晶片表面平整度測量裝置制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種能夠快速并準確測量晶片表面平整度，并且不會對晶片產生劃傷、壓碎、磕邊、污染等不良現象的晶片表面平整度測量裝置，包括由多個水平并且平行并列設置的觸針所組成的觸針列陣，以及用于支撐觸針的觸針支撐座，該觸針支撐座內設置有多個水平并且平行并列設置的通孔，多個觸針對應穿過所述通孔并且能夠在所述通孔內沿軸向左右移動；所述觸針的一端為測試端，用于與晶片表面接觸，其另一端設置有位移傳感器。采用本發明的晶片表面平整度測量裝置，使用時將晶片豎起后水平移向觸針的測試端，觸針另一端的位移傳感器將記錄觸針的移動數據，供測量者參考；如果晶片表面不平整，每個位移傳感器所感應到的觸針移動距離也不相同。
【專利說明】晶片表面平整度測量裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及LED晶片生產工藝設備，特別是涉及一種晶片表面平整度測量裝置。
【背景技術】
[0002]藍寶石是一種氧化鋁單晶材料，具有非常高的硬度，是目前LED行業的普遍采用的襯底材料，用作氮化鎵等外延生長的基質以生產藍光等發光二極管。襯底加工后晶片平整度測量是LED產業鏈中的一個重要環節，需要達到非常高的精度，特別是用于制作圖形化晶片的襯底，要求平整度小于5微米。現有的藍寶石襯底的平整度測量工藝一般是靠手動按壓測量測得其表面平整度。藍寶石晶片經加工后厚度需精確到微米級別，晶片測量是在大理石平面上進行，傳統晶片平整度測量技術由于晶片有不同程度的翹曲，靠人手按壓測量，無法準確測得其表面平整度，誤差范圍較大；按壓過程中對晶片傷害較大，易造成劃傷、壓碎、磕邊、污染等不良現象；且因測量時間長造成高效差，測量效率低。
【發明內容】
[0003]本發明要解決的技術問題是提供一種能夠快速并準確測量晶片表面平整度，并且不會對晶片產生劃傷、壓碎、磕邊、污染等不良現象的晶片表面平整度測量裝置。
[0004]為解決上述問題，本發明的晶片表面平整度測量裝置，包括由多個水平并且平行并列設置的觸針所組成的觸針列陣，以及用于支撐觸針的觸針支撐座，該觸針支撐座內設置有多個水平并且平行并列設置的通孔，多個觸針對應穿過所述通孔并且能夠在所述通孔內沿軸向左右移動；所述觸針的一端為測試端，用于與晶片表面接觸，其另一端設置有位移傳感器。
[0005]所述晶片表面平整度測量裝置還包括方向與觸針軸向一致的滑道，滑道上設置有滑塊，一晶片放置架固定在滑塊上，被測量的晶片能夠豎直固定在鏡片放置架上。
[0006]所述滑道上位于滑塊與觸針支撐座之間設置有擋塊。
[0007]采用本發明的晶片表面平整度測量裝置，使用時將晶片豎起后水平移向觸針的測試端，如果晶片表明平整，則晶片將同時觸碰全部觸針，并隨著晶片繼續移動，推動觸針向前移動，此時觸針另一端的位移傳感器將記錄觸針的移動數據，供測量者參考；如果晶片表面不平整，則晶片與觸針接觸的時間將不相同，所以每個位移傳感器所感應到的觸針移動距離也不相同，此時測量者就可以根據位移傳感器所記錄的數據斷定鏡片表明不平整。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1為本發明的晶片表面平整度測量裝置結構示意圖；
[0009]圖2為本發明的晶片表面平整度測量裝置立體示意圖。
【具體實施方式】
[0010]為了使本【技術領域】的人員更好地理解本發明技術方案，下面結合附圖和實施方式對本發明作進一步的詳細說明。
[0011]如圖1、2所示，晶片表面平整度測量裝置，包括由多個水平并且平行并列設置的觸針101所組成的觸針列陣1，以及用于支撐觸針的觸針支撐座2，該觸針支撐座2內設置有多個水平并且平行并列設置的通孔，多個觸針對應穿過所述通孔并且能夠在所述通孔內沿軸向左右移動；所述觸針的一端為測試端，用于與晶片表面接觸，其另一端設置有位移傳感器(圖中未不出)。
[0012]所述晶片表面平整度測量裝置還包括方向與觸針軸向一致的滑道3，滑道上設置有滑塊4，一晶片放置架5固定在滑塊上，被測量的晶片6能夠豎直固定在鏡片放置架上。
[0013]所述滑道3上位于滑塊4與觸針支撐座2之間設置有擋塊7，以防止滑塊4與觸針支撐座2發生撞擊。
[0014]采用本發明的晶片表面平整度測量裝置，使用時將晶片豎起后水平移向觸針的測試端，如果晶片表明平整，則晶片將同時觸碰全部觸針，并隨著晶片繼續移動，推動觸針向前移動，此時觸針另一端的位移傳感器將記錄觸針的移動數據，供測量者參考；如果晶片表面不平整，則晶片與觸針接觸的時間將不相同，所以每個位移傳感器所感應到的觸針移動距離也不相同，此時測量者就可以根據位移傳感器所記錄的數據斷定鏡片表明不平整。
【權利要求】
1.一種晶片表面平整度測量裝置，其特征在于:包括由多個水平并且平行并列設置的觸針所組成的觸針列陣，以及用于支撐觸針的觸針支撐座，該觸針支撐座內設置有多個水平并且平行并列設置的通孔，多個觸針對應穿過所述通孔并且能夠在所述通孔內沿軸向左右移動；所述觸針的一端為測試端，用于與晶片表面接觸，其另一端設置有位移傳感器。
2.如權利要求1所述的晶片表面平整度測量裝置，其特征在于:所述晶片表面平整度測量裝置還包括方向與觸針軸向一致的滑道，滑道上設置有滑塊，一晶片放置架固定在滑塊上，被測量的晶片能夠豎直固定在鏡片放置架上。
3.如權利要求2所述的晶片表面平整度測量裝置，其特征在于:所述滑道上位于滑塊與觸針支撐座之間設置有擋塊。
【文檔編號】G01B21/30GK104280010SQ201310283162
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2013年7月5日 優先權日:2013年7月5日
【發明者】沙恩水 申請人:天津浩洋環宇科技有限公司