專利名稱：用于vdmos器件可靠性測試的雙列直插陶瓷底座的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體集成電路的測試技術，特別屬于一種用于VDMOS器件可靠性測試的雙列直插陶瓷底座。
背景技術：
垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管(簡稱VDM0S)的結構如圖1所示，其漏端不是在芯片的頂面，而是從芯片的底部引出，所以在進行可靠性測試封裝的時候引腳必須從芯片的背面引出。為了對VDMOS器件進行可靠性測試(如高溫反向偏壓測試HTRB)，同時還要避免封裝對于產品可靠性的影響，芯片代工廠一般都會將VDMOS器件芯片直接封裝在雙列直插陶瓷底座上進行測試，常用的陶瓷底座包括雙列直插24針(DIP24)。然而，目前市場上的雙列直插陶瓷底座不支持芯片背面引出端，其僅適用于引出端位于芯片正面的結構，如圖2所示為雙列直插陶瓷底座的剖面圖，其中，金屬底板2位于金屬片3圍成的區域中，金屬底板2的每個側面與該側面外側的金屬片3遠離金屬引腳I的一端在垂直方向上對齊，普通芯片5位于陶瓷底座的金屬底板2上，該金屬底板2與金屬引腳I不連接(如圖2中的虛線橢圓)，普通芯片5的引出端連接陶瓷底座的金屬片3，該金屬片3通過金屬片的金屬連線4與金屬引腳I連接。由于VDMOS器件的引出端在底部，因此無法在上述陶瓷底座上封裝并進行HTRB可靠性測試。
實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種用于VDMOS器件可靠性測試的雙列直插陶瓷底座，可以使VDMOS器件封裝在陶瓷底座上并進行可靠性測試。為解決上述技術問題，本實用新型的用于VDMOS器件可靠性測試的雙列直插陶瓷底座，包括金屬引腳、金屬底板、金屬片，所述金屬片通過金屬片的金屬連線與金屬引腳連接，所述金屬底板的每個側面與位于該側面外的金屬片遠離金屬引腳的一端在橫向上留有間隙，所述金屬底板的每個側面均通過若干金屬底板的金屬連線與金屬引腳連接。其中，所述金屬底板的金屬連線與金屬片的金屬連線的走線一致，二者在縱向上留有間隙。其中，所述金屬底板的金屬連線與金屬片和金屬片的金屬連線數量相同，位置一致。本實用新型通過縮小金屬底板的面積，在金屬底板與金屬片及金屬片的金屬連線形成的縱向錯層中增加金屬連線實現金屬底板與金屬底板的連接，從而使VDMOS的漏端可以通過金屬底板引出至金屬引腳，進而實現VDMOS在雙列直插陶瓷底座的封裝以及進行HTRB等可靠性測試。此外，金屬底板與金屬引腳之間的金屬連線在不需要的情況下可以通過物理方式斷開，從而避免金屬底板與金屬片在金屬引腳上的短路，保證VDMOS在陶瓷底座上的漏端引出端的獨立性。
圖1是VDMOS器件的結構示意圖；圖2是現有的雙列直插陶瓷底座的縱向剖面圖；圖3是本實用新型的雙列直插陶瓷底座的縱向剖面圖。其中附圖標記說明如下:I金屬引腳 2金屬底板3金屬片4金屬片的金屬連線5普通芯片 6金屬底板的金屬連線7斷開處
具體實施方式
以下結合附圖與具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明。本實用新型提供的用于VDMOS器件可靠性測試的雙列直插陶瓷底座，包括金屬引腳1、金屬底板2、金屬片3，所述金屬片3通過金屬片的金屬連線4與金屬引腳I連接，以DIP24陶瓷底座為例，陶瓷底座中包括24個金屬引腳1，金屬底板2的每一側具有6個金屬片3。如圖3所示，金屬底板2的每個側面與位于該側面外的金屬片3遠離金屬引腳I的一端在橫向上留有間隙，所述金 屬底板2的每個側面均通過6條金屬底板的金屬連線6與金屬引腳I連接。所述金屬底板的金屬連線6與金屬片的位置一致，其在陶瓷材料中的走線布局與金屬片的金屬連線4的布局一致，但二者在縱向上留有間隙形成錯層。此外，金屬底板2與金屬引腳I之間的金屬連線6在不需要的情況可以在斷開處7通過物理方式斷開，從而保證VDMOS在陶瓷底座上的漏端引出端的獨立性。本實用新型通過縮小金屬底板的面積，在金屬底板與金屬片及金屬片的金屬連線形成的縱向錯層中增加金屬連線實現金屬底板與金屬底板的連接，從而使VDMOS的漏端可以通過金屬底板引出至金屬引腳，進而實現VDMOS在雙列直插陶瓷底座的封裝以及進行HTRB等可靠性測試。以上通過具體實施例對本實用新型進行了詳細的說明，但這些并非構成對本實用新型的限制。在不脫離本實用新型原理的情況下，本領域的技術人員可對陶瓷底座的結構及布局等做出許多變形和改進，這些也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種用于VDMOS器件可靠性測試的雙列直插陶瓷底座，包括金屬引腳(I)、金屬底板(2)、金屬片(3)，所述金屬片(3)通過金屬片的金屬連線(4)與金屬引腳(I)連接，其特征在于，所述金屬底板(2)的每個側面與位于該側面外的金屬片(3)遠離金屬引腳(I)的一端在橫向上留有間隙，所述金屬底板(2)的每個側面均通過若干金屬底板的金屬連線(6)與金屬引腳(I)連接。
2.根據權利要求1所述的用于VDMOS器件可靠性測試的雙列直插陶瓷底座，其特征在于，所述金屬底板的金屬連線(6)與金屬片的金屬連線(4)的走線一致，二者在縱向上留有間隙。
3.根據權利要求1所述的用于VDMOS器件可靠性測試的雙列直插陶瓷底座，其特征在于，所述金屬底板的金屬連線(6)與金屬片(3)和金屬片的金屬連線(4)數量相同，位置一致。
專利摘要本實用新型公開了一種用于VDMOS器件可靠性測試的雙列直插陶瓷底座，包括金屬引腳、金屬底板、金屬片，所述金屬片通過金屬片的金屬連線與金屬引腳連接，所述金屬底板的每個側面與位于該側面外的金屬片遠離金屬引腳的一端在橫向上留有間隙，所述金屬底板的每個側面均通過若干金屬底板的金屬連線與金屬引腳連接。本實用新型縮小金屬底板的面積，在縱向錯層中增加金屬連線實現VDMOS的漏端通過金屬底板與金屬底板連接，進而實現VDMOS在雙列直插陶瓷底座的封裝以及進行HTRB等可靠性測試，并且金屬底板與金屬引腳之間的金屬連線在不需要的情況下可以通過物理方式斷開，從而避免金屬底板與金屬片在金屬引腳上的短路，保證VDMOS在陶瓷底座上的漏端引出端的獨立性。
文檔編號G01R1/04GK202994834SQ201220588508
公開日2013年6月12日 申請日期2012年11月9日 優先權日2012年11月9日
發明者范曾軼, 廖炳隆, 儲征毓, 羅晶 申請人:上海華虹Nec電子有限公司