測輸出的波形。
[0011]本發明提供的射頻信號峰值探測器結構簡單，版圖面積非常小。本發明不需偏置電路，也沒有直流損耗，本發明的峰值探測器輸入阻抗高，對射頻信號測量點的輸出阻抗不敏感，從而不會對被測量的主電路有明顯的負載效應。假設二極管D的閾值電壓是￥訪，射頻測量點信號的幅度是Arf，如果Arf>Vth，那么峰值探測器輸出直流電壓Vout = Arf-Vth,可以將其放置于功率放大器中級間匹配的任何一處。本發明提供的射頻信號峰值探測器對于主電路沒有明顯的負載效應，故不會影響其射頻特性。
【附圖說明】
[0012]下面結合附圖與【具體實施方式】對本發明作進一步詳細的說明:
[0013]圖1為本發明第一實施例的結構示意圖。
[0014]圖2為本發明第二實施例的結構示意圖。
[0015]圖3為本發明第三實施例的結構示意圖。
[0016]圖3-1為本發明第四實施例的結構示意圖。
[0017]圖4為本發明第五實施例的結構示意圖。
[0018]圖4-1為本發明第六實施例的結構示意圖。
[0019]圖5為本發明第七實施例的結構示意圖。
[0020]圖5-1為本發明第八實施例的結構示意圖。
[0021]圖6為本發明第九實施例的結構示意圖。
[0022]圖6-1為本發明第十實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0023]如圖1所示本發明提供的第一實施例，包括:耦合電容Cl的負極作為射頻信號峰值探測器的射頻親合輸入端Pl (PTAP)，親合電容Cl的正極連接第一電阻Rl的一端，第一電阻Rl的另一端連接第二電阻R2 —端以及第四電阻R4的一端；
[0024]第二電阻R2的另一端接二極管D的負極，二極管D的正極接地；
[0025]第四電阻R4的另一端作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸出端P2并通過低通電容C2接地；
[0026]如圖2所示本發明提供的第二實施例，其與第一實施例的差別在于，還包括，第三電阻R3，其一端連接于第一電阻Rl和第四電阻R4之間另一端接地。
[0027]如圖3所示，本發明提供的第三實施例，其與第一實施例的差別在于，二極管D可由一個PMOS代替。
[0028]如圖3-1所示，本發明提供的第四實施例，其與第二實施例的差別在于，二極管D可由一個PMOS代替。
[0029]如圖4所示，本發明提供的第五實施例，其與第一實施例的差別在于，二極管D可由一個NMOS代替。
[0030]如圖4-1所示，本發明提供的第六實施例，其與第二實施例的差別在于，二極管D可由一個NMOS代替。
[0031]如圖5所示，本發明提供的第七實施例，其與第一實施例的差別在于，二極管D可由一個雙極PNP代替。
[0032]如圖5-1所示，本發明提供的第八實施例，其與第二實施例的差別在于，二極管D可由一個雙極PNP代替。
[0033]如圖6所示，本發明提供的第九實施例，其與第一實施例的差別在于，二極管D可由一個雙極NPN代替。
[0034]如圖6-1所示，本發明提供的第十實施例，其與第二實施例的差別在于，二極管D可由一個雙極NPN代替。
[0035]以上通過【具體實施方式】和實施例對本發明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發明的限制。在不脫離本發明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種射頻信號峰值探測器，其特征是，包括: 耦合電容(Cl)的負極作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸入端(P1)，耦合電容(Cl)的正極連接第一電阻(Rl)的一端，第一電阻(Rl)的另一端連接第二電阻(R2) —端以及第四電阻(R4)的一端； 第二電阻(R2)的另一端接二極管(D)的負極，二極管(D)的正極接地； 第四電阻(R4)的另一端作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸出端(P2)并通過低通電容(C2)接地。2.如權利要求1所述的射頻信號峰值探測器，其特征是，還包括:第三電阻(R3)，其一端連接于第一電阻(Rl)和第四電阻(R4)之間另一端接地。3.如權利要求1或2所述的射頻信號峰值探測器，其特征是:第二電阻(R2)的另一端通過一個PMOS、NMOS、雙極PNP或雙極NPN接地。
【專利摘要】本發明公開了一種射頻信號峰值探測器，包括：耦合電容的負極作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸入端，耦合電容的正極連接第一電阻的一端，第一電阻的另一端連接第二電阻一端、第三電阻一端以及第四電阻的一端；第二電阻的另一端接二極管的負極，二極管的正極接地；第三電阻的另一端接地；第四電阻的另一端作為射頻信號峰值探測器的射頻耦合輸出端并通過低通電容濾波接地。本發明的射頻信號峰值探測器與現有射頻信號峰值探測器相比結構簡單，制造成本低。
【IPC分類】G01R19/04
【公開號】CN105182049
【申請號】CN201510588785
【發明人】何山暐, 趙奐
【申請人】湖南格蘭德芯微電子有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年9月16日