微小空間碎片探測用探測器探頭及其傳感器制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于微小空間碎片探測的探測器探頭及其傳感器的制備方法。在探測器探頭中，傳感器和電極引出板安裝在底座與頂板裝配形成的空腔內；其中，在傳感器中，底電極與頂電極均位于傳感器頂面，避免了底電極與頂電極分別位于頂面和底面導致的不便于電極的引出及安裝的問題。通過金絲焊壓工藝將頂電極和底電極引到電極引出板，電極引出板的引出線通過底座上的導線引出孔引出，能夠解決因焊接工藝以及引線多且復雜導致的薄鋁電極容易損毀的問題。
【專利說明】微小空間碎片探測用探測器探頭及其傳感器制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及空間碎片探測領域，具體涉及一種用于微小空間碎片探測的M0S(Metal-0Xide-SiliCOn，金屬-氧化物-硅)探測器探頭以及探測器探頭內部的傳感器制備方法。
【背景技術】
[0002]隨著人類航天活動的日益頻繁，空間碎片數(shù)量快速增加，其對人類航天活動的影響越來越大?？臻g碎片尤其是數(shù)量眾多的微小空間碎片會對航天器所用光學儀器的表面、熱覆涂層以及其他安裝在航天器表面的部件造成損傷，為掌握微小空間碎片的空間分布特征，國外很多航天任務都把微小空間碎片在軌探測作為其主要目標之一。
[0003]NASA拉格朗日研究中心開展的行星際微塵試驗(IDE)使用的探測器探頭是由單片MOS傳感器構成，該探頭具有MOS傳感器面積大、引線少的優(yōu)點，但正是由于采用單片，存在因單次撞擊事件碎裂或短路失效而導致整個探測器探頭失效的問題；另外單片MOS傳感器的面積大還存在成品率低和抗力學性能差的缺點。
[0004]目前國外已公開發(fā)表的基于MOS探測器開展微小空間碎片在軌探測研究主要有:William H.Kinard等人申請的美國專利(專利號:4964300) “行星際微塵試驗(IDE)以及微流星體和空間碎片計數(shù)試驗(OMDC) ”。該專利研制的MOS探測器探頭由9個相互分離的扇形MOS傳感器組合而成，該MOS探測器探頭可以避免因單個MOS傳感器短路而導致整個探測器探頭失效的問題。但是，這9個扇形的MOS傳感器共用一塊硅襯底材料，因此它仍然存在襯底因單次撞擊事件碎裂失效而導致整個探測器探頭失效的缺點。此外構成該探測器探頭的MOS傳感器頂電極和底電極分別位于傳感器的頂面和底面，不便于電極的引出及安裝。
[0005]Sharon K.Crockett等人在微流星體和空間碎片計數(shù)試驗(OMDC)采用的MOS探測器相對IDE所采用的探測器有所改進，其使用的MOS傳感器為矩形(39_X71mm)，直接使用RTV566膠和RTV142膠將其粘貼在航天器的表面，采用該探測器可以構建大面積探測面，但其具有如下問題:(I)構成該探測器探頭的MOS傳感器電極引出采用焊接工藝，容易造成薄鋁電極損毀；(2)當采用多個傳感器時，傳感器的布局要考慮熱控設計，每個傳感器需要分另IJ焊接和引線，引線多，布線復雜，且布線與電控機箱距離遠，易造成信號的干擾；⑶整星測試時，需要對航天器的壁板進行多次拆裝，拆裝時需要考慮傳感器劃傷、碎裂的問題，限制多；而且多次的拆裝導致比較脆弱的薄鋁電極容易損壞。
[0006]截至目前，國內從事相關研究并已公開的文獻資料僅有中國空間技術研究院總體部的向宏文和北京大學的王金延等人開展了用于微小空間碎片探測的MOS探測器的研制和地面高速粒子撞擊試驗研究。
【發(fā)明內容】
[0007]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種用于微小空間碎片探測的MOS探測器探頭，不僅能夠解決單次撞擊事件引起單個MOS傳感器碎裂或短路失效時導致整個探測器探頭失效的問題，而且能夠解決因焊接工藝以及引線多且復雜導致的薄鋁電極容易損毀，還能夠解決由于底電極與頂電極分別位于傳感器的頂面和底面，導致的不便于電極的引出及安裝的問題。
[0008]為了解決上述技術問題，本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:
[0009]一種用于微小空間碎片探測的探測器探頭，包括:底座、電極引出板、頂板和至少2個傳感器；傳感器和電極引出板安裝在底座與頂板裝配形成的空腔內；
[0010]傳感器由基片、基片一側的二氧化硅介質層、以及在二氧化硅介質層的同一面上由金屬鋁制備形成的靈敏區(qū)、頂電極和底電極組成；靈敏區(qū)與頂電極相接觸，底電極不與靈敏區(qū)相接觸；
[0011]傳感器黏貼于所述空腔內；通過金絲焊壓工藝將頂電極和底電極引到電極引出板，電極引出板的引出線通過底座上的導線引出孔引出。
[0012]優(yōu)選地，所述頂板上具有窗口和遮蓋部，窗口將傳感器的敏感區(qū)暴露到外面，遮蓋部遮蓋于電極引出板上方。
[0013]優(yōu)選地，所述遮蓋部進一步覆蓋頂電極和底電極的部分或全部。
[0014]優(yōu)選地，在同一傳感器中，頂電極和底電極位于靈敏區(qū)的同一側；各傳感器以陣列形式布置，排陣時，各傳感器的頂電極和底電極所在側集中布置，電極引出板安裝在頂電極和底電極集中分布的位置。
[0015]排陣時，各傳感器的頂電極和底電極所在側首先集中布置到傳感器陣列周邊，距離周邊較遠的傳感器，其頂電極和底電極所在側集中布置到一條直線上。
[0016]優(yōu)選地，一個MOS探測器探頭配置4個傳感器，形成2 X 2傳感器陣列；兩個電極弓I出板布置在2X2傳感器陣列的左右兩側:其中2個傳感器的頂電極和底電極朝向左側電極弓丨出板，另外兩個傳感器的頂電極和底電極朝向右側電極引出板。
[0017]優(yōu)選地，所述傳感器中，圓形的靈敏區(qū)位于生長有二氧化硅介質層正方形的基片中間，頂電極朝向正方形其中一個直角A，底電極為占據(jù)正方形另一個直角B的直角三角形，直角A和直角B位于正方形的同一邊。
[0018]優(yōu)選地，所述電極引出板的頂面具有焊盤，底面具有引出線，頂面上的焊盤與底面的引出線在電極引出板內部電連通。
[0019]優(yōu)選地，用于黏貼傳感器的固定膠由自下而上的環(huán)氧膠樹脂、聚酰亞胺膜和貼片膠三層組成；傳感器黏貼在貼片膠一層。
[0020]本發(fā)明還提供了一種上述探測器探頭中傳感器的制備方法，包括:
[0021]步驟1、采用P型單面拋光的硅片作為基片；
[0022]步驟2、對基片進行常規(guī)清洗；
[0023]步驟3、在基片的拋光面通過濕氧氧化生長二氧化硅介質層；
[0024]步驟4、采用光刻工藝，在二氧化硅介質層上形成露出基片的底電極制備區(qū)；
[0025]步驟5、漂自然氧化層；
[0026]步驟6、采用物理氣相積淀法在二氧化硅介質層和底電極制備區(qū)處整體濺射鋁；
[0027]步驟7、采用光刻工藝，保留位于所述底電極制備區(qū)的鋁，形成底電極；
[0028]步驟8、采用物理氣相積淀法在二氧化硅介質層和底電極上整體濺射鋁；
[0029]步驟9、采用光刻工藝，保留二氧化硅介質層上形狀為靈敏區(qū)和頂電極的鋁層，從而形成靈敏區(qū)和頂電極；并且保留底電極上的鋁層；
[0030]步驟10、合金。
[0031]有益效果:
[0032](I)本發(fā)明將頂電極和底電極均位于MOS探測器的頂面，與現(xiàn)有MOS探測器底電極與頂電極分別位于探測器的頂面和底面相比，更便于探測器電極的引出和探測器在金屬底座上的貼片膠粘安裝。
[0033](2)將多個傳感器布置在底座與頂板組成的空腔內，且傳感器通過電極引出板實現(xiàn)頂電極和底電極的電極引出，且電極引出采用金絲壓焊工藝，可避免電極引出時焊接工藝易造成薄鋁電極損毀的問題。而且，與現(xiàn)有技術每個傳感器需要分別焊接和引線的情況相比，本發(fā)明將引線設計在裝置內部，可以實現(xiàn)對引線信號的抗干擾和引線保護，進一步地，由于本發(fā)明將頂電極和底電極所在側集中布置，從而簡化了與電極引出板的連接，布線清晰，簡單。
[0034](3)探測器探頭采用將多片相同小面積MOS傳感器組合的方式，既保證了有效探測面積、控制了引線數(shù)量，又很好的避免單個傳感器損毀導致整個探頭失效的情況；另外小面積的傳感器還具有成品率高、抗力學性能好的優(yōu)點。
[0035](4)本發(fā)明設計頂板上具有遮蓋部，安裝后遮蓋部覆蓋在電極引出板上方，從而防止空間碎片撞擊電極引出板，對電極引出板形成保護；更優(yōu)地，遮蓋部進一步覆蓋頂電極和底電極的部分或全部，從而對兩個電極施以保護。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0036]圖1為本發(fā)明MOS探測器探頭的結構示意圖；
[0037]圖2 (a)為本發(fā)明MOS探測器探頭中傳感器的俯視圖；
[0038]圖2 (b)為本發(fā)明MOS探測器探頭中傳感器的剖視圖；
[0039]圖3為本發(fā)明MOS探測器探頭去除頂板的俯視圖；
[0040]圖4為本發(fā)明MOS探測器探頭中電極引出板的示意圖；
[0041]圖5(a)為本發(fā)明MOS探測器探頭中底座的剖視圖；
[0042]圖5 (b)為本發(fā)明MOS探測器探頭中頂板的俯視圖；
[0043]圖6為本發(fā)明MOS探測器探頭的俯視圖；
[0044]圖7(a)?圖7(c)為本發(fā)明MOS探測器探頭中傳感器的布陣圖；
[0045]圖8(a)?圖8(m)為本發(fā)明MOS探測器探頭中傳感器的制備過程示意圖；
[0046]圖9(a)?圖9(f)為本發(fā)明MOS探測器探頭的裝配過程示意圖。
[0047]其中，1-傳感器，2-底座，3-電極引出板，4-頂板，11-基片，12- 二氧化硅介質層，13-靈敏區(qū)，14-頂電極，15-底電極，21-導線引出孔，31-焊盤，32-引出線，41-窗口，42-遮蓋部，80-底電極制備區(qū)，81-光刻膠，82-鋁層，91-環(huán)氧樹脂膠，92-聚酰亞胺薄膜，93-貼片膠，94-金絲。
【具體實施方式】
[0048]下面結合附圖并舉實施例，對本發(fā)明進行詳細描述。
[0049]本發(fā)明提供了一種用于微小空間碎片探測的MOS探測器探頭，如圖1所示，該MOS探測器探頭包括傳感器1、底座2、電極引出板3和頂板4。傳感器I和電極引出板3安裝在底座2與頂板4裝配形成的空腔內。
[0050]?傳感器
[0051]如圖2(a)和圖2(b)所示，傳感器I由基片11、基片一側上的二氧化硅介質層12、以及在二氧化硅介質層上由金屬鋁制備形成的、位于同一面的靈敏區(qū)13、頂電極14和底電極15組成。靈敏區(qū)13和頂電極14相接觸，可以為一體形成的薄鋁層，底電極14不與靈敏區(qū)13接觸。在這種布局方式下，頂電極和底電極均位于傳感器的頂面，與現(xiàn)有MOS探測器底電極與頂電極分別位于探測器的頂面和底面相比，更便于探測器電極的引出和探測器在金屬底座上的膠粘安裝。
[0052]優(yōu)選地，頂電極14和底電極15位于靈敏區(qū)13的同一側。這種布局方式便于頂電極和底電極與電極引出板3的連接。
[0053]本實施例中，在傳感器中，基片11和二氧化硅介質層12均為正方形，靈敏區(qū)13為圓形，圓形靈敏區(qū)位于生長有二氧化硅介質層正方形基片中間，頂電極14朝向正方形其中一個直角，底電極位于正方形另一個直角，這兩個直角位于正方形的同一邊。正方形基片加工工藝簡單，且組陣方便，圓形靈敏區(qū)可以避免電場集中，而且有效利用面積大。
[0054]本發(fā)明中，一個探測器探頭中集成了多個傳感器1，它們以陣列形式排布，通過黏貼方式安裝于底座2內。排陣時,各傳感器的頂電極14和底電極15所在側集中布置，電極引出板3安裝在頂電極14和底電極15集中分布的位置。這樣可以采用更少的電極引出板實現(xiàn)電極的引出。
[0055]排陣時，首選地，各傳感器的頂電極和底電極所在側首先集中布置到傳感器陣列周邊，距離周邊較遠的傳感器，其頂電極和底電極所在側集中布置到一條直線上。這種布局策略設計的原則在于令頂電極和底電極所在側盡量集中，進一步便于采用更少的電極引出板實現(xiàn)電極的引出。
[0056]如圖3所示，在本優(yōu)選實施例中，一個MOS探測器探頭配置4個傳感器，兩個電極引出板布置在2 X 2傳感器陣列的左右兩側，2個傳感器的頂電極和底電極朝向左側電極引出板，另外兩個傳感器的頂電極和底電極朝向右側電極引出板。
[0057]?電極引出板
[0058]為了避免電極引出時焊接工藝易造成薄鋁電極損毀的問題，本發(fā)明采用金絲焊壓工藝將各傳感器的頂電極和底電極引到電極引出板3，如圖4所示，電極引出板3的頂面具有焊盤31，底面具有引出線(圖4未示出)，頂面上的焊盤與底面的引出線在電極引出板內部電連通。
[0059]?底座和頂板
[0060]如圖5(a)所示，底座2上具有一凹槽作為容納腔，槽底具有導線引出孔21，電極引出板3的引出線通過底座2上的導線引出孔21引出至外部。槽壁的上端面開設有與頂板4配合的安裝孔。
[0061]如圖5(b)所示，頂板4上具有窗口 41和遮蓋部42，還具有與底座2配合的安裝孔。采用螺釘將頂板4安裝至底座后，窗口 41將底座2內部的傳感器I的敏感區(qū)暴露在外，遮蓋部42遮蓋于電極引出板上方，從而防止空間碎片撞擊電極引出板，對電極引出板形成保護。更加理想的設計是，遮蓋部進一步覆蓋頂電極14和底電極15的部分或全部，從而對兩個電極施以保護，部分遮蓋效果如圖6所示。
[0062]在實際中，基于上述傳感器的布局設計，還可以形成圖7或更多其它形式的布局方式，如圖7(a)示出了 8個傳感器的布局情況，圖7(b)示出了 16個傳感器的布局情況，圖7(c)示出了 4個傳感器的另一種集中布局情況，布局的關鍵點在于電極引出位置盡量集中即可，其目的是使得金絲焊接涉及的連接距離更短，交叉更少，且便于頂板覆蓋。對于電極弓丨出板位于傳感器陣列中間的情況，例如圖7(b)和圖7(c)，可以在頂板上增加搭接在窗口41中部的橫梁，用于形成中部電極引出板的遮蓋部。
[0063]下面對本發(fā)明MOS探測器探頭的制備過程進行詳細描述。
[0064](一 )制備傳感器，包括如下步驟:
[0065]步驟1、采用P型單面拋光的硅片作為基片11，基片剖面如圖8(a);本實施例中，選擇電阻率0.01 Ω.Cm的單面拋光P型硅片；
[0066]步驟2、對基片11進行常規(guī)清洗；
[0067]步驟3、在基片11的拋光面通過濕氧氧化生長二氧化硅介質層12，如圖8(b);本實施例中，通過1000°c濕氧氧化生長厚度為1.Ομ--的二氧化硅介質層；
[0068]步驟4、采用光刻工藝，在二氧化硅介質層12上形成露出基片的底電極制備區(qū)80。
[0069]本步驟中，首先在二氧化硅介質層12上涂覆光刻膠81，曝光顯影，形成底電極制備區(qū)80，如圖8 (c);接著，通過緩沖的氫氟酸濕法腐蝕二氧化硅介質層1.0 μ m，從而將底電極制備區(qū)80內的二氧化硅介質層去除，露出基片，如圖8(d);接著常規(guī)去膠，如圖8(e)；
[0070]步驟5、采用氫氟酸對基片漂自然氧化層；
[0071]步驟6、采用物理氣相積淀法(PVD)濺射1.Ομπι的鋁層82，該鋁層覆蓋剩下的二氧化硅介質層12和底電極制備區(qū)80，如圖8(f)；
[0072]步驟7、采用光刻工藝，保留位于底電極制備區(qū)的鋁，形成底電極15。
[0073]本步驟中，首先涂覆光刻膠81，曝光顯影，對底電極制備區(qū)80進行保護，如圖8(g);接著，采用體積比為80%磷酸+5%醋酸+5%硝酸+10%水溶液的配液濕法腐蝕鋁層82，如圖8 (h);最后發(fā)煙硝酸去膠，如圖8 (i)，最后進行硫酸常溫清洗；
[0074]步驟8、采用物理氣相積淀法濺射0.1 μ m的鋁層82，該鋁層覆蓋剩下的二氧化硅介質層12和底電極15，如圖8 (j)；
[0075]步驟9、采用光刻工藝，在二氧化硅介質層12上形成靈敏區(qū)13和頂電極14的薄鋁層，厚度為0.1 u m ；
[0076]本步驟中，首先涂覆光刻膠81，曝光顯影，對靈敏區(qū)13和頂電極14還有底電極15進行保護，如圖8(k);接著，濕法腐蝕鋁層，留下的鋁層中一部分形成了靈敏區(qū)13和頂電極14，另一部分與步驟7形成的底電極共同形成較厚的底電極，如圖8(1);最后發(fā)煙硝酸去膠，如圖8 (m)，最后進行硫酸常溫清洗；
[0077]步驟10、氫氣+氮氣合金。
[0078]( 二 )制備底座、電極引出板和頂板；
[0079]本實施例中，制備的底座結構如圖5 (a)的標記2所示，其采用鋁合金材料，外形尺寸為:80mmX 65mmX 5mm，底座厚度2mm，底座壁厚2mm，底座內空腔深度3mm，底座底部的導線引出孔21直徑4mm。電極引出板結構如圖4,外形其尺寸為:46mmX 5mmX 2mm。頂板結構如圖5 (b),其外形尺寸為:80_X65_X 2mm,內框尺寸為:55_X 55_X 2mm。
[0080](三)MOS探測器探頭的裝配:將傳感器1、電極引出板3通過貼片膠粘工藝安裝到底座上，通過金絲壓焊工藝將傳感器的頂電極14和底電極15引出到電極引出板3，具體步驟如下:
[0081](I)在底座2底部安裝電極引出板3的位置(導線引出孔21位置處)涂覆一層環(huán)氧樹脂膠(30μπι)，通過環(huán)氧膠將電極引出板粘牢，黏粘位置參見圖9(a)；
[0082](2)在底座2中間位置均勻涂覆一層30 μ m的環(huán)氧樹脂膠91，如圖9 (b)；
[0083](3)在環(huán)氧樹脂膠上黏貼一層厚度為30 μ m的聚酰亞胺薄膜92，如圖9 (c)；
[0084](4)在聚酰亞胺膜上均勻涂覆一層30 μ m的貼片膠93，如圖9 (d)；
[0085](5)通過貼片膠93將傳感器I黏貼在聚酰亞胺膜92上，如圖9(e);本實施例中，環(huán)氧樹脂膠(J133)、聚酰亞胺薄膜和貼片膠￠01膠)均為30 μ m厚。
[0086](6)通過金絲壓焊工藝，將傳感器I的頂電極14和底電極15通過直徑不小于38 μ m的金絲94引到電極引出板的焊盤上，如圖3(f)；
[0087](7)通過底座2上的導線引出孔21將電極引出板上的引出線32與外部電控機箱的接插件連接。
[0088](8)將頂板4安裝到完成以上步驟的探測器上構成完整的探測器探頭，如圖1所
/Jn ο
[0089]綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種用于微小空間碎片探測的探測器探頭，其特征在于，包括:底座(2)、電極引出板⑶、頂板⑷和至少2個傳感器⑴；傳感器⑴和電極引出板(3)安裝在底座⑵與頂板(4)裝配形成的空腔內； 傳感器(I)由基片(11)、基片一側的二氧化硅介質層(12)、以及在二氧化硅介質層的同一面上由金屬鋁制備形成的靈敏區(qū)(13)、頂電極(14)和底電極(15)組成；靈敏區(qū)(13)與頂電極(14)相接觸，底電極(15)不與靈敏區(qū)相接觸； 傳感器(I)黏貼于所述空腔內；通過金絲焊壓工藝將頂電極和底電極引到電極引出板(3)，電極引出板(3)的引出線(32)通過底座(2)上的導線引出孔(21)引出。
2.如權利要求1所述的探測器探頭，其特征在于，所述頂板(4)上具有窗口(41)和遮蓋部(42)，窗口(41)將傳感器的敏感區(qū)(13)暴露到外面，遮蓋部(42)遮蓋于電極引出板(3)上方。
3.如權利要求2所述的探測器探頭，其特征在于，所述遮蓋部(42)進一步覆蓋頂電極(14)和底電極(15)的部分或全部。
4.如權利要求1所述的探測器探頭，其特征在于，在同一傳感器中，頂電極(14)和底電極(15)位于靈敏區(qū)(13)的同一側； 各傳感器(I)以陣列形式布置，排陣時，各傳感器的頂電極和底電極所在側集中布置，電極引出板⑶安裝在頂電極和底電極集中分布的位置。
5.如權利要求4所述的探測器探頭，其特征在于，排陣時，各傳感器(I)的頂電極和底電極所在側首先集中布置到傳感器陣列周邊，距離周邊較遠的傳感器，其頂電極和底電極所在側集中布置到一條直線上。
6.如權利要求4所述的探測器探頭，其特征在于，一個MOS探測器探頭配置4個傳感器(I)，形成2X2傳感器陣列；兩個電極引出板(3)布置在2X2傳感器陣列的左右兩側:其中2個傳感器的頂電極和底電極朝向左側電極引出板，另外兩個傳感器的頂電極和底電極朝向右側電極引出板。
7.如權利要求1所述的探測器探頭，其特征在于，所述傳感器中，圓形的靈敏區(qū)(13)位于生長有二氧化硅介質層正方形的基片(11)中間，頂電極(14)朝向正方形其中一個直角A，底電極(15)為占據(jù)正方形另一個直角B的直角三角形，直角A和直角B位于正方形的同一邊。
8.如權利要求1所述的探測器探頭，其特征在于，所述電極引出板(3)的頂面具有焊盤(31)，底面具有引出線(32)，頂面上的焊盤(31)與底面的引出線(32)在電極引出板內部電連通。
9.如權利要求1所述的探測器探頭，其特征在于，用于黏貼傳感器的固定膠由自下而上的環(huán)氧膠樹脂(91)、聚酰亞胺膜(92)和貼片膠(93)三層組成；傳感器(I)黏貼在貼片膠(93) 一層。
10.一種用于權利要求1所述探測器探頭的傳感器制備方法，其特征在于，包括: 步驟1、采用P型單面拋光的硅片作為基片(11)； 步驟2、對基片(11)進行常規(guī)清洗； 步驟3、在基片(11)的拋光面通過濕氧氧化生長二氧化硅介質層(12)； 步驟4、采用光刻工藝，在二氧化硅介質層(12)上形成露出基片的底電極制備區(qū)； 步驟5、漂自然氧化層； 步驟6、采用物理氣相積淀法在二氧化硅介質層(12)和底電極制備區(qū)處整體濺射鋁； 步驟7、采用光刻工藝，保留位于所述底電極制備區(qū)的鋁，形成底電極(15)； 步驟8、采用物理氣相積淀法在二氧化硅介質層(12)和底電極(15)上整體濺射鋁；步驟9、采用光刻工藝，保留二氧化硅介質層上形狀為靈敏區(qū)(13)和頂電極(I)的鋁層，從而形成靈敏區(qū)(13)和頂電極(I);并且保留底電極(15)上的鋁層； 步驟10、合金。
【文檔編號】G01V13/00GK104375205SQ201410588832
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年10月28日 優(yōu)先權日:2014年10月28日
【發(fā)明者】郝志華, 向宏文, 王金延 申請人:北京空間飛行器總體設計部