太赫茲波檢測裝置、照相機、成像裝置以及測量裝置制造方法

太赫茲波檢測裝置、照相機、成像裝置以及測量裝置制造方法
【專利摘要】本發明涉及太赫茲波檢測裝置、照相機、成像裝置以及測量裝置，能夠精度良好地將太赫茲波轉換為電信號。具備基底基板(2)、和在基底基板(2)上排列的多個第一檢測元件(9)，第一檢測元件(9)具有：第一金屬層(21)，其被設于基底基板(2)；支承基板(26)，其與第一金屬層(21)分離地設置，并且吸收太赫茲波而產生熱；以及轉換部(35)，其被設置成在支承基板(26)的與第一金屬層(21)相反側層疊第二金屬層(32)、熱釋電體層(33)以及第三金屬層(34)，并且將由支承基板(26)產生的熱轉換為電信號。
【專利說明】太赫茲波檢測裝置、照相機、成像裝置以及測量裝置

【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及太赫茲波檢測裝置、照相機、成像裝置以及測量裝置。

【背景技術】
[0002]吸收光而轉換為熱并將熱轉換為電信號的光傳感器已被實際應用。而且，專利文獻I中公開了一種提高了針對特定的波長的靈敏度的光傳感器。據此，光傳感器具備吸收光而產生熱的吸收部、和將熱轉換為電信號的轉換部。
[0003]吸收部呈立方體的形狀，在吸收部的一面以規定的周期呈柵格狀地設置有凹凸。照射到吸收部的光發生衍射或者散射而發生光的多重吸收。而且，吸收部吸收特定的波長的光。由此，吸收部能夠對特定的波長的光的光強度做出反應而將光轉換為熱。在一個吸收部設置有一個轉換部。而且，轉換部將吸收部的溫度的變化轉換為電信號。該特定的波長采用4μπι左右的波長，凹凸的周期為1.5μπι左右。
[0004]近年來，具有10GHz以上30ΤΗζ以下的頻率的電磁波即太赫茲波備受關注。太赫茲波例如能夠應用于成像、分光測量等各種測量、無損檢查等。
[0005]專利文獻1:日本特開2013 - 44703號公報
[0006]太赫茲波為波長為30 μ m?Imm的光。當檢測太赫茲波時在專利文獻I的方式中光傳感器變大。而且，由于吸收部的熱容量變大，所以反應速度變慢，光傳感器成為檢測精度較低的傳感器。鑒于此，期望一種在檢測太赫茲波時也能夠精度良好地轉換為電信號的太赫茲波檢測裝置。


【發明內容】

[0007]本發明是為了解決上述的課題而完成的，能夠作為以下的方式或者應用例來實現。
[0008][應用例I]
[0009]本應用例所涉及的太赫茲波檢測裝置的特征在于，具備基板、和在上述基板上排列的多個檢測元件，上述檢測元件具有:第一金屬層，其設置于上述基板；吸收部，其與上述第一金屬層分離地設置，并且吸收太赫茲波而產生熱；以及轉換部，其被設置成在上述吸收部的與上述第一金屬層相反側層疊第二金屬層、熱釋電體層以及第三金屬層，并且將由上述吸收部產生的熱轉換為電信號。
[0010]根據本應用例，太赫茲波檢測裝置具備基板，在基板上檢測元件隔開間隔排列。檢測元件具備吸收部和轉換部。吸收部吸收太赫茲波而產生熱。吸收部根據照射至吸收部的太赫茲波的量來產生熱。轉換部將由吸收部產生的熱轉換為電信號。因此，轉換部輸出與照射至吸收部的太赫茲波的量對應的電信號。
[0011]吸收部成為被第一金屬層和第二金屬層夾著的形態。在向吸收部射入太赫茲波時太赫茲波在吸收部以及吸收部與第一金屬層之間的空間行進。太赫茲波被第一金屬層和第二金屬層反射。而且，在第一金屬層和第二金屬層反射的太赫茲波在吸收部的內部行進的過程中能量被吸收部吸收而轉換為熱。因此，照射太赫茲波檢測裝置的太赫茲波被吸收部高效地吸收而將能量轉換為熱。結果，太赫茲波檢測裝置能夠高效地吸收被照射的太赫茲波并精度良好地轉換為電信號。
[0012][應用例2]
[0013]在上述應用例所涉及的太赫茲波檢測裝置中，上述多個檢測元件被排列成上述太赫茲波在相鄰的上述轉換部之間衍射。
[0014]根據本應用例，由于排列有多個檢測元件，所以第二金屬層也排列有多個。而且，相鄰的第二金屬層之間與相鄰的第三金屬層之間對于太赫茲波作為狹縫發揮作用。因此，太赫茲波在第二金屬層以及第三金屬層衍射而改變行進方向地進入吸收部。結果，太赫茲波檢測裝置能夠高效地吸收照射的太赫茲波并精度良好地轉換為電信號。
[0015][應用例3]
[0016]在上述應用例所涉及的太赫茲波檢測裝置中，上述吸收部的主材料為硅。
[0017]根據本應用例，吸收部的主材料為硅。由于硅以及硅化合物是電介質，所以吸收部能夠吸收太赫茲波而產生熱。而且，由于硅以及硅化合物具有剛性，所以能夠作為支撐檢測元件的結構體發揮作用。
[0018][應用例4]
[0019]在上述應用例所涉及的太赫茲波檢測裝置中，上述檢測元件包括與上述吸收部連接的柱狀的臂部，并且具備將上述吸收部支承為與上述基板分離的支承部，上述檢測元件排列的方向的上述第二金屬層的長度以及上述吸收部的長度比被上述吸收部吸收的上述太赫茲波在真空中的波長短且比10 μ m長。
[0020]根據本應用例，在吸收部上連接有支承部的臂部，臂部與吸收部連接。第二金屬層的長度以及吸收部的長度比真空中的太赫茲波的波長短。由此，由于吸收部能夠減輕重量，所以能夠使臂部變細。或者，能夠使臂部變長。由于臂部較細時或者臂部較長時熱較難傳導，所以檢測元件能夠容易地檢測熱。另外，第二金屬層的長度比1ym長。由此，由于太赫茲波在第一金屬層以及第二金屬層中多重反射，所以吸收部能夠高效地吸收太赫茲波。結果，檢測元件能夠靈敏度良好地檢測太赫茲波。
[0021][應用例5]
[0022]在上述應用例所涉及的太赫茲波檢測裝置中，上述檢測元件排列的方向的上述第二金屬層的長度以及上述吸收部的長度比被上述吸收部吸收的上述太赫茲波的振幅的兩倍長度短。
[0023]根據本應用例，在吸收部上連接有支承部的臂部。第二金屬層的長度以及吸收部的長度比太赫茲波的振幅的兩倍長度短。其中，在太赫茲波為橢圓偏振光時太赫茲波的振幅表示橢圓的長軸方向的振幅。由此，由于能夠減輕檢測元件的重量，所以能夠使臂部變細。或者，能夠使臂部變長。由于臂部較細時或者臂部較長時熱較難傳導，所以檢測元件能夠容易地檢測熱。另外，第二金屬層的長度比ΙΟμπι長。由此，由于太赫茲波在第一金屬層以及第二金屬層中多重反射，所以吸收部能夠高效地吸收太赫茲波。結果，檢測元件能夠靈敏度良好地檢測太赫茲波。
[0024][應用例6]
[0025]在上述應用例所涉及的太赫茲波檢測裝置中，上述第二金屬層的排列的周期比被上述吸收部吸收的上述太赫茲波在真空中的波長短。
[0026]根據本應用例，第二金屬層以比真空中的太赫茲波的波長小的周期配置。此時，由于相鄰的第二金屬層之間的間隔變窄，所以太赫茲波變得容易衍射。因此，能夠使太赫茲波容易進入吸收部內。
[0027][應用例7]
[0028]本應用例所涉及的照相機的特征在于，具備:太赫茲波產生部，其產生太赫茲波；太赫茲波檢測部，其檢測從上述太赫茲波產生部射出并透過了對象物的上述太赫茲波或者被上述對象物反射后的上述太赫茲波；以及存儲部，其存儲上述太赫茲波檢測部的檢測結果，上述太赫茲波檢測部是上述任意一個所記載的太赫茲波檢測裝置。
[0029]根據本應用例，從太赫茲波產生部射出的太赫茲波照射對象物。太赫茲波在透過了對象物或者反射后，照射太赫茲波檢測部。太赫茲波檢測部將太赫茲波的檢測結果輸出至存儲部，存儲部存儲檢測結果。太赫茲波檢測部使用上述所記載的太赫茲波檢測裝置。因此，本應用例的照相機能夠成為具備將被照射的太赫茲波精度良好地轉換為電信號的太赫茲波檢測裝置的裝置。
[0030][應用例8]
[0031]本應用例所涉及的成像裝置的特征在于，具備:太赫茲波產生部，其產生太赫茲波；太赫茲波檢測部，其檢測從上述太赫茲波產生部射出并透過了對象物的上述太赫茲波或者被上述對象物反射后的上述太赫茲波；以及圖像形成部，其基于上述太赫茲波檢測部的檢測結果來生成上述對象物的圖像，上述太赫茲波檢測部是上述任意一個所記載的太赫茲波檢測裝置。
[0032]根據本應用例，從太赫茲波產生部射出的太赫茲波照射對象物。太赫茲波在透過了對象物或者反射后，照射太赫茲波檢測部。太赫茲波檢測部將太赫茲波的檢測結果輸出給圖像形成部，圖像形成部使用檢測結果生成對象物的圖像。太赫茲波檢測部是上述所記載的太赫茲波檢測裝置。因此，本應用例的成像裝置能夠成為具備將被照射的太赫茲波精度良好地轉換為電信號的太赫茲波檢測裝置的裝置。
[0033][應用例9]
[0034]本應用例所涉及的測量裝置的特征在于，具備:太赫茲波產生部，其產生太赫茲波；太赫茲波檢測部，其檢測從上述太赫茲波產生部射出并透過了對象物的上述太赫茲波或者被上述對象物反射后的上述太赫茲波；以及測量部，其基于上述太赫茲波檢測部的檢測結果來測量上述對象物，上述太赫茲波檢測部是上述任意一個所記載的太赫茲波檢測裝置。
[0035]根據本應用例，從太赫茲波產生部射出的太赫茲波照射對象物。太赫茲波在透過了對象物或者反射后，照射太赫茲波檢測部。太赫茲波檢測部將太赫茲波的檢測結果輸出給測量部，測量部使用檢測結果來測量對象物。太赫茲波檢測部是上述所記載的太赫茲波檢測裝置。因此，本應用例的測量裝置能夠成為具備將被照射的太赫茲波精度良好地轉換為電信號的太赫茲波檢測裝置的裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1涉及第一實施方式，圖1 (a)是表示太赫茲波檢測裝置的結構的示意俯視圖，圖1(b)是表示像素的結構的主要部分放大圖。
[0037]圖2(a)是用于說明第一檢測元件的配置的示意俯視圖，圖2(b)以及圖2(c)是用于說明太赫茲波的示意圖。
[0038]圖3(a)是表示第一檢測元件的結構的示意俯視圖，(b)是表示第一檢測元件的結構的示意側剖視圖。
[0039]圖4是用于說明第一檢測元件的制造方法的示意圖。
[0040]圖5是用于說明第一檢測元件的制造方法的示意圖。
[0041]圖6是用于說明第一檢測元件的制造方法的示意圖。
[0042]圖7是用于說明第一檢測元件的制造方法的示意圖。
[0043]圖8涉及第二實施方式，圖8(a)是表示成像裝置的構成的框圖，圖8 (b)是表示對象物在太赫茲波段下的頻譜的圖表。
[0044]圖9是表示對象物的物質A、B、以及C的分布的圖像的圖。
[0045]圖10是表示第三實施方式所涉及的測量裝置的構成的框圖。
[0046]圖11是表示第四實施方式所涉及的照相機的構成的框圖。
[0047]圖12(a)以及圖12(b)是表示變形例所涉及的第一檢測元件的結構的示意俯視圖。

【具體實施方式】
[0048]在本實施方式中，按照圖1?圖12對太赫茲波檢測裝置的特征性的例子進行說明。以下，按照附圖對實施方式進行說明。其中，由于各附圖中的各部件成為在各附圖上能夠識別的程度的大小，所以按照各部件使比例不同地進行圖示。
[0049](第一實施方式)
[0050]按照圖1?圖7對第一實施方式所涉及的太赫茲波檢測裝置進行說明。圖1(a)是表示太赫茲波檢測裝置的結構的示意俯視圖。如圖1(a)所示，太赫茲波檢測裝置I具備四邊形的作為基板的基底基板2，在基底基板2的周圍設置有框部3。框部3具有保護基底基板2的功能。在基底基板2上呈柵格狀地排列有像素4。像素4的行數以及列數并不特別限定。像素4的個數越多則越能夠精度良好地識別被檢測物的形狀。在本實施方式中，為了容易理解附圖而使太赫茲波檢測裝置I為具備16行16列的像素4的裝置。
[0051]圖1(b)是表示像素的結構的主要部分放大圖。如圖1(b)所示，像素4由第一像素5、第二像素6、第三像素7以及第四像素8構成。在俯視基底基板2 (從基底基板2的板厚方向觀察)時第一像素5?第四像素8分別為四邊形，且為相同的面積。而且，第一像素5?第四像素8被配置于通過像素4的重心的線被四等分的位置。
[0052]在第一像素5中呈柵格狀地排列有4行4列作為檢測元件的第一檢測元件9，在第二像素6中呈柵格狀地排列有4行4列作為檢測元件的第二檢測元件10。在第三像素7中呈柵格狀地排列有4行4列作為檢測元件的第三檢測元件11，在第四像素8中呈柵格狀地排列有4行4列作為檢測元件的第四檢測元件12。第一檢測元件9?第四檢測元件12為相同的結構且俯視基底基板2時的大小不同。第二檢測元件10比第一檢測元件9大，第三檢測元件11成為比第二檢測元件10大的元件。而且，第四檢測元件12成為比第三檢測元件11大的元件。
[0053]第一檢測元件9?第四檢測元件12在俯視基底基板2時的大小和所檢測的太赫茲波的共振頻率之間有相關性。大的檢測元件與小的檢測元件相比能夠檢測波長較長的太赫茲波。分別將第一檢測元件9、第二檢測元件10、第三檢測元件11、第四檢測元件12檢測的太赫茲波的波長設為第一波長、第二波長、第三波長、第四波長。此時，第四波長在這些波長中為最長的波長，第三波長、第二波長按照從大到小的順序變短，第一波長成為這些波長中最短的波長。
[0054]在像素4中排列有第一檢測元件9?第四檢測元件12這四種檢測元件。因此，太赫茲波檢測裝置I能夠檢測第一波長?第四波長這四種波長的太赫茲波。由于第一檢測元件9?第四檢測元件12為相同的結構，所以對第一檢測元件9的結構進行說明，而省略第二檢測元件10?第四檢測元件12的說明。
[0055]圖2(a)是用于說明第一檢測元件的配置的示意俯視圖。圖2(b)以及圖2(c)是用于說明太赫茲波的示意圖。如圖2(a)所示，在第一像素5中第一檢測元件9被排列成為4行4列的柵格狀。在各行中第一檢測元件9被以恒定的周期配置。將該周期設為作為周期的第一周期13。在各列中第一檢測元件9被以恒定的周期排列。將該周期設為作為周期的第二周期14。若太赫茲波15到達第一檢測元件9 (具體為后述的轉換部35)則發生衍射而進入第一檢測元件9的內部。相鄰的第一檢測元件9 (具體為后述的轉換部35)之間的部分變窄，針對太赫茲波15作為狹縫發揮作用。因此，所照射的太赫茲波15的行進方向在第一檢測元件9端部變更為朝向第一檢測元件9的內部的方向。
[0056]如圖2(b)所示，太赫茲波15是在真空中維持恒定的波長15a而行進的光。而且，太赫茲波15是由第一像素5檢測的光。此時，優選第一檢測元件9排列的方向的周期即第一周期13以及第二周期14比波長15a短。第一周期13以及第二周期14比波長15a短能夠提聞檢測靈敏度。
[0057]如圖2(c)所不,有時太赫茲波15為偏振光。偏振光存在橢圓偏振光、直線偏振光。將此時的偏振光的長邊方向設為偏振光方向15b。偏振光方向15b成為與太赫茲波15的行進方向正交的方向。而且，將偏振光方向15b的太赫茲波15的長度的一半長度設為振幅15c。此時，優選第一周期13以及第二周期14比振幅15c的兩倍長度短。第一周期13以及第二周期14較短能夠提高檢測靈敏度。
[0058]圖3(a)是表示第一檢測元件的結構的示意俯視圖，圖3(b)是表示第一檢測元件的結構的示意側剖視圖。圖3(b)是沿圖3(a)的A — A’線的剖視圖。如圖3所示，在基底基板2上設置有第一絕緣層16。基底基板2的材質為硅，第一絕緣層16的材質并不特別限定，能夠使用氮化硅、碳氮化硅、二氧化硅等。在本實施方式中，例如第一絕緣層16的材質使用二氧化硅。在基底基板2的第一絕緣層16側的面形成有布線、驅動電路等電路。第一絕緣層16通過覆蓋基底基板2上的電路來防止預定外的電流的流動。
[0059]在第一絕緣層16上豎立設有第一柱部17以及第二柱部18。第一柱部17以及第二柱部18的材質為與第一絕緣層16相同的材質。第一柱部17以及第二柱部18的形狀為使四角錐的頂點平坦后的截棱錐的形狀。在第一絕緣層16中除了與第一柱部17以及第二柱部18接觸的位置之外的位置設置有第一金屬層21。在第一金屬層21的上側、第一柱部17以及第二柱部18的側面設置有第一保護層22。第一保護層22是保護第一金屬層21、第一柱部17以及第二柱部18免受形成第一柱部17以及第二柱部18等時所使用的蝕刻液影響的層。在第一柱部17、第二柱部18、第一金屬層21以及第一絕緣層16對蝕刻液具有耐性時也可以省略第一保護層22的設置。
[0060]在第一柱部17上隔著第二保護層23設置有作為臂部以及支承部的第一臂部24，在第二柱部18上隔著第二保護層23設置有作為臂部以及支承部的第二臂部25。而且，與第一臂部24以及第二臂部25連接地配置有作為吸收部的支承基板26，第一臂部24以及第二臂部25對支承基板26進行支承。由第一柱部17、第二柱部18、第一臂部24以及第二臂部25構成支承部27。支承基板26被支承部27支承為與基底基板2以及第一金屬層21分離。第二保護層23是保護第一臂部24、第二臂部25以及支承基板26免受形成支承基板26、第一柱部17以及第二柱部18等時所使用的蝕刻液影響的膜。
[0061]第一金屬層21的材質只要是容易反射太赫茲波15的材質即可，例如能夠使用金、銅、鐵、鋁、鋅、鉻、鉛、鈦等金屬、鎳鉻合金等合金。第一保護層22以及第二保護層23的材質只要具有耐蝕刻性即可，并不特別限定，在本實施方式中例如第一保護層22以及第二保護層23的材質使用氧化鋁。在第一臂部24、第二臂部25以及支承基板26對蝕刻液具有耐性時也可以省略第二保護層23的設置。
[0062]支承基板26通過支承部27與基底基板2分離，基底基板2與支承基板26之間成為空洞28。第一臂部24以及第二臂部25的形狀為使棱柱彎曲成直角的形狀。由此，第一臂部24以及第二臂部25變長，抑制熱從支承基板26傳導至基底基板2。
[0063]在基底基板2的表面與第一臂部24的表面之間設置有貫通第一柱部17以及第一臂部24的第一貫通電極29。并且，在基底基板2的表面與第二臂部25的表面之間設置有貫通第二柱部18以及第二臂部25的第二貫通電極30。
[0064]支承基板26的材質只要具有剛性并能夠加工即可，并不特別限定，在本實施方式中例如為二氧化硅、氮化硅、二氧化硅的三層結構。第一貫通電極29以及第二貫通電極30的材質只要具有導電性并能夠形成微細的圖案即可，并不特別限定，例如能夠使用鈦、鎢、
鋁等金屬。
[0065]在支承基板26上的與第一金屬層21相反側的面設置有依次層疊了第二金屬層
32、熱釋電體層33、第三金屬層34而成的轉換部35。換言之，支承基板26支承轉換部35。轉換部35具有將熱轉換為電信號的熱釋電傳感器的功能。第二金屬層32的材質只要是導電性良好、反射太赫茲波15的金屬即可，更優選為具有耐熱性的金屬。在本實施方式中例如第二金屬層32從支承基板26側依次層疊銥、氧化銥、鉬的層。銥具備取向控制的功能、氧化銥具備還原氣體阻隔的功能、鉬具備作為種子層的功能。
[0066]熱釋電體層33的材質是能夠發揮熱釋電效應的電介質，能夠根據溫度變化而產生電極化量的變化。熱釋電體層33的材質能夠使用PZT(鋯鈦酸鉛)或者在PZT添加了Nb (鈮)的 PZTN。
[0067]第三金屬層34的材質只要是導電性良好的金屬即可，更優選為具有耐熱性的金屬。在本實施方式中例如對第三金屬層34的材質從熱釋電體層33側依次層疊了鉬、氧化銥、銥層。鉬具備取向整合的功能、氧化銥具備還原氣體阻隔的功能、銥具備作為低電阻層的功能。此外，第三金屬層34、第二金屬層32的材質并不限定于上述的例子，例如也可以是金、銅、鐵、鋁、鋅、鉻、鉛、鈦等金屬、鎳鉻合金等合金。
[0068]在轉換部35的周圍配置有第二絕緣層36。而且，在第一臂部24上設置有將第一貫通電極29和第三金屬層34連接的第一布線37，在第二臂部25上設置有將第二貫通電極30和第二金屬層32連接的第二布線38。轉換部35輸出的電信號通過第一布線37、第一貫通電極29、第二布線38以及第二貫通電極30傳遞至基底基板2上的電路。第一布線37從第一臂部24在第二絕緣層36上通過與第三金屬層34連接。由此，可防止第一布線37與第二金屬層32以及熱釋電體層33接觸。并且，也可以以覆蓋第一布線37以及第二布線38的方式設置未圖示的絕緣膜。能夠防止第一布線37以及第二布線38中流動預定外的電流。
[0069]當向第一檢測元件9照射太赫茲波15時太赫茲波15在轉換部35的第二金屬層32發生衍射。而且，太赫茲波15的行進方向改變，一部分的太赫茲波15進入支承基板26的內部以及空洞28。在基底基板2上呈柵格狀地配置有第一檢測元件9，第二金屬層32的周期與第一周期13以及第二周期14為相同的周期。而且，第二金屬層32的周期被以比太赫茲波15的波長小的周期排列。由此，相鄰的第一檢測元件9之間的部分對于太赫茲波15作為狹縫發揮作用。因此，所照射的太赫茲波15的行進方向在第一檢測元件9的端部(即第二金屬層32的端部)被變更為第一檢測兀件9的內部。而且,太赫茲波15在第一金屬層21與第二金屬層32之間多重反射而在支承基板26以及空洞28中行進。
[0070]在支承基板26中行進的太赫茲波15的能量被轉換為熱。而且，照射第一檢測元件9的太赫茲波15的光強度越強則支承基板26越被加熱而支承基板26的溫度越上升。支承基板26的熱傳導至轉換部35。而且，轉換部35的溫度上升，轉換部35將上升了的溫度轉換為電信號并輸出給第一貫通電極29以及第二貫通電極30。
[0071]支承基板26以及轉換部35中蓄積的熱通過第三金屬層34、第一布線37、第一臂部24以及第一柱部17傳導至基底基板2。并且，支承基板26以及轉換部35中蓄積的熱通過第二金屬層32、第二布線38、第二臂部25以及第二柱部18傳導至基底基板2。因此，在照射第一檢測元件9的太赫茲波15的光強度降低時，隨著時間的經過支承基板26以及轉換部35的溫度降低。因此，第一檢測元件9能夠檢測照射到第一檢測元件9的太赫茲波15的光強度的變動。
[0072]支承基板26在俯視時為正方形,將一邊的長度設為支承基板長26b。第二金屬層32在俯視時為正方形，將一邊的長度設為第二金屬層長32a。優選支承基板長26b以及第二金屬層長32a比太赫茲波15的波長15a短。另外，優選比振幅15c的兩倍短。通過縮短支承基板長26b以及第二金屬層長32a，能夠減輕支承基板26的重量。由此，能夠使第一臂部24以及第二臂部25變細。而且，第一檢測元件9能夠提高第一臂部24以及第二臂部25的隔熱性。結果，由于熱很難從轉換部35以及支承基板26釋放出，所以能夠使太赫茲波15的檢測精度變得良好。另外，通過縮短支承基板長26b以及第二金屬層長32a，能夠容易地將太赫茲波15封閉在第一金屬層21與第二金屬層32之間。另外，由于支承基板26較小與較大時相比熱容變小，所以相對于熱的產生，溫度變化增大。因此，支承基板26能夠高效地將吸收太赫茲波15而產生的熱轉換為溫度。
[0073]在將支承基板26的材質選為二氧化硅時，優選支承基板長26b以及第二金屬層長32a比10 μ m長。此時，能夠使支承基板26高效地吸收太赫茲波15。
[0074]覆蓋轉換部35以及支承基板26地設置有第三保護層41。第三保護層41防止在轉換部35以及支承基板26附著灰塵。并且，抑制轉換部35以及支承基板26因氧、水分的進入而劣化。第三保護層41的材料能夠使用各種樹脂材料。第三保護層41也可以進一步覆蓋第一臂部24以及第二臂部25。由此，第三保護層41能夠防止在第一布線37以及第二布線38附著灰塵、并防止流動預定外的靜電。
[0075]在所排列的各第一檢測元件9中，第二金屬層32相對于外形的位置為相同的位置。因此，各第一檢測元件9的周期即第一周期13以及第二周期14成為與第二金屬層32的周期相同的長度。而且，通過第二金屬層32的周期被設定為比波長15a短，能夠使太赫茲波15高效地衍射而朝向支承基板26的內部行進。
[0076]接下來，使用圖4?圖7，對第一檢測元件9的制造方法進行說明。第二檢測元件10?第四檢測元件12的制造方法與第一檢測元件9的制造方法相同，省略說明。圖4?圖7是用于說明第一檢測元件的制造方法的示意圖。如圖4(a)所示，在基底基板2上形成第一絕緣層16。第一絕緣層16例如通過CVD (Chemical Vapor Deposit1n:化學氣相沉積)法形成。接下來，在第一絕緣層16上使用光刻法以及蝕刻法進行圖案化來形成第一貫通孔29a以及第二貫通孔30a。以下，圖案化使用光刻法以及蝕刻法。接下來，在第一貫通孔29a以及第二貫通孔30a分別形成第一貫通電極29以及第二貫通電極30。第一貫通電極29以及第二貫通電極30例如通過鍍覆法、濺射法形成。
[0077]如圖4(b)所示，對第一絕緣層16進行圖案化，來形成第一柱部17以及第二柱部18。在第一柱部17以及第二柱部18的形成中使用干式蝕刻法，并通過調整制造條件能夠使側面傾斜。接下來，在除了第一柱部17以及第二柱部18的位置的第一絕緣層16上設置第一金屬層21。第一金屬層21例如通過濺射法形成。
[0078]如圖4(c)所示，在第一金屬層21、第一柱部17以及第二柱部18上形成第一保護層22。利用CVD法形成氧化鋁的膜，將該膜作為第一保護層22。由此，第一絕緣層16、第一柱部17以及第二柱部18成為被氧化鋁的膜覆蓋的狀態。
[0079]接下來，在第一保護層22上使用CVD法形成由二氧化硅構成的犧牲層42。此時，以超過第一柱部17以及第二柱部18的高度形成二氧化硅膜，犧牲層42的膜厚形成得比第一柱部17以及第二柱部18的高度厚。接下來,使用CMP法(Chemical Mechanical Polishing:化學機械拋光)使犧牲層42的上表面平坦地形成，第一柱部17以及第二柱部18的上面與犧牲層42的面形成為同一個面。并且，除去在第一柱部17以及第二柱部18的上面殘留的第一保護層22以及犧牲層42。
[0080]如圖5(a)所示，在犧牲層42上形成第二保護層23。第二保護層23通過CVD法、濺射法形成。接下來，在第二保護層23上形成支承基板層26a。支承基板層26a是成為第一臂部24、第二臂部25以及支承基板26的基礎的層。支承基板層26a例如通過CVD法、濺射法形成。
[0081 ] 接下來，對第二保護層23以及支承基板層26a進行圖案化，來形成第一貫通孔29a以及第二貫通孔30a。第一貫通孔29a以及第二貫通孔30a分別形成為使在前一個工序中形成的第一貫通電極29以及第二貫通電極30露出。接下來，對第一貫通孔29a填充第一貫通電極29的材料，對第二貫通孔30a填充第二貫通電極30的材料。第一貫通電極29以及第二貫通電極30例如通過鍍覆法、濺射法形成。通過以上的工序，形成從支承基板層26a的表面連接至基底基板2的第一貫通電極29以及第二貫通電極30。
[0082]如圖5(b)所示，在支承基板層26a上依次層疊形成第二金屬層32、熱釋電體層33、以及第三金屬層34。由此，形成轉換部35。第二金屬層32、第三金屬層34例如利用濺射法成膜并通過進行圖案化來形成。熱釋電體層33例如通過在利用濺射法、溶膠-凝膠法成膜后進行圖案化來形成。接下來，在第二金屬層32上以及支承基板層26a上形成第二絕緣層36。第二絕緣層36例如通過利用濺射法、CVD法成膜并進行圖案化來形成。
[0083]如圖6 (a)所示，在支承基板層26a上形成第二布線38，將第二金屬層32和第二貫通電極30電連接。并且，在支承基板層26a上以及第二絕緣層36上形成第一布線37，將第三金屬層34和第一貫通電極29電連接。第一布線37以及第二布線38例如通過鍍覆法、濺射法成膜并進行圖案化來形成。
[0084]如圖6(b)所示，覆蓋轉換部35以及支承基板層26a的一部分地形成第三保護層41。第三保護層41例如通過CVD法成膜并進行圖案化來形成。第三保護層41也可以形成為進一步覆蓋第一布線37以及第二布線38。
[0085]如圖7(a)所示，對支承基板層26a以及第二保護層23進行圖案化。由此，支承基板26被形成為板狀，第一臂部24以及第二臂部25被形成為棱柱狀。
[0086]如圖7(b)所示，除去犧牲層42。犧牲層42的除去通過在遮蔽了犧牲層42之后進行蝕刻來進行。而且，在蝕刻后除去遮蔽物并進行清洗。由于第一柱部17以及第二柱部18被第一保護層22保護，所以未被蝕刻地形成。由于支承基板26的基底基板2側的面也被第二保護層23保護，所以支承基板26未被蝕刻地形成。由此，形成第一柱部17、第二柱部18以及空洞28。另外，也可以與第一柱部17以及第二柱部18同時形成框部3。此外，與第一檢測元件9并行地形成第二檢測元件10?第四檢測元件12。通過以上的工序，完成太赫茲波檢測裝置I。
[0087]如上所述，根據本實施方式，具有以下的效果。
[0088](I)根據本實施方式，支承基板26成為被第一金屬層21和第二金屬層32夾著的形態。在向支承基板26射入太赫茲波15時，太赫茲波在支承基板26以及空洞28中行進。太赫茲波15在第一金屬層21和第二金屬層32中多重反射。而且,被第一金屬層21和第二金屬層32反射的太赫茲波15在支承基板26的內部行進的過程中能量被支承基板26吸收并轉換為熱。因此，照射太赫茲波檢測裝置I的太赫茲波15能夠高效地被支承基板26吸收并將能量轉換為熱。
[0089](2)根據本實施方式，由于第一檢測兀件9隔開間隔排列有多個,所以第一金屬層以及第二金屬層也排列有多個。而且，相鄰的第二金屬層32之間與相鄰的第三金屬層34之間對于太赫茲波15作為狹縫發揮作用。因此，太赫茲波15通過第二金屬層32以及第三金屬層34改變行進方向而高效地進入支承基板26。結果，太赫茲波檢測裝置I能夠精度良好地將照射的太赫茲波15轉換為電信號。
[0090](3)根據本實施方式，支承基板26的材質為二氧化硅。由于硅以及硅化合物為電介質，所以支承基板26能夠吸收太赫茲波15而產生熱。而且，由于硅以及硅化合物具有剛性，所以能夠作為支撐轉換部35的結構體發揮作用。
[0091](4)根據本實施方式，在支承基板26上連接有支承部27的第一臂部24以及第二臂部25。第二金屬層32的長度比被支承基板26吸收的太赫茲波15在真空中的波長短。由此，能夠減輕轉換部35的重量。而且，能夠使第一臂部24以及第二臂部25變細。或者，能夠使第一臂部24以及第二臂部25變長。
[0092]由于在第一臂部24以及第二臂部25較細時或者第一臂部24以及第二臂部25較長時熱較難傳導，所以轉換部35能夠容易地檢測熱。另外，第二金屬層32的長度比10 μ m長。由此，由于太赫茲波15在第一金屬層21以及第二金屬層32中多重反射，所以支承基板26能夠高效地吸收太赫茲波15。結果，第一檢測元件9能夠靈敏度良好地檢測太赫茲波15。
[0093](5)根據本實施方式，在支承基板26上連接有支承部27的第一臂部24以及第二臂部25。第二金屬層32的長度比被支承基板26吸收的太赫茲波15的振幅的兩倍長度短。由此，能夠減輕轉換部35的重量。而且，能夠使第一臂部24以及第二臂部25變細。或者，能夠使第一臂部24以及第二臂部25變長。
[0094]由于在第一臂部24以及第二臂部25較細時或者第一臂部24以及第二臂部25較長時熱較難傳導，所以轉換部35能夠容易地檢測熱。另外，第二金屬層32的長度比ΙΟμπι長。由此，由于太赫茲波15在第一金屬層21以及第二金屬層32中多重反射，所以支承基板26能夠高效地吸收太赫茲波15。結果，第一檢測元件9能夠靈敏度良好地檢測太赫茲波15。
[0095](6)根據本實施方式，第二金屬層32以比被支承基板26吸收的太赫茲波15在真空中的波長小的周期排列。此時，由于相鄰的第二金屬層之間的間隔變窄，所以太赫茲波變得容易衍射。因此，能夠容易地使太赫茲波進入支承基板26內。
[0096](第二實施方式)
[0097]接下來，使用圖8以及圖9對使用了太赫茲波檢測裝置的成像裝置的一個實施方式進行說明。圖8(a)是表示成像裝置的構成的框圖。圖8(b)是表示對象物在太赫茲波段下的頻譜的圖表。圖9是表示對象物的物質Α、B、以及C的分布的圖像的圖。
[0098]如圖8(a)所示，成像裝置45具備太赫茲波產生部46、太赫茲波檢測部47以及圖像形成部48。太赫茲波產生部46向對象物49射出太赫茲波15。太赫茲波檢測部47檢測透過了對象物49的太赫茲波15或者被對象物49反射后的太赫茲波15。圖像形成部48基于太赫茲波檢測部47的檢測結果，來生成作為對象物49的圖像的數據的圖像數據。
[0099]太赫茲波產生部46例如能夠采用使用了量子級聯激光器、光傳導天線和短脈沖激光器的方式、使用了非線形光學結晶的差頻產生方式。太赫茲波檢測部47使用上述記載的太赫茲波檢測裝置I。
[0100]太赫茲波檢測部47具備第一檢測元件9?第四檢測元件12，各檢測元件檢測不同波長的太赫茲波15。因此，太赫茲波檢測部47能夠檢測四種波長的太赫茲波15。成像裝置45是使用四個檢測元件中的第一檢測元件9以及第二檢測元件10來檢測兩種波長的太赫茲波15，來分析對象物49的裝置。
[0101]成為分光成像的對象的對象物49由第一物質49a、第二物質49b、以及第三物質49c構成。成像裝置45進行該對象物49的分光成像。太赫茲波檢測部47檢測被對象物49反射后的太赫茲波15。此外，分析所使用的波長的種類也可以為三種以上。由此，能夠分析更多種類的對象物49。
[0102]將第一檢測元件9檢測的太赫茲波15的波長設為第一波長，將第二檢測元件10檢測的波長設為第二波長。將被對象物49反射后的太赫茲波15的第一波長的光強度設為第一強度，將第二波長的光強度設為第二強度。以在第一物質49a、第二物質49b和第三物質49c中第一強度與第二強度的差量能夠相互顯著地區別的方式設定了第一波長以及第二波長。
[0103]在圖8(b)中縱軸表示檢測出的太赫茲波15的光強度，圖中上側為比下側強的強度。橫軸表示檢測出的太赫茲波15的波長，圖中右側為比左側長的波長。第一特性線50是表示第一物質49a反射的太赫茲波15的波長與光強度的關系的線。同樣，第二特性線51表示第二物質49b的特性，第三特性線52表示第三物質49c的特性。在橫軸明示了第一波長53以及第二波長54的位置。
[0104]將對象物49為第一物質49a時被對象物49反射后的太赫茲波15的第一波長53的光強度設為第一強度50a,并將第二波長54的光強度設為第二強度50b。第一強度50a是第一波長53下的第一特性線50的值，第二強度50b是第二波長54下的第一特性線50的值。從第二強度50b減去第一強度50a所得到的值即第一波長差為正值。
[0105]同樣，將對象物49為第二物質49b時被對象物49反射后的太赫茲波15的第一波長53的光強度設為第一強度51a,將第二波長54的光強度設為第二強度51b。第一強度51a是第一波長53下的第二特性線51的值，第二強度51b是第二波長54下的第二特性線51的值。從第二強度51b減去第一強度51a所得到的值即第二波長差為零。
[0106]將對象物49為第三物質49c時被對象物49反射后的太赫茲波15的第一波長53的光強度設為第一強度52a,將第二波長54的光強度設為第二強度52b。第一強度52a是第一波長53下的第三特性線52的值，第二強度52b是第二波長54下的第三特性線52的值。從第二強度52b減去第一強度52a所得到的值即第三波長差為負值。
[0107]在成像裝置45進行對象物49的分光成像時，首先，太赫茲波產生部46產生太赫茲波15。然后,太赫茲波產生部46向對象物49照射太赫茲波15。然后,太赫茲波檢測部47檢測被對象物49反射后的太赫茲波15的光強度。該檢測結果被發送給圖像形成部48。其中，向對象物49照射太赫茲波15以及對被對象物49反射后的太赫茲波15的檢測針對位于檢查的區域的所有對象物49進行。
[0108]圖像形成部48使用太赫茲波檢測部47的檢測結果從第二波長54下的光強度減去第一波長53的光強度。而且，將減法運算后的結果為正值的部位判斷為第一物質49a。同樣，將減法運算后的結果為零的部位判斷為第二物質4%，將減法運算后的結果為負值的部位判斷為第三物質49c。
[0109]如圖9所示，另外在圖像形成部48中生成對對象物49的第一物質49a、第二物質4%、以及第三物質49c的分布進行表示的圖像的圖像數據。該圖像數據從圖像形成部48輸出給未圖示的顯示器，顯示器顯示對第一物質49a、第二物質4%、以及第三物質49c的分布進行表示的圖像。例如，第一物質49a分布的區域被顯示為黑色、第二物質49b分布的區域被顯示為灰色、第三物質49c分布的區域被顯示為白色。如上所述，在成像裝置45中能夠同時進行構成對象物49的各物質的識別、和該各物質的分布測定。
[0110]并且，成像裝置45的用途并不限定于上述的用途。例如，對人照射太赫茲波15并檢測透過了人或者被人反射后的太赫茲波15。通過在圖像形成部48中進行檢測出的太赫茲波15的檢測結果的處理，也能夠辨別該人是否持有手槍、刀、違法的藥物等。太赫茲波檢測部47使用上述所記載的太赫茲波檢測裝置I。因此，成像裝置45能夠具有較高的檢測靈敏度。
[0111](第三實施方式)
[0112]接下來，使用圖10對使用了太赫茲波檢測裝置的測量裝置的一個實施方式進行說明。圖10是表示測量裝置的構成的框圖。如圖10所示，測量裝置57具備產生太赫茲波的太赫茲波產生部58、太赫茲波檢測部59以及測量部60。太赫茲波產生部58向對象物61照射太赫茲波15。太赫茲波檢測部59檢測透過對象物61的太赫茲波15或者被對象物61反射后的太赫茲波15。太赫茲波檢測部59使用上述所記載的太赫茲波檢測裝置I。測量部60基于太赫茲波檢測部59的檢測結果來測量對象物61。
[0113]接下來，對測量裝置57的使用例進行說明。在利用測量裝置57進行對象物61的分光測量時，首先，利用太赫茲波產生部58產生太赫茲波15，并向對象物61照射該太赫茲波15。然后，太赫茲波檢測部59檢測透過了對象物61的太赫茲波15或者被對象物61反射后的太赫茲波15。檢測結果從太赫茲波檢測部59輸出至測量部60。其中，向該對象物61照射太赫茲波15以及透過了對象物61的太赫茲波15或者被對象物61反射后的太赫茲波15的檢測針對位于測量范圍內的所有對象物61進行。
[0114]測量部60根據檢測結果而輸入在構成各像素4的第一檢測元件9?第四檢測元件12中檢測出的太赫茲波15的各個光強度來進行對象物61的成分以及其分布等的分析。太赫茲波檢測部59使用上述所記載的太赫茲波檢測裝置I。因此，測量裝置57能夠具有較高的檢測靈敏度。
[0115](第四實施方式)
[0116]接下來，使用圖11對使用了太赫茲波檢測裝置的照相機的一個實施方式進行說明。圖11是表示照相機的構成的框圖。如圖11所示，照相機64具備太赫茲波產生部65、太赫茲波檢測部66、存儲部67以及控制部68。太赫茲波產生部65向對象物69照射太赫茲波15。太赫茲波檢測部66檢測被對象物69反射后的太赫茲波15或者透過了對象物69的太赫茲波15。太赫茲波檢測部66使用上述所記載的太赫茲波檢測裝置I。存儲部67存儲太赫茲波檢測部66的檢測結果。控制部68控制太赫茲波產生部65、太赫茲波檢測部66以及存儲部67的動作。
[0117]照相機64具備框體70，太赫茲波產生部65、太赫茲波檢測部66、存儲部67以及控制部68被收納在框體70中。照相機64具備使被對象物69反射后的太赫茲波15在太赫茲波檢測部66成像的透鏡71。并且，照相機64具備用于使太赫茲波產生部65射出的太赫茲波15向框體70的外部射出的窗部72。透鏡71、窗部72的材質由透過太赫茲波15并使其折射的硅、石英、聚乙烯等構成。此外，窗部72也可以構成為如狹縫那樣僅設置有開口。
[0118]接下來，對照相機64的使用例進行說明。在拍攝對象物69時，首先，控制部68使太赫茲波產生部65射出太赫茲波15。該太赫茲波15照射對象物69。而且，被對象物69反射后的太赫茲波15通過透鏡71在太赫茲波檢測部66成像，太赫茲波檢測部66檢測對象物69。檢測結果從太赫茲波檢測部66輸出至存儲部67并被存儲。其中，向對象物69照射太赫茲波15以及被對象物69反射后的太赫茲波15的檢測針對位于拍攝范圍內的所有對象物69進行。另外，照相機64也可以向例如個人計算機等外部裝置發送檢測結果。個人計算機能夠基于檢測結果進行各種處理。
[0119]照相機64的太赫茲波檢測部66使用上述所記載的太赫茲波檢測裝置I。因此，照相機64能夠具有較高的檢測靈敏度。
[0120]此外，本實施方式并不限定于上述的實施方式，也能夠在本發明的技術思想內由本領域技術人員添加各種變更、改進。也可以成為實際上與上述實施方式所說明的構成相同的功能、方法以及結果相同的構成、或者目的以及效果相同的構成。另外，也可以為置換了上述實施方式所說明的構成的非本質部分的構成。以下描述變形例。
[0121](變形例I)
[0122]在上述第一實施方式中，在基底基板2上以縱橫排列的柵格狀配置了第一檢測元件9。第一檢測元件9的排列也可以為柵格狀以外的排列圖案。圖12(a)是表示第一檢測元件的構成的示意俯視圖。如圖12(a)所示，例如也可以使第一檢測元件75的平面形狀為六角形而排列為蜂巢狀。另外，第一檢測元件9的排列也可以為除此以外的重復圖案。此時也能夠使相鄰的檢測元件之間成為狹縫而使太赫茲波15衍射并進入檢測元件。
[0123](變形例2)
[0124]在上述第一實施方式中，設置了第一檢測元件9?第四檢測元件12這四種檢測元件。檢測元件的種類也可以是I?3種，還可以是五種以上。也可以與想要檢測的太赫茲波15的波長的數目一致。
[0125](變形例3)
[0126]在上述第一實施方式中，支承基板26以及第二金屬層32的形狀為正方形。圖12(b)是表示第一檢測元件的構成的示意俯視圖。如圖12(b)所示，例如作為吸收部的支承基板76以及第二金屬層77的形狀也可以是長方形，還可以是多邊形、三角形。也可以是包括圓弧的形狀。此時，也優選排列的方向上的支承基板長以及第二金屬層長比太赫茲波15在真空中的波長短。另外，優選排列的方向上的支承基板長以及第二金屬層長比振幅的兩倍短。由此，由于能夠使第一臂部24以及第二臂部25變細或者變長，所以能夠靈敏度良好地檢測太赫茲波15。
[0127](變形例4)
[0128]在上述第一實施方式中，成為從轉換部35側朝向基底基板2行進的太赫茲波15在轉換部35中衍射的方式。也可以在第一金屬層21設置狹縫。而且，也可以成為從基底基板2側朝向轉換部35行進的太赫茲波15在第一金屬層21衍射的方式。在該方式時，由于太赫茲波15也在第一金屬層21與第二金屬層32之間反復反射,所以支承基板26能夠高效地吸收太赫茲波15。
[0129]符號說明:1...太赫茲波檢測裝置，2...作為基板的基底基板，9...作為檢測元件的第一檢測元件，10…作為檢測元件的第二檢測元件，11…作為檢測元件的第三檢測元件，12…作為檢測元件的第四檢測元件，13…作為周期的第一周期，14…作為周期的第二周期，15…太赫茲波，15a…波長，15c…振幅，17…作為支承部的第一柱部，18…作為支承部的第二柱部，21...第一金屬層，24...作為臂部以及支承部的第一臂部，25...作為臂部以及支承部的第二臂部，26、76...作為吸收部的支承基板，28…空洞，32、77...第二金屬層，33…熱釋電體層，35...轉換部，45…成像裝置，46、58、65…太赫茲波產生部，47、59、66...太赫茲波檢測部,48…圖像形成部,49、61、69…對象物,57…測量裝置,60…測量部,64…照相機,67…存儲部，75...第一檢測元件。
【權利要求】
1.一種太赫茲波檢測裝置，其特征在于，具備: 基板；以及在所述基板上排列的多個檢測元件， 所述檢測元件具有: 第一金屬層，其被設于所述基板； 吸收部，其與所述第一金屬層分離地設置，且吸收太赫茲波而產生熱；以及轉換部，其被設置成在所述吸收部的與所述第一金屬層相反側層疊第二金屬層、熱釋電體層以及第三金屬層，并且將由所述吸收部產生的熱轉換為電信號。
2.根據權利要求1所述的太赫茲波檢測裝置，其特征在于， 所述多個檢測元件被排列成所述太赫茲波在相鄰的所述轉換部之間衍射。
3.根據權利要求1或者2所述的太赫茲波檢測裝置，其特征在于， 所述吸收部的主材料為硅。
4.根據權利要求1?3中任意一項所述的太赫茲波檢測裝置，其特征在于， 所述檢測元件包括與所述吸收部連接的柱狀的臂部，并且具備將所述吸收部支承為與所述基板分離的支承部， 所述檢測元件排列的方向的所述第二金屬層的長度以及所述吸收部的長度比被所述吸收部吸收的所述太赫茲波在真空中的波長短且比10 μ m長。
5.根據權利要求4所述的太赫茲波檢測裝置，其特征在于， 所述檢測元件排列的方向的所述第二金屬層的長度以及所述吸收部的長度比被所述吸收部吸收的所述太赫茲波的振幅的兩倍長度短。
6.根據權利要求1?5中任意一項所述的太赫茲波檢測裝置，其特征在于， 所述第二金屬層的排列的周期比被所述吸收部吸收的所述太赫茲波在真空中的波長短。
7.一種照相機，其特征在于，具備: 太赫茲波產生部，其產生太赫茲波； 太赫茲波檢測部，其檢測從所述太赫茲波產生部射出并透過了對象物的所述太赫茲波或者被所述對象物反射了的所述太赫茲波；以及存儲部，其存儲所述太赫茲波檢測部的檢測結果， 所述太赫茲波檢測部是權利要求1?6中任意一項所述的太赫茲波檢測裝置。
8.一種成像裝置，其特征在于，具備: 太赫茲波產生部，其產生太赫茲波； 太赫茲波檢測部，其檢測從所述太赫茲波產生部射出并透過了對象物的所述太赫茲波或者被所述對象物反射了的所述太赫茲波；以及 圖像形成部，其基于所述太赫茲波檢測部的檢測結果來生成所述對象物的圖像， 所述太赫茲波檢測部是權利要求1?6中任意一項所述的太赫茲波檢測裝置。
9.一種測量裝置，其特征在于，具備: 太赫茲波產生部，其產生太赫茲波； 太赫茲波檢測部，其檢測從所述太赫茲波產生部射出并透過了對象物的所述太赫茲波或者被所述對象物反射了的所述太赫茲波；以及 測量部，其基于所述太赫茲波檢測部的檢測結果來測量所述對象物，所述太赫茲波檢測部是權利要求1?6中任意一項所述的太赫茲波檢測裝置。
【文檔編號】G01N21/3581GK104237156SQ201410232924
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優先權日:2013年6月5日
【發明者】富岡纮斗 申請人:精工愛普生株式會社