專利名稱：薄膜電容式濕敏裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型屬傳感裝置領域，具體為一種薄膜電容式濕敏裝置。
目前經中國專利局CD光盤查新、檢索發現有這方面的裝置，如專利號91223530.6名稱“耐高濕分子濕敏元件”，其不足之處在于不能做得很小，一般為4×6mm左右，電容采用兩極板串聯式，現有電容元件的有效面積只是實際面積的1/4，而基礎電容量卻不大，從而成本高。
本實用新型的目的在于提供一種結構簡單、成本低廉，在相同硅片上制作元件量大的薄膜電容式濕敏裝置。
本實用新型的目的是這樣實現的芯片粘接在管座上，光刻下電極在上電極引出中，上電極引出為 形，絕緣層上面是光刻下電極和上電極引出，下面是硅基片。感濕膜上面是光刻上電極，下面是光刻下電極和上電極引出，芯片是由硅基片、絕緣層、光刻下電極、上電極引出、感濕膜、光刻上電極組成，內引線與上電極引出和下電極連接。
本實用新型的優點在于結構簡單、成本低廉，可大規模批量生產，基礎電容量大，體積小，安裝使用方便。
圖1為本實用新型結構原理主視示意圖；圖2為本實用新型結構原理主視圖的A-A剖面示意圖；圖3為本實用新型結構原理分解示意圖；圖3(a)為本實用新型結構原理光刻上電極示意圖；圖3(b)為本實用新型結構原理感濕膜示意圖；圖3(c)為本實用新型結構原理光刻下電極、上電極引出示意圖；圖3(d)為本實用新型結構原理硅基片、絕緣層示意圖；圖4為本實用新型結構原理安裝示意圖；圖4(e)為本實用新型結構原理管帽示意圖；圖4(f)為本實用新型結構原理管座示意圖。
以下結合附圖詳述本實用新型最佳實施例芯片(11)粘接在管座(8)上，光刻下電極(3)在上電極引出(4)中，上電極引出(4)為 形，絕緣層(2)上面是光刻下電極(3)和上電極引出(4)，下面是硅基片(1)，感濕膜(5)上面是光刻上電極(6)，下面是光刻下電極(3)和上電極引出(4)，芯片(11)是由硅基片(1)、絕緣層(2)、光刻下電極(3)、上電極引出(4)、感濕膜(5)、光刻上電極(6)組成，內引線(7)與上電極引出(4)和下電極(3)連接。內引線與外引線連接，管帽與管座連接，避免機械損傷，增加抗震性。
權利要求1.一種薄膜電容式濕敏裝置，它是由硅基片(1)、絕緣層(2)、光刻下電極(3)、上電極引出(4)、感濕膜(5)、光刻上電極(6)、內引線(7)、管座(8)、管帽(9)、外引線(10)、芯片(11)組成，其特征是芯片(11)粘接在管座(8)上，光刻下電極(3)在上電極引出(4)中，上電極引出(4)為 形，絕緣層(2)上面是光刻下電極(3)和上電極引出(4)，下面是硅基片(1)，感濕膜(5)上面是光刻上電極(6)，下面是光刻下電極(3)和上電極引出(4)，芯片(11)是由硅基片(1)、絕緣層(2)、光刻下電極(3)、上電極引出(4)、感濕膜(5)、光刻上電極(6)組成，內引線(7)與上電極引出(4)和下電極(3)連接。
專利摘要本實用新型屬傳感裝置領域，具體為一種薄膜電容式濕敏裝置。其特點是芯片粘接在管座上，光刻下電極在上電極引出中，上電極引出為“”形，絕緣層上面是光刻下電極和上電極引出，下面是硅基片。感濕膜上面是光刻上電極，下面是光刻下電極和上電極引出，內引線與上電極引出和下電極連接。本實用新型結構簡單、成本低廉，可大規模批量生產，基礎電容量大，體積小，安裝使用方便。
文檔編號G01N27/22GK2243659SQ9522230
公開日1996年12月25日 申請日期1995年9月14日 優先權日1995年9月14日
發明者孫晴, 張樹琨, 趙國強 申請人:電子工業部第四十九研究所