具有有機光電二極管的輻射探測器的制造方法

具有有機光電二極管的輻射探測器的制造方法
【專利摘要】本發明涉及具有有機光電二極管的輻射探測器，并且涉及制造這樣的輻射探測器的方法。將TFT背板(103、104)放置在閃爍體(101)與有機光電二極管層堆棧(105、106、107、108)之間。這蘊含使用透明的TFT電子器件，例如，具有背被打薄的玻璃的無定形硅或箔上的有機TFT。幾何結構順序使能夠建立用于OPD的眾多可能的堆棧，并且具有用于封裝和生產的優點。
【專利說明】具有有機光電二極管的輻射探測器

【技術領域】
[0001]本發明涉及一種用于檢查裝置的輻射探測器、包括輻射探測器的檢查裝置以及制造輻射探測器的方法。

【背景技術】
[0002]平板數字X射線探測器(FXD)通常用傳感器板來建造，所述傳感器板包括常被稱為像素元件的探測器元件的矩陣，所述探測器元件的矩陣具有用于尋址和讀出的光電二極管和薄膜電子器件。使用玻璃上的非晶硅薄膜技術(也被稱為玻璃上的無定形硅薄膜技術)可以制作平板數字X射線探測器的傳感器板。通常使用“無源像素”技術，僅僅包含開關薄I旲晶體管(開關TFT)。
[0003]在這種情況下，放大可以發生在傳感器板外部的電荷敏感放大器(CSA)中。如果使用“有源像素”技術，則在像素之內已經完成放大。
[0004]由閃爍體將X射線轉換成可見光光子，隨后由光電二極管探測所述可見光光子。
[0005]閃爍體可以被粘合到傳感器板，或被直接沉積在傳感器板上。X射線探測器中的已知層幾何結構從頂部(X射線撞擊處)至底部是閃爍體一光電二極管一玻璃上的薄膜晶體管電子器件。玻璃上的薄膜晶體管電子器件也可以被稱為“背板”。


【發明內容】

[0006]可以具有提供不同的輻射探測器幾何結構的需要，所述不同的輻射探測器的幾何結構使能夠使用建立光電二極管堆棧的更加常見的堆棧，并且所述不同的輻射探測器的幾何結構也可以增加可能的光電二極管堆棧一TFT背板和CSA型組合的數目。
[0007]通過獨立權利要求的主題可以解決這種需要。其他實施例被并入從屬權利要求或以下的描述。
[0008]應當注意，以下描述的各方面和本發明的實施例都應用于輻射探測器以及檢查裝置。此外，以下描述的關于輻射探測器和/或檢查裝置特征也可以被實施為用于制造輻射探測器和/或檢查裝置的方法步驟。另一方面，以下描述的方法步驟得到也是本發明的部分的輻射探測器。
[0009]根據本發明的第一方面，提供一種用于檢查裝置的輻射探測器，其中，所述輻射探測器包括閃爍體、薄膜晶體管以及光敏層，所述薄膜晶體管是薄膜晶體管層的部分。所述閃爍體適于接收和吸收入射輻射(例如X射線或其他形式的輻射)，并且用于將所述入射輻射轉換成可見光子或將入射高能光子轉換成低能光子。
[0010]此外，薄膜晶體管層被布置在基板上，所述基板被布置在薄膜晶體管層與閃爍體之間。光敏層被布置在薄膜晶體管層的背離基板的側面處。
[0011]換言之，根據本發明的實施例的輻射探測器包括在頂部的閃爍體，后跟基板，在所述基板上布置薄膜晶體管層，所述薄膜晶體管層繼而后跟光敏層。
[0012]當然，可以具有被布置在閃爍體與基板或者在薄膜晶體管層與光敏層之間的其他兀件或甚至層，例如，電極、電子傳輸層、空穴傳輸層和/或粘合層。
[0013]被布置在基板的背離閃爍體的側面上的薄膜晶體管層已經可以被制備在基板上，例如通過將材料沉積到基板上，隨后用光刻法或印刷技術，以便構造薄膜晶體管背板。
[0014]薄膜晶體管是薄膜晶體管層的元件。也可以具有被包括在該層中的讀出和控制線。整個層也可以被指代為“背板”，所述“背板”用于讀出來自光敏層的信號。
[0015]輻射探測器可以包括多個探測器元件，即，探測器像素。
[0016]由閃爍體產生的光子通常可以具有大于入射輻射的波長的波長。例如，光子可以是可見光光子或具有諸如紅外光或紫外光的在可見光譜以上或以下的波長的光的光子。
[0017]光敏層可以包括一個或多個有機光電二極管，并且薄膜晶體管也可以是有機薄膜晶體管。
[0018]根據本發明的示范性實施例，陰極可以被布置在光敏層的背離薄膜晶體管層的側面處。該陰極可以包括被構造的或未被構造的金屬層，所述金屬層充當針對從閃爍體發射的光子的反射鏡。
[0019]該反射鏡的功能也可以由玻璃基板提供，所述玻璃基板被布置在光敏層的背離薄膜晶體管層的側面處。例如，玻璃基板的表面可以被涂上反射材料，例如鋁或另一低逸出功材料。
[0020]低逸出功意味著相當容易提取電子。為了具有低暗電流，反向偏壓二極管可以是有利的以具有與低逸出功材料的正接觸和與高逸出功材料的負接觸。
[0021]具有低逸出功的備選材料是銦、鋅以及特定的氧化物。
[0022]根據本發明的另一方面，提供一種檢查裝置，所述檢查裝置包括以上和以下描述的輻射探測器。
[0023]具體地，檢查裝置可以被調整作為醫學X射線成像系統。然而，檢查裝置也可以例如以行李檢測系統的形式被調整，所述行李檢測系統可以在機場中使用。
[0024]根據本發明的另一方面，提供一種制造輻射探測器，并且具體為以上和以下描述的輻射探測器中的一種的方法。所述方法包括以下步驟:提供基板；在所述基板上沉積薄膜晶體管層；并且在所述薄膜晶體管層上布置光電二極管堆棧。
[0025]例如，在基板上已經沉積和構造(即，制備)薄膜晶體管層之后，在薄膜晶體管層上沉積光電二極管堆棧。
[0026]換言之，首先，在基板上提供薄膜晶體管電子器件，并且然后在薄膜晶體管層上布置包括光敏層的光電二極管堆棧。因此，薄膜晶體管層被夾在其基板與光電二極管堆棧之間。在薄膜晶體管層上“布置”光電二極管堆棧可以包括沉積和光刻步驟。備選地，光電二極管堆棧可以被單獨地制成，并且然后被附著到薄膜晶體管層。根據本發明的方面，與其他探測器相比，將用于平板X射線探測器的光電二極管堆棧和薄膜電子器件背板(即，薄膜晶體管層與其基板一起)的幾何結構順序反向。更具體地，薄膜晶體管背板被放置在閃爍體與光電二極管層堆棧之間。光電二極管層可以是有機光電二極管層。這蘊含使用透明的TFT電子器件，例如，具有(可能為背被打薄的)玻璃的無定形硅或箔上的有機TFT。可能的TFT材料是無定形硅和有機的、非晶金屬氧化物；透明的基板材料是(被打薄的)玻璃或箔。原則上，TFT和基板材料的所有組合可以是可能的。
[0027]反向幾何結構順序使能夠建立用于有機光電二極管(OPD)的更多可能的堆棧，并且具有用于封裝和生產的優點。
[0028]參考以下描述的實施例，本發明的這些方面和其他方面將變得顯而易見并且得到闡明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]參考以下附圖，以下將描述本發明的示范性實施例。
[0030]圖1示出了根據本發明的示范性實施例的輻射探測器。
[0031]圖2示出了根據本發明的另一示范性實施例的輻射探測器。
[0032]圖3示出了根據本發明的另一示范性實施例的輻射探測器。
[0033]圖4示出了根據本發明的另一示范性實施例的輻射探測器。
[0034]圖5示出了根據本發明的示范性實施例的方法的流程圖。
[0035]圖6示出了根據本發明的另一示范性實施例的方法的流程圖。
[0036]圖7示出了根據本發明的示范性實施例的檢查裝置。

【具體實施方式】
[0037]附圖中的圖示是示意性的，并且不是按比例的。在不同的附圖中，相似或相同的元件可以被提供具有相同的參考標記。
[0038]圖1示出了根據本發明的示范性實施例的輻射探測器100的橫截面視圖。
[0039]光電二極管以及薄膜晶體管電子器件可以由諸如聚合物或有機小分子(如并五苯)的有機材料制成。而且，有機光電二極管(0PD)、有機薄膜晶體管(OTFT)以及閃爍體的組合能夠被用作X射線探測器。OPD和OTFT能夠通過各種基于溶液的方法(如，印刷、噴施或旋涂)來制造，而且還能夠通過光刻處理來制造。
[0040]在無源像素型探測器中，電荷敏感放大器常常能夠處理僅僅一種類型的電荷載體，或者電子或者空穴。在有源像素型探測器中，在像素單元中使用的晶體管的類型也確定能夠被處理的電荷的極性。非晶硅電路通常包括η型晶體管，所述η型晶體管收集來自光電二極管的電子，而有機TFT電路(具有P型晶體管)在收集空穴方面可以更好。
[0041]當不存在來自閃爍體的光時，OPD必須被使用在反向偏壓條件下以確保低暗電流，即，通過設備的低電流。
[0042]由在(PD堆棧中的不同材料層的順序確定反向偏壓方向。所述材料在特定類型的電荷載體的濃度和逸出功上不同，使電流能夠優選地僅僅在一個方向上流動。正偏壓電極的逸出功(WF)被優選低于負偏壓電極的逸出功。
[0043]如果光電二極管被放置在薄膜電子器件的頂部，則電荷敏感放大器型或者TFT型的背板確定OPD堆棧的層幾何結構以及反向偏壓條件。
[0044]從生產的觀點而言，OPD堆棧的層幾何結構繼而常常不能自由選擇。邊界條件是:
[0045]1、透明的OPD電極在閃爍體的方向上；
[0046]2、僅僅薄的透明(載體)層在OPD與閃爍體之間，以避免光傳播和散射。該層的厚度應當遠低于探測器的像素尺寸；
[0047]3、由于在處理期間太高的溫度荷載和/或不匹配的化學，因此不是所有的層能夠容易地被添加在特定的其他層的頂部；
[0048]4、電荷收集電極必須被構造，即，像素必須被彼此電隔離。
[0049]上述邊界條件限制用于具有最佳性能的OPD的生產選項的數目，并且可以導致開發工作的增加。
[0050]TFT和OPD堆棧的示范性組合從底部至頂部是:玻璃板、TFT — ITO—像素一陽極(負偏壓，高逸出功)、空穴傳輸層(PEDOT:PSS)、光敏層、頂部陰極(正偏壓，低逸出功)。[0051 ] 該堆棧不能夠與電子收集電荷敏感放大器一起使用，這是因為反向偏壓條件要求負陽極極性，而電子收集電荷敏感放大器要求在陽極處的正偏壓。
[0052]本發明的一個方面是將薄膜讀出電子器件(“背板”)和OPD的幾何結構順序反向。在該情況下，由閃爍體產生的光將通過薄膜讀出電子器件。
[0053]首先，在基板上提供薄膜讀出電子器件(即，薄膜晶體管層，也被稱為薄膜晶體管背板)，并且然后在薄膜晶體管層上附著或者沉積0PD。
[0054]薄膜電子器件(即，薄膜晶體管層)可以包括或者甚至由以下組成:a)在具有30 μ m或者甚至更小的厚度的非常薄的箔基板上制造的有機TFT背板，所述有機TFT背板對于光是透明的；b)由晶硅或有機非晶金屬氧化物制成的薄的或被打薄的版本的背板。隨后，將支撐玻璃打薄到大約30 μ m的厚度(或更小)，或者也在箔上制造無定形硅TFT。對于使用用于根據本發明的輻射探測器的薄膜電子器件來說，光透明度必須是足夠的。
[0055]反向幾何結構順序可以具有使能夠使用建立OPD的更加常見的堆棧的優點，并且使可能的OPD堆棧一TFT背板和CSA型組合的數目加倍。例如，背離TFT背板的電極不需要是光透明的。因此，可以使用諸如鋁的金屬層，所述金屬層也充當針對在有機光敏層中不被吸收的光的反射鏡。這可以提高外量子效率，并且因此提高X射線探測器的圖像質量。
[0056]另一優點可以是:可以使用在(PD堆棧下面的更厚的玻璃板，這是因為沒有運載圖像信息的光可以必須穿過所述玻璃板。這些玻璃板不僅可以有益于在生產期間的處理(例如，閃爍體鍵合)，而且還可以提供OPD堆棧的魯棒性封裝，以保護OPD堆棧對抗環境條件。后者意味著可以不再要求用于保護(PD堆棧的光透明的薄膜封裝層。這不僅可以節省顯著的開發工作，而且還可以避免對OPD堆棧建立和由薄膜封裝層造成的可能的額外的約束。
[0057]取決于在探測器的操作期間是否負偏壓或正偏壓透明電極(所述透明電極包括例如ITO材料)，可以在根據本發明的方面的輻射探測器中使用的(PD堆棧可以不同。如果負偏壓ITO電極，則相對的正電極可以是具有低逸出功的材料，例如鋁。這也被稱為“正常”或“常規”堆棧0PD。
[0058]如果正偏壓ΙΤ0，則相對的負電極可以包括更高逸出功材料。這可以被稱為“反向堆棧”0PD。電極不僅可以由一種材料組成，而且還可以包括不同的透明氧化物或金屬層的堆棧。
[0059]以下列出了由反向順序幾何結構(即，在閃爍體與OPD之間的TFT—背板)使能的一些選項。取決于TFT背板的類型和/或電荷敏感放大器的類型，對不同的幾何結構進行區分。基本上，在電子與空穴收集電子器件之間進行區分，無論是否使用具有n/p — TFT型的“有源像素”或“無源像素”以及特定的CSA。
[0060]所有實施例的共同特征可以是在背板側面上的OPD的像素化的電極和在另一側面上的覆蓋(未經構造的)電極。入射X射線通常從頂部進入，但原則上至少在一些實施例中(在所述一些實施例中，在另一側面(即，底部)的電極能傳送X射線)利用X射線的背側照明也可以是可能的。
[0061]現在返回到圖1，該圖示出了“正常”oro堆棧幾何結構，根據所述“正常”oro堆棧幾何結構，閃爍體101后跟薄粘合層102，所述薄粘合層102將閃爍體101附著到薄膜晶體管層104的基板103。薄基板103和薄膜晶體管層104也被稱為“電子收集電子器件”，并且薄膜晶體管層可以是具有η型TFT的薄的TFT背板，可能為有機TFT背板。
[0062]在電子收集電子器件103、104下面布置充當陰極(+)的像素化的透明或半透明的金屬105,所述金屬105后跟光敏層106。例如,在有機光電二極管形式的該光敏層之后布置空穴傳輸層107 (即，PEDOT:PSS)。鄰近于空穴傳輸層(HTL) 107和在空穴傳輸層(HTL) 107下面布置ITO層和/或金屬層，所述ITO層和/或金屬層在探測器的操作期間被負偏壓(-)，見參考標記108，而半透明的金屬層105在探測器的操作期間被正偏壓(+)。
[0063]在ITO/金屬層108下面可以提供玻璃基板109。
[0064]該玻璃基板可以提高輻射探測器100的穩定性，并且也可以提供反射鏡功能以將來自閃爍體101的光子反射回光敏層106，因此增加輻射探測器的量子效率。
[0065]從圖1中可以看到，負偏壓被施加到底部電極108，所述底部電極108可以是ITO或另一高逸出功材料的覆蓋層，并且正偏壓被施加在經構造的透明的低逸出功材料(即上電極105)上。
[0066]圖2示出了根據本發明的另一示范性實施例的輻射探測器。閃爍體101后跟電子收集電子器件102，所述電子收集電子器件102后跟像素化的ΙΤ0(+)層205，所述ΙΤ0(+)層205在探測器的操作期間被正偏壓，后跟電子傳輸層(ETL，例如ZnO) 207，所述電子傳輸層207跟光敏層106，所述光敏層106后跟擔當陽極的金屬208，所述金屬208在探測器的操作期間被負偏壓，后跟玻璃基板109，例如玻璃板。
[0067]OPD堆棧是(在探測器的操作期間)在底部金屬層208上具有負偏壓并且在經構造的ITO像素電極205上具有正偏壓的所謂的“反向堆棧”，所述所謂的“反向堆棧”被布置在TFT背板與光敏層之間。
[0068]圖3示出了根據本發明的另一示范性實施例的輻射探測器。應當注意，圖1和圖2示出了具有電子收集電子器件的實施例，而圖3和圖4示出了具有空穴收集電子器件的實施例。
[0069]堆棧被設計如下:提供閃爍體101，所述閃爍體101后跟薄粘合層102，所述薄粘合層102后跟薄基板103，在所述薄基板103上布置TFT電子器件304。TFT層可以是有機TFT層，并且可以被設計為空穴收集電子器件(P型)。空穴收集電子器件103、304后跟像素化的ITO (-)層305，所述ITO (-)層305后跟空穴透明層(例如PEDOT:PSS)307，所述空穴透明層307繼而后跟光敏層106。在光敏層106之后，布置在探測器的操作期間具有正偏壓的金屬陰極308，所述金屬陰極308后跟任選的玻璃基板109。
[0070]在探測器的操作期間，底部金屬層308被正偏壓，并且經構造的ITO像素電極305被負偏壓。
[0071]圖4示出了根據本發明的另一示范性實施例的輻射探測器，在所述輻射探測器中，閃爍體101后跟薄粘合層102，所述薄粘合層102后跟薄基板103，在所述薄基板103上布置P型薄膜晶體管背板304 (也被稱為空穴收集電子器件，其可以適于作為有機TFT)。
[0072]這后跟在探測器的操作期間擔當陽極并且被負偏壓的像素化的半透明的金屬層405,所述金屬層405后跟光敏層106,在所述光敏層106下面布置電子傳輸層(例如ZnO) 407，所述電子傳輸層407后跟ITO層或金屬層406，所述ITO層或金屬層406在探測器的操作期間被正偏壓。在下電極408下面可以布置玻璃基板109。
[0073]再一次，在探測器的操作期間，下、底部電極408被正偏壓，而頂部電極405被負偏壓。
[0074]如果ITO電極被正偏壓(陰極處于反向偏壓)，尤其在圖4中描繪的實施例的情況下，由于光不需要穿過底部電極，因此ITO電極也能夠被低逸出功金屬(例如鋁)調換。在這種情況下，鋁也擔當反射鏡以反射已經穿過OPD的光。
[0075]面向TFT的像素化的、頂部電極可以已經是背板電子器件的部分。在該情況下，在TFT背板304與像素化的電極405之間的額外的傳導互連可以不是必要的。
[0076]根據制造用于輻射探測器的OPD的示范性方法，首先提供ITO層，這是因為在平整表面(如玻璃或箔)上而不是在已經存在的光敏層上層的質量可以更好，。
[0077]換言之，在薄膜晶體管層304的頂部沉積和構造ITO層。
[0078]空穴和電子傳輸層(ETL，HTL)是任選層。沒有它們也可以制造0PD，僅僅包括光敏層和兩個電極，一個在頂部，并且一個在光敏層下面。如以上已經所述的，正偏壓電極的逸出功可以必須低于負偏壓電極的逸出功以確保低暗電流。
[0079]光敏層可以包括P型聚合物(例如P3HT)和η型分子(例如PCBM)的混合物，所述光敏層可以被布置為本體異質結(BHJ)或雙層二極管。
[0080]在上側，由(密封的)TFT背板提供OPD的封裝。在OPD下面，就封裝而言，玻璃板可以是有益的，所述玻璃板比薄膜密封更容易應用并且更具魯棒性，如果(PD被直接放置在閃爍體下面，則將需要所述玻璃板。
[0081]為了確保適當且可靠的設備性能，在TFT背板與OPD堆棧結構之間建立良好的電接觸可以是重要的。相信實現這的最好方式可以是在TFT背板上直接沉積OPD堆棧來代替在OPD處理之后在單獨的基板上耦合OPD和TFT結構(這被稱為間接沉積)。
[0082]如上所述，為了獲得良好質量的ITO層，在TFT背板上沉積ITO層可以是必要的。該約束可以限制對于在圖2和圖3中描繪的實施例具有ITO的可能的幾何結構的數目。為了實現在圖2和圖3中描繪的幾何結構，取決于(有機)TFT背板是否基于箔基板或玻璃基板，可以使用以下的生產流程。
[0083]根據在圖5中描繪的方法，在玻璃基板上附著箔上的例如有機TFT (步驟501)。在步驟502中，在TFT背板上沉積OPD堆棧。然后，在步驟503中，將玻璃基板109 (見圖2)附著到OPD堆棧，并且在步驟504中，將起初在其他玻璃基板或箔上已經布置了 TFT背板的所述其他玻璃基板或箔從所述TFT背板分離。然后，在步驟505中，翻轉TFT — OPD堆棧，并且在步驟507中，例如通過將閃爍體粘合到箔上的TFT上來將閃爍體附著到TFT — OPD堆棧。
[0084]圖6示出了根據本發明的另一示范性實施例的方法的流程圖，在所述流程圖中，在步驟601中提供在玻璃基板上的(有機)TFT。然后，在步驟602中，在TFT背板上沉積OPD堆棧，之后，在步驟603中，將玻璃基板附著到OPD堆棧。然后，在步驟604中，將TFT側面上的玻璃基板(來自步驟601的那一個)打薄到30 μ m或更少的厚度。
[0085]然后，在步驟605中，翻轉TFT — OPD堆棧，并且在步驟606中，例如通過粘合將閃爍體附著到TFT — OPD堆棧。
[0086]例如通過蝕刻或磨削執行在步驟604中的玻璃基板的打薄。
[0087]圖7示出了 X射線成像系統700，所述X射線成像系統700包括X射線源712和X射線探測器100。例如，X射線成像系統700是CT成像系統，包括機架716，X射線源712和X射線探測器100被相對于彼此安裝在所述機架716上，并且在所安裝的位置處所述X射線源712和所述X射線探測器100能夠共同移動而在機架上旋轉。而且，示出了患者檢查臺718,對象(例如患者720)被布置在所述患者檢查臺718上。更進一步地,提供處理單元722、接口單元724以及顯示單元726。
[0088]應當注意，盡管圖7示出了 CT成像系統，但是本發明也提供其他成像系統，例如C臂型成像系統。具體地，由本發明公開的輻射探測器可以被調整以用于如普通X射線攝影、乳房X射線攝影以及介入成像(例如，心血管介入成像)的應用。在計算機斷層攝影探測器的情況下，輻射探測器可以包括被一起接合成彎曲的探測器的多個更小的探測器模塊，或者可以包括能夠被彎成合適的彎曲的多個柔性部件。
[0089]必須指出，已經參考不同的主題對本發明的實施例進行了描述。具體地，參考方法型權利要求對一些實施例進行了描述，而參考裝置型的權利要求對其他實施例進行了描述。然而，除非另有說明，本領域技術人員將會從以上和以下的描述中推斷出，除了屬于一種類型的主題的特征的任意組合之外，涉及不同主題的特征之間的任意組合也被認為在本申請中公開。然而，所有的特征都能夠被組合來提供多于特征的簡單加合的協同效應。
[0090]盡管已經在附圖和前面的描述中詳細圖示和描述了本發明，但是這樣的圖示和描述應當被認為是圖示性或示范性的，而非限制性的。本發明不限于所公開的實施例。本領域技術人員通過研究附圖、公開內容以及權利要求，在實踐所要求保護的發明時能夠理解和實現對所公開的實施例的其他變型。
[0091 ] 在權利要求中，“包括” 一詞不排除其他元件或步驟，并且詞語“一”或“一個”不排除多個。盡管在互不相同的從屬權利要求中記載的特定措施，但是這并不指示不能有效地使用這些措施的組合。在權利要求中的任何附圖標記都不應被解釋為對范圍的限制。
【權利要求】
1.一種用于檢查裝置(700)的輻射探測器(100)，所述輻射探測器(100)包括: 閃爍體(101)，其用于接收和吸收入射輻射，并且用于將所述入射輻射轉換成光子； 在基板(103)上的薄膜晶體管(104、304)，所述基板(103)被布置在所述薄膜晶體管(104.304)與所述閃爍體(101)之間； 光敏層(106)，其被布置在所述薄膜晶體管(104、304)的背離所述基板(103)的側面處。
2.根據權利要求1所述的輻射探測器(100)， 其中，所述薄膜晶體管(104、304)和所述基板(103)是光學透明的，用于允許從所述閃爍體(101)發射的光子穿過所述基板(103)和所述薄膜晶體管(104、304)并且到達所述光敏層(106)。
3.根據權利要求1或2所述的輻射探測器(100)， 其中，所述光敏層(106)包括有機光電二極管。
4.根據前述權利要求中的任一項所述的輻射探測器(100)， 其中，所述薄膜晶體管(104、304)是有機薄膜晶體管。
5.根據前述權利要求中的任一項所述的輻射探測器(100)， 其中，所述基板(103)是箔基板或玻璃基板中的至少一種。
6.根據前述權利要求中的任一項所述的輻射探測器(100)，還包括: 所述光敏層(106)的陰極(108、208、308、408)，所述陰極被布置在所述光敏層(106)的背離所述薄膜晶體管(104、304)的側面處； 其中，所述陰極(108、208、308、408)包括未被構造的金屬層，所述未被構造的金屬層充當針對從所述閃爍體(101)發射的光子的反射鏡。
7.根據前述權利要求中的任一項所述的輻射探測器(100)，還包括: 玻璃基板(109)，其被布置在所述光敏層(106)的背離所述薄膜晶體管(104、304)的側面處。
8.根據前述權利要求中的任一項所述的輻射探測器(100)，適于作為X射線探測器。
9.一種包括用于檢查裝置(700)的輻射探測器(100)的檢查裝置(700)，所述輻射探測器(100)包括: 閃爍體(101)，其用于接收和吸收入射輻射，并且用于將所述入射輻射轉換成光子； 在基板(103)上的薄膜晶體管(104、304)，所述基板(103)被布置在所述薄膜晶體管(104.304)與所述閃爍體(101)之間； 光敏層(106)，其被布置在所述薄膜晶體管(104、304)的背離所述基板(103)的側面處。
10.根據權利要求2至8中的任一項所述的檢查裝置。
11.根據權利要求9或10所述的檢查裝置，適于作為醫學X射線成像系統。
12.一種制造輻射探測器(100)的方法，包括以下步驟: 提供基板(103)； 在所述基板(103)上沉積薄膜晶體管層(104、304)； 在所述薄膜晶體管層(104、304)上布置光電二極管堆棧(105、205、305、405、106、107、207、307、407、108、208、308、408)。
13.根據權利要求12所述的方法， 其中，在所述薄膜晶體管層(104、304)上沉積所述光電二極管堆棧(105、205、305、405、106、107、207、307、407、108、208、308、408)。
14.根據權利要求12或13所述的方法，還包括以下步驟: 在所述光電二極管堆棧(105、205、305、405、106、107、207、307、407、108、208、308、408)的背離所述薄膜晶體管層(104、304)的側面處布置玻璃基板(109)。
【文檔編號】G01T1/20GK104412128SQ201380032506
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2013年6月13日 優先權日:2012年6月20日
【發明者】M·西蒙, J·若里茨馬 申請人:皇家飛利浦有限公司