包括光耦合材料的輻射檢測裝置及其形成方法

包括光耦合材料的輻射檢測裝置及其形成方法
【專利摘要】本發明提供了一種輻射檢測裝置，其可具有光耦合材料，所述光耦合材料能夠吸收偏離所述輻射檢測裝置的閃爍構件的閃爍光的波長在大約75nm內的光的波長。在一個實施例中，所述光耦合材料可設置于所述輻射檢測裝置的光電傳感器與所述閃爍構件之間。在一個特定實施例中，光耦合材料的組成可包含染料。在一個示例性實施例中，所述染料可具有對應的a*坐標、對應的b*坐標，和大于0的L*坐標。在另一實施例中，所述光耦合材料可沿著所述光電傳感器的側面的基本上全部設置。
【專利說明】包括光耦合材料的輻射檢測裝置及其形成方法

【技術領域】
[0001] 本公開涉及輻射檢測裝置及其形成方法，所述輻射檢測裝置包括設置于閃爍構件 與光電傳感器之間的光耦合材料。

【背景技術】
[0002] 閃爍材料可用于醫學成像，用于油氣工業中的測井，以及用于環境監測、安全應用 和核物理分析和應用。特別地，當暴露于某些形式的輻射時，閃爍材料可發射光子。光子可 傳遞至傳感器，所述傳感器將感應的光子轉化為電脈沖，所述電脈沖可隨后被傳輸至分析 設備。需要輻射檢測裝置的進一步的改進。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0003] 實施例以示例的方式顯示，且不限于附圖。
[0004] 圖1包括根據一個特定實施例的輻射檢測裝置的圖示。
[0005] 圖2包括根據一個特定實施例的閃爍構件的陣列和光電傳感器的陣列的圖示。
[0006] 圖3包括根據特定實施例的制造具有染色的光耦合材料的輻射檢測裝置的方法 的圖示。
[0007] 本領域技術人員了解，圖中的元件為了簡單和清晰而顯示，且不必按比例繪制。例 如，圖中的一些元件的尺寸可相對于其他元件增大，以協助增進對本發明的實施例的理解。 不同圖中的相同附圖標記的使用表示類似或相同的項目。

【具體實施方式】
[0008] 提供結合附圖的如下描述以協助理解本文公開的教導。如下討論將集中于教導的 具體實施和實施例。提供該焦點以協助描述教導，且該焦點不應被解釋為對教導的范圍或 適用性的限制。
[0009] 如本文所用，術語"包含"、"包括"、"具有"或它們的任何其他變體旨在涵蓋非排他 性的包括。例如，包括一系列特征的過程、方法、制品或裝置不必僅限于那些特征，而是可包 括未明確列出的其他特征或這些過程、方法、制品或裝置所固有的其他特征。此外，除非明 確相反指出，"或"指包括性的或，而非排他性的或。例如，條件A或B由如下任一者滿足： A為真（或存在）且B為假（或不存在），A為假（或不存在）且B為真（或存在），以及A 和B均為真（或存在）。
[0010] "一種"的使用用于描述本文描述的元件和部件。這僅為了便利，并提供本公開的 實施例的范圍的一般含義。該描述應理解為包括一種或至少一種，且單數也包括復數，反之 亦然，除非其明顯具有相反含義。
[0011]如本說明書中所用，色空間以由 Conmission Internationale del' 6clairage("CIE'〇 1976 指定的L*、a*和b*坐標的方式表示。三個坐標表示顏色的亮度（L* = 0產生黑色,L* = 100表示 漫射白色;鏡面白色可更高）、其在紅/品紅色與綠色之間的位置（a*，負值表示綠色而正值表示品 紅色），以及其在黃色與藍色之間的位置（b*,負值表示藍色,正值表示黃色）。
[0012] 除非另外定義，本文所用的所有技術和科學術語與本公開所屬領域中的普通技術 人員所通常理解的具有相同的含義。材料、方法和實例僅為說明性的，且不旨在為限制性 的。對于本文未描述的程度，有關具體材料和加工行為的許多細節為常規的，并可在閃爍和 輻射檢測領域內的教科書和其他來源中找到。
[0013] 圖1包括根據一個特定實施例的輻射檢測裝置100的圖示。輻射檢測裝置100可 包括醫學成像裝置，測井裝置，或安全檢查裝置。在一個實施例中，輻射檢測裝置100可包 括如下或作為如下的部件：計算機斷層攝影（"CT"）裝置、單正電子發射計算機斷層攝影 ("SPECT"）裝置，或正電子發射斷層攝影（"PET"）裝置。
[0014] 福射檢測裝置100可包括光電傳感器101、光接口 103和閃爍器件105。光電傳感 器101可為光電二極管、P型-本征型-η型半導體區域（"PIN"）硅二極管、光電倍增管 ("PMT"）、硅光電倍增管（"SiPM"）、雪崩光電二極管（"APD"），或混合型PMT。
[0015] 在一個實施例中，光接口 103可包含光耦合材料，如有機聚合物、無機化合物、另 一合適的光耦合材料，或它們的任意組合。例如，光接口 103可包括硅橡膠、環氧樹脂、塑料 或它們的任意組合。在另一實施例中，光接口 103包括設置于光電傳感器101與閃爍器件 105之間的窗口 107。窗口 107可經由光耦合材料的層109和光耦合材料的層111光耦合 至光電傳感器101和閃爍器件105。在一個實施例中，窗口 107包括石英或藍寶石。盡管 光電傳感器101、光接口 103和閃爍器件105顯不為彼此分開，但光電傳感器101和閃爍器 件105可各自適應于聯接至光接口 103,且光接口 103設置于光電傳感器101與閃爍器件 105之間。在其他實施例中，光接口 103可不包括窗口 107,并可包括光耦合材料的一個或 多個層，如層109、層111或上述兩者。另外，光接口 103可包括窗口 107,且不包括層109、 層111，或層109和層111兩者。在一個可選擇的實施例中，輻射檢測裝置100可包括光接 口 103和閃爍器件105而無光電傳感器101。
[0016] 在一個實施例中，光接口 103的一個或多個部分可具有特定顏色。光接口 103的 特定顏色可大致對應于由閃爍器件105發射的閃爍光的波長的光譜的特定波長。在圖1的 示例性實施例中，層109和層111具有各自的顏色。在另一實施例中，光接口 103的光耦合 材料的一個或多個層可包括染料，所述染料使層109的顏色、層111的顏色或上述兩者大致 對應于由閃爍器件105發射的閃爍光的波長的光譜的特定波長。在一個特定實施例中，閃 爍光的波長的光譜可包括峰值波長。如本文所用的閃爍光的波長的光譜的峰值波長指對應 于閃爍光的發射最大值的波長。在一個更特定的實施例中，閃爍光的波長的光譜可包括超 過一種模式，并具有每種模式的相應的峰值波長。在一個示例性實施例中，閃爍光的波長的 光譜內的波長范圍可不大于大約150nm，不大于大約llOnm，不大于大約80nm，或不大于大 約40nm。在另一實施例中，閃爍光的波長的光譜內的波長范圍可為至少大約5nm，至少大約 20nm，至少大約35nm，或至少大約50nm。在另一實施例中，閃爍光的波長的光譜可包括在光 譜的發射最大值的大約47 %內的波長，在光譜的發射最大值的大約46 %內的波長，或在光 譜的發射最大值的大約45 %內的波長。
[0017] 在一個實施例中，染料可具有對應的a*坐標和對應的b*坐標。另外，染料的對應 的L*坐標可大于0。染料可改變光接口 103的光耦合材料的對應的a*坐標、光接口 103的 光耦合材料的對應的b*坐標、光接口 103的光耦合材料的對應的L*坐標，或它們的任意組 合。在一個實施例中，光接口 103的光耦合材料可能夠吸收偏離由閃爍器件105發射的閃 爍光的波長的光譜內的任意波長在大約75nm以內，偏離由閃爍器件105發射的閃爍光的波 長的光譜內的任意波長在大約65nm以內，或偏離由閃爍器件105發射的閃爍光的波長的光 譜內的任意波長在大約45nm以內的特定波長的輻射。
[0018] 在一個實施例中，窗口 107可具有顏色。窗口的顏色可由窗口 107的添加劑提供， 如氧化鐵、氧化錳、氧化鈷、另一合適的金屬氧化物、金屬硫化物、金屬碳化物，或它們的任 意組合。在另一實施例中，窗口 107的顏色可由于窗口 107的某些組分的存在而自然發生。 在另一實施例中，窗口 107能夠吸收偏離由閃爍器件105發射的閃爍光的波長的光譜內的 任意波長在大約75nm以內，偏離由閃爍器件105發射的閃爍光的波長的光譜內的任意波長 在大約65nm以內，或偏離由閃爍器件105發射的閃爍光的波長的光譜內的任意波長在大約 45nm以內的特定波長的輻射。
[0019] 閃爍器件105包括閃爍單元113。在一個實施例中，閃爍單元113可包括一個或 多個閃爍構件。在一個特定實施例中，閃爍單元113包括閃爍構件的陣列。在本文的一些 實施例中，閃爍構件的陣列也可稱為閃爍像素的陣列。閃爍構件中的每一個可包括金屬鹵 化物、金屬氧化物、金屬硅酸鹽、另一合適的閃爍體材料，或它們的任意組合。在一個特定實 施例中，金屬鹵化物可包括Nal (Tl)、Csl (T1或Na)、LaBr3(Ce)、CeBr3、SrI2(Eu)或鉀冰晶 石（例如Cs 2LiYCl6 (Ce))，金屬氧化物可包括LuA103 (Ce)或Lu3A15012 (Ce)，金屬硅酸鹽可包 括Gd2Si05 (Ce)、LuSi05 (Ce)或Lu2Si207 (Ce)。對于化合物中的一些，Lu或Gd可由Y部分替 代。列舉閃爍體材料以僅僅說明而非限制本發明。在一個特定實施例中，閃爍單元113的 每個閃爍構件可與各自的光電傳感器對齊。例如，一個特定的閃爍構件可與一個特定的光 電傳感器101對應。在另一實施例中，閃爍單元的多個閃爍構件可與一個特定的光電傳感 器對應。在一個示例性實施例中，閃爍器件105的閃爍構件的數量與輻射檢測裝置100的 光電傳感器的數量的比例可為至少大約1 : 1，至少大約2 : 1，或至少大約4 : 1。
[0020] 在圖1的示例性實施例中，閃爍器件105包括基本上圍繞閃爍單元113的反射器 115。反射器115可包括金屬箔、聚四氟乙烯（PTFE)，或能夠反射由閃爍構件113發射的光 的另一合適的材料。在一個實施例中，輻射檢測裝置100可包括比圖1所示的那些更多的 部件或更少的部件。例如，輻射檢測裝置100可包括一個或多個穩定機構，如一個或多個彈 簧。在另一例子中，閃爍單元113可由反射器115部分圍繞。
[0021] 當各自的閃爍構件暴露于一種或多種形式的輻射時，光電傳感器101可接收由閃 爍單元113的一個或多個閃爍構件發射的閃爍光的光子。閃爍單元113的一個或多個閃爍 構件可發射在大約250nm至大約600nm范圍內的閃爍光的波長的光譜。當光電傳感器101 接收來自閃爍器件105的光子時，光電傳感器101可基于由閃爍器件105接收的光子數而 產生電脈沖。光電傳感器101可將電脈沖提供至電聯接至光電傳感器101的電子設備117。 電脈沖可由電子設備117整形、數字化、分析或它們的任意組合，以提供在光電傳感器101 處接收的光子的計數或其他信息。電子設備117可包括放大器、前置放大器、鑒別器、模擬 數字信號轉換器、光子計數器、另一電子部件，或它們的任意組合。光電傳感器101可容納 于由能夠保護光電傳感器101、電子設備117或它們的組合的材料（如金屬、金屬合金、其他 材料，或它們的任意組合）制得的管或外殼內。
[0022] 在一個示例性實施例中，光子可離開與光接口 103相鄰的閃爍單元113的側面。 離開閃爍單元113并到達光電傳感器101的光子的數量由光電傳感器101感應。離開閃爍 單元113的其他光子可由一個或多個其他光電傳感器（未顯示）感應。如本文說明書中所 用，術語"串擾"指由不對應于特定閃爍構件的光電傳感器感應的由特定閃爍構件發射的光 子。例如，閃爍單元113的特定閃爍構件可與光電傳感器101對應，且"串擾"可指不由光 電傳感器101感應，而是由另一光電傳感器（未顯示）感應的由特定閃爍構件發射的光子。 在一個實施例中，光接口 103可具有顏色，以吸收從閃爍單元113的特定閃爍構件發射的光 子，從而降低串擾。在一個特定實施例中，光接口 103的至少一部分可具有顏色，所述顏色 基本上對應于由閃爍構件113發射的閃爍光的波長。以此方式，未由對應的光電傳感器101 感應的離開特定閃爍構件的光子更可能在由另一光電傳感器感應之前被光接口 103吸收。 因此，串擾可得以降低，且模糊也可在經由輻射檢測裝置100所產生的圖像中得以減少。
[0023] 圖2包括根據一個特定實施例的閃爍構件的陣列和光電傳感器的陣列的圖示。 閃爍構件的陣列可包括閃爍構件201，203和205,且光電傳感器的陣列可包括光電傳感器 207, 209和211。盡管圖2的示例性實施例包括具有三個閃爍構件的陣列和具有三個光電 傳感器的陣列，但閃爍構件的陣列和光電傳感器的陣列可包括可在一個方向上或超過一個 方向上延伸的任何合適數量的閃爍構件和光電傳感器。另外，在一個特定實施例中，閃爍構 件201，203或205中的一個或多個可為圖1的閃爍單元113的部件。
[0024] 在圖2的示例性實施例中，閃爍構件207、209和211中的每一個與對應的光電傳 感器對齊。例如，閃爍構件201與光電傳感器207對應，閃爍構件203與光電傳感器209對 應，且閃爍構件205與光電傳感器211對應。因此，離開閃爍構件201的光子由光電傳感器 207感應，離開閃爍構件203的光子由光電傳感器209感應，離開閃爍構件205的光子由光 電傳感器211感應。在一個特定實施例中，閃爍構件201，203和205沿著基本上共同的平 面設置。在圖2的示例性實施例中，基本上共同的平面為水平的。在其他實施例中，基本上 共同的平面可為堅直的。
[0025] 閃爍構件201，203和205可通過光耦合材料213而光耦合至光電傳感器207, 209 和211，所述光耦合材料213設置于閃爍構件201，203和205與光電傳感器207, 209和211 之間。光耦合材料213可基本上沿著光電傳感器207, 209和211的側面的全部設置。光耦 合材料213也可基本上沿著閃爍構件201，203和205的側面的全部設置。在一個實施例中， 光耦合材料213接觸閃爍構件201，203和205的表面。在另一實施例中，基本上無空穴設 置于閃爍構件201，203和205與光電傳感器207, 209和211之間。
[0026] 在圖2的示例性實施例中，光耦合材料213具有厚度215。在一個實施例中，厚度 215為基本上均勻的。在另一實施例中，光耦合材料213的厚度在大約45微米至大約2毫 米的范圍內。如本文所用，間距指閃爍構件和緊密相鄰的空間的寬度之和。在一個實施例 中，對應于閃爍構件201，203和205中的一個或多個的間距可不大于大約9mm，不大于大約 4mm，不大于大約1.4mm，不大于大約1. 1mm，或不大于大約0.7mm。在另一實施例中，閃爍構 件201，203和205中的一個或多個的間距可為至少大約0. 3mm，至少大約0. 6mm，或至少大 約0. 9mm。在一個實施例中，閃爍構件201，203和205中的一個或多個的長度217可為至少 大約0. 8mm，至少大約2mm，或至少大約5mm，在另一實施例中，長度217可不大于大約90mm, 不大于大約50mm,或不大于大約30mm。在一個特定實施例中，長度217在超過大約0. 8mm 至大約50mm的范圍內。
[0027] 在一個實施例中，閃爍構件201,203和205中的一個或多個可與隔板，如隔板219 和隔板221相鄰。在一個特定實施例中，隔板219和隔板221可包括反射性材料，如金屬箔、 PTFE、Ti02、另一合適的反射性材料，或它們的任意組合。在另一實施例中，閃爍構件201， 203和205的一個或多個側面、光耦合材料213的一個或多個側面、光電傳感器207, 209和 211的一個或多個側面，或它們的任意組合可由反射性材料223圍繞。在另一實施例中，光 電傳感器207,209和211中的一個或多個可與隔板，如隔板225和隔板227相鄰。在一個 實施例中，隔板219和221可包括與隔板225和227不同的材料。
[0028] 在一個實施例中，閃爍構件201，203和205中的一個或多個的表面可為基本上平 滑的。在一個特定實施例中，與光耦合材料213相鄰的閃爍構件201，203和205中的一個或 多個的側面可為基本上平滑的。在一個示例性實施例中，與光耦合材料213相鄰的閃爍構 件201，203和205中的一個或多個的表面可具有不大于大約0. 50微米，不大于大約0. 025 微米，或不大于大約〇. 0060微米的Ra值。在另一實施例中，與光耦合材料213相鄰的閃爍 構件201，203和205中的一個或多個的表面基本上沿著各自的閃爍構件201，203和205的 解理面設置。在另一實施例中，與光耦合材料213相鄰的閃爍構件201，203和205中的一 個或多個的表面可為粗糙的。例如，與光耦合材料213相鄰的閃爍構件201，203和205中 的一個或多個的表面可具有至少大約1. 75微米，至少大約1. 10微米，或至少大約0. 65微 米的Ra值。
[0029] 在一個實施例中，光耦合材料213可具有基本上均勻的組成。在一個特定實施例 中，光耦合材料213包括染料。在一個更特定的實施例中，染料可為有機化合物（如芳族有 機化合物）或無機化合物。染料可能夠改變光耦合材料213的顏色，使得光耦合材料213能 夠吸收偏離由閃爍構件201，203和205發射的閃爍光的光譜內的任意波長在大約75nm內 的輻射的特定波長。在一個特定實施例中，染料可具有大致對應于由閃爍構件201，203和 205發射的閃爍光的光譜的波長中的任一者的特定波長的顏色。染料可具有對應的a*坐 標，對應的b*坐標，對應的L*坐標，或它們的任意組合。此外，光耦合材料213可具有對應 的a*坐標,對應的b*坐標,對應的L*坐標，或它們的任意組合。在一個示例性實施例中， 光耦合材料213的對應的a*坐標可不大于大約18,不大于大約5,或不大于大約-15。在 另一實施例中，光耦合材料213的對應的a*坐標可為至少大約-70,至少大約-40,或至少 大約-5。在另一實施例中，光耦合材料213的對應的b*坐標可不大于大約45,不大于大約 20,或不大于大約5。在另一實施例中，光耦合材料213的對應的b*坐標可為至少大約-25， 至少大約-10,或至少大約15。
[0030] 另外，在一個實施例中，閃爍構件201，203和205的閃爍光可具有對應的a*坐標 a#和對應的b*坐標h*。此外，光耦合材料213可具有對應的a*坐標a2*和對應的b*坐 標匕*。閃爍光和光耦合材料213的對應的a*坐標之間的差異可為使得| ai*_a2*|不大于 大約18,不大于大約12,或不大于大約7。而且，閃爍光和光稱合材料213的對應的b*坐標 之間的差異可為使得|bi*-b 2*|不大于大約12,不大于大約8,或不大于大約4。在另一實 施例中，閃爍光和光耦合材料213的對應的a*坐標和對應的b*坐標之間的差異可為使得 af-adl和Ibf-lvKl兩者均不大于大約16,不大于大約6,或不大于大約3。
[0031] 在一個示例性實施例中，光子可經由與光耦合材料213相鄰的側面離開閃爍構件 201，203和205。離開閃爍構件201，203或205中的特定的一個的光子的至少一部分可由 對應的光電傳感器207, 209或211感應。在一個實施例中，離開一個或多個閃爍構件201， 203和205的一些光子可能不由對應的光電傳感器感應。例如，在圖2中，光子229離開閃 爍構件203,進入光接口 213,且不由對應的光電傳感器209感應。相反，光子229橫向行進 通過光耦合材料213。繼續該實例，光子229在點231處被吸收至光耦合材料213中。當光 子未由與產生光子的對應的閃爍構件201，203和205相關的光電傳感器207, 209和211感 應時，光耦合材料213的顏色可提高光子在光耦合材料213中的吸收。在一個特定實施例 中，當光耦合材料213的顏色對應于由閃爍構件201，203和205發射的閃爍光的光譜的一 個或多個波長時，相比于光耦合材料213不具有對應于閃爍光的光譜的一個或多個波長的 顏色，未由對應的光電傳感器207, 209和211感應的光子可更可能被光耦合材料213吸收。 在一個實施例中，進入光耦合材料213中和由不對應于閃爍構件的光電傳感器感應的離開 閃爍構件201，203和205中的一者的光子的百分比可不大于大約32%，不大于大約26%， 或不大于大約18%。當將不具有染料的常規光耦合材料設置于閃爍構件與光電傳感器之間 時，由其他光電傳感器感應的光子的百分比可大于36%。
[0032] 在另一實施例中，在光耦合材料213的厚度215的4倍內感應的離開特定的閃爍 構件201，203和205的光子的百分比可不大于大約98%，不大于大約94%，或不大于大約 91%。另外，在厚度215的大約4倍的外圍區域內感應的離開特定的閃爍構件的光子的百 分比可為至少大約85%，至少大約87%，或至少大約92%。當將常規光耦合材料設置于閃 爍器件與對應的光電傳感器之間時，在厚度215的大約4倍的外圍區域內感應的離開特定 的閃爍器件的光子的百分比小于87%。在一個實施例中，所述外圍區域可包括半徑。
[0033] 在一個實施例中，相比于在不包括染料或澄清（即不具有顏色）的光耦合材料中 行進的光子，在光耦合材料213中行進的光子的平均自由程可降低。在光耦合材料213中 行進的光子的平均自由程的降低可表明更少的串擾。在一個特定實施例中，離開閃爍構件 201，203或205中的一者并進入光耦合材料213的光子的平均自由程可為光耦合材料213 的厚度215的至少大約2倍，光耦合材料213的厚度215的至少大約5倍，或光耦合材料 213的厚度215的至少大約8倍。在另一實施例中，離開一個特定的閃爍構件201，203或 205并進入光耦合材料213的光子的平均自由程可不大于光耦合材料213的厚度215的大 約15倍，不大于光耦合材料213的厚度215的大約11倍，或不大于光耦合材料213的厚度 215的大約9倍。在另一實施例中，在光耦合材料213中行進的光子的平均自由程可用于確 定閃爍構件201，203和205中的一個或多個之間的距離、光電傳感器207, 209和211中的 一個或多個之間的距離、光電傳感器與閃爍構件的比例、隔板219, 221，225或227中的一個 或多個的寬度，或它們的任意組合。
[0034] 盡管圖2的示例性實施例顯示閃爍器件201，203和205中的每一個與各自的光電 傳感器207, 209或211對齊，但在另一實施例中，光電傳感器207, 209和211中的一個或多 個可由更少的光電傳感器代替。在一個特定實施例中，離開多個閃爍器件201，203和205 的光子可由單個光電傳感器感應。
[0035] 圖3包括根據特定實施例的制造具有染色的光耦合材料的輻射檢測裝置的方法 的圖示。在圖3的示例性實施例中，閃爍構件301發射閃爍光。在一個實施例中，閃爍構件 301可為圖1的閃爍器件105的閃爍構件、圖2的閃爍構件201，203或205中的一者，或另 一閃爍構件。
[0036] 在303處可確定一個特定的染料，其具有對應于由閃爍構件301發射的閃爍光的 波長的光譜的波長的顏色。在一個實施例中，特定的染料選自多種染料305,307和309。在 圖3的示例性實施例中，選擇染料307,因為染料307具有大致對應于閃爍構件301的閃爍 光的光譜的至少一個波長的顏色。在另一實施例中，染料307可具有對應的a*坐標和對應 的b*坐標。染料307也可具有大于0的對應的L*坐標。在其他實施例中，可組合一種或 多種染料以具有對應于閃爍構件301的閃爍光的波長的光譜的至少一個波長的顏色。在包 括發射具有不同的波長光譜的閃爍光的不同的閃爍構件的另一實施例中，可選擇具有不同 顏色的不同的染料，其中不同顏色可大致對應于不同的閃爍構件的閃爍光的波長的光譜的 至少一個波長。
[0037] 光耦合材料311可在313處染色。例如，光耦合材料311可用染料307染色。使 用染料307染色光耦合材料311可改變光耦合材料311的對應的a*坐標、光耦合材料311 的對應的b*坐標、光稱合材料311的對應的L*坐標，或它們的任意組合。在一個實施例 中，光稱合材料311中的染料307的濃度可為至少大約8mg/L,至少大約35mg/L,或至少大 約70mg/L。在另一實施例中，光耦合材料311中的染料307的濃度可不大于大約190mg/L， 不大于大約155mg/L，或不大于大約90mg/L。
[0038] 在一個實施例中，在被染色之后，光耦合材料311可能夠吸收偏離由閃爍構件301 發射的閃爍光的波長的光譜內的任意波長在大約75nm內的至少一個波長。可隨后在317處 將光稱合材料311分配于光電傳感器315的表面上，或者在319處將光稱合材料311分配 于閃爍構件301的表面上。在321處，將閃爍構件301、光稱合材料311和光電傳感器315 的表面聯接至彼此。以此方式，閃爍構件301可通過設置于閃爍構件301與光電傳感器315 之間的光耦合材料311光聯接至光電傳感器315。在一個特定實施例中，光電傳感器315可 感應光波長的特定范圍，且可選擇閃爍構件301，使得由光電傳感器315感應的光波長的特 定范圍包括由閃爍構件301發射的閃爍光的波長的光譜的波長的至少一部分。
[0039] 盡管圖3的不例性實施例顯不了在將光稱合材料311分配于光電傳感器315的表 面上或閃爍構件301的表面上之前將光耦合材料311染色，但在另一實施例中，可在將光耦 合材料311設置于閃爍構件301的表面上或光電傳感器315的表面上之后將光稱合材料 311染色。在另一實施例中，可在將閃爍構件301、光耦合材料311和光電傳感器315聯接 至彼此之后將光耦合材料311染色。
[0040] 實施例可根據如下所列的項目中的任意一個或多個。
[0041] 項目1. 一種輻射檢測裝置可包括第一閃爍構件和第二閃爍構件，以及與所述第 一閃爍構件和第二閃爍構件的側面的基本上全部相鄰設置的光耦合材料，所述第一閃爍構 件和第二閃爍構件發射具有波長的光譜的閃爍光，所述光耦合材料能夠吸收偏離所述波長 的光譜內的任意波長在大約75nm內的輻射的特定波長。
[0042] 項目2.根據項目1所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的組成包含染料。
[0043] 項目3.根據項目2所述的輻射檢測裝置，其中所述染料具有對應于所述波長的光 譜內的波長的顏色。
[0044] 項目4. 一種輻射檢測裝置可包括第一閃爍構件、第二閃爍構件和與所述第一閃 爍構件和第二閃爍構件的側面的基本上全部相鄰設置的光耦合材料，所述光耦合材料具有 對應的非零a*坐標和對應的非零b*坐標。
[0045] 項目5.根據項目4所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料具有包括對應的a* 坐標和對應的b*坐標的染料。
[0046] 項目6.根據項目5所述的輻射檢測裝置，其中所述染料具有大于0的對應的L* 坐標。
[0047] 項目7.根據項目4或5所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的對應的a* 坐標不大于大約18,不大于大約5,或不大于大約-15。
[0048] 項目8.根據項目4、5或7所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的對應的a* 坐標為至少大約-70,至少大約-40,或至少大約-5。
[0049] 項目9.根據項目4、5、7和8中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料 的對應的b*坐標不大于大約45,不大于大約20,或不大于大約5。
[0050] 項目10.根據項目4、5和7至9中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合 材料的對應的b*坐標為至少大約-25,至少大約-10,或至少大約15。
[0051] 項目11.根據項目1至10中任一項所述的輻射檢測裝置，其還包括光聯接至所述 第一閃爍構件的光電傳感器，且其中所述光耦合材料設置于所述光電傳感器與所述第一閃 爍構件之間。
[0052] 項目12.根據項目11所述的輻射檢測裝置，其中所述光電傳感器包括光電二極 管、PIN硅二極管、光電倍增管、硅光電倍增管、雪崩光電二極管、混合型光電倍增管，或它們 的任意組合。
[0053] 項目13.根據項目11或12所述的輻射檢測裝置，其中所述第二閃爍構件光聯接 至所述光電傳感器。
[0054] 項目14.根據項目13所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料設置于所述第二 閃爍構件與所述光電傳感器之間。
[0055] 項目15.根據項目11至14中任一項所述的輻射檢測裝置，其中閃爍構件的數量 與光電傳感器的數量的比例為至少大約1 : 1，至少大約2 : 1，或至少大約4 : 1。
[0056] 項目16.根據項目11至15中任一項所述的輻射檢測裝置，其中由至少一個其他 光電傳感器感應的離開所述第一閃爍構件并進入所述光耦合材料中的光子的百分比不大 于大約32 %，不大于大約26 %，或不大于大約18 %。
[0057] 項目17.根據項目16所述的輻射檢測裝置，其中離開所述第一閃爍構件并進入所 述光耦合材料的光子的平均自由程為所述光耦合材料的厚度的至少大約1倍，所述光耦合 材料的厚度的至少大約4倍，或所述光耦合材料的厚度的至少大約8倍。
[0058] 項目18.根據項目16或17所述的輻射檢測裝置，其中離開所述第一閃爍構件并 進入所述光耦合材料的光子的平均自由程不大于所述光耦合材料的厚度的大約15倍，不 大于所述光耦合材料的厚度的大約11倍，或不大于所述光耦合材料的厚度的大約9倍。
[0059] 項目19.根據項目16至18中任一項所述的輻射檢測裝置，其中在所述第一閃爍 構件和所述光耦合材料的厚度的大約4倍的外圍區域內感應的離開所述第一閃爍構件的 光子的百分比為至少大約85%，至少大約87%，或至少大約92%。
[0060] 項目20.根據項目16至19中任一項所述的輻射檢測裝置，其中在所述第一閃爍 構件和所述光耦合材料的厚度的大約4倍的外圍區域內感應的離開所述第一閃爍構件的 光子的百分比不大于大約98%，不大于大約94%，或不大于大約91%。
[0061] 項目21.根據項目11至20中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料 直接接觸所述第一閃爍構件的表面，并直接接觸所述光電傳感器的表面。
[0062] 項目22.根據項目11至21中任一項所述的輻射檢測裝置，其中基本上無空穴設 置于所述第一閃爍構件與所述光電傳感器之間。
[0063] 項目23.根據項目1至3中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料包 括窗口。
[0064] 項目24.根據項目23所述的輻射檢測裝置，其中所述窗口能夠吸收偏離上述波長 的光譜內的任意波長在大約75nm內的輻射的特定波長。
[0065] 項目25.根據項目11至22中任一項所述的輻射檢測裝置，其還包括設置于所述 第一閃爍構件與所述光電傳感器之間的窗口。
[0066] 項目26.根據項目25所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的第一層設置于 所述窗口與所述第一閃爍構件之間，且所述光耦合材料的第二層設置于所述窗口與所述光 電傳感器之間。
[0067] 項目27.根據項目23至26中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述窗口包括石 英或藍寶石。
[0068] 項目28.根據項目23至27中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述窗口包含金 屬氧化物、金屬硫化物、金屬碳化物，或它們的任意組合。
[0069] 項目29.根據前述項目中的任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述第一閃爍構件 和第二閃爍構件沿著基本上共同的平面設置。
[0070] 項目30.根據前述項目中的任一項所述的輻射檢測裝置，對應于所述第一閃爍構 件、第二閃爍構件或上述兩者的間距在大約〇. 3mm至大約9mm的范圍內，和對應于所述第一 閃爍構件、第二閃爍構件或上述兩者的長度在大約〇. 8mm至大約50mm的范圍內。
[0071] 項目31.根據前述項目中的任一項所述的輻射檢測裝置，其中光子經由與所述光 耦合材料相鄰的第一閃爍構件的一個特定側面離開所述第一閃爍構件，且所述輻射檢測裝 置還包括與所述第一閃爍構件的一個或多個另外的側面相鄰的反射器。
[0072] 項目32.根據前述項目中的任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述第一閃爍構件 的一個特定表面為基本上平滑的，所述第一閃爍構件的特定表面與所述光耦合材料相鄰。
[0073] 項目33.根據項目32所述的輻射檢測裝置，其中所述特定表面具有不大于大約 0. 50微米，不大于大約0. 025微米，或不大于大約0. 0060微米的Ra值。
[0074] 項目34.根據項目32或33所述的輻射檢測裝置，其中所述特定表面基本上沿著 所述第一閃爍構件的解理面設置。
[0075] 項目35.根據項目1至31中的任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述第一閃爍構 件的一個特定表面為粗糙的，所述特定表面與所述光耦合材料相鄰。
[0076] 項目36.根據項目35所述的輻射檢測裝置，其中所述特定表面具有至少大約1. 75 微米，至少大約1. 10微米，或至少大約0. 65微米的Ra值。
[0077] 項目37.根據項目11至15和21中任一項所述的輻射檢測裝置，其還包括光聯接 至所述第二閃爍構件的不同的光電傳感器。
[0078] 項目38.根據項目37所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料設置于所述第二 閃爍構件與所述不同的光電傳感器之間。
[0079] 項目39.根據前述項目中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述輻射檢測裝置包 括醫學成像裝置、測井裝置，或安全檢查裝置。
[0080] 項目40.根據前述項目中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料包含 有機聚合物。
[0081] 項目41.根據項目40所述的輻射檢測裝置，其中所述有機聚合物包括硅橡膠、環 氧樹脂、塑料，或它們的任意組合。
[0082] 項目42. -種輻射檢測裝置可包括閃爍構件、光電傳感器和光耦合材料，所述閃 爍構件發射具有波長的光譜的閃爍光，所述光電傳感器光聯接至所述閃爍構件，所述光耦 合材料設置于所述閃爍構件與所述光電傳感器之間，并能夠吸收偏離波長的光譜內的任意 波長在大約75nm內的輻射的特定波長。
[0083] 項目43.根據前述項目中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料具有 基本上均勻的厚度。
[0084] 項目44.根據項目43所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的厚度在大約45 微米至大約2毫米的范圍內。
[0085] 項目45.根據前述項目中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料具有 基本上均勻的組成。
[0086] 項目46. -種方法可包括將光耦合材料分配于閃爍構件的表面上，以及將所述閃 爍構件的表面和光電傳感器的表面聯接至彼此，所述光耦合材料能夠吸收偏離所述閃爍構 件的閃爍光的波長的光譜內的任意波長在大約75nm內的輻射的特定波長。
[0087] 項目47. -種方法可包括將光耦合材料分配于閃爍構件的表面上，以及將所述閃 爍構件的表面和光電傳感器的表面聯接至彼此，所述光耦合材料包括具有對應的非零a* 坐標和對應的非零b*坐標的染料。
[0088] 項目48.根據項目46或47所述的方法，其中在將所述光耦合材料分配于所述閃 爍構件的表面上之后，將所述閃爍構件的表面與所述光電傳感器聯接。
[0089] 項目49. 一種方法可包括將光稱合材料分配于光電傳感器的表面上，以及將所述 光電傳感器的表面和閃爍構件的表面聯接至彼此，所述光耦合材料能夠吸收偏離所述閃爍 構件的閃爍光的波長的光譜內的任意波長在大約75nm內的輻射的特定波長。
[0090] 項目50. -種方法可包括將光稱合材料分配于光電傳感器的表面上，以及將所述 光電傳感器的表面和閃爍構件的表面聯接至彼此，所述光耦合材料包括具有對應的非零a* 坐標和對應的非零b*坐標的染料。
[0091] 項目51.根據前述項目中的任一項所述的輻射檢測裝置或方法，其中：
[0092] 特定閃爍構件的閃爍光具有對應的a*坐標a#和對應的b*坐標b# ;
[0093] 所述光稱合材料具有對應的a*坐標a2*和對應的b*坐標b2* ;
[0094] 〇! = | I ；
[0095] D2 = ;且
[0096] 如下的任意者：
[0097] Di具有不大于大約18,不大于大約12,或不大于大約7的值；
[0098] D2具有不大于大約12,不大于大約8,或不大于大約4的值；或
[0099] Di和D2中的每一個具有不大于大約16,不大于大約6,或不大于大約3的值。
[0100] 項目52. -種方法可包括確定染料、使用所述染料染色光耦合材料，以及沿著特 定閃爍構件的側面設置所述光耦合材料，所述染料具有大致對應于所述特定閃爍構件的閃 爍光的波長的光譜內的特定波長的顏色。
[0101] 項目53.根據項目52所述的方法，其還包括選擇不同的染料，以及使用所述不同 的染料染色另外的光耦合材料，所述不同的染料具有大致對應于另外的閃爍構件的閃爍光 的不同光譜內的波長的不同顏色。
[0102] 項目54.根據項目52或53所述的方法，其中將所述光耦合材料染色改變了所述 光奉禹合材料的對應的a*坐標、所述光稱合材料的對應的b*坐標,或上述兩者。
[0103] 項目55.根據項目52至54中任一項所述的方法，其還包括在將所述光耦合材料 染色之后，將所述光耦合材料的層設置于所述特定閃爍構件與光電傳感器之間。
[0104] 項目56.根據項目55所述的方法，其中所述光電傳感器感應光的波長的特定范 圍，且所述方法還包括選擇所述特定閃爍構件，使得由所述光電傳感器感應的光的波長的 特定范圍包括所述光譜內的特定波長。
[0105] 項目57.根據項目47、48、50和52至56中任一項所述的方法，其中所述光耦合材 料中的染料的濃度為至少大約8mg/L，至少大約35mg/L，或至少大約70mg/L。
[0106] 項目58.根據項目47、48、50和52至57中任一項所述的方法，其中所述光耦合材 料中的染料的濃度不大于大約190mg/L，不大于大約155mg/L，或不大于大約90mg/L。
[0107] 項目59.根據項目47、48、50和52至58中任一項所述的方法，其中所述染料包括 有機化合物或無機化合物。
[0108] 項目60.根據項目59所述的輻射檢測裝置或方法，其中所述染料包括芳族有機化 合物。
[0109] 項目61.根據項目1至3、42、46、49和52至56中任一項所述的輻射檢測裝置或 方法，其中所述閃爍光的波長的光譜在大約250nm至大約600nm的范圍內。
[0110] 項目62.根據前述項目中任一項所述的輻射檢測裝置或方法，其中各自的閃爍構 件包含金屬齒化物、金屬氧化物或金屬硅酸鹽。
[0111] 應注意，不需要如上在一般性描述或實例中所述的所有活動，可能不需要具體活 動的一部分，以及除了所述的那些之外可進行一種或多種另外的活動。此外，活動列出的順 序并不必需是進行活動的順序。
[0112] 為了清晰，在分開的實施例的情況下在本文描述的某些特征也可在單個實施例中 組合提供。相反，為了簡便，在單個實施例中描述的各種特征也可分開地或在任何亞組合中 提供。此外，對范圍中所述的值的引用包括在該范圍內的每一個值。
[0113] 益處、其他優點和問題的解決方法已關于具體實施例如上進行描述。然而，益處、 優點、問題的解決方法和可能使任何益處、優點或解決方法出現或變得更明顯的任何特征 不應被解釋為任何權利要求或所有權利要求的關鍵、所需或必要特征。
[0114] 本文描述的實施例的詳述和顯示旨在提供對各個實施例的結構的一般理解。詳述 和顯示不旨在充當使用本文所述的結構或方法的裝置和系統的全部元件和特征的窮舉全 面的描述。分開的實施例也可在單個實施例中組合提供，相反，為了簡明而在單個實施例的 情況下描述的各個特征也可分開提供或以任何亞組合提供。此外，對范圍中所述的值的引 用包括在該范圍內的每一個值。僅在閱讀本說明書之后，許多其他實施例對于本領域技術 人員而言是顯而易見的。其他實施例可使用并衍生自本公開，從而可在不偏離本公開的范 圍的情況下進行結構替換、邏輯替換或另一改變。因此，本公開應被視為示例性的而非限制 性的。
【權利要求】
1. 一種輻射檢測裝置，其包括： 第一閃爍構件和第二閃爍構件，所述第一閃爍構件和第二閃爍構件發射具有波長的光 譜的閃爍光；和 與所述第一閃爍構件和第二閃爍構件的側面的基本上全部相鄰設置的光耦合材料，所 述光耦合材料能夠吸收偏離所述波長的光譜內的任意波長在大約75nm內的輻射的特定波 長。
2. 根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的組成包含染料。
3. 根據權利要求2所述的輻射檢測裝置，其中所述染料具有對應于所述波長的光譜內 的波長的顏色。
4. 一種輻射檢測裝置，其包括： 第一閃爍構件和第二閃爍構件；和 與所述第一閃爍構件和第二閃爍構件的側面的基本上全部相鄰設置的光耦合材料，所 述光耦合材料具有對應的非零a*坐標和對應的非零b*坐標。
5. 根據權利要求4所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料具有包括對應的a*坐標 和對應的b*坐標的染料。
6. 根據權利要求5所述的輻射檢測裝置，其中所述染料具有大于0的對應的L*坐標。
7. 根據權利要求4或5所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的對應的a*坐標不 大于大約18,不大于大約5,或不大于大約-15。
8. 根據權利要求4、5或7所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的對應的a*坐標 為至少大約-70,至少大約-40,或至少大約-5。
9. 根據權利要求4、5、7和8中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的對 應的b*坐標不大于大約45,不大于大約20,或不大于大約5。
10. 根據權利要求4、5和7至9中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的 對應的b*坐標為至少大約-25,至少大約-10,或至少大約15。
11. 根據權利要求1至10中任一項所述的輻射檢測裝置，其還包括光聯接至所述第一 閃爍構件的光電傳感器，且其中所述光耦合材料設置于所述光電傳感器與所述第一閃爍構 件之間。
12. 根據權利要求11所述的輻射檢測裝置，其中所述光電傳感器包括光電二極管、PIN 硅二極管、光電倍增管、硅光電倍增管、雪崩光電二極管、混合型光電倍增管，或它們的任意 組合。
13. 根據權利要求11或12所述的輻射檢測裝置，其中所述第二閃爍構件光聯接至所述 光電傳感器。
14. 根據權利要求13所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料設置于所述第二閃爍 構件與所述光電傳感器之間。
15. 根據權利要求11至14中任一項所述的輻射檢測裝置，其中閃爍構件的數量與光電 傳感器的數量的比例為至少大約1 : 1，至少大約2 : 1，或至少大約4 : 1。
16. 根據權利要求11至15中任一項所述的輻射檢測裝置，其中由至少一個其他光電傳 感器感應的離開所述第一閃爍構件并進入所述光耦合材料中的光子的百分比不大于大約 32 %，不大于大約26 %，或不大于大約18 %。
17. 根據權利要求16所述的輻射檢測裝置，其中離開所述第一閃爍構件并進入所述光 耦合材料的光子的平均自由程為所述光耦合材料的厚度的至少大約1倍，所述光耦合材料 的厚度的至少大約4倍，或所述光耦合材料的厚度的至少大約8倍。
18. 根據權利要求16或17所述的輻射檢測裝置，其中離開所述第一閃爍構件并進入所 述光耦合材料的光子的平均自由程不大于所述光耦合材料的厚度的大約15倍，不大于所 述光耦合材料的厚度的大約11倍，或不大于所述光耦合材料的厚度的大約9倍。
19. 根據權利要求16至18中任一項所述的輻射檢測裝置，其中在所述第一閃爍構件和 所述光耦合材料的厚度的大約4倍的外圍區域內感應的離開所述第一閃爍構件的光子的 百分比為至少大約85 %，至少大約87 %，或至少大約92 %。
20. 根據權利要求16至19中任一項所述的輻射檢測裝置，其中在所述第一閃爍構件和 所述光耦合材料的厚度的大約4倍的外圍區域內感應的離開所述第一閃爍構件的光子的 百分比不大于大約98%，不大于大約94%，或不大于大約91%。
21. 根據權利要求11至20中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料直接接 觸所述第一閃爍構件的表面，并直接接觸所述光電傳感器的表面。
22. 根據權利要求11至21中任一項所述的輻射檢測裝置，其中基本上無空穴設置于所 述第一閃爍構件與所述光電傳感器之間。
23. 根據權利要求1至3中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料包括窗 □。
24. 根據權利要求23所述的輻射檢測裝置，其中所述窗口能夠吸收偏離上述波長的光 譜內的任意波長在大約75nm內的輻射的特定波長。
25. 根據權利要求11至22中任一項所述的輻射檢測裝置，還包括設置于所述第一閃爍 構件與所述光電傳感器之間的窗口。
26. 根據權利要求25所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的第一層設置于所述 窗口與所述第一閃爍構件之間，且所述光耦合材料的第二層設置于所述窗口與所述光電傳 感器之間。
27. 根據權利要求23至26中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述窗口包括石英或藍 寶石。
28. 根據權利要求23至27中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述窗口包含金屬氧化 物、金屬硫化物、金屬碳化物，或它們的任意組合。
29. 根據前述權利要求中的任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述第一閃爍構件和第 二閃爍構件沿著基本上共同的平面設置。
30. 根據前述權利要求中的任一項所述的輻射檢測裝置，其中對應于所述第一閃爍構 件、第二閃爍構件或上述兩者的間距在大約〇. 3mm至大約9mm的范圍內，和對應于所述第一 閃爍構件、第二閃爍構件或上述兩者的長度在大約〇. 8mm至大約50mm的范圍內。
31. 根據前述權利要求中的任一項所述的輻射檢測裝置，其中光子經由與所述光耦合 材料相鄰的第一閃爍構件的一個特定側面離開所述第一閃爍構件，且所述輻射檢測裝置還 包括與所述第一閃爍構件的一個或多個另外的側面相鄰的反射器。
32. 根據前述權利要求中的任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述第一閃爍構件的一 個特定表面為基本上平滑的，所述第一閃爍構件的特定表面與所述光耦合材料相鄰。
33. 根據權利要求32所述的輻射檢測裝置，其中所述特定表面具有不大于大約0. 50微 米，不大于大約〇. 025微米，或不大于大約0. 0060微米的Ra值。
34. 根據權利要求32或33所述的輻射檢測裝置，其中所述特定表面基本上沿著所述第 一閃爍構件的解理面設置。
35. 根據權利要求1至31中的任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述第一閃爍構件的 一個特定表面為粗糙的，所述特定表面與所述光耦合材料相鄰。
36. 根據權利要求35所述的輻射檢測裝置，其中所述特定表面具有至少大約1. 75微 米，至少大約1. 10微米，或至少大約0. 65微米的Ra值。
37. 根據權利要求11至15和21中任一項所述的輻射檢測裝置，其還包括光聯接至所 述第二閃爍構件的不同的光電傳感器。
38. 根據權利要求37所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料設置于所述第二閃爍 構件與所述不同的光電傳感器之間。
39. 根據前述權利要求中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述輻射檢測裝置包括醫 學成像裝置、測井裝置，或安全檢查裝置。
40. 根據前述權利要求中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料包含有機 聚合物。
41. 根據權利要求40所述的輻射檢測裝置，其中所述有機聚合物包括硅橡膠、環氧樹 月旨、塑料，或它們的任意組合。
42. -種輻射檢測裝置，其包括： 閃爍構件，所述閃爍構件發射具有波長的光譜的閃爍光； 光電傳感器，所述光電傳感器光聯接至所述閃爍構件；和 光耦合材料，所述光耦合材料設置于所述閃爍構件與所述光電傳感器之間，并能夠吸 收偏離所述波長的光譜內的任意波長在大約75nm內的輻射的特定波長。
43. 根據前述權利要求中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料具有基本 上均勻的厚度。
44. 根據權利要求43所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料的厚度在大約45微米 至大約2毫米的范圍內。
45. 根據前述權利要求中任一項所述的輻射檢測裝置，其中所述光耦合材料具有基本 上均勻的組成。
46. -種方法，其包括： 將光耦合材料分配于閃爍構件的表面上，所述光耦合材料能夠吸收偏離所述閃爍構件 的閃爍光的波長的光譜內的任意波長在大約75nm內的輻射的特定波長；和 將所述閃爍構件的表面和光電傳感器的表面聯接至彼此。
47. -種方法，其包括： 將光耦合材料分配于閃爍構件的表面上，所述光耦合材料包括具有對應的非零a*坐 標和對應的非零b*坐標的染料；和 將所述閃爍構件的表面和光電傳感器的表面聯接至彼此。
48. 根據權利要求46或47所述的方法，其中在將所述光耦合材料分配于所述閃爍構件 的表面上之后，將所述閃爍構件的表面與所述光電傳感器聯接。
49. 一種方法，其包括： 將光稱合材料分配于光電傳感器的表面上；和 將所述光電傳感器的表面和閃爍構件的表面聯接至彼此，所述光耦合材料能夠吸收偏 離所述閃爍構件的閃爍光的波長的光譜內的任意波長在大約75nm內的輻射的特定波長。
50. -種方法，其包括： 將光稱合材料分配于光電傳感器的表面上；和 將所述光電傳感器的表面和閃爍構件的表面聯接至彼此，所述光耦合材料包括具有對 應的非零a*坐標和對應的非零b*坐標的染料。
51. 根據前述權利要求中的任一項所述的輻射檢測裝置或方法，其中： 特定閃爍構件的閃爍光具有對應的a*坐標a#和對應的b*坐標b# ; 所述光稱合材料具有對應的a*坐標a2*和對應的b*坐標b2* ; Di = I a!*-a2* I ； D2 = I I ;和 如下的任意者： Di具有不大于大約18,不大于大約12,或不大于大約7的值； D2具有不大于大約12,不大于大約8,或不大于大約4的值；或 Di和D2中的每一個具有不大于大約16,不大于大約6,或不大于大約3的值。
52. -種方法，其包括： 確定染料，所述染料具有大致對應于特定閃爍構件的閃爍光的波長的光譜內的特定波 長的顏色； 使用所述染料染色光耦合材料；和 沿著所述特定閃爍構件的側面設置所述光耦合材料。
53. 根據權利要求52所述的方法，其還包括： 選擇不同的染料，所述不同的染料具有大致對應于另外的閃爍構件的閃爍光的不同光 譜內的波長的不同顏色；和 使用所述不同的染料染色另外的光耦合材料。
54. 根據權利要求52或53所述的方法，其中將所述光耦合材料染色改變了所述光耦合 材料的對應的a*坐標、所述光稱合材料的對應的b*坐標,或上述兩者。
55. 根據權利要求52至54中任一項所述的方法，其還包括在將所述光耦合材料染色之 后，將所述光耦合材料的層設置于所述特定閃爍構件與光電傳感器之間。
56. 根據權利要求55所述的方法，其中所述光電傳感器感應光的波長的特定范圍，且 所述方法還包括選擇所述特定閃爍構件，使得由所述光電傳感器感應的光的波長的特定范 圍包括所述光譜內的特定波長。
57. 根據權利要求47、48、50和52至56中任一項所述的方法，其中所述光耦合材料中 的染料的濃度為至少大約8mg/L，至少大約35mg/L，或至少大約70mg/L。
58. 根據權利要求47、48、50和52至57中任一項所述的方法，其中所述光耦合材料中 的染料的濃度不大于大約190mg/L，不大于大約155mg/L，或不大于大約90mg/L。
59. 根據權利要求47、48、50和52至58中任一項所述的方法，其中所述染料包括有機 化合物或無機化合物。
60. 根據權利要求59所述的輻射檢測裝置或方法，其中所述染料包括芳族有機化合 物。
61. 根據權利要求1至3、42、46、49和52至56中任一項所述的輻射檢測裝置或方法， 其中所述閃爍光的波長的光譜在大約250nm至大約600nm的范圍內。
62. 根據前述權利要求中任一項所述的輻射檢測裝置或方法，其中各自的閃爍構件包 含金屬齒化物、金屬氧化物或金屬硅酸鹽。
【文檔編號】G01T1/20GK104115029SQ201280069799
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2012年12月17日 優先權日:2011年12月30日
【發明者】P·R·蒙格 申請人:圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司