專利名稱：一種直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及高壓輸變電工程電磁兼容技術(shù)領(lǐng)域，具體地指一種直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置。
背景技術(shù)：
近年來我國直流輸電線路建設(shè)快速發(fā)展，直流輸電線路周圍的電磁環(huán)境問題愈來愈引起人們的關(guān)注。直流合成場是直流輸電線路和變電站的主要電磁環(huán)境參數(shù)，隨著我國對超高壓輸變電工程環(huán)境影響評價工作的開展，對直流合成場的監(jiān)測已成為一項重要工作，實現(xiàn)這些測量的手段是靠合成場強測量儀來完成的。直流輸電線路的合成場是導(dǎo)線上電壓產(chǎn)生的靜電場與空間電荷產(chǎn)生的電場的矢量和，而目前國內(nèi)一般用靜電場對直流合成場測量儀進(jìn)行校準(zhǔn)，與實際輸電線路直流合成場的特點不符，存在一定的誤差，因此設(shè)計和研制直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置十分迫切和必要。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的就是要提供一種直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，使用該裝置能消除直流合成場測量儀的測量誤差。為實現(xiàn)此目的，本實用新型所設(shè)計的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，它包括由下至上依次布置的直流場接地極、直流場高壓極、控制極和離子流極、設(shè)置在直流場接地極中部的校準(zhǔn)孔、設(shè)置在校準(zhǔn)孔下方的支持平臺，其中，所述直流場接地極和直流場高壓極之間設(shè)有第一絕緣支柱，直流場高壓極和控制極之間設(shè)有第二絕緣支柱，控制極和離子流極之間設(shè)有第三絕緣支柱，所述直流場接地極上還設(shè)有多個與直流場接地極絕緣的離子流接受板。所述直流場接地極和直流場高壓極之間形成校準(zhǔn)區(qū)，直流場高壓極和控制極之間形成注入?yún)^(qū)，控制極和離子流極之間形成電荷產(chǎn)生區(qū)。所述直流場接地極和直流場高壓極之間的間距為15cm 30cm，直流場高壓極和控制極之間的距離為IOcm 20cm,控制極和離子流極之間的距離為IOcm 20cm。所述直流場接地極為導(dǎo)電金屬板，所述直流場高壓極和控制極均為導(dǎo)電金屬網(wǎng)，離子流極為導(dǎo)電金屬絲。所述校準(zhǔn)孔有兩個，一個為正方形校準(zhǔn)孔，另一個為圓形校準(zhǔn)孔。所述離子流接受板為銅板，所述離子流接受板嵌入直流場接地極，使得離子流接受板與直流場接地極位于同一平面。所述離子流接受板通過環(huán)氧樹脂板與直流場接地極絕緣連接。所述離子流接受板到直流場接地極邊緣的間距大于直流場接地極與直流場高壓極之間的間距。所述離子流接受板與直流場接地極之間連接有電流表。所述支持平臺為絕緣支持平臺。[0014]本實用新型在直流場接地極與高壓極間施加直流電源時產(chǎn)生的電場即為靜電場，控制極與離子流極相當(dāng)于電暈籠，當(dāng)二者電位差達(dá)到離子流極起暈時，離子流極產(chǎn)生的空間電荷在電場的作用下穿過控制極和直流場高壓極達(dá)到校準(zhǔn)區(qū)，在直流場接地極上表面就可得到由靜電場和空間電荷場疊加而成的直流合成場，該直流合成場可用于合成場測量儀的校準(zhǔn)。通過校準(zhǔn)后能消除直流合成場測量儀的測量誤差。
圖1為本實用新型的使用狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型中直流場接地極的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型中離子流極的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，I一直流場接地極、2—直流場高壓極、3—控制極、4一離子流極、5—校準(zhǔn)孔、6一第一絕緣支柱、7—第二絕緣支柱、8—第二絕緣支柱、9一尚子流接受:板、10一環(huán)氧樹脂板、11 一電流表、12 一合成場測量儀、13 一支持平臺、14 一鎮(zhèn)烙絲。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明:圖中I和2所示的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，它包括由下至上依次布置的直流場接地極1、直流場高壓極2、控制極3和離子流極4、設(shè)置在直流場接地極I中部的校準(zhǔn)孔5、設(shè)置在校準(zhǔn)孔5下方的支持平臺13，其中，直流場接地極I和直流場高壓極2之間設(shè)有第一絕緣支柱6，直流場高壓極2和控制極3之間設(shè)有第二絕緣支柱7，控制極3和離子流極4之間設(shè)有第三絕緣支柱8，直流場接地極I上還設(shè)有多個與直流場接地極I絕緣的離子流接受板9。上述第一絕緣支柱6、第二絕緣支柱7和第三絕緣支柱8均為絕緣有機玻璃棒。 上述技術(shù)方案中，直流場接地極I和直流場高壓極2之間形成校準(zhǔn)區(qū)，直流場高壓極2和控制極3之間形成注入?yún)^(qū)，控制極3和離子流極4之間形成電荷產(chǎn)生區(qū)。上述技術(shù)方案中，直流場接地極I和直流場高壓極2之間的間距為15cm 30cm，直流場高壓極2和控制極3之間的距離為IOcm 20cm，控制極3和離子流極4之間的距離為 IOcm 20cm。上述技術(shù)方案中，直流場接地極I為導(dǎo)電金屬板優(yōu)選為3mm厚的正方形鋁板，直流場高壓極2和控制極3均為導(dǎo)電金屬網(wǎng)，離子流極4為導(dǎo)電金屬絲。上述導(dǎo)電金屬板為四邊形或圓形，為四邊形時的邊長應(yīng)大于lm，為圓形時的直徑應(yīng)大于lm。直流場接地極1、直流場高壓極2和控制極3的形狀、大小相同。另外，直流場高壓極2為16目的正方形不銹鋼絲網(wǎng)邊長為1400mm。上述技術(shù)方案中，校準(zhǔn)孔5有兩個，一個為正方形校準(zhǔn)孔，另一個為圓形校準(zhǔn)孔。其中正方形校準(zhǔn)孔邊長為72mm,圓形校準(zhǔn)孔直徑為65mm,上述兩個校準(zhǔn)孔5與被校準(zhǔn)的合成場測量儀12形狀和大小相同，校準(zhǔn)時合成場測量儀12放置在直流場接地極I下面木質(zhì)支撐平臺上，合成場測量儀12的動片孔與校準(zhǔn)孔5對齊。上述技術(shù)方案中，離子流接受板9為銅板，所述離子流接受板9嵌入直流場接地極I，使得離子流接受板9與直流場接地極I位于同一平面。[0026]上述技術(shù)方案中，離子流接受板9通過環(huán)氧樹脂板10與直流場接地極I絕緣連接。上述技術(shù)方案中，離子流接受板9到直流場接地極I邊緣的間距大于直流場接地極I與直流場高壓極2之間的間距。以便監(jiān)測校準(zhǔn)區(qū)離子流大小。在合成場校準(zhǔn)孔周圍開孔安裝8個離子流接受板9,接受板為50 X 80mm的長方形2mm厚的銅板,接受板周圍用2mm厚的環(huán)氧樹脂板10與直流場接地極I絕緣，并保持兩者上平面平齊，離子流接受板距9離直流場接地極I邊沿25cm，校準(zhǔn)時用以監(jiān)測校準(zhǔn)區(qū)離子流大小。上述技術(shù)方案中，離子流接受板9與直流場接地極I之間連接有電流表11。在直流場接地極I與直流場高壓極2之間施加直流電源時產(chǎn)生的電場即為靜電場。上述電流表11測量離子流，用于計算標(biāo)準(zhǔn)合成場。上述技術(shù)方案中，支持平臺13為絕緣支持平臺，優(yōu)選木質(zhì)支撐平臺。上述技術(shù)方案中，離子流極4為由多根直徑為0.02mm的鎳?yán)咏z14等間距平行安裝在離子流極角鋼邊框上形成，每根鎳?yán)咏z的間距為50mm，控制極3與離子流極4相當(dāng)于電暈籠，當(dāng)二者電位差達(dá)到離子流極起暈時，離子流極4產(chǎn)生的空間電荷在電場的作用下穿過控制極3和直流場高壓極2達(dá)到校準(zhǔn)區(qū)，在直流場接地極I上表面就可產(chǎn)生由靜電場和空間電荷場疊加而成的直流合成場，利用該直流合成場可以準(zhǔn)確的檢測合成場測量儀12的測量精度，并對合成場測量儀12進(jìn)行校準(zhǔn)。說明書未作詳細(xì)描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
權(quán)利要求1.一種直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:它包括由下至上依次布置的直流場接地極(I)、直流場高壓極(2)、控制極(3)和離子流極(4)、設(shè)置在直流場接地極(I)中部的校準(zhǔn)孔(5)、設(shè)置在校準(zhǔn)孔(5)下方的支持平臺(13)，其中，所述直流場接地極(I)和直流場高壓極(2)之間設(shè)有第一絕緣支柱(6)，直流場高壓極(2)和控制極(3)之間設(shè)有第二絕緣支柱(7)，控制極(3)和離子流極(4)之間設(shè)有第三絕緣支柱(8)，所述直流場接地極(I)上還設(shè)有多個與直流場接地極(I)絕緣的離子流接受板(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:所述直流場接地極(I)和直流場高壓極(2)之間形成校準(zhǔn)區(qū)，直流場高壓極(2)和控制極(3)之間形成注入?yún)^(qū)，控制極(3)和離子流極(4)之間形成電荷產(chǎn)生區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:所述直流場接地極(I)和直流場高壓極(2)之間的間距為15cm 30cm，直流場高壓極(2)和控制極(3)之間的距離為IOcm 20cm，控制極(3)和離子流極(4)之間的距離為IOcm 20cm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:所述直流場接地極(I)為導(dǎo)電金屬板，所述直流場高壓極(2)和控制極(3)均為導(dǎo)電金屬網(wǎng)，離子流極(4)為導(dǎo)電金屬絲。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:所述校準(zhǔn)孔(5)有兩個，一個為正方形校準(zhǔn)孔，另一個為圓形校準(zhǔn)孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:所述離子流接受板(9 )為銅板，所述離子流接受板(9 )嵌入直流場接地極(I )，使得離子流接受板(9 )與直流場接地極(I)位于同一平面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:所述離子流接受板(9 )通過環(huán)氧樹脂板(10 )與直流場接地極(I)絕緣連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:所述離子流接受板(9 )到直流場接地極(I)邊緣的間距大于直流場接地極(I)與直流場高壓極(2 )之間的間距。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:所述離子流接受板(9 )與直流場接地極(I)之間連接有電流表(11)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，其特征在于:所述支持平臺(13)為絕緣支持平臺。
專利摘要本實用新型所設(shè)計的一種直流合成場測量儀的校準(zhǔn)裝置，它包括由下至上依次布置的直流場接地極、直流場高壓極、控制極和離子流極、設(shè)置在直流場接地極中部的校準(zhǔn)孔、設(shè)置在校準(zhǔn)孔下方的支持平臺，直流場接地極和直流場高壓極之間設(shè)有第一絕緣支柱，直流場高壓極和控制極之間設(shè)有第二絕緣支柱，控制極和離子流極之間設(shè)有第三絕緣支柱，直流場接地極上還設(shè)有多個與直流場接地極絕緣的離子流接受板。本實用新型在直流場接地極上表面可形成由靜電場和空間電荷場疊加而成的直流合成場，該直流合成場可用于合成場測量儀的校準(zhǔn)。通過校準(zhǔn)后能消除直流合成場測量儀的測量誤差。
文檔編號G01R35/00GK202948122SQ20122069546
公開日2013年5月22日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者張建功, 張業(yè)茂, 鄔雄, 謝輝春, 干喆淵, 劉興發(fā), 趙軍, 張澤平 申請人:中國電力科學(xué)研究院, 國家電網(wǎng)公司