本發明涉及腦機接口技術研究實驗的生物磁信號采集裝置,具體涉及一種非晶絲與線圈分離的gmi傳感器探頭。
背景技術:
在磁測量領域中,gmi磁傳感器因其較寬的測量范圍、較高的極限靈敏度以及其方便易用而廣受關注。gmi效應就是當軟磁性材料(多為co基非晶和fe基納米晶)的絲或條帶通以交流電流iac時,材料兩端感生的交流電壓uw隨著絲縱向所加的外磁場hex的變化而靈敏變化的現象,其實質是非晶材料自身的阻抗隨外加磁場的靈敏變化。通過信號采集線圈,我們可以將阻抗值轉化為電壓值,從而實現對外磁場hex的測量。在這一過程中,采集線圈的匝數和距離非晶絲的距離(繞徑),是影響傳感器靈敏度等關鍵性能指標的重要因素。如圖1所示,傳統的探頭設計方案將采集線圈(參見圖1中的③-④)緊密繞置于非晶絲(參見圖1中的①-②)的四周。由于非晶絲只有數十微米的直徑,本身非常柔軟,這種設計方案對加工工藝提出了很高的要求,并且很難提高線圈極限匝數和極限繞徑。這限制了探頭靈敏度的進一步提高。在這種方案下,非晶絲和線圈處在緊耦合狀態,一經制成,無論是非晶絲的更換還是線圈匝數、繞徑等線圈參數的調整,都極不方便,并且存在損傷非晶絲的可能性。同時,由于信號拾取線圈將非晶絲緊緊包裹在內,非晶絲和被探測磁場信號之間,存在一層線圈的阻隔,對于非晶絲的靈敏度產生影響。
技術實現要素:
本發明要解決的技術問題:針對現有技術的上述問題,提供一種非晶絲與線圈分離的gmi傳感器探頭,該非晶絲與線圈分離的gmi傳感器探頭實現了信號拾取線圈和非晶絲的解耦合,信號拾取線圈是繞置在較硬的金屬絲周圍,信號拾取線圈的匝數與繞徑相較于繞置于非晶絲周圍的傳統方案,可以提升探頭的靈敏度。同時,由非晶絲單獨組成探頭磁場感生部件,可以獨立制件,不同性質的非晶絲可以制成不同的探測部件,在進行接口標準化后,非常容易進行更換。這種解耦合的設計,大大減小探頭(磁場感生部件)的體積和重量,對于腦機接口等應用領域而言,將極大地提高被試的使用舒適感。最后,沒有了探測線圈的阻隔,非晶絲可以充分暴露于被探測磁場中,提高了非晶絲本身的靈敏度。
為了解決上述技術問題,本發明采用的技術方案為:
一種非晶絲與線圈分離的gmi傳感器探頭,包括串聯支路和信號拾取線圈,所述串聯支路包括串聯布置的金屬絲和非晶絲,且所述信號拾取線圈繞設布置于金屬絲上。
優選地,所述金屬絲為鐵絲。
本發明的非晶絲與線圈分離的gmi傳感器探頭具有下述優點:本發明包括串聯支路和信號拾取線圈,串聯支路包括串聯布置的金屬絲和非晶絲,且信號拾取線圈繞設布置于金屬絲上,通過上述結構實現了信號拾取線圈和非晶絲的解耦合,信號拾取線圈是繞置在較硬的金屬絲周圍,信號拾取線圈的匝數與繞徑相較于繞置于非晶絲周圍的傳統方案,可以提升探頭的靈敏度。同時,由非晶絲單獨組成探頭磁場感生部件,可以獨立制件,不同性質的非晶絲可以制成不同的探測部件,在進行接口標準化后,非常容易進行更換。這種解耦合的設計,大大減小探頭(磁場感生部件)的體積和重量,對于腦機接口等應用領域而言,將極大地提高被試的使用舒適感。最后,沒有了探測線圈的阻隔,非晶絲可以充分暴露于被探測磁場中,提高了非晶絲本身的靈敏度。
附圖說明
圖1為現有技術的gmi傳感器探頭結構示意圖。
圖2為本發明實施例的gmi傳感器探頭結構示意圖。
具體實施方式
如圖2所示,本實施例的非晶絲與線圈分離的gmi傳感器探頭包括串聯支路1和信號拾取線圈2,串聯支路1包括串聯布置的金屬絲11和非晶絲12,且信號拾取線圈2繞設布置于金屬絲11上。在測量時,采集信號拾取線圈2獲得的電壓信號,是由非晶絲12上變化的電流所產生的感生交流電壓,而變化的電流來自于非晶絲12因縱向的外加磁場的變化而產生的阻抗的變化。因此,真正反映外加磁場變化的,是非晶絲12上的電流。只要能夠通過合理的手段測量到這個電流,就可以實現對外加磁場的測量。本實施例的非晶絲12與信號拾取線圈2分離的gmi傳感器探頭選擇了將金屬絲11和非晶絲12串聯連接的設計思路,由基本的電路常識可以知道,在串聯的關系下,金屬絲11上的電流大小和非晶絲12上的電流大小可以認為是相等的。而此時,如果能夠通過某種采集方案采集到金屬絲11上的電流大小,也就實現了對非晶絲12上電流信號的采集。本實施例中,金屬絲11為鐵絲,具有硬度高的優點。
本實施例實現了信號拾取線圈2和非晶絲12的解耦合,信號拾取線圈2是繞置在較硬的金屬絲11周圍,信號拾取線圈2的匝數與繞徑相較于繞置于非晶絲周圍的傳統方案,可以提升探頭的靈敏度。同時,由非晶絲12單獨組成探頭磁場感生部件,可以獨立制件,不同性質的非晶絲12可以制成不同的探測部件,在進行接口標準化后,非常容易進行更換。這種解耦合的設計,大大減小探頭(磁場感生部件)的體積和重量,對于腦機接口等應用領域而言,將極大地提高被試的使用舒適感。最后,沒有了探測線圈的阻隔,非晶絲12可以充分暴露于被探測磁場中,提高了非晶絲12本身的靈敏度。
以上所述僅是本發明的優選實施方式,本發明的保護范圍并不僅局限于上述實施例,凡屬于本發明思路下的技術方案均屬于本發明的保護范圍。應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明原理前提下的若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。