矢量網絡分析儀的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種矢量網絡分析儀即VNA，其具有：至少一個信號生成器(110)，用于生成特定的RF輸出信號；以及n個測量端口(114,116,118)，其中n是大于或等于1的整數，其中：將RF耦合器(120)分配至各測量端口，并且RF耦合器被設計成RF耦合器耦合出從外部傳入特定端口的RF信號bn；以及至少一個信號生成器被配置并設計成至少一個信號生成器將特定的RF輸出信號作為傳出至外部的RF信號an供給至至少一個測量端口。提供以下：對于至少一個信號生成器的RF輸出信號，根據參數字段(134)中的至少一個參數來將振幅和/或相位以可檢索的方式存儲在VNA中，其中RF信號生成器被設計成如下：RF信號生成器基于至少一個參數以可再現方式生成RF輸出信號的振幅和/或相位。
【專利說明】矢量網絡分析儀
【技術領域】
[0001]本發明涉及矢量網絡分析儀VNA)，其具有生成特定RF輸出信號的至少一個信號生成器，并且具有η個測量端口(其中，η是大于或等于I的整數)，其中:根據權利要求1的前序部分，將RF耦合器分配至各測量端口，并且該RF耦合器被設計成該RF耦合器(120)耦合出從外部傳入特定端口的RF信號bn ；以及至少一個信號生成器被配置并設計成該至少一個信號生成器將特定的RF輸出信號作為傳出至外部的RF信號an供給至至少一個測量端口。本發明還涉及一種用于確定待測電子裝置的散射參數的方法，其中:根據權利要求9的前序部分，確定傳入待測裝置的至少一個電磁波an、以及從該待測裝置傳出的至少一個電磁波bn，并且根據所確定的波an和bn在量和/或相位方面計算待測裝置的散射參數；利用RF耦合器測量從待測裝置傳出的至少一個電磁波bn ；以及利用至少一個信號生成器生成傳入待測裝置的至少一個電磁波an。
【背景技術】
[0002]在電子學領域中，矢量網絡分析儀(VNA)多年來已用于在低頻(作為LCR表)并且在乃至THz范圍和光學范圍的高頻范圍內對電子線性組件以及有源和無源電路或組合件的組件進行精確測量。VNA記錄η端口網絡(η= 1，2，...)的散射參數，其中這些散射參數可以被轉換成2η極參數(例如，Z或Y參數)。然而，在特別是中高頻(快速電路、即MHz和GHz范圍內的電路)的情況下，所記錄的這些測量數據顯示非常高的測量誤差。如今，也已利用數學方法在幾乎每個NF裝置(LCR表)中極大地減少了這些測量誤差。VNA中相關聯的系統誤差校正確保了竟然可以對具有完全線性傳輸行為的快速電子組件、即MHz和GHz范圍內的組件執行精確測量。
[0003]VNA網絡的測量精確性主要依賴于系統誤差校正所用的方法和關聯校準的可用性。在系統誤差校正中，在所謂校準過程內，測量部分或全部已知的待測裝置的反射和/或傳輸行為。使用特殊計算方法來根據這些測量數據獲得校正數據(所謂的誤差因子或系數)。利用這些校正數據和相應的校正計算，可以針對任何給定待測裝置獲得測量數據，其中這些測量數據在VNA和輸入線路中不存在系統誤差(失耦=串擾，失配=反射)。
[0004]描述組件和電路在高頻技術(RF技術)中的行為的通常形式是采用散射參數(還稱為S參數)。這些散射參數不是使電流和電壓相互關聯而是使波特性相互關聯。這種表示形式特別適用于RF技術的物理條件。在需要的情況下，可以將這些散射參數轉換成使電流和電壓相互關聯的其它電子網絡參數。
[0005]圖1示出以散射矩陣[S]作為特征的具有端口 110和端口 212的2端口 VNA。波B1和a2是接近雙端口 VNA的、與在相反方向上傳播的波Id1和b2相對應的波。關系如下:
「00061 (bl) = ($U Sl2V%、
_ UJ Is2l S22JW
[0007]通過在頻率方面描述的這些S參數來充分說明線性組件。在顯示非線性效應的組件的情況下，在將具有頻率&的信號饋送至一個端口時，在其它端口生成具有該基頻(fo)和其它頻率的信號。這些例如可以是具有頻率I^fc1ii = 2，3，4…)的諧波、或者在使用幾個傳輸生成器的情況下為互調產物或混頻產物。如果對其中一個傳輸生成器進行調制，則頻率的數量相應大。
[0008]還可有利地使用上述的散射參數來描述這些非線性組件的傳輸行為。然而，應考慮到不僅需要指定端口而且還需要指定頻率。例如，針對具有頻率fo的基波利用輸入端口110并且針對具有頻率= 2*f0的諧波利用輸出端口 212的情況下，可以插入作為傳輸參數的如下矢量散射參數值。
[0009]S21
[0010]這些測量的現有技術主要涉及純粹標量設置。多個矢量網絡分析儀具有被組織成允許測量諧波、互調和混頻產物等的軟件選項。然而，這些測量僅以標量為單位來執行，因而不存在系統誤差校正。
[0011]利用最新的網絡分析儀(在一些情況下使用附加的軟件和硬件解決方案)，將組裝元件和組件的這些非線性傳輸特性測量作為包括系統誤差校正的矢量值。該矢量數據對于諸如晶體管等的組裝元件的建模非常重要。
[0012]作為矢量網絡分析儀上的這些非線性測量所用的創新系統誤差校正方法，根據US2010/0204943A1已知“無貫通(Without-Thru) ”。該系統誤差校正方法在任何情況下都不需要貫通連接(無貫通)。除貫通(Thru)、短路(Short)以及匹配(Match)或負載(Load)這三個反射標準以外，需要功率傳感器和梳狀波發生器以進行校準。
[0013]在現有技術中，在網絡分析儀上進行線性和非線性S參數的精確確定所用的所有這些系統誤差校正方法，其中這些網絡分析儀大多數具有2*n個測量點(其中，η表示測量端口的數量)。在圖2中示出該設計。RF合成器14將經由切換開關16所饋給的正弦信號發射至端口 118、端口 220和端口 322。在開關位置III中，該信號的一部分被耦合出至第一線路耦合器24并被傳遞至第一測量點26。該第一測量點26例如采用A/D轉換器的形式。在更高頻率的情況下，在需要附加本地振蕩器信號(L0信號)的A/D轉換器之前安裝混頻器(未示出)。在第一輸出28處，將與發射波a3成比例的信號饋送至例如計算機的評價單元。在端口 322處所發射的波的較大部分傳入待測裝置(DUT) 30，其中在該DUT 30處該部分發生反射，并且反射信號在第二測量點34處經由第二線路耦合器32被轉換，并且經由第二輸出36作為反射波b3被傳遞至評價單元。第一線路耦合器24和第二線路耦合器32的其它兩個端口分別以50ohm的終端器38終止。
[0014]除其它事項以外，將圖2所示的架構稱為反射計概念。基于7項誤差模型的多個校準方法均需要該反射計概念。
[0015]在現代網絡分析儀中，切換開關16被RF合成器的相應配置所代替，即各測量端口18、20、22由各自的合成器來控制。
[0016]在圖3中示出在硬件方面所需的投資顯著減少的架構，其中利用與圖1相同的附圖標記來表示具有相同功能的部件，以使得可以參考以上針對圖1的說明來解釋這些部件。與根據圖1的實施例的區別在于，第一線路定向耦合器34設置在開關16的上游，并且省略了開關16和各端口 18、20、22之間的相應線路定向耦合器。第一線路定向耦合器34由此檢測到來自1^合成器14的信號&1、&2和&3。在該概念中，僅需要n+1個測量點。該概念的一個缺點是在這種情況下僅可以使用一個校準方法。作為兩端口測量裝置，該裝置涉及所謂的SOLT方法(還稱為12項法)。作為多端口方法，將該方法稱為GSOLT方法。
[0017]經濟的兩端口 VNA僅單向工作、因而不具有任何切換開關16，并且僅測量正向參數S11和S21。這些裝置有兩個耦合器和三個測試點。針對b2的接收測量點不再需要耦合器。
[0018]網絡分析儀具有到目前為止最大數量的測試點，因而是最昂貴的電氣測量裝置。在使用最經濟的VNA的生產工程領域，VNA的任何簡化都受歡迎，只要維持測量質量并且相應地降低裝置成本即可。現代測量技術的高級用戶期望能夠采用成本方面的可能的最小投資并且(在可能的情況下)實時地，不僅在基頻處測量散射參數而且還通過頻率轉換來測量散射參數。然而，針對頻率轉換測量的已知解決方案在測量時間方面慢得令人無法接受。另一方面，例如用以確定故障的位置的矢量PIM測量的許多測量不提供傳統方法所提供的測量精度。此外，需要快速地執行這些測量。然而，由于針對各測量還必須測量本地振蕩器信號(L0信號)，因而無法以期望方式實現這些測量。還必須數次改變LO發生器的頻率，從而使得能夠檢測到所發射、所反射和所傳輸的部分。
【發明內容】
[0019]本發明基于涉及在機械和電子結構方面以及在操作和所涉及的測量過程方面簡化上述類型的矢量網絡分析儀的問題。本發明還基于在過程方面加速上述類型的方法同時實現高精確度的問題。
[0020]根據本發明，該問題通過具有權利要求1所述的特征的上述類型的矢量網絡分析儀和具有權利要求9所述的特征的上述類型的方法來解決。在其它權利要求中說明了本發明的有利實施例。
[0021]根據本發明，在上述類型的矢量網絡分析儀中，對于至少一個信號生成器(110)的RF輸出信號，振幅和/或相位根據參數字段(134)中的至少一個參數以可檢索的方式存儲在所述VNA中，其中RF信號生成器被設計成根據所述至少一個參數來生成在振幅和/或相位方面可再現的RF輸出信號。
[0022]這具有以下優點:從第η個測量端口所輸出的RF信號an不需要單獨進行測量，而是可以以期望精度根據參數字段推導出。這意味著確定散射參數可以省略針對信號an的測量點。也不再需要基準測量點，其中同時網絡分析儀的可校準能力不受限制。這使得可以在硬件和時間方面的投資非常低的情況下，在量和相位方面測量線性和非線性的傳輸值。因而，可以非常快速地執行特別是混頻器、諧波或互調的矢量和頻率轉換用散射參數的測量。現在針對各測量端口僅需一個測量點這一事實意味著可以以更加緊湊的形式更加經濟地制造大量網絡分析儀。
[0023]通過以下實現在相位和振幅方面的可再現性和穩定性特別良好的RF輸出信號:所述信號生成器是RF合成器。
[0024]為了確定頻域內的散射參數，所述至少一個參數是所述RF輸出信號的頻率。其它參數包括所述信號生成器的輸出功率、環境溫度和/或針對各頻率點的測量時間。
[0025]通過以下實現在振幅和相位方面可再現的RF輸出信號:至少一個所述信號生成器具有鎖相環(PLL)。
[0026]為了測量沿測量端口的方向從待測裝置發出的RF信號bn，向RF耦合器分配用于測量各RF信號比的測量點。
[0027]通過以下實現測量端口處的正弦信號的特別良好的可再現性:提供特別是具有頻率10MHZ、特別是石英信號或者石英振蕩器信號即XCO信號的基準信號(130)，以使得所述基準信號(130)觸發在相應的RF耦合器(120)處接收RF信號bn。
[0028]通過以下實現與高測量精度相結合的特別簡單且經濟的VNA:所述測量點采用A/D轉換器的形式。
[0029]通過以下實現RF信號的特別良好且精確的耦合出:各RF耦合器(120)被分配用于測量各RF信號bn的測量點(122)。
[0030]根據本發明，在上述類型的方法中，根據所存儲的參數字段來確定傳入所述待測電子裝置的所述至少一個電磁波an，在所述參數字段中，根據影響所述信號生成器的信號生成的至少一個參數來存儲所述信號生成器所生成的電磁波an的振幅和/或相位，其中，確定至少一個參數，并且針對該至少一個參數，根據所述參數字段來推導出所述信號生成器生成的電磁波a?的振幅和/或相位。
[0031]這具有以下優點:從第η個測量端口所輸出的RF信號an不需要單獨進行測量，而是可以以期望精度根據參數字段推導出。這意味著確定散射參數可以省略針對信號an的測量點。也不再需要基準測量點，其中同時網絡分析儀的校準能力不受限制。這使得可以在硬件和時間方面的投資非常低的情況下，在量和相位方面測量線性和非線性的傳輸值。因而，特別地，可以非常快速地執行特別是混頻器、諧波或互調的矢量和頻率轉換用散射參數的測量。
[0032]通過以下實現在相位和振幅方面的可再現性和穩定性特別良好的RF輸出信號:所述信號生成器是RF合成器。
[0033]為了確定頻域內的散射參數，所述至少一個參數是所述RF輸出信號的頻率。其它參數包括所述信號生成器的輸出功率、環境溫度和/或針對各頻率點的測量時間。
[0034]通過以下實現在振幅和相位方面可再現的RF輸出信號:具有鎖相環即PLL的至少一個信號生成器耦合至基準信號、特別是石英振蕩器的基準信號。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0035]以下將通過參考附圖來更詳細地說明本發明，其中:
[0036]圖1示出采用2端口(裝置)的形式的待測電子裝置的示意表示，其中定義了傳入待測裝置和從待測裝置傳出的電磁波Bn和bn ;
[0037]圖2示出根據現有技術的具有切換開關和六個測量點的矢量3端口網絡分析儀的框圖；
[0038]圖3示出根據現有技術的具有切換開關和四個測量點的矢量3端口網絡分析儀的框圖；
[0039]圖4示出根據本發明的矢量網絡分析儀的優選實施例的框圖；以及
[0040]圖5示出根據圖4的根據本發明的矢量網絡分析儀的“端口 I”所用的誤差系數的信號流圖。
【具體實施方式】
[0041]圖4所示的根據本發明的網絡分析儀的優選實施例具有信號生成器110、切換開關112、以及“端口 1”114、“端口 2”116和“端口 3” 118這三個測量端口。向各測量端口114、116、118分配采用線路耦合器的形式的RF耦合器120，其中各RF耦合器120與測試點122電氣連接。測試端口 114、116和118與待測電子裝置125的相應端口相連接，其中要確定這些端口的散射參數(S參數)。這例如利用散射矩陣[S]來表示；然而，還可以確定傳輸矩陣或鏈矩陣的散射參數。術語“散射參數”意指與如下任意矩陣的元素同義，其中該矩陣描述待測電子裝置125相對于傳入波&11和傳出波bn的電氣性質、或者使這些波&11和bn彼此相互關聯。RF耦合器120被配置成如下:第η個端口的RF耦合器120經由測量點122測量從待測裝置125傳出的并傳入各“端口 η”的第η個波bn，并將該波輸出至關聯輸出124，其中η大于/等于I且小于/等于N (N是矢量網絡分析儀的測量端口的數量)。在圖4所示的示例中，N等于3。
[0042]根據本發明的矢量網絡分析儀具有N個測量點122，即現在僅需N個測量點122從而對N端口裝置進行測量。切換開關112例如由相應數量(在這種情況下為三個)的可連接的合成器(未示出)構成。信號生成器110例如采用RF合成器的形式，并且提供至少一個本地振蕩器(混頻振蕩器)126。本地振蕩器126將混頻振蕩器信號128供給至測量點122。本地振蕩器126和信號生成器110這兩者例如經由鎖相環(PLL)鎖相至石英振蕩器132的基準信號fMf 130。
[0043]至少一個信號生成器110供給信號an，其中該信號an的振幅和相位是已知的和可再現的。根據至少一個參數確定這些性質(振幅和相位)一次以進行頻率轉換用散射參數(S參數)的測量，并且將這些性質以可檢索方式存儲在參數字段134中。所存儲的信號an的參數字段134延及頻率，并且可選擇地延及諸如信號生成器110的輸出功率、環境溫度T和針對各頻率點的測量時間t等的其它值。換句話說，根據至少一個參數來將信號生成器110所生成的信號^存儲在參數字段134中。這樣，對于給定或已知的頻率，作為示例性參數，可以從參數字段134讀取經由各“端口 η”傳入待測裝置125的波an，而無需利用附加測量點測量該波an。
[0044]經由配置在控制單元136內的測量單元(功率檢測器)來調節信號生成器110的輸出功率(振幅)。僅在適當選擇分頻器概念和相頻控制的情況下才可能實現將信號生成器110鎖相至混頻振蕩器信號fM。這樣，現代概念使用包含隨機生成器的σ-δ分頻器。這種合成器架構不適合根據本發明的VNA。針對根據本發明的VNA的最簡單的可用分頻器概念是具有幾個環路和(可調)固定分頻器的經典PLL結構。
[0045]測量點122例如采用模/數轉換器的形式。為了使得在根據本發明的VNA中的測量點122處存在可再現的正弦信號，經由例如1MHz的基準信號f；ef130(還稱為石英或XCO信號)觸發模/數轉換器的接收。如果在經由VNA的基準信號130所觸發的示波器上、根據本發明的VNA的輸出信號針對各頻率點始終相同，則正確地生成了該輸出信號。經由專用信號生成器110所產生的該性質使相對測量裝置(以前的VNA)變換成絕對測量裝置(根據本發明的VNA)。以前，在已知的VNA中，輸出信號針對各測量而波動是可接受的。僅反射計的兩個波值之間的關系始終必須是可再現的。相反，在根據本發明的VNA中，從校準到測量期間，測量數據必須始終保持作為絕對數據可再現。
[0046]如以下將詳細說明的，根據本發明的VNA適合用于線性測量。根據本發明的VNA滿足7項模型，因而可以支持所有的VNA校準方法。對于2端口應用，傳統雙反射計具有四個測量點。在根據本發明的VNA中，省略了兩個基準測量點。然而，為了進行校準方法，必須將測量值用于基準測量點。圖5參考“端口 1”114的示例示出誤差系數的采用信號流圖的形式的情形。alm是基準測量點的測量值，是測量端口 I處的可再現波。Id1是從待測裝置125發出的波。blm是基準測量點處的測量值。Ed是使alm和blm(blm = ED*alm)相互關聯并且描述alm的串擾的誤差系數。Ef是使alm和ai (B1 = EF*alm)相互關聯的誤差系數。Ee是使Id1和blm(blm = E^b1)相互關聯的誤差系數。Es是使Id1和ai (B1 = Es^b1)相互關聯并且描述匕的串擾的誤差系數。S11是散射矩陣的散射參數，其中該散射參數描述在待測裝置125的適應性輸出的情況下的待測裝置125的輸入反射因子。根據本發明的VNA的唯一測量點的接收值blm顯示alm的串擾。這里，可以近似將Ed視為O。在實踐中，Ed低，其值為-35dB?-20dB。這種近似導致在反射測量中存在零點幾dB的誤差。在傳輸測量中，幾乎表現不出誤差。然而，在這種情況下，誤差系數減小，并且可以使用簡化了的校準方法。
[0047]對于Ed不等于O并且可再現的一般情況，對于alm，可使用任何值(例如，I)。僅根據比B1Ailm來計算Ef。對于具有50ohm的終端器的校準測量，根據比blm/alm來計算ED。
[0048]如果將alm定義成為任一值(例如，I)，則Ed和Ef不與任何物理傳輸值相對應。在實踐中也沒有必要。如果根據本發明的VNA僅用于進行線性測量，則不必知曉波&1。針對網絡分析儀的測量精度的任何限制僅依賴于生成器的信號的可再現性。然而，在正確的設計的情況下，該測量精度對于RF電子器件而言非常高。
[0049]如以下將詳細說明的，根據本發明的VNA還適合用于進行非線性測量。對于非線性測量，與現有技術相比的第一大區別是不再需要梳狀波發生器測量所用的測量點這一事實。硬件與根據本發明的VNA的用于線性測量的硬件相對應。一般地，在將基準測量點的測量數據設置為固定值的情況下，可以利用根據本發明的VNA來進行頻率轉換測量所用的任何已知的校準方法。然而，信號生成器110的高的可再現性提供了新的可能性。因而，現在僅需在(測量線纜之前的)測量適配器處以完全頻率轉換的方式對根據本發明的VNA進行一次校準。由于互逆性，可以利用線性測量技術中所使用的標準校準方法(例如，MS0)來單獨校準出線性測量電纜中的誤差。
[0050]本發明使得能夠針對各測量端口僅使用一個測量點來實現VNA，其中該測試點可以測量線性和非線性的散射參數(S參數)。因而，可以通過與現有技術先比減少硬件，使用VNA來進行線性組件的測量以及和非線性組件的測量。省略基準測量點意味著必須執行的測量較少，從而得到較快的測量時間。該效果對于頻率轉換測量而言特別明顯。利用該新架構(η測試點的概念)可以實時地執行這些測量。線性裝置和頻率轉換裝置的硬件需求基本一致。
[0051]網絡分析儀的原理可以應用于許多其它領域。除其它以外，這些領域包括雷達技術、灌裝液位測量和濕度測量。經常使用天線在戶外執行所列出的這些測量。可以在天線的前方或者在戶外執行校準。通過減少所需的硬件，測量精度與已知的解決方案相比有所提高。例如，目前的FMCW雷達具有一個測試點，并且不能如VNA那樣進行校準。利用本發明，雷達也僅具有一個測試點。這種情況下，可以計算出從發送器向著一個測量點的串擾。FMCW雷達僅測量傳輸函數的實數部分，而配備有本發明的雷達裝置可以測量復雜的傳輸函數，因而顯示顯著更高的測量精度。
[0052]在根據本發明的方法中，不再如現有技術中通常那樣測量波&1，而是從參數字段134讀取波&1。為此，首先利用控制單元136確定至少一個參數，其中該至少一個參數對經由信號生成器110的波ai的生成產生影響。這些參數例如為在信號生成器110上進行調整后的頻率、以及可選地為諸如在信號生成器110上所設置的輸出功率和/或環境溫度T等的其它參數。然后，利用該參數或這些參數，從參數字段134讀取諸如振幅和/或相位等的波％的期望值。為此，針對參數的各值，將波B1的振幅和/或相位的值明確存儲在參數字段134中。然后，使用波的振幅和/或相位的這些值來進行例如散射矩陣的散射參數S11的進一步計算。
[0053]僅需針對信號生成器創建一次參數字段134。為此，針對至少一個參數的不同值，通過測量來確定一次振幅和/或相位的值，并且將這些值存儲在參數字段134中。
[0054]在諸如矢量PIM等的頻率轉換測量的情況下，基于完全頻率轉換來僅進行一次網絡分析儀的校準。之后，為了測量線纜計算的目的，僅進行標準校準(諸如MSO等)。對于頻率轉換測量，不再需要針對本地振蕩器126的相位誤差的測量點。
【權利要求】
1.一種矢量網絡分析儀即VNA，其具有:至少一個信號生成器(110)，用于生成特定的RF輸出信號；以及η個測量端口(114，116，118)，其中η是大于或等于I的整數，其中:RF耦合器(120)分配至各測量端口，并且所述RF耦合器被設計成所述RF耦合器(120)耦合出從外部傳入特定端口的RF信號bn ;以及所述至少一個信號生成器(110)被配置并設計成所述至少一個信號生成器(110)將特定的RF輸出信號作為傳出至外部的RF信號an供給至至少一個測量端口(114，116，118)， 其特征在于， 對于至少一個信號生成器(110)的RF輸出信號，振幅和/或相位根據參數字段(134)中的至少一個參數以可檢索的方式存儲在所述VNA中，其中所述信號生成器(110)被設計成根據所述至少一個參數來生成在振幅和/或相位方面可再現的RF輸出信號。
2.根據權利要求1所述的矢量網絡分析儀，其特征在于，所述信號生成器(110)是RF合成器。
3.根據權利要求1或2所述的矢量網絡分析儀，其特征在于，所述至少一個參數是所述RF輸出信號的頻率、所述信號生成器(110)的輸出功率、環境溫度和/或針對各頻率點的測量時間。
4.根據權利要求1至3中至少一項所述的矢量網絡分析儀，其特征在于，至少一個所述信號生成器(110)具有鎖相環即PLL。
5.根據權利要求1至4中至少一項所述的矢量網絡分析儀，其特征在于，各RF耦合器(120)被分配用于測量各RF信號匕的測量點(122)。
6.根據權利要求5所述的矢量網絡分析儀，其特征在于，提供特別是石英信號或石英振蕩器信號即XCO信號、特別是具有頻率1MHz的基準信號(130)，以使得所述基準信號(130)觸發在相應的RF耦合器(120)處接收RF信號bn。
7.根據權利要求5或6所述的矢量網絡分析儀，其特征在于，所述測量點(122)采用A/D轉換器的形式。
8.根據權利要求1至7中至少一項所述的矢量網絡分析儀，其特征在于，至少一個RF耦合器(120)采用定向耦合器、特別是線路耦合器的形式。
9.一種用于確定待測電子裝置的散射參數的方法，其中:確定傳入所述待測電子裝置的至少一個電磁波a?、以及從所述待測電子裝置傳出的至少一個電磁波bn，并且根據所確定的波an和bn在量和/或相位方面計算所述待測電子裝置的散射參數，其中，利用RF耦合器測量從所述待測電子裝置傳出的所述至少一個電磁波bn，以及其中，利用至少一個信號生成器生成傳入所述待測電子裝置的所述至少一個電磁波an， 其特征在于， 根據所存儲的參數字段來確定傳入所述待測電子裝置的所述至少一個電磁波Bn，在所述參數字段中，根據影響所述信號生成器的信號生成的至少一個參數來存儲所述信號生成器所生成的電磁波an的振幅和/或相位，其中，確定至少一個參數，并且針對該至少一個參數，根據所述參數字段來推導出所述信號生成器生成的電磁波an的振幅和/或相位。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，使用RF合成器作為所述信號生成器。
11.根據權利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述至少一個參數是RF輸出信號的頻率、所述信號生成器的輸出功率、環境溫度和/或針對各頻率點的測量時間。
12.根據權利要求9至11中至少一項所述的方法，其特征在于，具有鎖相環即PLL的至少一個信號生成器耦合至基準信號、特別是石英振蕩器的基準信號。
【文檔編號】G01R27/32GK104204840SQ201380017176
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年3月25日 優先權日:2012年3月27日
【發明者】C·恩斯費爾納, H·霍伊爾曼 申請人:羅森伯格高頻技術有限及兩合公司