在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射mcd光譜的測量方法
【專利摘要】本發明公開了一種在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，包括：制備表面具有磁性薄膜的p-i-n光電二極管；將該p-i-n光電二極管與一電阻串聯形成串聯電路，在該串聯電路兩端施加一恒定電壓，使得該p-i-n光電二極管工作在反向偏置下；當受斬波器、光彈調制器共同調制的光透過該p-i-n光電二極管表面的磁性薄膜后，被i型層吸收并轉化為光電流，進一步使得該串聯電路中電阻兩端的電壓發生變化，通過連接于該串聯電路的兩臺鎖相放大器來解調該電阻兩端的電壓信號，即可反推出該磁性薄膜的透射MCD光譜。利用本發明，能夠方便的測量樣品的透射MCD光譜，得到樣品的能帶結構、矯頑力等微觀信息。
【專利說明】在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于磁光學領域，也涉及到自旋電子學領域，特別是指一種在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法。
【背景技術】
[0002]現代信息技術的基礎是結合半導體和鐵磁材料的半導體電子學，其中，信息的寫入和讀取就是通過控制磁性材料的磁矩朝向來實現的。但隨著器件的特征尺寸不斷減小，量子尺寸效應越來越顯著，隧穿效應導致的器件漏電流，大規模集成導致的熱效應以及產品的成品率等問題都制約著傳統電子學的發展。人們普遍認為傳統的半導體電子學必將走向理論極限。自旋電子學是有望改變未來這一困境的熱點研究領域。
[0003]自旋電子學也稱為磁電子學，它探索的是在一個器件中同時利用電子的電荷和自旋兩種內稟屬性，是一門涉及磁學、電子學、光學和微/納米加工技術的交叉科學。其中，利用磁光效應的磁光器件是該領域的一個重要的研究熱點。
[0004]磁光效應，是指光與磁性物質相互作用引起光性質的變化。磁光器件有磁光偏轉器、磁光開關和調制器、隔離器、環形器、顯示器、旋光器、磁強計、磁光盤存儲器和磁光傳感器等，在光學信息處理、光纖通信等等很多領域已經有較為廣泛的應用。除了應用于磁光器件外，磁光效應的另外一個重要用途就是進行固體材料能譜研究、觀察和分析材料結構等方面的基礎研究。
[0005]磁光效應主要包括磁圓光二向色性譜(MCD)、磁光克爾旋轉譜和法拉第旋轉光譜。其中，克爾旋轉譜與法拉第旋轉譜，均是指線偏振光與磁性介質發生相互作用后偏振面的偏轉，前者對應于反射配置，后者對應于透射配置。而MCD是指與磁性介質相互作用后左圓偏振光與右圓偏振光的強度有差別，可以在反射配置和透射配置下測量。
[0006]但是，對于非透明襯底上生長的材料，透射磁光光譜的測量，有兩點不便之處:1)樣品的準備過程較復雜，需要用打磨、化學腐蝕等方法將襯底層給去掉；2)測量系統要求較高，需要配備前后窗口來實現光的射入和收集。而且一般磁光光譜需要低溫、強磁場環境，所以增加了對設備的要求。因此，進行合適的樣品結構設計，來方便地測量樣品的透射磁光光譜，很有意義。
【發明內容】
[0007](一 )要解決的技術問題
[0008]有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，以方便的測量樣品的透射MCD光譜，進一步得到樣品的能帶結構、矯頑力等微觀信息。
[0009]( 二)技術方案
[0010]為達到上述目的，本發明提供了一種在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，包括:步驟1:制備表面具有磁性薄膜的P-1-n光電二極管；步驟2:將該P-1-n光電二極管與一電阻串聯形成串聯電路，在該串聯電路兩端施加一恒定電壓，使得該p-1-n光電二極管工作在反向偏置下；步驟3:當受斬波器、光彈調制器共同調制的光透過該P-1-n光電二極管表面的磁性薄膜后，被i型層吸收并轉化為光電流，進一步使得該串聯電路中電阻兩端的電壓發生變化，通過連接于該串聯電路的兩臺鎖相放大器來解調該電阻的電壓信號，即可反推出該磁性薄膜的透射MCD光譜。
[0011]上述方案中,所述步驟I包括:步驟11:生長p-1-n半導體結構,并在該p-1-n半導體結構之上生長磁性薄膜；步驟12:對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，得到腐蝕至該P-1-n半導體結構的n型層及p型層的臺面；步驟13:在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，形成表面具有磁性薄膜的p-1-n光
電二極管。
[0012]上述方案中，所述磁性薄膜為p型導電的磁性薄膜,步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括n+型襯底、n型緩沖層和未摻雜的光吸收層，該p型導電的磁性薄膜形成于該光吸收層之上。步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該n型緩沖層表面，得到n型緩沖層臺面及p型導電的磁性薄膜臺面；步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該n型緩沖層臺面及該p型導電的磁性薄膜臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極。
[0013]上述方案中，所述磁性薄膜為n型導電的磁性薄膜，步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括P+型襯底、P型緩沖層和未摻雜的光吸收層，該n型導電的磁性薄膜形成于該光吸收層之上。步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該P型緩沖層表面，得到P型緩沖層臺面及n型導電的磁性薄膜臺面；步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該P型緩沖層臺面及該n型導電的磁性薄膜臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極。
[0014]上述方案中，所述磁性薄膜為不導電的磁性薄膜，步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括n+型襯底、n型緩沖層、未摻雜的光吸收層和p型層，該磁性薄膜形成于該P型層之上。步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該n型緩沖層表面得到n型緩沖層臺面，及腐蝕至該p型層表面得到P型層臺面；步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該n型緩沖層臺面及該p型層臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極。
[0015]上述方案中，所述磁性薄膜為不導電的磁性薄膜，步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括P+型襯底、P型緩沖層、未摻雜的光吸收層和n型層，該磁性薄膜形成于該n型層之上。步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該P型緩沖層表面得到P型緩沖層臺面，及腐蝕至該n型層表面得到n型層臺面；步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該P型緩沖層臺面及該n型層臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極。
[0016]上述方案中，所述未摻雜的光吸收層，其帶隙小于該磁性薄膜的所關注的光譜能量范圍的下限，且厚度大于或等于300nm。[0017]上述方案中，步驟3中所述對該p-1-n光電二極管表面的磁性薄膜進行光照時，工作溫度不超出P-1-n光電二極管的有效工作溫度范圍。
[0018](三)有益效果
[0019]從上述技術方案可以看出，本發明具有以下有益效果:
[0020]本發明提供的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，通過設計樣品層次結構，即在P-1-n光電二極管上生長待測量磁性薄膜，利用樣品下所集成的該光電二極管，探測磁性薄膜的透射光強，從而可以方便地測量樣品的透射MCD光譜。而傳統的透射MCD光譜測量方法，不僅需要很大功夫來腐蝕掉非透明的襯底層，并且必須在配備雙光學窗口的測試系統中測量。通常，透射MCD光譜的測量，需要低溫、強磁場環境，這無疑使得傳統的透射MCD方法變得很復雜。本發明提供的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，在單光學窗口的測試系統中即可使用，且不需要腐蝕掉不透明的襯底，從而使得透射MCD譜的測量大大簡化，進一步很方便地得到樣品的能帶結構、矯頑力等微觀信息。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021]為進一步說明本發明的具體技術內容，以下結合實施例及附圖詳細說明如后，其中:
[0022]圖1是本發明提供的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法的流程圖。
[0023]圖2是以磁性半導體GaMnAs為例，采用本發明的樣品層次結構。
[0024]圖3是以磁性半導體GaMnAs為例，采用本發明的光刻版圖形。
[0025]圖4是以磁性半導體GaMnAs為例，采用本發明的測量示意圖。
[0026]圖5是以磁性半導體GaMnAs為例，采用本發明的實驗結果，其中圖5 (a)、圖5 (b)是傳統的反射式MCD實驗結果，圖5 (c)、圖5 (d)是采用本發明所得到的透射式MCD的實驗結果。
【具體實施方式】
[0027]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并參照附圖，對本發明進一步詳細說明。
[0028]如圖1所示，本發明提供的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，包括以下步驟:
[0029]步驟1:制備表面具有磁性薄膜的p-1-n光電二極管；該步驟具體包括:步驟11:生長p-1-n半導體結構,并在該p-1-n半導體結構之上生長磁性薄膜；步驟12:對該磁性薄膜及該P-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，得到腐蝕至該p-1-n半導體結構的n型層及p型層的臺面；步驟13:在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，形成表面具有磁性薄膜的p-1-n光電二極管；所述磁性薄膜可以為p型導電的磁性薄膜、n型導電的磁性薄膜或不導電的磁性薄膜；
[0030]其中，當磁性薄膜為p型導電的磁性薄膜時，步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括n+型襯底、n型緩沖層和未摻雜的光吸收層，該p型導電的磁性薄膜形成于該光吸收層之上；步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該n型緩沖層表面，得到n型緩沖層臺面及p型導電的磁性薄膜臺面；步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該n型緩沖層臺面及該P型導電的磁性薄膜臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極；
[0031]當磁性薄膜為n型導電的磁性薄膜時，步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括P+型襯底、P型緩沖層和未摻雜的光吸收層，該n型導電的磁性薄膜形成于該光吸收層之上；步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該P型緩沖層表面，得到P型緩沖層臺面及n型導電的磁性薄膜臺面；步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該p型緩沖層臺面及該n型導電的磁性薄膜臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極；
[0032]當磁性薄膜為不導電的磁性薄膜時，步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括n+型襯底、n型緩沖層、未摻雜的光吸收層和p型層，該磁性薄膜形成于該p型層之上；步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該n型緩沖層表面得到n型緩沖層臺面，及腐蝕至該p型層表面得到p型層臺面；步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該n型緩沖層臺面及該P型層臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極；或者，
[0033]當磁性薄膜為不導電的磁性薄膜時，步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括P+型襯底、P型緩沖層、未摻雜的光吸收層和n型層，該磁性薄膜形成于該n型層之上；步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該p型緩沖層表面得到p型緩沖層臺面，及腐蝕至該n型層表面得到n型層臺面；步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該p型緩沖層臺面及該n型層臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極；
[0034]所述未摻雜的光吸收層，其帶隙小于該磁性薄膜的所關注的光譜能量范圍的下限，且厚度大于或等于300nm。
[0035]步驟2:將該p-1-n光電二極管與一電阻串聯形成串聯電路，在該串聯電路兩端施加一-〖亙定電壓，使得該p-1-n光電二極管工作在反向偏置下。
[0036]步驟3:當受斬波器、光彈調制器共同調制的光透過該p-1-n光電二極管表面的磁性薄膜后，被i型層吸收并轉化為光電流，進一步使得該串聯電路中電阻兩端的電壓發生變化，通過連接于該串聯電路的兩臺鎖相放大器來解調該電阻的電壓信號，即可反推出該磁性薄膜的透射MCD光譜；
[0037]所述對該p-1-n光電二極管表面的磁性薄膜進行光照時，工作溫度不超出p-1-n光電二極管的有效工作溫度范圍，一般在小于300K的溫度范圍均可正常工作。
[0038]請參閱圖2、圖3及圖4所示，圖2是以磁性半導體G`ahMnxAs為例，本發明所設計的樣品層次結構；圖3是以磁性半導體GaMnAs為例，采用本發明的光刻版圖形；圖4是以磁性半導體GaMnAs為例，采用本發明的測量示意圖。
[0039]樣品的層次結構如圖2所示，生長步驟如下:⑴、選擇重摻雜的n+GaAs襯底；⑵、在該n+GaAs襯底上生長IOOnm的n+GaAs緩沖層，摻雜濃度為3 X 1018cm_3，用于平滑n+GaAs襯底的表面，使得后續生長的結構更加平整；(3)、在n+GaAs緩沖層上生長660nm的未摻雜InxGa1^xAs層，X(In)~0.2,作為光吸收層；(4)、在未摻雜InxGa1^xAs層上生長20nm的Ga1-JVInxAs, x (Mn)?0.05。
[0040]采用的光刻版如圖3所示，后續的工藝處理步驟如下:(I)、清洗。依次用四氯化碳、三氯乙烯、丙酮、無水乙醇、去離子水超聲清洗樣品，用氮氣吹干后將樣品放入烘箱中在70攝氏度下烘烤約20分鐘；(2)、光刻。經過勻膠、前烘、曝光、顯影，在樣品上的光刻膠刻出如圖2 (a)所示的圖形(中心臺面尺寸為2mmX2mm,頂角4個小臺面尺寸為ImmX Imm)；
(3)、堅膜。將樣品沖洗干凈并用氮氣吹干，然后放入100攝氏度的烤箱，烘烤I小時；(4)、臺面腐蝕。用配比為:甲醇:磷酸:雙氧水=3: I: I的腐蝕液將樣品，腐蝕至n+GaAs緩沖層，即得到一系列分離的臺面。(5)、做電極。用金絲在烙鐵熔融的銦上粘附少許銦，然后用牙簽將帶有銦的金絲分別壓焊在GaMnAs層、n+GaAs緩沖層。通過以上步驟，就得到了以GaMnAs層作為表層的p-1_n光電二極管。
[0041]實驗測量示意圖如圖4所示，測量步驟如下:(I)、在p-1-n光電二極管串聯一個恒定電阻(?660歐姆)；⑵、用恒壓源Keithley2400向所述串聯有恒定電阻的p-1_n光電二極管施加一恒壓電壓(?5V)，使得p-1-n光電二極管工作在反向電壓下(即p區接電源負端，n區接電源正端);(3)、采用Fianium SC-4超連續白光光源，Zolix 0mn1-3005單色儀，得到從550nm到IOOOnm變化的單色光,半高全寬?3nm。用格蘭泰勒棱鏡與光彈調制器PEM-100組合，得到頻率為50kHz的左圓、右圓偏振周期性交替變化的入射光。入射光同時用斬波器(135Hz)調制。(4)、入射光照射在p-1-n光電二極管表層上，通過GaMnAs層的透射光，經InGaAs光吸收層吸收后，會在p_i_n光電二極管兩端產生周期性變化的光電流，進一步在串聯的恒定電阻上產生周期性變化的電壓信號。采用兩個鎖相放大器，監測該電壓變化，其中，鎖相I的參考頻率為斬波器的參考頻率，鎖相2的參考頻率為光彈調制器的調制頻率。鎖相2測量的信號除以鎖相I測量的信號，即是所測樣品GaMnAs的透射MCD信號。
[0042]測量結果
[0043]圖5是在不同溫度、不同磁場、不同光波長下的實驗結果，其中，圖5(a)、圖5(b)是傳統的反射式MCD實驗結果，圖5 (c)、圖5 (d)是采用本發明所得到的透射式MCD的實驗結果。
[0044]圖5(a)與圖5(c)是不同溫度下的MCD隨磁場的變化關系，它們反映的均是樣品在不同溫度下的磁化特性，比較這兩幅圖可以發現，采用本發明所測量的透射MCD所體現的磁化特性(矯頑力大小及其隨溫度的變化關系)與采用傳統的反射式MCD所得到的結果一致。這也與樣品的磁學表征結果一致，進一步說明，本發明的測量結果是可靠、有效的。
[0045]圖5 (b)與圖5 (d)，是不同溫度下的MCD隨光波長的變化關系，它們能反映樣品的能帶結構。注意=R-MCD與T-MCD隨波長的變化關系有差別并不是由于測量方法的錯誤所致，而是因為，R-MCD與T-MCD，分別主要取決于磁性介質的介電張量斜對角元的虛部和實部，且干涉效應在R-MCD中更加顯著。
[0046]注:該樣品的居里溫度為146K，所以在160K溫度處，MCD信號消失。
[0047]從上述實例可以看出，本發明提供的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，確實可以方便、準確地測量樣品的透射MCD光譜，從而得到樣品的能帶結構和矯頑力等磁性質，可以作為自旋相關半導體材料能帶及磁性分析系統，在實驗室中推廣使用。[0048]以上所述的具體實施例，對本發明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體實施例而已，并不用于限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，包括: 步驟1:制備表面具有磁性薄膜的p-1-n光電二極管； 步驟2:將該p-1-n光電二極管與一電阻串聯形成串聯電路，在該串聯電路兩端施加一恒定電壓，使得該P-1-n光電二極管工作在反向偏置下； 步驟3:當受斬波器、光彈調制器共同調制的光透過該p-1-n光電二極管表面的磁性薄膜后，被i型層吸收并轉化為光電流，進一步使得該串聯電路中電阻兩端的電壓發生變化，通過連接于該串聯電路的兩臺鎖相放大器來解調該電阻的電壓信號，即可反推出該磁性薄膜的透射MCD光譜。
2.根據權利要求1所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于，所述步驟I包括: 步驟11:生長p-1-n半導體結構，并在該p-1-n半導體結構之上生長磁性薄膜； 步驟12:對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，得到腐蝕至該p-1-n半導體結構的n型層及P型層的臺面； 步驟13:在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，形成表面具有磁性薄膜的P-1-n光電二極管。
3.根據權利要求2所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于，所述磁性薄膜為p型導電的磁性薄膜，步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括n+型襯底、n型緩沖層和未摻雜的光吸收層，該p型導電的磁性薄膜形成于該光吸收層之上。
4.根據權利要求3所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于， 步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該n型緩沖層表面，得到n型緩沖層臺面及p型導電的磁性薄膜臺面； 步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該n型緩沖層臺面及該p型導電的磁性薄膜臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極。
5.根據權利要求2所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于，所述磁性薄膜為n型導電的磁性薄膜，步驟11中所述p-1-n半導體結構從下至上依次包括P+型襯底、P型緩沖層和未摻雜的光吸收層，該n型導電的磁性薄膜形成于該光吸收層之上。
6.根據權利要求5所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于， 步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該p型緩沖層表面，得到p型緩沖層臺面及n型導電的磁性薄膜臺面； 步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該P型緩沖層臺面 及該n型導電的磁性薄膜臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極。
7.根據權利要求2所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于，所述磁性薄膜為不導電的磁性薄膜，步驟11中所述P-1-n半導體結構從下至上依次包括n+型襯底、n型緩沖層、未摻雜的光吸收層和p型層，該磁性薄膜形成于該p型層之上。
8.根據權利要求7所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于， 步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該n型緩沖層表面得到n型緩沖層臺面，及腐蝕至該p型層表面得到p型層臺面； 步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該n型緩沖層臺面及該p型層臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極。
9.根據權利要求2所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于，所述磁性薄膜為不導電的磁性薄膜，步驟11中所述P-1-n半導體結構從下至上依次包括P+型襯底、P型緩沖層、未摻雜的光吸收層和n型層，該磁性薄膜形成于該n型層之上。
10.根據權利要求9所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于， 步驟12中所述對該磁性薄膜及該p-1-n半導體結構進行光刻腐蝕，是腐蝕至該p型緩沖層表面得到p型緩沖層臺面，及腐蝕至該n型層表面得到n型層臺面； 步驟13中所述在該n型層及p型層的臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極，是在該P型緩沖 層臺面及該n型層臺面上分別制作歐姆接觸電極，作為底電極和頂電極。
11.根據權利要求3至10中任一項所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于，所述未摻雜的光吸收層，其帶隙小于該磁性薄膜的所關注的光譜能量范圍的下限，且厚度大于或等于300nm。
12.根據權利要求1所述的在非透明襯底上生長的磁性薄膜的透射MCD光譜的測量方法，其特征在于，步驟3中所述對該p-1-n光電二極管表面的磁性薄膜進行光照時，工作溫度不超出P-1-n光電二極管的有效工作溫度范圍。
【文檔編號】G01N21/31GK103808679SQ201410072762
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2014年2月28日 優先權日:2014年2月28日
【發明者】賀振鑫, 劉奇, 吳元軍, 紀曉晨 申請人:中國科學院半導體研究所