氣壓與加速度傳感器相集成的mems芯片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，包括單晶硅片、玻璃蓋板和玻璃底板，單晶硅片上集成有氣壓傳感器和加速度傳感器，氣壓傳感器包括第一感應硅膜、多個位于第一感應硅膜上的第一應力敏感電阻、以及從玻璃蓋板底端向上嵌入玻璃蓋板內的第一凹槽，玻璃底板上設有上下貫通的氣體導入孔；加速度傳感器包括質量塊、與質量塊一端連接的彈性懸臂梁、位于彈性懸臂梁上的多個第二應力敏感電阻、以及從玻璃蓋板底端向上嵌入玻璃蓋板內的第二凹槽。本實用新型優點：將氣壓傳感器與加速度傳感器用同一套工藝集成在一個芯片中，尺寸小，結構緊湊；靈敏度高，可靠性及穩定性好。該芯片制作工藝簡單，成本低。
【專利說明】氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種運用于TPMS (輪胎壓力監測系統)的MEMS (微機電系統)芯片，尤其涉及的是一種氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，屬于MEMS【技術領域】。
【背景技術】
[0002]TPMS主要用于汽車行駛過程中實時監測輪胎氣壓，并對輪胎漏氣和低氣壓進行報警，以保障行車安全。在傳感器模塊中，氣壓傳感器檢測輪胎的壓力，并通過射頻將數值傳送到接收機，接收機根據軟件設定進行預警判斷。氣壓傳感器是否檢測及檢測的頻率則由加速度傳感器決定，利用加速度傳感器對運動的敏感性，可以實現汽車啟動時自動開機喚醒，汽車高速行駛時按運動速度確定檢測周期，保證預警能力的同時降低功耗。
[0003]氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片的結構及制作方法在現有技術中已經有所涉及，但均存在一些顯著的缺陷。如專利號為ZL 200910051766.1的專利，公開了一種測試加速度、壓力和溫度的集成硅芯片及制作方法，其采用多晶硅薄膜形成力敏電阻條制作壓力傳感器，采用熱電堆檢測由加速度引起的密封空腔內的溫度差來檢測加速度。該專利采用的多晶硅材料壓阻系數遠低于單晶硅，所以靈敏度偏低；采用多晶硅電阻做加熱器，使得系統的功耗增加，使得電池電量會很快耗盡，另外汽車在高速運動時，溫度的上升對密封腔內的溫度差影響較大。再如專利號為ZL 201010553946.2的專利，也公開了一種加速度和壓力傳感器單單晶硅片集成芯片及制作方法，其通過橫向刻蝕技術形成單晶硅薄膜和嵌入式腔體，并在單晶硅薄膜上表面分布壓阻制作壓力傳感器，加速度傳感器采用雙懸臂梁和質量塊結構，采用電鍍銅方法增加質量塊質量，提高靈敏度。該專利采用側壁根部橫向刻蝕技術形成薄膜和腔體，刻蝕速率不易控制；另外，無法形成較大的質量塊，需要額外采用鍍銅的方式增加質量塊的質量。
實用新型內容
[0004]本實用新型的目的在于克服現有技術的不足，提供了一種氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，該芯片將氣壓傳感器與加速度傳感器集成在一個芯片中，結構緊湊，性能可靠；且該芯片的制作方法簡單，容易控制，成本低，適于大批量生產。
[0005]本實用新型是通過以下技術方案實現的:
[0006]本實用新型提供的一種氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，包括作為主體的單晶硅片、以及分別位于所述單晶硅片頂端和底端的玻璃蓋板和玻璃底板，所述單晶硅片上集成有氣壓傳感器和加速度傳感器，其中，
[0007]所述氣壓傳感器包括位于單晶娃片頂端的第一感應娃膜、多個位于所述第一感應硅膜上的第一應力敏感電阻、以及從所述玻璃蓋板底端向上嵌入所述玻璃蓋板內的第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一感應硅膜之上且能完全覆蓋住所述第一感應硅膜，所述第一凹槽與所述單晶硅片的頂端形成一個密封的第一真空腔，所述單晶硅片在第一感應膜之下設有下端開口的第一空腔，所述玻璃底板上設有上下貫通的氣體導入孔，所述氣體導入孔與所述第一空腔連通，所述多個第一應力敏感電阻連接成壓力檢測電路；
[0008]所述加速度傳感器包括質量塊、與所述質量塊一端連接的彈性懸臂梁、位于所述彈性懸臂梁上的多個第二應力敏感電阻、以及從所述玻璃蓋板底端向上嵌入所述玻璃蓋板內的第二凹槽，所述彈性懸臂梁位于所述單晶硅片頂端，所述第二凹槽位于所述質量塊和彈性懸臂梁之上且能完全覆蓋住所述質量塊和彈性懸臂梁，所述單晶硅片在質量塊和彈性懸臂梁之下設有下端開口的第二空腔，所述第二空腔的底端經過所述玻璃底板密閉，所述第二空腔與所述第二凹槽通過質量塊周圍的間隙連通為一個整體式的密封的第二真空腔，所述多個第二應力敏感電阻連接成加速度檢測電路；所述壓力檢測電路和加速度檢測電路通過引線和焊盤引出單晶硅片外。
[0009]作為上述技術方案的進一步優化，所述玻璃底板的氣體導入孔被第一空腔覆蓋且位于所述第一感應娃膜的中心位置處。
[0010]作為上述技術方案的進一步優化，所述壓力檢測電路為四個等阻值的第一應力敏感電阻連接組成惠斯通電橋。
[0011]作為上述技術方案的進一步優化，所述加速度檢測電路為四個等阻值的第二應力敏感電阻連接組成惠斯通電橋。
[0012]作為上述技術方案的進一步優化，所述單晶硅片為N型(100)晶面的單晶硅片。
[0013]作為上述技術方案的進一步優化，所述質量塊向下凸出且所述質量塊呈上大下小的梯形塊。
[0014]作為上述技術方案的進一步優化，所述單晶硅片與所述玻璃蓋板和玻璃底板均通過陽極鍵合。
[0015]本實用新型還提供了上述氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片的制作方法，包括如下步驟:
[0016](I)雙面拋光單晶硅片并清洗；采用光刻膠做掩膜，采用離子注入淡硼的方法在單晶硅片上制作多個第一應力敏感電阻以及多個第二應力敏感電阻的電阻條，電阻條沿著〈111〉晶向；
[0017](2)在單晶硅片頂端上與玻璃蓋板的陽極鍵合區域以及每根電阻條的兩端區域為濃硼區，對濃硼區采用離子注入的方法注入濃硼形成濃硼導線；
[0018](3)采用低壓化學氣相沉積法依次在單晶硅片頂端生長一層二氧化硅層和一層氮化硅層作為絕緣層；
[0019](4)以光刻膠為掩膜，采用反應離子刻蝕工藝，去除單晶硅片頂端上的歐姆接觸區、引線孔以及陽極鍵合區域內的氮化硅層和二氧化硅層；然后濺射金屬鋁，以光刻膠為掩膜，濕法腐蝕多余鋁，形成引線和焊盤；
[0020](5)采用二次掩膜法濕法腐蝕單晶硅片的背腔，從而制作形成所需的第一感應硅膜、質量塊，具體過程如下:
[0021](5.1)同樣采用低壓化學氣相沉積法的方法在單晶硅片底端依次生長二氧化硅層和氮化硅層，以光刻膠為掩膜，采用反應離子刻蝕工藝去除所需第一空腔和第二空腔所對應區域的氮化硅只留下二氧化硅層；然后在第二空腔對應的二氧化硅層中，以光刻膠為掩膜，采用反應離子刻蝕工藝去除位于質量塊四周的四個矩形條區域的二氧化硅，位于質量塊四周的四個矩形條區域露出單晶硅片來，形成一次掩膜；[0022](5.2)利用一次掩膜，采用四甲基氫氧化銨或氫氧化鉀對單晶硅片進行各向異性腐蝕，腐蝕速率由四甲基氫氧化銨或氫氧化鉀腐蝕液的濃度和溫度調控，使得位于質量塊四周的四個矩形條區域形成V型槽，深度不再增加；第一空腔所對應的區域由于有二氧化硅的存在沒有被腐蝕；
[0023](5.3)米用氫氟酸腐蝕一次掩膜露出的二氧化娃層使該區域露出單晶娃片來,形成二次掩膜，二次掩膜的無掩膜區域對應單晶硅片上所需第一空腔和第二空腔的區域；利用二次掩膜，采用四甲基氫氧化銨或氫氧化鉀繼續對單晶硅片進行各向異性腐蝕，從而形成了氣壓傳感器的第一空腔，第一空腔的底面形成一個平面，作為氣壓傳感器的第一感應硅膜，以及形成了加速度傳感器凸起的質量塊；
[0024](6)采用反應離子刻蝕工藝刻蝕單晶硅片底端的氮化硅層，然后用氫氟酸漂去二氧化硅層，從而實現玻璃與單晶硅片的直接鍵合；
[0025](7)采用機械加工方法加工玻璃底板對應的氣體導入孔，然后將單晶硅片與玻璃底板陽極鍵合，使得玻璃底板的氣體導入孔與單晶硅片的第一空腔相通；
[0026](8)采用感應耦合等離子體刻蝕工藝釋放質量塊，與質量塊周圍相連接的硅薄膜便部分鏤空形成彈性懸臂梁結構；
[0027](9)采用機械加工方法加工玻璃蓋板對應的第一凹槽和第二凹槽，然后將單晶硅片與玻璃蓋板陽極鍵合，使第一凹槽完全覆蓋住第一感應硅膜，第二凹槽完全覆蓋住質量塊和彈性懸臂梁，第二凹槽與第二空腔連通為一個整體式的密封的第二真空腔。
[0028]作為上述氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片的制作方法的優選實施方式，所述玻璃底板與單晶硅片鍵合后，其氣體導入孔被所述第一空腔覆蓋且位于所述第一感應硅膜的中心位置處。
[0029]作為上述氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片的制作方法的優選實施方式，所述單晶硅片為N型(100)晶面的單晶硅片。
[0030]本實用新型相比現有技術具有以下優點:
[0031]本實用新型提供的氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，采用獨特的玻璃-硅片_玻璃三明治結構，將氣壓傳感器與加速度傳感器米用同一套工藝集成在一個芯片中，尺寸小，結構緊湊，內部電路通過引線和焊盤引出，便于與ASIC引線鍵合及封裝成單一芯片；用于TPMS系統中，可同時完成對氣壓和加速度各參數的檢測，采用單晶硅片，靈敏度高，可靠性及穩定性好。該芯片的制作方法采用獨特的二次掩膜方法濕法腐蝕單晶硅片的背腔，同時形成氣壓傳感器的第一感應硅膜、以及加速度傳感器的質量塊和彈性懸臂梁，可直接形成較大質量的質量塊，無需額外采用鍍銅或其他方式來增加質量塊的質量，采用同一套工藝同時完成氣壓傳感器及加速度傳感器的制作，且制作工藝簡單，容易控制，成本低，適于大批量生產。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0032]圖1是氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片外觀結構示意圖。
[0033]圖2是氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片的正面縱剖結構示意圖。
[0034]圖3是壓力檢測電路及加速度檢測電路示意圖。
[0035]圖4是玻璃蓋板立體結構示意圖。[0036]圖5是玻璃底板立體結構示意圖。
[0037]圖6是壓力檢測電路及加速度檢測電路在單晶硅片頂端的布局圖。
[0038]圖7是二次掩膜法所采用的一次掩膜。
[0039]圖8是二次掩膜法所采用的二次掩膜。
[0040]圖9是采用二次掩膜法后所得到的單晶硅片立體結構示意圖。
【具體實施方式】
[0041]下面對本實用新型的實施例作詳細說明，本實施例在以本實用新型技術方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本實用新型的保護范圍不限于下述的實施例。
[0042]參見圖1、圖2、圖4、圖5、圖9，本實用新型提供的一種氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，包括作為主體的單晶硅片2、以及分別位于單晶硅片2頂端和底端的玻璃蓋板I和玻璃底板3，單晶硅片2為N型(100)晶面的單晶硅片，單晶硅片2與玻璃蓋板I和玻璃底板3均通過陽極鍵合。單晶硅片2上集成有氣壓傳感器和加速度傳感器，其中，
[0043]氣壓傳感器包括位于單晶娃片2頂端的第一感應娃膜21、多個位于第一感應娃膜21上的第一應力敏感電阻R1、以及從玻璃蓋板I底端向上嵌入玻璃蓋板I內的第一凹槽11，第一凹槽11位于第一感應硅膜21之上且能完全覆蓋住第一感應硅膜21，第一凹槽11與單晶硅片2的頂端形成一個密封的第一真空腔，單晶硅片2在第一感應膜21之下設有下端開口的第一空腔24。玻璃底板3上設有上下貫通的氣體導入孔31，氣體導入孔31與第一空腔24連通，玻璃底板3的氣體導入孔31被第一空腔24覆蓋且位于第一感應硅膜21的中心位置處，從而保證了氣壓傳感器檢測的準確性。多個第一應力敏感電阻Rl連接成壓力檢測電路；
[0044]加速度傳感器包括質量塊23、與質量塊23 —端連接的彈性懸臂梁22、位于彈性懸臂梁22上的多個第二應力敏感電阻R2、以及從玻璃蓋板I底端向上嵌入玻璃蓋板I內的第二凹槽12，彈性懸臂梁22位于單晶硅片2頂端，質量塊23向下凸出且質量塊23呈上大下小的梯形塊。第二凹槽12位于質量塊23和彈性懸臂梁22之上且能完全覆蓋住質量塊23和彈性懸臂梁22，單晶硅片2在質量塊23和彈性懸臂梁22之下設有下端開口的第二空腔25，第二空腔25的底端經過玻璃底板3密閉，第二空腔25與第二凹槽12通過質量塊23周圍的間隙連通為一個整體式的密封的第二真空腔，多個第二應力敏感電阻R2連接成加速度檢測電路。
[0045]參見圖3、圖6，壓力檢測電路為四個等阻值的第一應力敏感電阻Rl連接組成惠斯通電橋。加速度檢測電路為四個等阻值的第二應力敏感電阻R2連接組成惠斯通電橋。壓力檢測電路和加速度檢測電路通過引線和焊盤26引出單晶硅片2外。圖3中，4腳為電源輸入的正極，2腳和6腳分別為電源輸入的負極；氣壓傳感器的四個第一應力敏感電阻Rl分布在第一感應硅膜21上，當第一感應硅膜21的兩側存在壓差時，第一感應硅膜21發生形變，根據硅的壓阻效應，四個第一應力敏感電阻Rl的阻值將發生變化，通過測量I腳和3腳的電壓差即可推算出氣壓的大小。加速度傳感器的四個第二應力敏感電阻R2分布在彈性懸臂梁22上，當存在加速度時，質量塊23受力使得彈性懸臂梁22彎曲變形，根據硅的壓阻效應，四個第二應力敏感電阻R2的阻值將發生變化，通過測量5腳和7腳的電壓差即可推算出加速度的大小。
[0046]本實用新型提供的氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，采用獨特的玻璃-硅片_玻璃三明治結構，將氣壓傳感器與加速度傳感器米用同一套工藝集成在一個芯片中，尺寸小，結構緊湊，內部電路通過弓丨線和焊盤26引出，便于與ASIC引線鍵合及封裝成單一芯片；用于TPMS系統中，可同時完成對氣壓和加速度各參數的檢測，采用單晶硅片2，靈敏度高，可靠性及穩定性好。
[0047]本實用新型還提供了上述的氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片的制作方法，包括如下步驟:
[0048](I)單晶硅片2優先選取N型(100)晶面的單晶硅片，雙面拋光單晶硅片2并清洗；采用光刻膠做掩膜，對圖6中的電阻條位置采用離子注入淡硼的方法在單晶硅片2上制作多個第一應力敏感電阻Rl以及多個第二應力敏感電阻R2的電阻條，電阻條沿著〈111〉晶向；
[0049](2)在單晶硅片2頂端上與玻璃蓋板I的陽極鍵合區域以及每根電阻條的兩端區域為濃硼區，對濃硼區采用離子注入的方法注入濃硼形成濃硼導線。在電阻條的兩端注入濃硼是為了實現鋁電極與電阻條之間形成歐姆接觸；由于玻璃蓋板與單晶硅片的陽極鍵合處不能布置鋁導線，所以在此區域對硅片進行濃硼摻雜形成濃硼導線。
[0050](3)采用低壓化學氣相沉積法依次在單晶硅片2頂端生長一層二氧化硅層和一層氮化硅層作為絕緣層；
[0051](4)以光刻膠為掩膜，采用反應離子刻蝕工藝，去除單晶硅片2頂端上的歐姆接觸區、引線孔以及陽極鍵合區域內的氮化硅層和二氧化硅層；然后濺射金屬鋁，以光刻膠為掩膜，濕法腐蝕多余鋁，形成引線和焊盤26 ；
[0052](5)采用二次掩膜法濕法腐蝕單晶硅片2的背腔，從而制作形成所需的第一感應硅膜21、質量塊23，具體過程如下:
[0053](5.1)同樣采用低壓化學氣相沉積法的方法在單晶硅片2底端依次生長二氧化硅層和氮化硅層，參見圖7，以光刻膠為掩膜，采用反應離子刻蝕工藝去除所需的第一空腔24和第二空腔25所對應區域的氮化硅只留下二氧化硅層；然后在第二空腔25對應的二氧化硅層中，以光刻膠為掩膜，采用反應離子刻蝕工藝去除位于所需質量塊23四周的四個矩形條27區域的二氧化硅，位于質量塊23四周的四個矩形條27區域露出單晶硅片2來，構成無掩膜區域，從而形成一次掩膜；
[0054](5.2)利用一次掩膜，采用四甲基氫氧化銨或氫氧化鉀對單晶硅片2進行各向異性腐蝕，腐蝕速率由四甲基氫氧化銨或氫氧化鉀腐蝕液的濃度和溫度調控，使得位于質量塊23四周的四個矩形條27區域(即圖7中的無掩膜區域)形成V型槽，深度不再增加；第一空腔24所對應的區域由于有二氧化硅的存在沒有被腐蝕；
[0055](5.3)參見圖8，采用氫氟酸腐蝕一次掩膜露出的二氧化硅層使該區域露出單晶硅片2來，形成二次掩膜，圖8中二次掩膜的無掩膜區域對應單晶硅片2上所需第一空腔24和第二空腔25的區域；利用二次掩膜，采用四甲基氫氧化銨或氫氧化鉀繼續對單晶硅片2進行各向異性腐蝕，從而形成了氣壓傳感器的第一空腔24，第一空腔24的底面形成一個平面，作為氣壓傳感器的第一感應硅膜21，以及形成了加速度傳感器凸起的質量塊23 ;采用二次掩膜法濕法腐蝕單晶硅片2的背腔后，所得到的單晶硅片2的立體結構如圖9所示。[0056](6)采用反應離子刻蝕工藝刻蝕單晶硅片2底端的氮化硅層，然后用氫氟酸漂去二氧化硅層，從而實現玻璃與單晶硅片2的直接鍵合；
[0057](7)采用機械加工方法加工玻璃底板3對應的氣體導入孔31，然后將單晶硅片2與玻璃底板3陽極鍵合，使得玻璃底板3的氣體導入孔31與單晶硅片2的第一空腔24相通；作為優選，玻璃底板3與單晶硅片2鍵合后，其氣體導入孔31被第一空腔24完全覆蓋且位于第一感應娃膜21的中心位置處；
[0058](8)采用感應耦合等離子體刻蝕工藝釋放質量塊23，與質量塊23周圍相連接的硅薄膜便部分鏤空形成彈性懸臂梁22結構；
[0059](9)采用機械加工方法加工玻璃蓋板I對應的第一凹槽11和第二凹槽12，然后將單晶硅片2與玻璃蓋板I陽極鍵合，使第一凹槽11完全覆蓋住第一感應硅膜21，第二凹槽12完全覆蓋住質量塊23和彈性懸臂梁22，第二凹槽12與第二空腔25連通為一個整體式的密封的第二真空腔。
[0060]該芯片的制作方法采用獨特的二次掩膜方法濕法腐蝕單晶硅片2的背腔，同時形成氣壓傳感器的第一感應硅膜21、以及加速度傳感器的質量塊23和彈性懸臂梁22，可直接形成較大質量的質量塊23，無需額外采用鍍銅或其他方式來增加質量塊23的質量，即采用同一套工藝同時完成氣壓傳感器及加速度傳感器的制作，且制作工藝簡單，容易控制，成本低，適于大批量生產。
[0061]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，其特征在于:包括作為主體的單晶硅片、以及分別位于所述單晶硅片頂端和底端的玻璃蓋板和玻璃底板，所述單晶硅片上集成有氣壓傳感器和加速度傳感器，其中， 所述氣壓傳感器包括位于單晶娃片頂端的第一感應娃膜、多個位于所述第一感應娃膜上的第一應力敏感電阻、以及從所述玻璃蓋板底端向上嵌入所述玻璃蓋板內的第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一感應硅膜之上且能完全覆蓋住所述第一感應硅膜，所述第一凹槽與所述單晶硅片的頂端形成一個密封的第一真空腔，所述單晶硅片在第一感應膜之下設有下端開口的第一空腔，所述玻璃底板上設有上下貫通的氣體導入孔，所述氣體導入孔與所述第一空腔連通，所述多個第一應力敏感電阻連接成壓力檢測電路； 所述加速度傳感器包括質量塊、與所述質量塊一端連接的彈性懸臂梁、位于所述彈性懸臂梁上的多個第二應力敏感電阻、以及從所述玻璃蓋板底端向上嵌入所述玻璃蓋板內的第二凹槽，所述彈性懸臂梁位于所述單晶硅片頂端，所述第二凹槽位于所述質量塊和彈性懸臂梁之上且能完全覆蓋住所述質量塊和彈性懸臂梁，所述單晶硅片在質量塊和彈性懸臂梁之下設有下端開口的第二空腔，所述第二空腔的底端經過所述玻璃底板密閉，所述第二空腔與所述第二凹槽通過質量塊周圍的間隙連通為一個整體式的密封的第二真空腔，所述多個第二應力敏感電阻連接成加速度檢測電路；所述壓力檢測電路和加速度檢測電路通過引線和焊盤引出單晶硅片外。
2.根據權利要求1所述的氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，其特征在于:所述玻璃底板的氣體導入孔被第一空腔覆蓋且位于所述第一感應硅膜的中心位置處。
3.根據權利要求1所述的氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，其特征在于:所述壓力檢測電路為四個等阻值的第一應力敏感電阻連接組成惠斯通電橋。
4.根據權利要求1所述的氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，其特征在于:所述加速度檢測電路為四個等阻值的第二應力敏感電阻連接組成惠斯通電橋。
5.根據權利要求1所述的氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，其特征在于:所述單晶硅片為N型(100)晶面的單晶硅片。
6.根據權利要求1至5任一所述的氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，其特征在于:所述質量塊向下凸出且所述質量塊呈上大下小的梯形塊。
7.根據權利要求6所述的氣壓與加速度傳感器相集成的MEMS芯片，其特征在于:所述單晶硅片與所述玻璃蓋板和玻璃底板均通過陽極鍵合。
【文檔編號】G01P15/12GK203719812SQ201420099302
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年3月5日 優先權日:2014年3月5日
【發明者】谷永先, 胡國俊, 郭育華, 蘭欣, 曾鴻江 申請人:中國電子科技集團公司第三十八研究所