ht.12、第三分量Zsht.21和第四分量Zsht.22的計算公式分別為:
[0064]Zsht.11= (Zdemshort.11 — Zdemshort.12) X (C + D) + Zdemshort.12X (A + B)；
[0065]Zsht.12=Zdemshort.12X (A + B);
[0066]Zsht.21=Zdemshort.21X (A + B);
[0067]Zsht.22= (Zdemshort.22 — Zdemshort.21) X (C + D) + Zdemshort.12X (A + B)；
[0068]其中，A為所述整體結構Total的第一對接地焊墊(Gl或G2)所連接的第一導線(1a或10a’ )的長度，C為所述整體結構Total的第一對信號焊墊(G3或G4)所連接的第二導線(1b或10b’)的長度，B為所述短路結構Short的第一對接地焊墊(G13或G14)連接的第三導線(1c或10c’)的長度，D為所述短路結構Short的第一對信號焊墊(G15或G16)所連接的第四導線(1d或10d’ )的長度。
[0069]所述短路仿真結構Dummy Short與短路結構Short的唯一區別在于:與第一對接地焊墊連接的導線長度縮短了，縮短的長度L等于C與A的差值。請參考圖3，其為本發明實施例的短路仿真結構的結構示意圖。如圖3所示,在所述短路仿真結構Dummy Short中，與第一對接地焊墊連接的導線長度E與整體結構Total中與第一對接地焊墊連接的導線長度A相等。
[0070]一般而言，長度C等于長度D。當長度C等于長度D時，所述第一分量Zsht.11、第二分量Zsht.12、第三分量Zsht.21和第四分量Zsht.22的計算公式可以分別表示為:
[0071]Zsht.1l=Zdemshort.11 — Zdemshort.12 + Zdemshort.12X (A + B)；
[0072]Zsht.12=Zdemshort.12X (A + B);
[0073]Zsht.21=Zdemshort.21X (A + B);
[0074]Zsht.22=Zdemshort.22 — Zdemshort.21 + Zdemshort.12X (A + B)。
[0075]最后，利用公式Zdut=Zdenropen — Zsht得到所述待測器件DUT本身的測試結果，完成去嵌。
[0076]完成去嵌后，所述待測器件DUT的測試結果顯示為阻抗參數值Zdut，根據實際需要可以將所述阻抗參數值Zdut繼續轉換為散射參數值Sdut，即Zdu — sdut。
[0077]將本發明實施例的去嵌入的測試方法進行去嵌之后的測試結果與和軟件仿真數據進行對照，結果是一致的。可見，所述去嵌入的測試方法能夠精確地去除與所述待測器件DUT連接的導線(leads)和測試焊墊(test pads)所引起的寄生效應(parasitics)。
[0078]綜上，在本發明實施例提供的去嵌入的測試方法中，通過分別測量完整結構和短路結構中與接地焊墊和信號焊墊所連接的導線長度，根據所述導線長度的測量結果引入一短路仿真結構，所述短路仿真結構中的導線長度與所述完整結構中的導線長度一致，因此在去嵌計算之后能夠得到更加精確地測試結果。
[0079]上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，并非對本發明范圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬于權利要求書的保護范圍。
【主權項】
1.一種去嵌入的測試方法，其特征在于，包括: 提供一去嵌入的測試結構，所述去嵌入的測試結構包括相互獨立的整體結構、開路結構和短路結構，所述整體結構具有一待測器件，所述開路結構和短路結構均在所述整體結構的基礎上去除了所述待測器件； 分別測試所述整體結構、開路結構和短路結構，得到所述整體結構、開路結構和短路結構的散射參數值； 分別測量所述整體結構和短路結構中的導線長度； 根據測得的導線長度和所述整體結構、開路結構和短路結構的散射參數值進行去嵌計算，得到所述待測器件本身的測試結果。
2.如權利要求1所述的去嵌入的測試方法，其特征在于，所述整體結構、開路結構和短路結構均包含依次排列的第一對接地焊墊、第一對信號焊墊和第二對接地焊墊； 所述整體結構的待測器件具有一接地端和兩個信號端，所述接地端分別通過兩條第一導線與所述整體結構的第一對接地焊墊連接，所述兩個信號端分別通過兩條第二導線與所述整體結構的第一對信號焊墊連接； 所述短路結構的第一對接地焊墊分別與兩條第三導線連接，所述短路結構的第一對信號焊墊分別與兩條第四導線連接，兩條第三導線分別與兩條第四導線連接。
3.如權利要求2所述的去嵌入的測試方法，其特征在于，分別測量所述整體結構和短路結構中的導線長度的方法包括: 測量所述整體結構的第一對接地焊墊所連接的第一導線的長度； 測量所述整體結構的第一對信號焊墊所連接的第二導線的長度； 測量所述短路結構的第一對接地焊墊所連接的第三導線的長度； 測量所述短路結構的第一對信號焊墊所連接的第四導線的長度。
4.如權利要求1所述的去嵌入的測試方法，其特征在于，所述去嵌計算包括以下步驟: 步驟一:分別將所述整體結構、開路結構和短路結構的散射參數值轉化為所述整體結構、開路結構和短路結構的導納參數值； 步驟二:將所述整體結構的導納參數值減去所述開路結構的導納參數值，得到所述整體結構利用所述開路結構去嵌后的導納參數值，將所述整體結構利用所述開路結構去嵌后的導納參數值轉化為所述整體結構利用所述開路結構去嵌后的阻抗參數值；將所述短路結構的導納參數值減去所述開路結構的導納參數值，得到所述短路結構利用所述開路結構去嵌后的導納參數值，將所述短路結構利用所述開路結構去嵌后的導納參數值轉化為所述短路結構利用所述開路結構去嵌后的阻抗參數值； 步驟三:根據測得的導線長度和所述短路結構利用所述開路結構去嵌后的阻抗參數值計算短路仿真結構的阻抗參數值； 步驟四:將所述整體結構利用所述開路結構去嵌后的阻抗參數值減去所述短路仿真結構的阻抗參數值，得到所述待測器件的阻抗參數值。
5.如權利要求4所述的去嵌入的測試方法，其特征在于，步驟三中所述短路仿真結構的阻抗參數值的4個分量分別是第一分量Zsht.11、第二分量Zsht.12、第三分量Zsht.21和第四分量Zsht.22，所述第一分量Zsht.11、第二分量Zsht.12、第三分量Zsht.21和第四分量Zsht.22的計算公式分別為:Zshf 11= (Zdemshorf 11 — Zdemshorf 12> X (C + D) + Zdemshort.12X (A + B)；Zshf 12=Zdemshort.12X (A + B); Zshf 2I=Zdemshort.21 X (A + B)； Zsht- 22= (Zdemshort.22 — Zdemshort.21) X (C + D)十 Zdemshort.12X (A + B)。 其中，所述Zd?shOTt為所述短路結構利用所述開路結構去嵌后的阻抗參數值，A為所述整體結構的第一對接地焊墊所連接的第一導線的長度；C為所述整體結構的第一對信號焊墊所連接的第二導線的長度為所述短路結構的第一對接地焊墊所連接的第三導線的長度；D為所述短路結構的第一對信號焊墊所連接的第四導線的長度。
【專利摘要】本發明提供了一種去嵌入的測試方法，所述去嵌入的測試方法包括：提供一去嵌入的測試結構，去嵌入的測試結構包括相互獨立的整體結構、開路結構和短路結構，整體結構具有一待測器件，開路結構和短路結構均在整體結構的基礎上去除了待測器件；分別測試整體結構、開路結構和短路結構，得到整體結構、開路結構和短路結構的散射參數值；分別測量整體結構和短路結構中的導線長度；根據測得的導線長度和整體結構、開路結構和短路結構的散射參數值進行去嵌計算，得到待測器件本身的測試結果。本發明去嵌入的測試方法中，通過分別測量完整結構和短路結構中的導線長度以去除短路結構中較完整結構多出的導線長度，因此去嵌計算能夠得到更加精確地測試結果。
【IPC分類】G01R27-02
【公開號】CN104777360
【申請號】CN201410014472
【發明人】盛亞, 王西寧
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2014年1月13日