專利名稱:金屬蒸鍍裝置的鍍金盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造裝備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種應(yīng)用于金屬蒸鍍裝置的鍍金盤(pán)。
背景技術(shù):
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的失效分析實(shí)驗(yàn)室中,常用掃描電子顯微鏡SEM來(lái)分析材料表面形貌及觀察成像的材料表征。掃描電子顯微鏡主要是利用二次電子信號(hào)成像來(lái)觀察樣品的表面形態(tài),即用極狹窄的電子束去掃描樣品,通過(guò)電子束與樣品的相互作用使得樣品產(chǎn)生二次電子發(fā)射,二次電子能夠產(chǎn)生樣品表面放大的形貌像,這個(gè)像是在樣品被掃描時(shí)按時(shí)序建立起來(lái)的,即使用逐點(diǎn)成像的方法獲得放大像。當(dāng)掃描電子顯微鏡應(yīng)用于不導(dǎo)電的樣品時(shí),需要通過(guò)蒸鍍金、鉬、鈀等金屬元素消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象,并可以提高觀測(cè)效果?,F(xiàn)有的金屬蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖可以參見(jiàn)附圖1,該蒸鍍裝置包括真空室(1),用于維持所述真空室(I)的真空度的真空泵(2),用于產(chǎn)生氣化金屬小粒子的蒸鍍?cè)?3),用于承載多個(gè)樣品(5)的鍍金盤(pán)(4’)。一般情況下,樣品(5)被直接放置在鍍金盤(pán)(4’)上進(jìn)行蒸鍍。然而,在半導(dǎo)體芯片失效分析實(shí)驗(yàn)中,樣品的制備方法較為特殊,需要觀測(cè)樣品的截面或者表面的形貌特征,很多時(shí)候樣品高度不一且數(shù)量較多,因此往往需要分為多次來(lái)進(jìn)行蒸鍍,工作效率降低了許多。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是,改良金屬蒸鍍裝置的鍍金盤(pán),提高樣品的蒸鍍效
率。 為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種金屬蒸鍍裝置的鍍金盤(pán),包括基體,尤其的,在所述基體的一個(gè)表面上開(kāi)設(shè)有多個(gè)條狀的槽,所述多個(gè)槽具有兩種以上的槽深度尺寸,且槽的深度方向與所述基體的表面呈銳角。優(yōu)選的,所述槽的深度尺寸為固定的兩種;或者,相鄰的槽的深度尺寸逐漸增加;或者,槽的深度尺寸根據(jù)該槽距離基體的中心的距離遠(yuǎn)近逐漸改變。優(yōu)選的,所述槽包括多個(gè)沿著第一方向延伸的第一槽、以及多個(gè)沿著第二方向延伸的第二槽,第一方向與第二方向不平行,且第一槽具有第一深度、第二槽具有第二深度,第一深度不第二深度不同。本發(fā)明的技術(shù)方法通過(guò)巧妙合理地設(shè)計(jì),在同一個(gè)鍍金盤(pán)上放置不同高度的樣品同時(shí)達(dá)到截面與表面都鍍上金屬粒子的效果,提高了蒸鍍效率,對(duì)失效分析、結(jié)構(gòu)分析等提供了極大的幫助。以下將通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與優(yōu)點(diǎn)展開(kāi)進(jìn)一步闡述。
通過(guò)附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說(shuō)明,本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖,重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種金屬蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本發(fā)明鍍金盤(pán)的立體圖;圖3是圖2的主視圖;圖4是圖2的鍍金盤(pán)承載了樣品的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明:本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進(jìn)行實(shí)施,給出了詳細(xì)的實(shí)施方式,但本發(fā)明的保護(hù)范圍不限于下述的實(shí)施例。參見(jiàn)圖2、圖3,本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的金屬蒸鍍裝置的鍍金盤(pán)4,其首先包括一個(gè)大致呈圓盤(pán)狀的基體40,并且,在所述基體40的一個(gè)表面上的開(kāi)設(shè)了多個(gè)條狀的槽。所述槽包括多個(gè)沿著第一方向延伸的第一槽41、以及多個(gè)沿著第二方向延伸的第二槽42,第一方向與第二方向不平行,在本實(shí)施例中,第一方向與第二方向垂直。在其它的實(shí)施方式中,第一方向還可以與第二方向呈30°、45°、60°等。所述第一槽41、第二槽42縱橫交錯(cuò),因此能夠布置更多的樣品5。為了能夠滿足不同樣品的高度需求,槽組41中的槽的具體深度按照不同樣品的高度來(lái)設(shè)定成具有不同深度尺寸。例如,在本實(shí)施例中,第一槽41與第二槽42分別具有I毫米與5毫米的兩種深度尺寸。在其它實(shí)施方式中,還可以使得相鄰的槽的深度尺寸逐漸增加,或者是槽的深度尺寸根據(jù)該槽距離基體40的中心的距離遠(yuǎn)近漸進(jìn)改變,例如距離中心最近處的槽的深度為5毫米,與其相鄰的槽的深度為4.5毫米,再遠(yuǎn)處的槽的深度為4毫米,……,直至最邊緣處的槽的深度為I毫米。為了滿足半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域?qū)τ诙嗣婧捅砻嫱瑫r(shí)鍍金的要求,槽的深度方向與基體40表面呈銳角,例如45°、60°等,此時(shí)樣品與基體40表面傾斜布置,因而能夠同時(shí)進(jìn)行端面與表面的鍍金。槽的寬度為可根據(jù)實(shí)際樣品厚度來(lái)設(shè)計(jì)。參見(jiàn)圖4,多個(gè)樣品5分別卡設(shè)在第一槽41與第二槽42中,根據(jù)樣品5高度的差異,較高的樣品5放置在5毫米深的第二槽42內(nèi)、較低的樣品5放置在I毫米深的第一槽41內(nèi),且各個(gè)樣品的表面有圖形的一面傾斜朝上放置,因此可以滿足端面與表面的同時(shí)鍍金。本發(fā)明雖然 以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上,但其并不是用來(lái)限定權(quán)利要求,任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),都可以做出可能的變動(dòng)和修改,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種金屬蒸鍍裝置的鍍金盤(pán),包括基體,其特征在于,在所述基體的一個(gè)表面上開(kāi)設(shè)有多個(gè)條狀的槽,所述多個(gè)槽具有兩種以上的槽深度尺寸,且槽的深度方向與所述基體的表面呈銳角。
2.如權(quán)利要求1所述的鍍金盤(pán),其特征在于,所述槽的深度尺寸為固定的兩種。
3.如權(quán)利要求1所述的鍍金盤(pán),其特征在于,相鄰的槽的深度尺寸逐漸增加。
4.如權(quán)利要求1所述的鍍金盤(pán),其特征在于,槽的深度尺寸根據(jù)該槽距離基體的中心的距離遠(yuǎn)近逐漸改變。
5.如權(quán)利要求1所述的鍍金盤(pán),其特征在于,所述槽包括多個(gè)沿著第一方向延伸的第一槽、以及多個(gè)沿著第二方向延伸的第二槽,第一方向與第二方向不平行,且第一槽具有第一深度、第二槽具有第二深度,第一深度 與第二深部不同。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于金屬蒸鍍裝置的鍍金盤(pán),包括基體,尤其的,在所述基體的一個(gè)表面上開(kāi)設(shè)有多個(gè)條狀的槽,所述多個(gè)槽具有兩種以上的槽深度尺寸,且槽的深度方向與所述基體的表面呈銳角。本發(fā)明的技術(shù)方法通過(guò)巧妙合理地設(shè)計(jì),在同一個(gè)鍍金盤(pán)上放置不同高度的樣品,同時(shí)達(dá)到截面與表面都鍍上金屬粒子的效果,提高了蒸鍍效率,對(duì)失效分析、結(jié)構(gòu)分析等提供了極大的幫助。
文檔編號(hào)G01N1/36GK103225069SQ201310156160
公開(kāi)日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2013年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月28日
發(fā)明者史燕萍 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司