半導體裝置的試驗裝置及半導體裝置的制造方法與流程

本發明涉及半導體裝置的試驗裝置及半導體裝置的制造方法。

背景技術：

1、半導體裝置的試驗裝置對半導體裝置的電氣特性進行檢查。在檢查時，對半導體裝置施加高電壓。在對晶片狀態的半導體裝置進行其電氣特性的檢查的情況下，有可能在晶片的表面附近產生放電。該放電對作為檢查對象的半導體裝置及與其相鄰的半導體裝置造成破壞。

2、專利文獻1所記載的探針具有以將探針包圍的方式配置的圍繞空間。該探針通過被導入至圍繞空間的氣體防止了在晶片的表面附近產生的放電。

3、專利文獻1：日本特開2018-160591號公報

4、伴隨半導體裝置的性能的提高，在該檢查工序中要求高電壓的施加及大電流的通電。為了應對這樣的要求，提出了探針的多針化及使用細線探針(thin?wire?probes)。但是，細線探針容易由于來自外部的應力而變形。由于為了抑制放電而注入的氣體沖撞到細線探針，從而細線探針會發生變形。在探針產生了變形的情況下，探針與作為檢查對象的半導體裝置之間的接觸變得不可靠，電氣特性的試驗的可靠性下降。

技術實現思路

1、為了解決上述課題，本發明提供一種減輕探針的變形及晶片的表面附近的放電的產生、使電氣特性的試驗的可靠性提高的半導體裝置的試驗裝置。

2、本發明涉及的半導體裝置的試驗裝置具有工作臺、探針保持部、多個探針、防風壁及氣體供給部。工作臺能夠對形成有半導體裝置的半導體晶片進行保持。探針保持部設置于工作臺的上方。多個探針各自包含能夠與半導體裝置接觸的前端部。多個探針被探針保持部保持。防風壁將多個探針的周圍包圍。氣體供給部設置于防風壁的外側。氣體供給部沿朝向工作臺的方向供給氣體。多個探針各自包含與前端部相比位于尾端側的內包部。內包部被包含在由防風壁包圍的防風空間內。

3、發明的效果

4、根據本發明，提供減輕探針的變形及晶片的表面附近的放電的產生、使電氣特性的試驗的可靠性提高的半導體裝置的試驗裝置。

5、本發明的目的、特征、方案及優點通過以下的詳細說明和附圖變得更清楚。

技術特征：

1.一種半導體裝置的試驗裝置，其具有：

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的試驗裝置，其中，

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的試驗裝置，其中，

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的試驗裝置，其中，

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置的試驗裝置，其中，

6.根據權利要求2所述的半導體裝置的試驗裝置，其中，

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置的試驗裝置，其中，

8.一種半導體裝置的試驗裝置，其具有：

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的試驗裝置，其中，

10.根據權利要求8或9所述的半導體裝置的試驗裝置，其中，

11.根據權利要求8至10中任一項所述的半導體裝置的試驗裝置，其中，

12.一種半導體裝置的制造方法，其具有以下工序：

13.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其中，

14.根據權利要求12或13所述的半導體裝置的制造方法，其中，

15.根據權利要求12至14中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

16.根據權利要求12至15中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

17.根據權利要求16所述的半導體裝置的制造方法，其中，

技術總結
提供使電氣特性試驗的可靠性提高的半導體裝置的試驗裝置及半導體裝置的制造方法。試驗裝置具有工作臺(1)、探針保持部(2)、多個探針(3)、防風壁(5)及氣體供給部(7)。工作臺能夠對形成有半導體裝置(20)的半導體晶片(21)進行保持。探針保持部設置于工作臺的上方。多個探針各自包含能夠與半導體裝置接觸的前端部(3A)。多個探針被探針保持部(2)保持。防風壁(5)將多個探針的周圍包圍。氣體供給部(7)設置于防風壁(5)的外側。氣體供給部(7)沿朝向工作臺(1)的方向供給氣體。多個探針各自包含與前端部(3A)相比位于尾端側的內包部(3B)。內包部(3B)被包含在由防風壁(5)包圍的防風空間(9)內。

技術研發人員：吉村卓哉
受保護的技術使用者：三菱電機株式會社
技術研發日：
技術公布日：2024/10/21