一種用于電阻測量的輔助裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種輔助裝置，具體涉及一種用于電阻測量的輔助裝置。
【背景技術】
[0002]現有的薄膜電阻測試時一般采用金屬夾子或測試筆，這兩種側方法均存在一定的問題。金屬夾子由于夾緊力度較大，容易破壞薄膜電阻元件的表面，影響測試的結果；而采用測試筆測試時，使用者每次都需要將兩根測試筆分別與電阻的兩根引線接觸，這樣測試比較麻煩，效率低下，不便于規模化生產。
【發明內容】
[0003]為解決現有技術的不足，本發明提供了一種結構簡單，使用效率高的電阻測量輔助裝置。
[0004]本發明解決問題采用的技術方案是:
一種用于電阻測量的輔助裝置，包括基座，所述基座的表面設置有多道凹槽，所述凹槽由左、右凹槽構成，所述基座內設有導片，其中每一道的左凹槽的底部均與導片連接，所述導片的一端延伸至基座的外部，所述基座的一側還鉸接有可蓋合在基座表面的壓板，所述壓板與凹槽正對的位置上設置有彈性的凸塊。
[0005]作為上述方案的進一步改進，所述凸塊為橡膠制件。
[0006]作為上述方案的進一步改進，所述壓板的上表面固定連接有重塊。
[0007]作為上述方案的進一步改進，所述重塊上延伸有用于拉起壓板的把手。
[0008]本發明的有益效果:本發明采用設置有凹槽的基座，使用時可將電阻的放在凹槽內，并將壓板放下壓緊電阻，一邊用金屬夾子夾住導片，一邊用測試筆逐一與電阻的一端引線接觸，即可取得每一個的測試結果。裝載電阻十分方便，有利于提高測試的效率。
【附圖說明】
[0009]下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明:
圖1是本發明的局部剖視示意圖；
圖2是本發明的基座的俯視不意圖。
【具體實施方式】
[0010]參照圖1和圖2，一種用于電阻測量的輔助裝置，包括基座1，所述基座I的表面設置有多道凹槽2，所述凹槽2由左、右凹槽21、22構成，所述基座I內設有導片3，其中每一道的左凹槽21的底部均與導片3連接，所述導片3的一端延伸至基座I的外部，所述基座I的一側還鉸接有可蓋合在基座I表面的壓板4，所述壓板4與凹槽2正對的位置上設置有彈性的凸塊5。
[0011]作為進一步優選的實施方式，所述凸塊5為橡膠制件。
[0012]作為進一步優選的實施方式，所述壓板4的上表面固定連接有重塊6。當壓板4蓋合在基座I上時，該重塊6有助于將凸塊5壓緊在凹槽2內，保證放置在其中的電阻8不易松動。
[0013]作為進一步優選的實施方式，所述重塊6上延伸有用于拉起壓板4的把手7。該把手7和重塊6為一體式的結構。
[0014]本發明結構緊湊，主要適用兩支引線向相反兩端延伸的電阻8，使用時將電阻8放置在凹槽2內，其中一端的引線放置在左凹槽21內，另一端的引線放置在右凹槽22內。蓋上壓板4，壓板4上的凸塊5緊壓電阻8的引線，保證電阻8不易松動。將與測試儀器連接金屬夾子夾緊導片3，測試儀器的另一端采用測試筆，此時利用測試筆逐一接觸電阻8右邊伸長基座I外部的引線，即可得出每一個電阻8的測試結果。
[0015]以上所述只是本發明較佳的實施方式，其并不構成對本發明保護范圍的限制，只要是以基本相同的手段實現本發明的目的都應屬于本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種用于電阻測量的輔助裝置，包括基座(I)，其特征在于:所述基座(I)的表面設置有多道凹槽(2)，所述凹槽(2)由左、右凹槽(21、22)構成，所述基座(I)內設有導片(3)，其中每一道的左凹槽(21)的底部均與導片(3)連接，所述導片(3)的一端延伸至基座(I)的外部，所述基座(I)的一側還鉸接有可蓋合在基座(I)表面的壓板(4)，所述壓板(4)與凹槽(2 )正對的位置上設置有彈性的凸塊(5 )。2.根據權利要求1所述的一種用于電阻測量的輔助裝置，其特征在于所述凸塊(5)為橡膠制件。3.根據權利要求1所述的一種用于電阻測量的輔助裝置，其特征在于所述壓板(4)的上表面固定連接有重塊(6 )。4.根據權利要求3所述的一種用于電阻測量的輔助裝置，其特征在于所述重塊(6)上延伸有用于拉起壓板(4)的把手(7)。
【專利摘要】本發明公開了一種用于電阻測量的輔助裝置，包括基座，所述基座的表面設置有多道凹槽，所述凹槽由左、右凹槽構成，所述基座內設有導片，其中每一道的左凹槽的底部均與導片連接，所述導片的一端延伸至基座的外部，所述基座的一側還鉸接有可蓋合在基座表面的壓板，所述壓板與凹槽正對的位置上設置有彈性的凸塊。本發明采用設置有凹槽的基座，使用時可將電阻的放在凹槽內，并將壓板放下壓緊電阻，一邊用金屬夾子夾住導片，一邊用測試筆逐一與電阻的一端引線接觸，即可取得每一個的測試結果。裝載電阻十分方便，有利于提高測試的效率。
【IPC分類】G01R27/02
【公開號】CN105021893
【申請號】CN201510488989
【發明人】繆昌谷
【申請人】太倉市高泰機械有限公司
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2015年8月11日