專利名稱：一種高精度角位移傳感器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種角位移傳感器結構。
背景技術：
角位移傳感器的原理是通過磁鋼的轉動導致磁場的變化，通過霍爾元件感應磁場的變化，得到相應的磁通變化信號，將磁通信號發送給集成芯片，進而由集成芯片計算角位移的量。由于磁通的變化是連續的，所以在霍爾元件感受磁通變化的時候也都是連續的，需要通過集成芯片計算磁通變化的幅度，所以較為復雜，對集成芯片要求比較高，并且結果存
在誤差率。
實用新型內容本實用新型的目的是提供一種高精度角位移傳感器，解決傳感器的磁鋼的磁場連續變化導致的集成芯片復雜計算的問題。本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現:一種高精度角位移傳感器，包括殼體和位于殼體內部的磁鋼、霍爾元件，所述磁鋼設在殼體的中心，霍爾元件設在磁鋼旋轉而使磁場覆蓋的區域內，還包括屏蔽罩和磁集束器，所述屏蔽罩設在磁鋼的外部，磁集束器設在屏蔽罩的外部，所述屏蔽罩設有缺口，并且所述缺口設在霍爾元件、磁鋼之間，所述磁集束器至少覆蓋所述缺口的外側。由于采用了屏蔽罩，可以將磁鋼的磁場進行有效的屏蔽，只能在磁鋼的磁場正向通過屏蔽罩的缺口時，霍爾元件才能有效感應到磁場的磁通變化，而通過磁集束器可以將磁鋼的磁場信號變得更加明顯，這樣就可以使集成芯片不用做太多的復雜計算即可得到角位移數據。
下面根據附圖和實施例對本實用新型作進一步詳細說明。圖1是本實用新型實施例所述的高精度角位移傳感器的結構圖。
具體實施方式
如圖1所示，本實用新型實施例所述的高精度角位移傳感器，包括殼體I和位于殼體I內部的磁鋼2、霍爾元件3，所述磁鋼2設在殼體I的中心，霍爾元件3設在磁鋼2旋轉而使磁場覆蓋的區域內，還包括屏蔽罩4和磁集束器5，所述屏蔽罩4設在磁鋼2的外部，磁集束器5設在屏蔽罩4的外部，所述屏蔽罩4設有缺口 6，并且所述缺口 6設在霍爾元件3、磁鋼2之間，所述磁集束器5至少覆蓋所述缺口 6的外側。由于采用了屏蔽罩，可以將磁鋼的磁場進行有效的屏蔽，只能在磁鋼的磁場正向通過屏蔽罩的缺口時，霍爾元件才能有效感應到磁場的磁通變化,而通過磁集束器可以將磁鋼的磁場信號變得更加明顯，這樣就可以使集成芯片不用做太多的復雜計算即可得到角位移數據。
權利要求1.一種高精度角位移傳感器，包括殼體和位于殼體內部的磁鋼、霍爾兀件，所述磁鋼設在殼體的中心，霍爾元件設在磁鋼旋轉而使磁場覆蓋的區域內，其特征在于，還包括屏蔽罩和磁集束器，所述屏蔽罩設在磁鋼的外部，磁集束器設在屏蔽罩的外部，所述屏蔽罩設有缺口，并且所述缺口設在霍爾元件、磁鋼之間，所述磁集束器至少覆蓋所述缺口的外側。
專利摘要本實用新型公開一種高精度角位移傳感器，包括殼體和位于殼體內部的磁鋼、霍爾元件，所述磁鋼設在殼體的中心，霍爾元件設在磁鋼旋轉而使磁場覆蓋的區域內，還包括屏蔽罩和磁集束器，所述屏蔽罩設在磁鋼的外部，磁集束器設在屏蔽罩的外部，所述屏蔽罩設有缺口，并且所述缺口設在霍爾元件、磁鋼之間，所述磁集束器至少覆蓋所述缺口的外側。由于采用了屏蔽罩，可以將磁鋼的磁場進行有效的屏蔽，只能在磁鋼的磁場正向通過屏蔽罩的缺口時，霍爾元件才能有效感應到磁場的磁通變化，而通過磁集束器可以將磁鋼的磁場信號變得更加明顯，這樣就可以使集成芯片不用做太多的復雜計算即可得到角位移數據。
文檔編號G01B7/30GK202947683SQ20122067352
公開日2013年5月22日 申請日期2012年12月10日 優先權日2012年12月10日
發明者阮在連 申請人:揚州瑞毅汽車電子科技有限公司