一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法
【專利摘要】本發明創造提供一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法，該檢測方法首先通過化學機械拋光的方法制備8英寸拋光片；然后通過X熒光光譜儀檢測硅拋光片中的痕量元素并進行數據分析；最終得出各痕量元素的種類和含量。本發明創造具有的優點和積極效果是：采用半導體制造技術企業常用設備全反射X熒光光譜儀對8英寸拋光片痕量元素，不需要復雜的樣品前期處理過程，測定步驟簡單，高效快速，檢測結果準確度高，有著廣闊的應用前景。
【專利說明】一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法
【技術領域】
[0001]本發明創造屬于半導體制造【技術領域】，尤其是涉及一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法。
【背景技術】
[0002]伴隨著半導體技術的發展，電子器件正朝著高速度化，高集成度，高密度，高性能的方向發展。由于作為襯底的硅材料的直徑逐漸增大、超大規模集成電路的特征尺寸逐漸降低以及集成度逐漸提高等因素，對于硅片質量的要求越來越高。
[0003]眾所周知，一些痕量元素對半導體的影響很大，例如一些深能級的金屬雜質，這些雜質可能很快在硅中擴散，并起到復合中心的作用，嚴重影響少子壽命；這些雜質也可能本身產生缺陷，并易于缺陷絡合，影響材料和器件的性能。因此，掌握一種能夠快速準確的檢測8英寸拋光片中的痕量元素的檢測方法，對于提高硅拋光片的質量，有著非常重要的作用。
【發明內容】
[0004]本發明創造要解決的問題是提供一種應用全反射X熒光光譜儀檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法。
[0005]為解決上述技術問題，本發明創造采用的技術方案是:1、一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法，所述檢測方法包括如下步驟:
[0006]步驟一:在拋光設備中對8英寸硅片依次進行邊緣拋光、粗拋光、精拋光工序，制備8英寸硅拋光片；
[0007]步驟二:將8英寸硅拋光片放置于全反射X熒光光譜儀中；
[0008]步驟三:在8英寸硅拋光片上隨機選取若干測試點；
[0009]步驟四:通過全反射X熒光光譜儀依次檢測8英寸硅拋光片上各測試點各痕量元素的熒光強度值。
[0010]優選地，所述測試點數量不小于5個。
[0011 ] 優選地，所述測試點的選取方法為隨機選取。
[0012]優選地，所述測試點的選取方法為，首先在8英寸硅拋光片邊緣上均勻選取若干測試點，再在8英寸硅拋光片上均勻選取若干測試點。
[0013]優選地，單個所述測試點的測試時間20?30min。
[0014]本發明創造具有的優點和積極效果是:采用半導體制造技術企業常用設備全反射X熒光光譜儀對8英寸拋光片痕量元素，檢測方法簡單，同時全反射X熒光光譜儀的檢測速度非常快，縮短了檢測時間，采用該方法檢測能夠精確檢測痕量元素的種類及含量，同時檢測時間短，檢測成本低，提高了檢測效率。
【具體實施方式】
[0015]一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法，所述檢測方法包括如下步驟:步驟一:在拋光設備中進行8英寸硅拋光片的制備；步驟二:將8英寸硅拋光片放置于全反射X熒光光譜儀中；步驟三:在8英寸硅拋光片上確定測試點，所述測試點數量不小于5個，單個所述測試點的測試時間20?30min ;步驟四:通過全反射X熒光光譜儀依次檢測各測試點痕量元素的種類及含量。
[0016]X射線熒光光譜儀的原理是:X射線照到樣品上激發樣品中的原子，使原子激發出具有特征能量和波長的二次射線，然后收集和分析這些二次射線的能量和強度，可以確定樣品中各種元素的種類和含量。不同元素激發出的二次射線的能量和波長不同，可據此來分析二次射線為何種元素發出的，進行元素種類的定性分析。同時，二次射線的強度跟某一元素在樣品中的含量有關，因此，通過強度的測量可進行某種元素的定量分析。
[0017]實施例:
[0018]步驟一:采用不二越公司生產的拋光機制備8英寸硅拋光片樣品，待用；步驟二:將8英寸硅拋光片樣品放入全反射X熒光光譜儀中；步驟三:采用隨機選點法選擇至少5個測試點；步驟四:通過全反射X熒光光譜儀依次檢測8英寸硅拋光片上各測試點各痕量元素的熒光強度值，單個測試點時間為20至30分鐘。
[0019]全反射X熒光光譜分析儀利用全反射技術，使樣品熒光的雜散本底比X射線熒光光譜儀降低了約4個量級，從而大大增強了能量分辨率和檢測的靈敏度和精確度，同時，全反射X熒光光譜儀是半導體制造技術中常用到的檢測儀器，一般的半導體制造技術公司都配備有此設備，因此，用全反射X熒光光譜分析儀檢測8英寸硅拋光片中的痕量元素，檢測時間短，檢測成本低，提高了檢測效率。
[0020]以上對本發明創造的一個實施例進行了詳細說明，但所述內容僅為本發明創造的較佳實施例，不能被認為用于限定本發明創造的實施范圍。凡依本發明創造申請范圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬于本發明創造的專利涵蓋范圍之內。
【權利要求】
1.一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法，其特征在于:所述檢測方法包括如下步驟: 步驟一:在拋光設備中對8英寸硅片依次進行邊緣拋光、粗拋光、精拋光工序，制備8英寸娃拋光片； 步驟二:將8英寸硅拋光片放置于全反射X熒光光譜儀中； 步驟三:在8英寸硅拋光片上選取若干測試點； 步驟四:通過全反射X熒光光譜儀依次檢測8英寸硅拋光片上各測試點各痕量元素的熒光強度值。
2.根據權利要求1所述的一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法，其特征在于:所述測試點數量不小于5個。
3.根據權利要求2所述的一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法，其特征在于:所述測試點的選取方法為隨機選取。
4.根據權利要求2所述的一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法，其特征在于:所述測試點的選取方法為，首先在8英寸硅拋光片邊緣上均勻選取若干測試點，再在8英寸娃拋光片上均勻選取若干測試點。
5.根據權利要求1所述的一種檢測8英寸拋光片痕量元素的檢測方法，其特征在于:單個所述測試點的測試時間20?30min。
【文檔編號】G01N23/223GK104390993SQ201410659999
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年11月18日 優先權日:2014年11月18日
【發明者】王丹, 王廣勇, 李諾, 尼志超, 張晉會 申請人:天津中環領先材料技術有限公司