專利名稱：熒光猝滅體系存在內濾效應時熒光猝滅率的精確校正方法
技術領域：
本發明涉及熒光光譜分析，特別是在存在熒光內濾效應的情況下，熒光猝滅測試中的光譜分析方法。
背景技術：
熒光分析法是根據物質的熒光譜(包含強度、形狀等參數)進行物質鑒定及含量測定的方法，其中熒光猝滅法可用于分析某些自身熒光較難檢測但具有猝滅 特性的物質的含量，也可以用來分析熒光猝滅過程中兩種物質之間(即熒光物質與猝滅劑之間)的能量轉移或電子轉移。對于熒光猝滅體系，當熒光物質和猝滅劑的吸收譜及相應的熒光譜之間存在較為嚴重地交迭時，熒光檢測就會不可避免地受到熒光內濾效應(IFE)的干擾。內濾效應按其作用機制可分為競爭吸收(primary IFE)和再吸收(secondary IFE)兩個過程,會直接影響熒光譜的強度和譜形，而光譜的強度、形狀等參數是熒光分析的根本依據，因此，如果不對內濾效應的影響加以校正，就無法得到正確的熒光分析結果。測量過程中，加入猝滅劑后混合樣品中的熒光試劑對激發光的吸收分布較之加入猝滅劑前純熒光試劑對激發光的吸收分布會發生變化，這種吸收分布上的差異，同樣會對熒光強度產生影響、干擾光譜分析結果，在定量檢測時，也必須予以校正。由吸收分布形成的影響與熒光內濾效應的影響相伴而生、同時出現，共同造成熒光猝滅率虛高的贗象。目前已有的校正技術僅針對熒光內濾效應進行單獨校正，而忽略了與之同時出現的吸收分布所帶來的影響，因而從根本上無法對所得熒光猝滅率數據進行精確校正、得到真實的猝滅率，制約了熒光猝滅法的應用。
發明內容
本發明為避免上述現有技術所存在的不足之處，提供一種熒光猝滅體系存在內濾效應時熒光猝滅率的精確校正方法，所述熒光猝滅體系是指存在熒光內濾效應、且熒光試劑與猝滅劑混合后不生成基態復合物的熒光測試樣品。利用本發明所給出的校正方法，可以對熒光內濾效應及吸收分布所產生的影響同時進行精確校正，從而得到能夠真實反映熒光猝滅過程的實際猝滅率。本發明解決技術問題采用如下技術方案本發明熒光猝滅體系存在內濾效應時熒光猝滅率的精確校正方法的特點是按如下步驟進行a、校正競爭吸收對光譜的影響以函數I1 ( λ )表示未加入猝滅劑之前熒光物質受激發后所產生的熒光測量譜，以函數I/ (λ)表示加入猝滅劑后熒光物質實際發出的熒光譜，則有
權利要求
1.熒光猝滅體系存在內濾效應時熒光猝滅率的精確校正方法，所述熒光猝滅體系是指存在熒光內濾效應、且熒光物質與猝滅劑混合后不生成基態復合物的熒光測試樣品；其特征是所述校正方法按如下步驟進行 a、校正競爭吸收對光譜的影響 以函數I1 ( λ )表示未加入猝滅劑之前熒光物質受激發后所產生的熒光測量譜，以函數I/ (λ)表示加入猝滅劑后熒光物質實際發出的熒光譜，則有
全文摘要
本發明公開了一種熒光猝滅體系存在內濾效應時熒光猝滅率的精確校正方法，其特征是首先校正競爭吸收對光譜的影響，然后校正再吸收對光譜的影響；再校正吸收分布對光譜的影響。本發明方法對熒光內濾效應和吸收分布的影響同時進行聯合校正，確保了能夠對猝滅體系的光譜實現精確校正，獲得真實反映猝滅過程的熒光猝滅率。
文檔編號G01N21/64GK102914529SQ201210435968
公開日2013年2月6日 申請日期2012年11月5日 優先權日2012年11月5日
發明者陳向東, 吳本科, 高峰, 袁自鈞, 程萍, 王飛, 楊繼平 申請人:合肥工業大學