一種全新的led晶粒檢測技術的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明為一種檢測方法，具體涉及一種全新的LED晶粒檢測技術。
【背景技術】
[0002]現階段使用的LED芯片測試機臺在測試芯片的過程中，是先對芯片的抗靜電能力進行測試，接著再量測芯片的各種電性，最終把芯片的所有測量數據記錄下來；如果芯片的抗靜電能力不夠，就放棄量測芯片的電性。這種方法的缺點是單顆芯片的測試時間長，效率低。如果要滿足大批量生產的話，人員與機臺需求量大，造成的機臺成本與人員成本極高。
【發明內容】
[0003]本發明克服現有技術存在的不足，旨在提供一種生產成本低，且可大大縮短芯片測量時間的晶粒檢測技術。
[0004]為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為:一種全新的LED晶粒檢測技術，在機臺上加裝一根性能測試探針，首先使用ESD單元探針對芯片的抗靜電能力進行測量，ESD單元為靜電釋放單元，將抗靜電性能測量后的芯片移動，在芯片移動的過程中，通過伺服驅動器控制芯片的移動，將芯片置于SMU單元探針的正下方，SMU單元為源測量單元，保證SMU單元探針的檢測位置與ESD單元探針的檢測位置相同，并對芯片的電性進行測量和記錄，在SMU單元探針對芯片的電性進行測量時，同時對同一顆芯片的所有數據進行綜合記錄。縮短了芯片的測量時間，能夠大幅度降低生產成本。兩次測量的位置均位于芯片的同一位置，不會對芯片的外觀造成額外的損害。
[0005]其中，伺服驅動器通過智能系統自動控制，既能保證運行的穩定性，又能保證芯片測量的準確度和精度。
[0006]本發明與現有技術相比具有以下有益效果:本發明的兩次量測可以保證探針接觸芯片是在同一位置，不會對芯片的外觀造成額外的損害，同時縮短了芯片的量測時間，因此能大幅度降低生產成本。另外，本發明的測量方法加快了芯片的光電性測量速度，提高了生產效率與合格率，降低機臺成本與人力成本，可實現大批量生產作業。
【具體實施方式】
[0007]先對本發明的技術方案進行進一步闡述。
[0008]一種全新的LED晶粒檢測技術，在機臺上加裝一根性能測試探針，首先使用ESD單元探針對芯片的抗靜電能力進行測量，ESD單元為靜電釋放單元，將抗靜電性能測量后的芯片移動，在芯片移動的過程中，通過伺服驅動器控制芯片的移動，將芯片置于SMU單元探針的正下方，SMU單元為源測量單元，保證SMU單元探針的檢測位置與ESD單元探針的檢測位置相同，并對芯片的電性進行測量和記錄，在SMU單元探針對芯片的電性進行測量時，同時對同一顆芯片的所有數據進行綜合記錄。縮短了芯片的測量時間，能夠大幅度降低生產成本。兩次測量的位置均位于芯片的同一位置，不會對芯片的外觀造成額外的損害。
[0009]其中，伺服驅動器通過智能系統自動控制，既能保證運行的穩定性，又能保證芯片測量的準確度和精度。
[0010]以下結合以硅(Si)基砷化鉀晶圓2寸，晶粒為12X 12mil的LED芯片測試為例，在晶圓上大約有28000顆芯片需要進行光電性測試，傳統的測試方法測試完畢需要125分鐘；而我們使用這種新的測試方法，只需要100分鐘就能完成測試，可以節約25分鐘，提高了產能，節省了成本。
[0011]本發明可用其他的不違背本發明的精神或主要特征的具體形式來概述。因此，無論從那一點來看，本發明的上述實施方案都只能認為是對本發明的說明而不能限制發明，權利要求書指出了本發明的范圍，而上述的說明并未指出本發明的范圍，因此，在與本發明的權利要求書相當的含義和范圍內的任何變化，都應認為是包括在權利要求書的范圍內。
【主權項】
1.一種全新的LED晶粒檢測技術，其特征在于，在機臺上加裝一根性能測試探針，首先使用ESD單元探針對芯片的抗靜電能力進行測量，將抗靜電性能測量后的芯片移動，在芯片移動的過程中，通過伺服驅動器控制芯片的移動，將芯片置于SMU單元探針的正下方，保證SMU單元探針的檢測位置與ESD單元探針的檢測位置相同，并對芯片的電性進行測量和記錄，在SMU單元探針對芯片的電性進行測量時，同時對同一顆芯片的所有數據進行綜合記錄。
2.根據權利要求1所述的一種全新的LED晶粒檢測技術，其特征在于，所述伺服驅動器通過智能系統自動控制。
【專利摘要】本發明為一種檢測方法，旨在提供一種生產成本低，且可大大縮短芯片測量時間的晶粒檢測技術；一種全新的LED晶粒檢測技術，在機臺上加裝一根性能測試探針，首先使用ESD單元探針對芯片的抗靜電能力進行測量，將抗靜電性能測量后的芯片移動，在芯片移動的過程中，通過伺服驅動器控制芯片的移動，將芯片置于SMU單元探針的正下方，保證SMU單元探針的檢測位置與ESD單元探針的檢測位置相同，并對芯片的電性進行測量和記錄，在SMU單元探針對芯片的電性進行測量時，同時對同一顆芯片的所有數據進行綜合記錄，縮短了芯片的測量時間，能夠大幅度降低生產成本，兩次測量的位置均位于芯片的同一位置，不會對芯片的外觀造成額外的損害。
【IPC分類】G01R31-26
【公開號】CN104808129
【申請號】CN201510147638
【發明人】肖鵬春
【申請人】山西南燁立碁光電有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年3月31日