專利名稱：一種增加單位測試模塊的可測器件Kelvin測試回路的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體技術領域，尤其涉及一種半導體前道工藝的電性測試的一個測試模型，進一步是提供一種增加單位測試模塊的可測器件Kelvin測試回路。
背景技術：
Kelvin測試方法電阻測試中具有高精度的電性測試方法，它可以非常精準地測出各種阻值，并且極少受到導線電阻的影響。然而，由于一個Kelvin測試器件需要使用4個測試PAD，而測試PAD的數量有限，并且為了配合探針卡(Probe Card), PAD的面積需要設計得非常大，因此在一個Test Block的面積內能容納的測試用器件相當有限。現在一般采用的Kelvin測試回路，即便采用共用某些PAD，所能搭載的器件依然很難增加。一般22PAD的測試模塊中，能搭載最多10個Kelvin測試器件。
發明內容
本發明針對現有技術中存在的問題，提供一種增加單位測試模塊的可測器件Kelvin測試回路。在不改變測試單元(PAD)的數量和面積的前提下，利用CMOS的開關效應，通過對單元(PAD)的切換利用，增加單位測試模塊所能測試的器件數量。為了實現上述目的，本發明提供一種增加單位測試模塊的可測器件Kelvin測試回路，包括若干個單位測試模塊、若干個壓力單元、若干個柵極控制單元、高感單元、低感單元和接地單元，在每一個所述單位測試模塊的四個端分別通過串聯一 CMOS器件連通至壓力單元、高感單元、低感單元和接地單元；所述若干個單位測試模塊共用同一個高感單元、低感單元和接地單元，所述CMOS器件的漏極端和柵極控制單元連通。在本發明提供的一優選實施例中，其中所述CMOS器件為NM0S。在本發明提供的一優選實施例中，每一個所述單位測試模塊的電阻值計算方法如下
權利要求
1.一種增加單位測試模塊的可測器件Kelvin測試回路，包括若干個單位測試模塊、若干個壓力單元、若干個柵極控制單元、高感單元、低感單元和接地單元，其特征在于，在每一個所述單位測試模塊的四個端分別通過串聯一 CMOS器件連通至壓力單元、高感單元、低感單元和接地單元；所述若干個單位測試模塊共用同一個高感單元、低感單元和接地單元，所述CMOS器件的漏極端和柵極控制單元連通。
2.根據權利要求I所述的測試回路，其特征在于，所述CMOS器件為NM0S。
3.根據權利要求I所述的測試回路，其特征在于，每一個所述單位測試模塊的電阻值計算方法如下
全文摘要
本發明提供一種增加單位測試模塊的可測器件Kelvin測試回路，包括若干個單位測試模塊、若干個壓力單元、若干個柵極控制單元、高感單元、低感單元和接地單元，其特征在于，在每一個所述單位測試模塊的四個端分別通過串聯一CMOS器件連通至壓力單元、高感單元、低感單元和接地單元；所述若干個單位測試模塊共用同一個高感單元、低感單元和接地單元，所述CMOS器件的漏極端和柵極控制單元連通。本發明提供的可測器件Kelvin測試回路的結構簡單，方便layout的布線，便于實現。提高測試面積的使用率，無論對量產產品的WAT測試，還是對研發的試作芯片的開發設計，都具有相當實用的價值。
文檔編號G01R27/08GK102769008SQ20121022867
公開日2012年11月7日 申請日期2012年7月3日 優先權日2012年7月3日
發明者周羽宇 申請人:上海華力微電子有限公司