專利名稱：感離子場效應管傳感器的靜電放電保護的制作方法
一、發明領域概括地說，本發明涉及用于(a)測量液體中的離子；(b)保護該設備使不受靜電放電效應作用；及(c)制造該設備，包括在硅片上的靜電放電保護電路的方法和設備。
更具體地說，本發明涉及給基于感離子場效應管(ISFET)的用于選擇性地測量液體中離子的裝置提供靜電放電(ESD)保護的方法、設備和芯片制造技術。
根據本發明的一個方向，由傳統保護元件制作的ESD保持電路被集成在其上形成有ISFET的同一硅片上，并且有一個新的接口。根據本發明，該新的接口與被測液體接觸，是一種對ISFET和液體間的直流漏電流不打開通路的結構。
根據本發明的一個優選實施例，使用了電容結構作為保護電路和液體取樣之間的接口。
本發明的另一個方面是涉及本質上用于利用如上所指的接口裝置(如電容結構)提供對ISFET傳感器的ESD保護的方法，以及在一個硅片上制造該新接口的過程。
二、相關技術的描述利用一個ISFET測量液體中的離子的方法和設備對于本領域的熟練技術人員來說是眾所周知的。例如，在此結合引入作為參考以說明該技術的狀況，Johnson在美國專利號4,020,830以及Connery等人在美國專利號4,851,104中建議利用該設備。該裝置典型地包括一個測量電路和其中一個浸入液體中用于選擇性測量離子活動的ISFET。
上述的裝置有很多應用，包括用于醫學和生化領域，在該領域眾所周知，用不同的ISFET測量不同的離子活動，比如pH，pK和pNa。
雖然，半導體FET型結構被已知是對ESD敏感的，直到最近，很多人仍相信ISFET結構對ESD作用是很不敏感的，因為(1)ISFET不包含一個鍍金屬的門電極(它通常直接涉及靜電損壞)，而且(2)長時間的經驗說明該裝置可被許多人操縱而無任何靜電損壞的痕跡。然而對ISFET電極的測試說明了在一次ESD事件后儀器可能發生很大的漂移。
本領域技術人員將認識到雖然曾努力試圖闡明在基于ISFET的傳感器中防止ESD破壞的問題，已有的解決此問題的方法包括固有的局限性，尤其是當在一塊硅片上制造傳感器時。
在闡述這些局限之前，將首先舉例闡明用于保護基于ISFET的傳感器不受ESD事件的損害的現有技術設備的狀況以與由本發明設想的這種ESD保護方法和設備相比較。
在此將證明通過使用保護電路(在一個基于ISFET的探頭組件內)可以防止ESD損害(根據本發明的指導)，該保護電路在試驗例中ESD事件期間允許電荷的聚集同時把電荷傳輸到ISFET的源極、漏極和襯底上。
該提供ESD保護的方法通過在ESD事件期間在絕緣體的任一側上迅速平衡電荷而使跨過晶體管絕緣體結構所建立的電場最小化。
實現上述功能的ESD損害保護電路可以使用諸如連接于待測液體和晶體管源極、漏極及襯底之間的快速雙向齊納二極管。下面將參照附圖詳述該電路。
與待測液體的電接觸可以用對電極來達到，諸如先前引入作為參考的上述美國專利號4,851,104中描述的對電極。
用于選擇性測量液體中的離子和保護不受ESD事件損害的現有設備狀況的另一個例子是Ligtenberg等人在美國專利號4,589,970中提出的。就其對用于一基于ISFET的傳感器的ESD保護電路的描述，在此引入作為參考。
在引用的4,589,970專利中講述的保護電路包括至少一個電極，該電極經低阻抗接觸面與取樣液體相聯，并通過具有高壓低阻抗而低壓高阻抗的保護器件與ISFET耦合。
所引用的4,589,970號專利說明單向齊納二極管、電容器、機械開關和高閾值電壓MOSFET可以代替或與雙向齊納二極管并用以保護不受EST事件損害。
所引用的4,589,970號專利提出使用安裝于探頭單元的分立元件和/或在ISFET的硅襯底上的集成電路來形成保護電路。
至于上述指出的局限性，在ISFET的硅襯底上集成4,589,970號專利所述的保護電路(及任何類似的電路)的障礙在于很難制造提供與液體接觸的可靠低阻抗的金屬電極。
所引用的4,589,970號專利建議利用鋁膜或多晶硅膜來形成接觸面，然而，在很多通過ISFET測量的液體中，兩種膜都易受化學腐蝕。
另一種辦法是沉積一層由諸如金或鉑的貴重金屬組成的膜作接觸面。遺憾的是，金或鉑膜通常需要一層使用諸如鈦或鉻材料的中介層才能很好地附著于襯底上；因而，附加另一層薄膜可能有損于電極的化學阻抗，尤其是當貴金屬膜上出現了細孔時。
當在待測液體(取樣)和保護電路之間使用低阻抗金屬接觸面時存在的另一種顧慮是對于經過在取樣液和ISFET源極、漏極及襯底之間保護電路的直流漏電流，該保護電路是一不打開的通路。
因此，希望獲得方法和設備，對用于選擇性地測量液體中的離子的基于ISFET的設備提供ESD保護，該方法和設備使用(a)在形成ISFET的同一塊硅片上集成的傳統保護元件組成的一種ESD保護電路；及(b)與被測液體接觸的一個接口裝置，該裝置對于ISFET和液體之間的直流漏電流不是開路。
而且，希望提供制造技術，該技術使上述保護電路被集成在ISFET的硅襯底上，避免制作作為與液體接觸的可靠低阻抗接觸面的金屬電極的困難。
而且，希望提供設備，該設備利用在很多通過ISFET測量的液體中抗化學腐蝕的接觸膜，而不用借助于使用貴金屬和中介層來使該膜很好地附著于襯底上。
本發明概述因而，本發明的目的是提供方法和設備，用于測量液體中的離子，且固有地保護設備不受靜電放電的影響。
本發明的另一個目的是提供在一個硅片上制造上述設備(即，結合有靜電放電保護電路的用于測量液體中離子的設備)的技術。
更具體地，本發明的一個目的是給用于選擇性測量液體中的離子的基于ISFET的裝置提供靜電放電保護。
本發明的另外一個目的是提供給用于選擇性測量液體中的離子的基于ISFET的裝置提供ESD保護的方法和設備，該方法和設備使用(a)一種由集成在形成ISFET的同一塊硅片上的傳統保護元件組成的ESD保護電路；(b)與被測量液體接觸的并且對ISFET和液體之間的直流漏電流不打開通路的一個接口裝置。
本發明的另一個目的是提供芯片制造技術，該技術使上述保護電路能被集成在該ISFET的硅襯底上，集成的方法避免了制造作為與液體接觸的可靠低阻接觸面的金屬電極的困難。
本發明的另一個目的是提供基于ISFET的設備，用于測量液體中的離子，該設備使用抗化學腐蝕的并且不需使用中介層來使沉積膜很好地附著于襯底上的非金屬的接觸膜。
根據本發明的一個方面，由傳統保護元件制作的ESD保護電路被集成在形成ISFET的同一塊硅片上，另外還有一個新型接口。與被測液體接觸的該新型接口具有對在ISFET和液體間的直流漏電流不打開通路的結構。
根據本發明的一個優選實施例，使用電容結構作為保護電路和液體取樣之間的接口。
根據本發明的一個具體方面，用于選擇性測量液體中的離子的設備包括(a)一個包括形成在硅襯底上的感離子場效應管(ISFET)形式的化學敏感離子傳感器的測量電路；(b)一個集成在該襯底上的靜電放電(ESD)保護電路；及(c)集成在該襯底上的接口裝置，用于在保護電路和液體之間提供接口，其特征在于該接口裝置提供一與液體的接觸而在ISFET和液體之間不打開直流漏電流的通路。
根據本發明的一個優選實施例，該接口裝置是一種電容結構，包括(a)一個與保護電路電接觸的電極；及(b)與該電極及被測液體接觸的電容器電介質。
而且，根據本發明的一個優選實施例，(a)上述電極是一層顯示了其氧化物是絕緣體特性的金屬膜(合適的金屬膜的例子包括鋁、銻、鉿、鈮、鉭、鎢、釔、鋯)；而且上述電容器電介質是所選用作為電極的金屬氧化物。以下所用術語“金屬膜”的意思定義為顯示其氧化物是絕緣體特性的金屬膜。
而且，根據本發明的一優實施例，保護電路包括用于傳輸由ESD事件所致在液體測試取樣中聚集起的電荷的裝置。該用于傳輸電荷(傳到傳感器中的ISFET的源極、漏極和襯底)的裝置包括(a)一個在上述接口裝置和ISFET的源極之間的第一雙向齊納二極管；(b)一個在接口裝置和ISFET的漏極之間的第二雙向齊納二極管；和(c)一個在接口裝置和襯底之間的單向齊納二極管。
本發明的另一方面是給出了本質上用于對使用上述接口裝置(如電容器結構)的ISFET傳感器提供ESD保護的方法，以及用于在一塊硅片上制造該新型接口的過程。
具體說，本發明的另一方面是給出了一種方法，用于給基于感離子場效應管(ISFET)的離子選擇性電極提供靜電放電(ESD)保護，該方法包括以下步驟(a)在一塊硅片上形成一個ISFET電路；(b)在形成ISFET的芯片上集成一個保護電路和(c)在該芯片上集成一個保護電路和液體之間的接口，其中接口提供與液體的接觸而在ISFET如液體之間不打開對直流漏電流的通路。
由本發明的另一方面設計的制造過程包括這樣一個過程用于制造一個電容器以作為被測液體和包含于感離子場效應管(ISFET)芯片上的保護電路之間的接口，其中該ISFET芯片被用于測量液體中的離子，另外其中該芯片包括一個硅襯底，一個場氧化層和至少一個化學阻擋層；及一用于連接該電容器和該保護電路的擴散P+區域，該過程包括有以下步驟(a)打開該場氧化層與該至少一化學阻擋層中的一通路；(b)在芯片上噴鍍一層金屬膜以制作一個該電容器的下電極；(c)通過該通路把該膜接至擴散的P+區域；及(d)形成所述金屬膜的氧化物作為電容器的電介層。
本發明特點在于根據本發明的指導所建立的ISFET組件，當用在傳感器探頭上時，根據IEC801-2標準被測試時經過多次暴露于20,000伏級的ESD下而安然無恙。
而且，本發明的特點在于芯片制造技術，該技術使上述保護電路能被集成在ISFET的硅襯底上，所用方法避免了制造作為與被測液體取樣的可靠低阻接觸點的金屬電極的困難。而且，如本發明設計的，使用非金屬接觸膜阻止了化學腐蝕，并且不需使用中介層就可使該膜和襯底之間有很好的附著性。
本發明的這些和其它的目的實施例及特點以和獲得其的方法對于本領域的熟練技術人員將會顯而易見，結合附圖通過閱讀下面的詳述將會對該發明本身有最透徹地理解。
附圖的簡單描述
圖1描述了一個解釋性的保護電路，其中一個基于ISFET的探頭組件允許在一次ESD事件期間在液體測試取樣中聚集起電荷，同時把電荷傳輸至ISFET的源極、漏極和襯底上。
圖2描述了一個基于ISFET的傳感器的保護電路，該傳感器包括具有由本發明的優選實施例設計的一類電容器結構形式的接口裝置。
圖3描述了由本發明的一個方面設計的一類制造于硅片上的一個示例性接口電容器的結構。
圖4描述了一個怎樣在硅襯底上實現將本發明設計的ISFET、保護電路和接口裝置結合在一起。
詳細描述如上所述，已經知道了通過用保護電路(在一個基于ISFET的探頭組件內)可以防止ESD損害，該保護電路允許在ESD事件期間在測試取樣中聚集起電荷，同時把電荷傳輸至ISFET的源極、漏極和襯底。該方法通過在ESD事件期間迅速平衡絕緣體兩邊的電荷來使在晶體管絕緣體結構兩邊間建立起的電場最小化。
圖1所解釋的是一個示例性的保護電路(在一個基于ISFET的探頭組件內)，該電路允許在ESD事件期間在測試取樣中聚集起電荷，同時把電荷傳輸至ISFET的源極、漏極和襯底。
如圖1所示，該示例性保護電路(類似于引用的4,589,970號專利中所描述的電路)用了與待測液體199以及ISFET150的源極(151)、漏極(152)和襯底(153)導體相連的快速齊納雙向二極管101-103。與待測液體199的電接觸可通過使用對電極(185)來實現，如上所述，該對電極可相據以前引用供參考的美國4,851,104號專利的指導實現。
圖1描述的示例性保護電路的操作可概括如下。在ESD事件發生時，有希望在測試樣品199中聚集起電荷，直到達到了齊納二極管的擊穿電壓。
假設一個雙向齊納管的電壓值遠遠低于裝置被損壞所需的電壓值，一旦超過了該電壓，在兩個方向上的任何一個，電荷將在對電極185和ISFET的源極、漏極與襯底之間被傳導。因為絕緣體兩邊的電壓差被限制于齊納管的擊穿電壓，就保護了絕緣體和ISFET傳感器本身。
本領域的熟練技術人員將認識到重要的是經過齊納二極管101-103的在液體接觸點和源極、漏極及襯底導體之間的互聯距離。因為ESD事件的持續時間是30毫微秒級，每毫微秒大約是以光速走一英尺的時間，對電極185和硅終點之間通路的距離必須被限于2.4英寸的量極。若超過了此大約的距離，則在對電極和硅電極之間傳輸電荷以把絕緣體的電場電壓限制在200伏的時間就不夠了。
該距離的要求排除了在電極外部安裝齊納管的可能性，并且有力證明了需要非常靠近硅片或在其上的功能集成。
如上所述，Ligtenberg等人的第4,589,970號美國專利(上文已引，此供參考)描述了使用類似于圖1所示的電路。引述的該4,589,970號專利也闡述了能夠使用單向齊納二級管、電容器、機械開關和高閾值電壓MOSFETS代替雙向傳感器或與其并用。
而且，如上所述，引用的4,589,970號專利也曾提出使用安裝于探測頭組件中的分立元件以形成保護電路和/或在ISFET的硅襯底上集成該電路。
如在本發明背景中指出的，關于把引用的4,589,970號專利所描述的保護電路(及任何類似的電路)集成在ISFET的硅襯底上的關鍵問題在制造提供與液體可靠低阻接觸的金屬電極是困難的。
引用的4,589,970號專利建議使用鋁或多晶硅薄膜以形成接觸面；然而，如上所指出的，兩種薄膜在被ISFET測量的很多液體中易受化學腐蝕。
鍍膜的另一種辦法包括用作接觸面的貴金屬和對使用諸如鈦或鉻材料的中介層以使貴金屬良好地粘著于襯底上的相關要求等(如上所述，還有與使用貴金屬接觸面相關的其它問題)，限制了使用貴金屬作替換物。
替代地，根據本發明的一個方面，用一個接口裝置(最好為電容器結構)來提供待測液體和由傳統電路元件制成的保護電路之間的接口。
參考圖2，如上所述，它描述了一個包括由本發明設想的接口裝置的保護電路，該保護電路由大多數與圖1描述的相同電路元件聯接構成。這些電路元件包括在接口裝置203(作為優選接口電容器示出，以下稱作接口電容器203)源極204和漏極205之間分別示出的雙向齊納二級管201和202，另外還有示于接口電容器203和襯底207之間的單向齊納二極管206。
在ESD事件期間，參考圖1如上所述，在被測試的液體中(示于圖2的299)聚集起電荷。接口電容器203把ESD脈沖耦合至齊納管201，202，和206。當齊納管兩端的電壓超過了其擊穿電壓時，脈沖依次被耦合至ISFET250的源極、漏極和襯底。在ISFET250的柵區兩端的電場被最小化了。
使用一個電容器以提供液體和保護電路之間的接口的主要優點在于無金屬電極與液體接觸。
消除了選擇合適的接觸金屬或接觸合金的問題。使用電容器的另一個優點在于使有可能經保護電路存在于液體和ISFET的源極、漏極或襯底之間的直流漏電流通路被大大縮短了。
現在參見圖3，其顯示了一個示例性的接口電容器(電容器300)的結構，根據本發明的一個方面，該接口電容器和圖2所示的其它ESD保護元件一起被集成在硅襯底340上。
根據本發明的優選實施例，電容器300的下部電極(即電板301)由一層濺射沉積的金屬膜構成。圖3中，所示的金屬膜通過電場氧化層(層面302)和用作化學阻擋層的其它沉積膜(層面303)中開通的通路與芯片上的其它電路元件相連。通過金屬膜的化學氧化或陽極氧化，可以形成用作電容器電介質的氧化膜層(304)。根據本發明的優選實施例，待測液體399與電容器電介質相接觸。
現在參考圖4來說明由本發明設計的ISFET的結構和保護電路是怎樣在硅襯底400上被實現的。
圖4描述了兩個硼擴散P+區401和402，分別用作所示ISPET的源極和漏極。401和402區也用作圖2所示的保護用齊納二極管的陽極。圖4中的另外兩個硼擴散P+區(403和404區)用作圖2中所示的雙向和單向齊納管的陽極。
齊納管的陰極或本底由磷擴散N區405和406提供。選擇N區的摻雜表面的密度和連接深度可確定齊納管的擊穿電壓。ISFET的源極、漏極和襯底的接線端在襯底的后部給出。
本領域的熟練技術人員現在容易理解(參考圖2-4)，根據本發明特定的一方面，用于選擇性測量液體中的離子的設備包括(a)一個測量電路，包括一個形成于硅襯底上的感離子場效應管(ISFET)形式的化學離子敏感傳感器；(b)一個集成于襯底上(也如圖4中的示例所示)的靜電放電(ESD)保護電路(參考圖2描述的類型)；及(c)在襯底上集成的接口裝置，用于提供一個保護電路和液體之間的接口，其特征在于該接口設備提供與液體的接觸而在ISFET和液體之間無直流漏電流通路。
根據優選實施例，參考圖3-4也能看出，本發明設計的一個制造過程，用于制造(a)一個用作被測液體及保護電路之間(諸如圖3所示的液體399)接口的電容器；及(b)一個包含于一塊感離子場效應管(ISFET)芯片上(諸如圖4所示的芯片)的保護電路，其中ISFET芯片被用于測量液體中的離子，且其中該芯片包括一個硅襯底(例如圖3中所示的襯底340)，一個場氧化層(圖3中的302)和至少一個化學阻擋層(圖3中的303)，以及一個用于把該電容器連到保護電路的擴散的P+區(圖3中的304)，該過程包括如下步驟(a)在場氧化層和至少一個化學阻擋層中開一個通道；(b)在芯片上濺射沉積一層金屬膜以產生一個電容器的下部電極；(c)通過該通道把該膜連至擴散的P+區；及(d)形成作為電容器電介質的金屬膜的氧化物。所有上述步驟以前都已參照圖3進行了描述。
上述詳細描述的是達到所有上述目的的方法、設備和芯片制造技術。如前面的說明的，本領域的熟練技術人員將認識到以上提出的說明僅是為了解釋和描述。并非是徹底地或限制本發明于已公開的精確的形式，顯然可能根據上述指導進行修改和變化)。
在此提供的上述實施例和例證是為了最好地解釋本發明的原理及其實際應用從而使其它本領域的技術人員能夠最好地在各種實施例中使用本發明，以及使各種修改適合于所設計的具體用途。
因此，根據上述可以理解以下所附權利要求旨在涵蓋所有這樣的修改和落入本發明精神范圍之內的改變。
權利要求
1.用于選擇性測量液體中離子的設備，包括(a)一個測量電路，包括一個在硅襯底上形成的感離子場效應管形式(ISFET)形式的化學離子敏感傳感器；(b)一個集成在所述襯底上的靜電放電(ESD)保護電路；及(c)集成于所述襯底上的接口裝置，用于提供一個所述保護電路和所述液體之間的接口，其特征在于所述接口裝置提供與所述液體的接觸而在ISFET和所述液體之間不打開直流漏電流通路。
2.如權利要求1所述的設備，其中所述接口裝置包括一個電容器結構。
3.如權利要求2所述的設備，其中所述電容器結構包括(a)一個與所述保護電路電接觸的電極；及(b)一個與所述電極和被測液體接觸的電容器電介質。
4.如權利要求3所述的設備，其中所述電極是一層金屬膜。
5.如權利要求3所述設備，其中所述電容器電介質是所述金屬膜的氧化物。
6.如權利要求1所述的設備，其中所述保護電路包括(a)一個在所述接口裝置和所述ISFET源極之間的第一雙向齊納二極管；(b)一個在所述接口裝置和所述ISFET漏極之間的第二雙向齊納二極管；(c)一個在所述接口裝置和所述襯底之間的單向齊納二極管。
7.如權利要求6所述的設備，其中所述接口裝置包括一個電容器結構。
8.用于給用于測量液體中離子活動的基于感離子場效應管(ISFET)的測量裝置提供靜電放電(ESD)保護的裝置，包括(a)一個在一塊硅襯底上制造的ESD保護電路，包括(a1)一個與所述ISFET的源極耦合的第一雙向齊納二極管；(a2)一個與所述ISFET的漏極耦合的第二雙向齊納二極管；及(a3)一個與所述襯底耦合的單向齊納二極管；及(b)接口裝置，與所述ESD保護電路一起集成在所述襯底上，用于提供一個所述保護電路和所述液體之間的接口而在ISFET和所述液體之間不打開直流漏電流通路。
9.如權利要求8所述的設備，其中所述接口設備串聯于每個所述第一雙向齊納二極管、所述第二雙向齊納二極管和所述單向齊納二極管。
10.用于給用于測量待測液體取樣中離子活動的基于感離子場效應管(ISFET)的傳感器芯片提供靜電放電(ESD)保護的裝置，包括(a)裝置，用把由ESD事件導致的在所述液體測試取樣中聚集起的電荷傳送至所述ISFET的源極、漏極和襯底；及(b)接口裝置，與所述用于傳輸電荷的裝置一起集成在所述芯片上，用于提供一個在所述保護電路和所述液體之間的在ISFET和所述液體間不打開直流漏電流通路的接口。
11.如權利要求10所述的設備，其中所述接口裝置包括一個電容器結構。
12.一種用于給基于感離子場效應管(ISFET)的離子選擇電極提供靜電放電(ESD)保護的方法，包括如下步驟(a)在一塊硅片上形成一個ISFET電路；(b)在所述形成所述ISFET的芯片上集成一個保護電路；及(c)在所述芯片上集成一個在所述保護電路和所述液體之間間的接口，其中所述接口提供與所述液體的接觸而在ISFET和所述液體之間不打開直流漏電流通路。
13.如權利要求12所述的方法，其中集成在所述芯片上的接口是一個電容器結構。
14.一種用于制造一個作為被測液體和包含在一個感離子場效應管(ISFET)芯片上的一個保護電路之間的接口的電容器的處理過程，其中所述ISFET芯片被用于測量所述液體中的離子而且其中所述芯片包括一塊硅襯底、一個場氧化層和至少一個化學阻擋層，以及一個用于把所述電容器連接到所述保護電路的擴散的P+區，該過程包括以下步驟(a)在所述場氧化層和至少一個化學阻擋層中開一個通道；(b)在所述芯片上濺射淀積一層金屬膜以制作一個所述電容器的下部電極；(c)通過所述通道把所述膜連至所述擴散的P+區；及(d)形成一個所述金屬膜的氧化層以用作所述電容器的電介層。
15.如權利要求14所述的一個過程，其中所述形成一個氧化層的步驟是通過化學氧化所述金屬膜進行的。
16.如權利要求14所述的一個過程，其中所述形成一個氧化層的步驟是通過陽極氧化所述金屬膜進行的。
17.一種用于給用于測量液體試驗取樣中的離子活動的基于一個感離子場效應管(ISFET)的傳感器芯片提供靜電放電(ESD)保護的方法，包括以下步驟(a)在ESD事件期間在所述待測樣品中聚集電荷；及(b)同時，把所述ESD事件導致的在所述液體測試取樣中聚集的電荷傳送到所述ISFET的源極、漏極和襯底。
18.用于給一個用于測量液體待測取樣中離子活動的基于一個感離子場效應管(ISFET)的傳感器芯片提供靜電放電(ESD)保護的設備，包括(a)裝置，用于在ESD事件期間在所述待測取樣中聚集電荷；及(b)裝置，用于把所述ESD事件導致的在所述液體待測取樣中聚集的電荷傳送至所述ISFET的源極、漏極和襯底。
19.如權利要求18所述的設備，其中所述用于聚集電荷的裝置和所述用于傳送電荷的裝置被集成在所述芯片上。
全文摘要
描述了給用于選擇測量液體中的離子的基于感離子場效應管(ISFET)的裝置提供靜電放電(ESD)保護的方法、設備和芯片制造技術。由傳統保護元件組成的ESD保護電路和與被測液體接觸且在ISFET和液體之間無直流漏電流通路的接口被集成在形成ISFET的同一塊硅片上。根據本發明的一個優選實施例，一個電容結構被用作保護電路和液體樣品之間的接口。
文檔編號G01N27/414GK1143428SQ95191279
公開日1997年2月19日 申請日期1995年1月12日 優先權日1994年1月19日
發明者羅納德·D·巴克斯特, 詹姆斯·G·康納里, 約翰·D·福格爾, 斯潘塞·W·西爾弗索恩 申請人:霍尼韋爾公司