專利名稱：放射圖像檢測設備及其制造方法
技術領域：
本發明涉及放射圖像檢測設備以及制造在醫學放射圖像設備中使用的放射圖像檢測設備的方法等。
背景技術：
使用放射圖像檢測設備的DR (數字射線照相術)，例如將放射圖像例如X射線圖像轉換為數字數據的FPD (平板檢測器)，最近已付諸實踐。當與相關技術的使用由光激發熒光體(累積突光體(accumula tive phosphor))制成的成像板的CR(計算機射線照相術)系統相比時，放射圖像檢測設備具有能夠立即確定圖像的優點。因此，DR迅速激増。已經提出各種類型的放射圖像檢測設備。放射圖像檢測設備之ー是已知的間接轉換類型。此類放射圖像檢測設備通過閃爍器，例如CsI:Tl閃爍器和GOS(Gd2O2S = Tb)閃爍器，將X輻射臨時轉換成可見光，半導體層將可見光轉換成電荷，積累由此產生的電荷(例如，見專利文獻 1(JP-A-2011-17683))。在結合專利文獻I描述的X射線圖像檢測設備中，閃爍器被曝光于光電檢測單元方向上施加的X放射線。在此構成中，閃爍器的X射線進入側的主要光發射區與光電檢測単元之間距離短，從而可以獲得高分辨率檢測圖像。同時，布置于閃爍器的X射線進入側的光電檢測単元的基板無法避免地吸收X輻射，造成了進入閃爍器的X輻射量減少的問題。通過包含各自由a-Si等形成的光電ニ極管(PD)和TFT (薄膜晶體管)構建所述光電檢測単元。無堿玻璃通常用于支持ro和TFT的基板。這樣做的原因是當使用鈉玻璃時，在高溫時形成a-Si膜期間a-Si可能被源于玻璃的Na污染，可能從而使元件的性能變壞。然而，無堿玻璃比鈉玻璃更加昂貴且比鈉玻璃吸收更大量的X輻射。例如，當通過將具有2_的鋁當量的濾波器應用于光電檢測単元使用在50kV的管電壓產生的X射線成形波束時，無堿玻璃基板顯示的X射線吸收因子高達16. 8%。具體地，光到達閃爍器，而照射光電檢測単元的X輻射的15%或更多由于基板吸收X輻射而損失。如上所述，當考慮維持a-Si膜的性能時，使用無堿玻璃作為基板是十分必要的。由于基板吸收X輻射，不可避免進入閃爍器的X輻射量大大降低。具體地，當閃爍器被曝光于從光電檢測単元方向發出的X放射線時產生的高圖像質量特征降低。專利文獻2 (JP-A-2009-133837)和專利文獻 3 (JP-A-2008-235649)描述了在通過在基板上形成傳感器而形成光電檢測単元之后剝離和去除基板。由于基板引起輻射的吸收，因此這種包括不具有基板的光電檢測単元的放射圖像檢測設備可以說是優選的。
發明內容
然而，與使用從光電檢測單元的方向發出的X輻射照射閃爍器的放射圖像檢測設備的類型有關，如果從光電檢測単元剝離基板，如結合專利文獻2和3所描述，可能產生例如下面所述的新問題。即，如果不能維持光電檢測単元的強度，則將對光電檢測単元造成損害。外部空氣中包含的濕氣將腐蝕光電檢測單元。可選地，由于薄的光電檢測単元，濕氣滲透將使閃爍器的性能惡化。存在解決伴隨剝離基板的這些問題的需求，從而更大程度地增強圖像質量。本發明的ー個目的是提供能夠解決包括無基板光電檢測単元的放射圖像檢測設備中存在的缺點且減少光電檢測單元吸收的輻射程度從而能夠增加進入閃爍器的輻射量的放射圖像檢測設備；放射圖像檢測設備的制造方法；以及具有放射圖像檢測設備的放射成像暗盒。根據本發明的一方面，提供一種用于制造放射圖像檢測設備的方法，所述放射圖像檢測設備具有閃爍器，當其被曝光于放射線時發出熒光；以及光電檢測単元，其布置于閃爍器的輻射進入側，所述方法包括光電檢測 単元產生過程，將顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護部件層疊在基板上，在保護部件上形成將熒光檢測為電信號的薄膜部，從而產生所述光電檢測單元；基板剝離-去除過程，從保護部件剝離和除去基板；以及整合過程，在基板剝離-去除處理之前或之后將先前產生的閃爍器和光電檢測單元整合在一起。根據本發明的另一方面，提供一種用于制造放射圖像檢測設備的方法，所述放射圖像檢測設備具有閃爍器，當其被曝光于放射線時發出熒光；以及光電檢測単元，其布置于閃爍器的輻射進入側，所述方法包括光電檢測単元產生過程，將顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護部件層疊在基板上，在保護部件上形成將熒光檢測為電信號的薄膜部，從而產生所述光電檢測單元；閃爍器產生過程，用于在光電檢測単元的薄膜部上形成閃爍器，并且在閃爍器的相對于面對薄膜部的一側的另ー側上放置支持部件；以及基板剝離-去除過程，從在閃爍器產生過程中與閃爍器整合的保護部件剝離和除去基板。根據本發明的另一方面，提供ー種放射圖像檢測設備，其包括閃爍器，當其被曝光于放射線時發出熒光；以及光電檢測単元，其布置于閃爍器的輻射進入側上，其中，所述光電檢測単元包括由顯示出比玻璃材料顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的低輻射吸收材料形成的保護部件；以及在保護部件的面對閃爍器的ー側上形成的且將熒光檢測為電信號的薄膜部。根據本發明的另一方面，提供ー種放射成像暗盒，其包括放射圖像檢測設備；殼體，所述殼體具有用于在其上放置被攝體的頂板，且以薄膜部經由保護部件與頂板的背面相對的方式容納所述放射圖像檢測設備。使用上述的過程或過程，所述光電檢測單元具有保護膜。即使剝離光電檢測單元的基板，也將保護薄膜部。這種保護部件的存在能夠保護薄膜部不受外部空氣中的濕氣、負載等的影響。具體地，解決了從光電檢測単元剝離基板導致的缺陷。因此，可以充分地發揮通過構成產生的圖像質量增強效果，在此構成中，閃爍器被曝光于從光電檢測単元的方向施加的放射線。另外，使用具有低輻射吸收因子的保護部件。因此，可以將在閃爍器的輻射進入側實現的輻射吸收抑制到盡可能小的程度，因此，進入閃爍器的輻射量増加。因此，可以實現檢測圖像的圖像質量的最大化。此外，在放射圖像檢測設備的制造期間在基板與薄膜之間夾有保護部件，可以防止基板的影響(鈉污染等)引起的薄膜部的性能惡化。結合上述內容，通過輻射經由光電檢測單元進入閃爍器的構成可以實現圖像質量的進ー步增強。
圖I是示意性示出X射線成像暗盒的一般構成的側橫截面視圖；圖2是示意性示出光電檢測單元的一般構成的側橫截面視圖；圖3是示意性示出光電檢測單元的構成的平面圖；圖4是示意性示出閃爍器的晶體結構的側橫截面視圖；圖5是示出閃爍器的柱狀晶體的橫截面的
圖6是示出閃爍器的非柱狀晶體的橫截面的電子顯微鏡照片(SEM圖像)；圖7是示意性示出在剝離基板之前實現的光電檢測單元的構成的側橫截面視圖；圖8是示意性示出圖7所示的光電檢測単元與置于支持件上的閃爍器整合在一起的側橫截面視圖；圖9是示出從光電檢測單元剝離基板的過程的側橫截面視圖；圖10是示意性示出暗盒殼體中容納的X射線圖像檢測設備的側橫截面視圖；圖11是示出保護部件的變型例的側橫截面視圖；圖12是示出由聚對ニ甲苯等制成的保護膜的變型例的側橫截面視圖；圖13是示意性示出與圖I所示不同的X射線成像暗盒的一般構成的側橫截面視圖；圖14是示出光電檢測單元的薄膜部的變型例的示意圖；以及圖15是示出光電檢測単元的薄膜部的另ー變型例的示意圖。
具體實施例方式下面通過參考圖I至圖10描述用于解釋本發明的實施方式的示例X射線圖像檢測設備。與先前描述的構成類似的構成被分配了相同的標號，并且為了簡明省略或簡化了其重復解釋。[I.整體構成]圖I是示意性示出間接轉換類型的X射線成像暗盒100的一般構成的側橫截面視圖。暗盒100具有X射線圖像檢測設備I和用于容納X射線圖像檢測設備I的殼體60。X射線圖像檢測設備I配置有閃爍器10，其包括熒光物質，在被曝光于X放射線時發出熒光(由圖I中所示的輪廓箭頭所示)；光電檢測単元50，其布置于閃爍器10的X射線進入側且將從閃爍器10發出的熒光檢測為電信號；以及控制模塊70，其與閃爍器10的X射線進入側相對布置。控制模塊70包括電路板，在該電路板上實現作為控制模塊用于激活和控制光電檢測單元50的IC ;用于處理圖像信號等的IC ;以及電源電路。以整合方式將控制模塊70組裝到閃爍器10和光電檢測単元50中。殼體60容納閃爍器10、光電檢測単元50和控制模塊70。與示意性示圖的圖I所示的相比，閃爍器10的厚度和光電檢測単元50的厚度較小，形成的殼體也比圖I中所示的對應部分薄。因此，殼體60具有頂板60A，在頂板60A上，放置被攝體，按照光電檢測単元50與頂板60A的背面相対的方式放置X射線圖像檢測設備I。[2.光電檢測單元的配置]
圖2是示意性示出光電檢測単元50的側橫截面視圖。圖3是示意性示出以ニ維布局排列元件的光電檢測單元50的構成。光電檢測単元50具有保護部件49和形成于保護部件49上的薄膜部40。(薄膜部的構成)薄膜部40包括由硅等制成的H)(光電ニ極管)41 ;以及TFT 42，TFT 42是由硅等制成的薄膜開關元件。如圖2所示，在光電檢測單元50的厚度方向上，PD 41和TFT 42分別地一一彼此疊置。PD 41具有光電導層，將經由閃爍器10進入的光(由圖2中的實線箭頭所指示)轉換成電荷。每個ro 41被布置為對應于光電檢測單元50檢測到的圖像的像素。如圖3所示，每個ro 41配置有TFT 42、柵極線43和數據線44。各個柵極線43和各個數據線44延伸到連接終端45，且進一歩通過柔性布線46連接到控制模塊70的電路板，所述柔性布線46如連接到連接終端45的各向異性導電膜。各個TFT 42利用經由柵極線43從電路板上實現的控制塊發送的控制信號，以列為単位在接通和關斷之間切換。通過數據線44，電路板上的信號處理塊讀取其相應TFT 42保持在接通位置的各個H) 41中的電荷作為圖像信號。以列為單位順序地讀取各個H) 41中的電荷，從而檢測ニ維圖像。在圖2中，通過平坦化層(由樹脂制成的膜)47在厚度方向上使光電檢測単元50的兩側平滑。優選地，提供具有平坦化層47的光電檢測単元50。然而，也可以省略平坦化層47。通過粘接層48將光電檢測單元50結合到閃爍器10。可以在閃爍器10和光電檢測単元50之間不插入粘接層48也不插入平坦化層47。也可以壓緊抵靠閃爍器10且使其與光電檢測単元50的表面實現緊密直接接觸。關于構成置于光電檢測單元50與閃爍器10之間的平坦化層和粘接層的樹脂以及構成匹配油層的透明液體或膠體的樹脂層，對樹脂沒有特定限制，只要樹脂能夠使從閃爍器10發出的閃爍光在基本不衰減的情況下到達光電檢測單元50。聚酰亞胺、聚對ニ甲苯等是可以用作構成平坦化層的樹脂，顯示出膜形成便利性的聚酰亞胺是優選的。用于構成粘接層的優選的粘合劑是對從閃爍器10發出的閃爍光顯示出光學透明的ー種粘合劑，例如，熱塑性樹脂、紫外光固化粘合劑、熱固化粘合劑、室溫固化粘合劑、雙面粘合劑基板等。從防止圖像銳度惡化的角度看來，使用由低粘度環氧樹脂制成的粘合劑是優選的，原因是，環氧樹脂可以形成相對于光電檢測単元50的像素尺寸足夠薄的粘接層。從靈敏度和圖像質量的角度看來，由樹脂制成的粘接層例如平坦化層和粘接層的厚度，優選為50微米或者更小。更優選地，厚度為5微米至30微米。(保護部件的構成)保護部件49布置于薄膜部40的X射線進入側。保護部件49由低X射線吸收材料制成，該低X射線吸收材料顯示出比玻璃材料顯示的X射線吸收率更低的X射線吸收率且顯示出比此后描述的基板51的X射線吸收率更低的X射線吸收率。保護部件49對于在60kV的管電壓下產生的X輻射的鋁當量在I. 8mm以下。此處，鋁當量是示出當X射線吸收率與鋁的透明度進行比較時獲得的鋁板(純度99%或更高)厚度的指標。當測量鋁當量時，作為測試目標的部件通常放置在與X射線源間隔開I至2米的位置處，并且在X射線源與所述部件之間沒有阻礙的情況下測量通過所述部件的X輻射量。根據X射線圖像檢查設備的使用條件，設想吸收X輻射的另一部件放置在保護部件49的X射線進入側。因此，在考慮所述部件和保護部件49吸收的X輻射的總量的情況下，保護部件49的鋁當量(在60kV的管電壓下)優選地為I. Omm或更小。同時，保護部件49用于支持薄膜部40，因此需要給定的強度。允許這一點和被攝體的曝光劑量減少，對于在60kV的管電壓產生的X輻射，保護部件49的優選鋁當量優選為O. Imm 至 I. Omnin
盡管在此將保護部件的X射線吸收能力限定為如上所述的對于在60kV的管電壓下產生的X輻射的鋁當量，但是不言而喻，可以從在上述要求下獲得的鋁當量計算對于在不同于60kV的管電壓(例如，80kV)下產生的X輻射的鋁當量。可以根據JESRA標準(輻射設備的日本工程標準)測試X輻射的吸收率。例如，還可以在與JESRA規定的要求類似的80kV、2mA和40秒的情況下進彳丁招當量的測量。此外，當如圖I所示將X射線圖像檢測設備I容納在殼體60中制成X射線成像暗盒時，當使用殼體60的頂板60A和保護部件49兩者時實現的鋁當量(60kV的管電壓)優選為1.8mm以下。更優選地,招當量為O. Imm至I. 0mm。可以基于在頂板60A和保護部件49保持疊置關系的同時從X射線源發出的X輻射依次通過頂板60A和保護部件49之后實現的X輻射量，測量使用殼體60的頂板60A和保護部件49兩者時實現的鋁當量(在60kV的管電壓下)。可選地，可以分別測量通過頂板60A實現的鋁當量和通過保護部件49實現的鋁當量，也可以確定測量值的總和。在考慮施加的X輻射能量的情況下分別確定通過保護部件49實現的鋁當量以及通過頂板60A實現的鋁當量。例如，在應用乳腺X射線照相術的情況下，施加的X輻射的能量通常低至28keV或其附近。當與施加較高能量的X輻射的情況相比，優選地，將保護部件49的鋁當量以及頂板60A的鋁當量設置為相對較低的值。只要保護部件49對于在60kV的管電壓下產生的X輻射的鋁當量在I. 8mm以下，對用于構成保護部件49的低X輻射吸收材料沒有任何特定的限制。然而，使用金屬(包括金屬化合物和合金)和/或樹脂是優選的。優選的金屬包括至少ー種単獨的金屬，例如Al、Mg、Cr、Zr、Ti和Mn、其氧化物以及其金屬合金。可以通過使用Mg、Cr、Zr、Ti和Mn中的至少ー種作為保護部件49的金屬材料來增強薄膜部40的耐腐蝕性。通過這種鋁合金的表面處理在所述鋁合金的表面上形成氧化鋁(Al2O3)等，從而可以進ー步增強薄膜部40的耐腐蝕性。優選的樹脂是聚酰亞胺、聚萘ニ甲酸こニ醇酯、聚苯こ烯和芳族聚酰胺(所有芳香族聚酰胺)。可以用于保護部件49的單獨樹脂膜包括例如，透明聚酰亞胺膜、聚烯丙基化物(polyallylate) (PAR)膜、OPS (注冊商標)膜(聚苯こ烯膜)、芳族聚酰胺膜等。所有這些膜產生的優點是低X射線吸收率和高耐熱性。由Tosoh公司制造的產品和Asahikasei化工公司制造的產品被稱為OPS膜，并且這些膜顯示出優異的機械強度(剛度)和低吸水率的優點。優異的機械強度有利于在基板51剝離之后支持薄膜部40。此外，低吸水率有利于防止薄膜部40和閃爍器10的腐蝕和惡化。關于保護部件49的耐熱溫度，透明聚酰亞胺膜具有約300攝氏度的耐熱溫度；聚烯丙基化物膜具有約175攝氏度的耐熱溫度；OPS膜具有約250攝氏度的耐熱溫度；芳族聚酰胺膜具有約200攝氏度或更高的耐熱溫度。這些高耐熱溫度在閃爍器置于保護部件49上的情況下(見圖13)特別有效。可以僅用金屬或樹脂或者組合使用金屬和樹脂如包括分散金屬顆粒的樹脂形成保護部件49。此外，可以將保護部件49形成為單層或者兩層或更多層，如圖11所示。此夕卜，保護部件49優選是反射從閃爍器10發出的熒光的光反射部件。根據構成保護部件49的低X射線吸收材料，保護部件49的優選厚度通常為O. Olmm至1mm。只要保護部件49的厚 度小于此后描述的基板51的厚度,置于頂板60A上的被攝體與薄膜部40之間的距離可以做得更短，從而可以促進圖像質量的增強。通過光刻處理等在保護部件49上制作構成薄膜部40的多個H) 41和多個TFT42。在薄膜部40和保護部分49之間不存在粘接層，薄膜部40與保護部件49的表面保持緊密接觸。順便提及，在制造X射線圖像檢測設備I的過程中，在保護部件49保持層疊在基板51上時，在保護部件49的與面對基板51的一側相對的另ー側上形成薄膜部40(圖7)。隨后，將保護部件49從基板上剝離。換句話說，將基板51從保護部件49剝離且移除。形成保護部件49的與形成薄膜部4 一側相對的另ー側，其對應于從基板51剝離保護部件49時獲得的保護部件49的剝離側。去除基板51的結果是，進入閃爍器10的X輻射量增減。在剝離基板51的狀態下，由保護部件49支持薄膜部40。基板51是制造保護部件49的輔助部件，在一些階段被剝離。為此原因，當然地，在不考慮X射線吸收的情況下可以適當地確定基板51的材料。在保護部件49上形成薄膜部40，并且薄膜部40不受到基板51的材料的不利影響；即，鈉污染。因此，也可以考慮使用廉價的鈉玻璃用于基板51。由于不需要考慮基板51引起的X輻射的吸收，可以通過増加基板51的厚度在制造期間保證處理足夠便利。此外，由于基板剝離使得因此剝離的基板51可以重復利用，可以降低成本。在產生從基板剝離帶來的上述效果的同吋，由于在薄膜部40上提供保護部件49，可以增強薄膜部40。因此，可以保證制造期間需要的強度或者X射線成像暗盒100的使用。由于X射線成像暗盒100將經受高概率的下落沖擊(drop impact)，保證耐沖擊性很重要。此外，對于暗盒頂板60A施加的負載保證承受負載也是重要的。由于在薄膜部40上設置保護部件49，因此使得薄膜部40和閃爍器10耐濕氣，例如外部空氣中的水含量。因此，可以防止薄膜部件40的腐蝕以及閃爍器10的性能的惡化。盡管也可以對于多個像素提供一個保護部件49，但是從增強角度看來以整合方式在整個薄膜部40上提供保護部件49是優選的。如上所述，輕質金屬，例如鋁或者樹脂可以用作保護部件49的材料。當由鋁形成保護部件49且其用作光反射部件時，可以向ro 41反射在已經通過ro 41之后落到保護部件49上的光。因此增加了入射到ro 41上的光量，從而可以增強檢測靈敏度。當為了將保護部件49形成為反射部件的目的將例如鋁的金屬用于保護部件49時，在導熱方面，金屬部件高于玻璃基板。因此，可以防止從被攝體到光電檢測単元50的熱傳播引起的圖像中的不均勻。具體地，支持光電檢測単元的玻璃部件中的熱不均勻(熱量不均勻)將造成圖像形成區中ro 41的溫度不均勻，進而造成性能的不均勻。為了這些理由，采用顯示出優異導熱性的金屬部件作為保護部件，從而可以增強圖像質量。當由単獨的金屬，例如鋁或其合金制成保護部件49時，保護部件49顯示出密封薄膜部40的高效果。具體地，通過使用該保護部件49，可以容易保證薄膜部40的氣密性和水密性。因此，可以充分防止濕氣吸收導致的閃爍器10的性能惡化。[3.閃爍器的構成]閃爍器10置于由例如鋁的材料制成的反射光的支持件11上。支持件11不僅限于由鋁制成的板。可以從碳板、CFRP(碳纖維增強塑料)、玻璃板、石英板、藍寶石板等適當地選擇用于支持件11的任何材料。只要在支持件的表面上形成閃爍器，支持件11不特別局限于這些板。然而，當支持件11也兼用作光反射部件時，最好使用例如鋁的輕質金屬作 為支持件的材料。由于在X射線圖像檢測設備I的與X射線進入側相對的另ー側上放置支持件11，因此可以由顯示出低X射線透射率的材料形成支持件11。此處，對于X射線圖像檢測設備1，支持件11不是必須的。具體地，在支持件11上形成并沉積閃爍器之后，閃爍器可以在從支持件11剝離的同時使用。也可以在閃爍器10的與面對光電檢測單元50 —側相對的另ー側上設置光反射部件。使用由聚對ニ甲苯等制成的保護膜30覆蓋閃爍器10。通過氣相沉積技術形成保護膜30，且保護膜30密封支持件11上的閃爍器10。通過氣相沉積由聚對ニ甲苯制成的保護膜顯示出優異的柔性以及與閃爍器10優異的粘接性。因此，在支持件11和保護部件49中，保護膜顯示出對于翅曲的追蹤性(followability to warpage)。只要通過另一方式，例如以氣密和水密方式用防濕膜包裹閃爍器10，對閃爍器進行防濕保護，則可以省略保護膜30。由通過使熒光材料生長為柱狀形成的柱狀晶體組制成閃爍器10，CsI: Tl (鉈激活的碘化銫)用作熒光材料。另外，NaIiTl (鉈激活的碘化鈉)、CsI :Na(鈉激活的碘化銫)等也可以用作閃爍器10的熒光材料。使用CsI:Tl作為材料是優選的，原因是，發光發射譜符合a-Si光電ニ極管的光譜靈敏度的局部極大值(約550nm)。閃爍器10不包括任何柱狀晶體也是可能的。此外，也可以通過使用例如GOS [Gd2O2S: Tb (鋱激活的釓硫氧化物)]涂布支持件來形成閃爍器。現在，期望通過氣相沉積形成閃爍器10。氣相沉積的一般描述如下。也就是說，通過如激發在環境中或在O. 01至IOPa的真空度下在電阻加熱坩堝中加熱作為基礎材料的CsI，直到CsI蒸發。類似地，通過如激發在環境中或在O. 01至IOPa的真空度下在電阻加熱坩堝中加熱作為活化劑的Tl，直到Tl蒸發。支持件11的溫度被設置為室溫(20攝氏度)至300攝氏度，從而CsI = Tl沉積在支持件11上。可以通過改變真空度、支持件的溫度、沉積率等控制閃爍器10的形狀、尺寸和孔隙率。圖4是示意性示出閃爍器10的結晶結構的側橫截面視圖。閃爍器10包括由ー組柱狀晶體12A形成的柱狀部12以及在柱狀晶體12A的基端形成的包括非柱狀晶體13A的非柱狀部13。在高度方向(晶體生長的方向)由柱狀晶體12A引導當閃爍器被曝光于X放射線時從閃爍器10發出的熒光，因此其進入光電檢測単元50。此時，通過非柱狀部13和支持件11反射向支持件11傳播的光，因此其進入光電檢測單元50。
[柱狀部的構成]柱狀部12是多個柱狀晶體12A的聚集體。在圖4所示的示例中，各個柱狀晶體12A在支持件11上基本保持豎直。柱狀晶體12A的前端形成為收縮形狀。各個柱狀晶體12A的前端也可以被研磨。多個柱狀晶體12A與光電檢測單元50的一個像素(ー個H) 41)相對。在結晶性能方面柱狀晶體12A優于非柱狀晶體且柱狀晶體12A發射大量熒光。通過空隙彼此鄰接的柱狀晶體12A在閃爍器的厚度方向直立，因此，柱狀晶體12A作為光導，因此在圓柱的高度方向引導光。由于柱狀晶體12A的光導效果防止了像素之間產生的光的散射，使檢測的圖像鮮鋭。圖5是示出沿圖4中所示的截面A_A(即，在高度方向基本在中心得到的柱狀部12的截面)的柱狀部12的電子顯微鏡照片。相鄰柱狀晶體12A之間存在空隙(在圖5中密集地看出)。柱狀晶體12A相對于晶體生長方向具有基本均勻的截面直徑。在柱狀部12 的一部分區域中相鄰柱狀晶體12A彼此連接，從而構成整合柱狀體(例如，見圖5中的標記P)。在考慮與要求的靈敏度相應的X射線吸收能力的情況下，對于乳房X射線照相術應用，將柱狀部12的厚度設置為約200微米的值，對于一般照相術，將柱狀部12的厚度設置為500微米或更大的值。然而，當柱狀部12太厚吋，熒光的使用效率將可能因為光吸收或散射而降低。為此，在考慮靈敏度和熒光的使用效率的情況下將柱狀部12的厚度設置為適當值。[非柱狀部的構成]非柱狀部13包括基本為球形或不定形非柱狀晶體13A。非柱狀晶體13A通常包括無定形(非結晶)部分。考慮到晶體之間容易保持空隙和增強反射效率的能力，非柱狀晶體13A的優選形狀基本為球形。具體地，優選從基本為球形晶體的聚集體形成非柱狀部13 (非柱狀晶體13A基本為球形晶體)。圖6是示出沿圖4中所示的截面B-B (即，在厚度方向在非柱狀部13的基端側的截面)的非柱狀部13的電子顯微鏡照片。在非柱狀部13中，在直徑上小于圖5中所示的柱狀晶體12A的非柱狀晶體13A彼此不規則接合和重疊。觀察到晶體之間的非常少數的明確空隙。圖6中所示的空隙在數量上少于圖5中所示的空隙。圖5和圖6中所示的觀察結果明確示出非柱狀部13的孔隙率低于柱狀部12的孔隙率。根據支持件11上的非柱狀部13的沉積面積、非柱狀部13的厚度，CsI密度和實際測量的閃爍器面板的重量來計算非柱狀部13的孔隙率。由此計算的非柱狀部13沿其厚度方向整體所得的的孔隙率是10%或更小。非柱狀部13是在沉積的初始階段形成在支持件11上的區域。與支持件11的表面接觸的非柱狀部13的區域的孔隙率是O或者接近O。非柱狀部13的基端仍然沿整個接觸面與支持件11緊密接觸。非柱狀部13的厚度小于柱狀部12的厚度，優選為5微米至125微米。具體地，為了保證與支持件11的粘接，非柱狀部13的厚度應當優選為5微米或更大。如果不顯示出任何光導效果的非柱狀部13的厚度太大，則在非柱狀部13的像素之間光彼此穿過，其上，圖像可能變得模糊。為此，優選非柱狀部13的厚度小于125微米。此外，非柱狀部13的足夠厚度是實現粘接到支持件11且實現光反射能力的最小值。取決于制造條件等，非柱狀部13也可以被構成為多個堆疊的層而不是單個層。在此情況下，非柱狀部13的厚度是指從支持件11的表面到非柱狀部13的最頂面的距離。
關于晶體保持彼此粘接時實現的晶體直徑的測量，如在非柱狀部13的情況中，互連在鄰接的非柱狀晶體13A之間存在的凹痕(凹部)的線被認為是晶粒邊界。保持彼此粘接的晶體按照形成最小多邊形的方式彼此分開，并且測量晶體的直徑。如在柱狀部12的柱狀晶體12A的直徑的情況中，確定測量的晶體直徑的平均值，并且采用該平均值。從有效反射性能和粘接到支持件11的角度看來，非柱狀部13的非柱狀晶體13A的優選直徑為O. 5微米至7. O微米。非柱狀晶體13A的直徑小于柱狀晶體12A的直徑。由于容易維持晶體的基本為球形的形狀，因此對于非柱狀晶體13A，較小直徑是優選的。然而，如果非柱狀晶體13A的直徑太小，則孔隙率將接近0，并且非柱狀部13將不充當光反射層的角色。為此，非柱狀晶體13A的優選直徑是O. 5微米或更大。相反，如果非柱狀晶體13A的直徑太大，則非柱狀部13的平坦度和表面積將減小，進而可能造成與支持件11的粘接的退化。此外，晶體將彼此連接，從而減小孔隙率且使反射效果惡化。為此，非柱狀部13的優選晶體直徑是7. O微米或更小。由于形成這種非柱狀部13，在將非柱狀部13作為基礎的同時，可以使柱狀晶體12A在優異的結晶狀態下生長。在考慮光反射特征和與支持件11的粘接的情況下，確定非柱狀晶體13A的直徑、厚度和孔隙率。由于通過提供非柱狀部13增強了支持件11與閃爍器10之間的粘接，因此即使從控制模塊70發出的熱傳播到閃爍器10，閃爍器10也不太可能從支持件11掉落。例如，有機光電轉換(OPC)材料、有機TFT、使用非晶氧化物的TFT (例如，IGZ0)和柔性材料(芳族聚酰胺和生物納米纖維)等可以用于光電檢測器単元50(包括保護部件49)、支持件11等。稍后將描述這些器件相關材料。[4.制造X射線圖像檢測設備和X射線成像暗盒的方法]通過參考圖7至圖10，現在給出對制造具有上述各種構成的X射線圖像檢測設備I的示例方法的解釋。在制造X射線圖像檢測設備I吋，使用例如圖7所示的層疊產品55。在制造層疊產品55期間，通過用溶解粘合劑等形成的剝離層52在例如無堿玻璃的基板51上層疊保護部件49。通過使用例如光刻、蝕刻等(光電檢測単元產生過程)在保護部件49上制造構成薄膜部40的H) 41和TFT 42 (圖2)。因此制造的層疊產品55包括基板51、剝離層52、保護部件49和薄膜部40。由于在隨后的過程中剝離基板51且基板51不最終構成光電檢測単元50，因此不需要考慮基板51的X射線吸收特性。期望采用具有在隨后的過程中足以保證容易處理和剝離的厚度的基板51。溶解粘合劑具有如下優點能夠牢固結合和促進結合對象的容易溶解。當基板51是半透明部件例如玻璃時，可以優選使用在被曝光于光例如UV輻射時可以溶解的溶解粘合剤。
如圖8所示，在支持件11上形成的且使用保護膜30覆蓋的閃爍器10通過粘接層48結合到層疊產品55，從而使閃爍器10和薄膜部40以整合方式彼此均勻緊密接觸(整合過程)。對將閃爍器10和薄膜部40彼此緊密結合的方法沒有任何特別的限制，并且結合的最低要求是閃爍器10和薄膜部40光耦合在一起。作為使閃爍器10和薄膜部40兩者彼此緊密接觸的技術，可以采用在它們保持彼此直接面對時使其彼此緊密接觸的技術，或者在它們之間夾入樹脂層的同時使其彼此緊密接觸的技木。如圖9所示，隨后溶解層疊產品55(圖7)。更具體地，通過剝離將基板51和保護部件49分開，去除基板51和剝離層52 (基板剝離-去除過程)。由于閃爍器10和支持件11此時支持薄膜部40，因此在基板51剝離時實現的薄膜部40的易于處理性是優異的。當適當的處理手段可以保持薄膜部40時，關于基板剝離-去除過程的處理可以在關于閃爍器和光電檢測単元整合過程的處理之前首先進行。通過上述操作制造具有不包括基板51的光電檢測単元50的X射線圖像檢測設備
Io如圖10所示，在制造X射線成像暗盒100時，將X射線圖像檢測設備I容納到殼體60中。為了更加準確，以使薄膜部40通過保護部件49與頂板60A的背面相対的方式將X射線圖像檢測設備I置于殼體60中。優選通過其保護部件49將光電檢測單元50結合到頂板60A。在結合操作吋，優選通過粘接層18使保護部件49和頂板60A整體彼此緊密接觸；然而，它們也可以被部分結合在一起。頂板60A和X射線圖像檢測設備I接收頂板60A支持的被攝體的負載。可以通過如上所述將頂板60A和X射線圖像檢測設備I 一體化地層疊來增加X射線成像暗盒100的承受負載。如上所述制造X射線成像暗盒100。[5.光電檢測單元中容納的保護部件產生的工作效果]已經描述的X射線圖像檢測設備I和X射線成像暗盒100迄今產生如下工作效果。保護部件49容納在光電檢測単元50中，在基板51剝離之后利用保護部件49保護薄膜部40 (圖9)。可以通過上述提供的保護部件49保護薄膜部40不受外部空氣等中水分的影響。此外，還可以增強薄膜部40對抗外部的負載等。具體地，由于解決了基板51從光電檢測単元的層疊產品55剝離產生的問題，因此通過將閃爍器曝光于從光電檢測単元的方向施加的X放射線的構成產生的圖像質量增強效果可以得到充分的發揮。保護部件49的鋁當量在I. 8mm以下。由于通過使用顯示出低X射線吸收率的這種保護部件49，閃爍器10的X射線進入側吸收的X輻射可以被減小到最小等級，因此可以實現由于進入閃爍器10的X輻射的量的增加導致的檢測圖像的圖像質量增強。此外，由于在制造操作期間在基板51與薄膜部40之間插入保護部件49，因此可以防止在薄膜部40的生產期間基板51的影響(鈉污染等)造成的薄膜部40的性能惡化。此外，由干與在基板上直接形成薄膜部的情況下剝落基板相比，基板51更加容易剝落，因此可以在不對薄膜部40造成損害且閃爍器10仍然與薄膜部40緊密接觸的情況下剝落基板51。通過按照要求適當地確定保護部件49的 厚度，可以實現光電檢測単元吸收的X輻射量的減少以及保持光電檢測単元要求的強度。如上所述，可以利用X輻射通過光電檢測單元50進入閃爍器10的構成，進ー步促進圖像質量增強。
在X射線成像暗盒100中，X射線圖像檢測設備I的光電檢測單元50結合到暗盒的頂板60A的背面。因此，放置在頂板60A上的被攝體與光電檢測單元50之間的距離變短，進而導致靈敏度和MTF的增強。另外，剝離基板51，從而使光電檢測単元50變得纖薄。因此，可以嘗試圖像質量的進ー步增強。換句話說，保護部件49的存在和基板51的剝離導致的影響在閃爍器10被曝光于從光電檢測單元50的方向施加的X放射線且光電檢測單元50結合到頂板60A的構成中變得更加突出。[6 變型例]光電檢測單元中提供的保護部件的構成不限于如上所述。例如，如在圖11中所示，還可以采用如下構成，所述構成包括由樹脂制成的基質49A(樹脂層)和層疊在基質49A的X射線進入側上且由鋁等制成的光反射膜49B (光反射層)。圖12示出X射線圖像檢測設備的變型例。在變型例中，在剝離和去除基板的過程之后，通過使用例如聚對ニ甲苯在薄膜部40的側面、保護部件49的側面和保護部件49的面對基板51的剝離面上設置保護膜35。除了在閃爍器10上設置的保護膜30之外，由此設 置的保護膜35無疑地密封了閃爍器10和薄膜部40。因此，足以防止閃爍器10和薄膜部40的性能的惡化。圖13示出X射線成像暗盒101。X射線成像暗盒101具有X射線圖像檢測設備2和殼體60。在圖I所示的X射線圖像檢測設備I中，通過粘接層48將閃爍器10和光電檢測單元50結合在一起。在圖13所示的X射線圖像檢測設備2中，閃爍器15置于光電檢測単元50上。除此之外，按照與X射線圖像檢測設備I相同的方式構成X射線圖像檢測設備2。即使在制造X射線圖像檢測設備2時，也使用層疊產品55，例如圖7所示。在層疊產品55溶解之前，將閃爍器15置于光電檢測單元50上(光電檢測単元產生過程)。隨后，剝離基板51 (基板剝離-去除過程)。然而，優選在剝離基板之前，在將支持部件21放置在閃爍器15的柱狀晶體12A的前端(整合過程)之后，從保護部件49剝離基板51。這樣可以防止在剝離操作期間晶體彼此接觸時引起的柱狀晶體12A損壞。支持部件21優選是光反射部件，例如鋁。更具體地，通過如下過程產生X射線圖像檢測設備2 :光電檢測単元產生過程，將保護部件49層疊在基板51上，從而在保護部件49上形成薄膜部件40且因此制造光電檢測單元50 ;閃爍器產生過程，用于在光電檢測単元50的薄膜部40上形成閃爍器15且在閃爍器15的相對于其面對薄膜部40 —側的另ー側上放置支持部件21 ;以及基板剝離-去除過程，用于從在閃爍器產生過程中與閃爍器15整合的保護部件49剝離和去除基板51。X射線圖像檢測設備I和2的閃爍器10和15可以不設有包括非柱狀晶體13A的非柱狀部13，例如上面所述。然而，如果形成非柱狀部13，則將產生如下效果。也就是說，可以沿晶體生長的方向在閃爍器的任意位置形成非柱狀部。當沿晶體生長的方向在閃爍器的基端或前端形成非柱狀部時，可以保證支持件與將在形成閃爍器之后與閃爍器整合的光電檢測単元之間的粘接或者在上面沉積有閃爍器的支持件與薄膜部之間的粘接。保證粘接使得可以防止閃爍器從支持件和光電檢測単元去除，也可以防止由濕氣吸收導致的閃爍器性能惡化。此外，當在柱狀晶體12A的前端形成非柱狀部時，通過非柱狀部將閃爍器的表面平坦化。因此，可以將閃爍器和光電檢測単元均勻地結合在一起。從而可以增強檢測圖像的質量。當在閃爍器的基端(即，初始沉積區域)形成非柱狀部時，使得柱狀晶體12A基于非柱狀部生長為優異的結晶。可以通過為柱狀部提供非柱狀部來增強閃爍器的強度。從而可以增強閃爍器的耐沖擊性。此外，可以確保對抗當閃爍器與支持件或光電檢測單元結合在一起時施加到閃爍器上的負載的強度。因此，可以相對于彼此緊緊按壓閃爍器和光電檢測単元等且使其均勻地彼此緊密接觸。此外，可以通過閃爍器強度的增強，増加將通過包括閃爍器形成的面板與殼體的頂板結合形成的暗盒的承受負載。在此情況下，由于基板已經從光電檢測単元剝離，因此頂板和各個光電檢測單元進ー步彼此接近。因此，可以進一歩增加增強靈敏度和圖像質量的效果。由于非柱狀部形成在柱狀部的前端，因此可以防止保護膜材料流入柱狀晶體之間的間隙。因此，也產生了防止MTF惡化的效果。
圖14示出可以被圖2所示的薄膜部40替換的另ー薄膜部65。屬于薄膜部65的PD 651和TFT 652被布置在相同的面上或者基本相同的面上。由于I3D 651和TFT 652如上所述并排布置在面內，因此可以使得薄膜部65更纖薄。非晶氧化物半導體(IGZO)制成的TFT可以用于圖2所示的薄膜部40和圖14所示的薄膜部65。IGZO的靈敏度是波長350nm或更大，該靈敏度在可見光范圍很難實現。因此，在TFT中不發生開關噪聲。可以避免提供具有光反射層的TFT的必要性。有機材料也可以用于ro和TFT。圖15示出具有由OPC(有機光電轉換材料)形成的光電導層的光電轉換元件661以及由有機材料形成的TFT 662。也可以使用圖2所示的薄膜部40替換包括光電轉換元件661和TFT 662的薄膜部66。用于光電轉換元件661和TFT 662的有機材料幾乎不吸收X輻射。因此，可以增加通過光電轉換元件661和TFT 662之后達到閃爍器10的X輻射量。當發出綠色光的CsI: Tl用于閃爍器時，且當TFT的透明有機材料是例如在JP-A-2009-212389中描述的化學式I表示的酞菁化合物或者同一文獻中描述的化學式2表示的萘酞菁化合物吋，沒有在發光波長范圍內顯示出靈敏度。因此，在TFT中不發生開關噪聲。在此情況下，光電轉換元件661的OPC優選是喹吖啶酮。如圖14所示，由有機材料形成的光電轉換元件661和TFT 662也可以放置在相同的面或者基本相同的面上。如上所述，可以使光電轉換元件，例如ro和由例如上述的非晶氧化物或有機材料形成的TFT在低于用于形成a-Si的溫度的溫度下生長。因此，保護部件49的材料選擇余地變得更寬，并且樹脂制成的保護部件變得可用。[7 可用的器件材料][7-1. OPC(有機光電轉換)材料]例如，JP-A-2009-32854中公開的任何OPC(有機光電轉換)材料可以用于上述I3D41(圖2)等。由OPC材料形成的膜(以下被稱為OPC膜)可以用作ro 41的光電導層。OPC膜包含有機光電轉換材料，其吸收從閃爍器發出的光且產生與吸收的光相應的電荷。因此，包含有機光電轉換材料的OPC膜在可見光范圍內具有尖銳的吸收光譜。OPC膜幾乎不吸收閃爍器發出的光之外的電磁波。因此，可以有效地抑制由放射線例如OPC膜吸收的X射線產生的噪聲。優選形成OPC膜的有機光電轉換材料的吸收峰值波長更接近閃爍器發出的光的峰值波長，以更加有效地吸收閃爍器發出的光。理想地，有機光電轉換材料的吸收峰值波長與閃爍器發出的光的峰值波長一致。然而，如果有機光電轉換材料的吸收峰值波長與閃爍器發出的光的峰值波長之間的差值小，則可以令人滿意地吸收閃爍器發出的光。具體地，有機光電轉換材料的吸收峰值波長與由閃爍器響應于放射線發出的光的峰值波長之間的差值優選不大于IOnm,更優選不大于5nm。能夠滿足這種條件的有機光電轉換材料的示例包括基于亞芳基的有機化合物、基于喹吖啶酮的有機化合物和基于酞菁的有機化合物。例如，在可見光范圍內喹吖啶酮的吸收峰值波長是560nm。因此，當喹吖啶酮用作有機光電轉換材料且CsI (Tl)用作閃爍器的熒光材料時，上述峰值波長的差值可以被設置為5nm內，從而基本上可以將OPC膜中產生的電荷量増加到最大值。在偏壓電極與ro 41的電荷收集電極之間設置的有機層的至少一部分可以由OPC膜形成。更具體地，有機層可以由下述各部分的堆疊或混合形成用于吸收電磁波的部分、光電轉換部分、電子傳輸部分、電子空穴傳輸部分、電子阻擋部分、電子空穴阻擋部分、結晶防止部分、電極、層間接觸改善部分等。 優選有機層包含有機p型化合物或有機n型化合物。有機p型半導體(化合物)是主要由電子空穴傳輸有機化合物代表的施主型有機半導體(化合物)，是指著具有容易供予電子的特性的有機化合物。更詳細地，在彼此接觸地使用的兩種有機材料中，具有較低電離勢的ー個被稱為施主型有機化合物。因此，任何有機化合物可以被用作施主型有機化合物，只要該有機化合物具有供予電子的特性。可以使用的施主型有機化合物的示例包括三芳胺化合物、聯苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯こ烯胺化合物、腙化合物、三苯甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、花菁化合物、部花青化合物、氧雜菁(oxono I)化合物、聚胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚芳撐化合物、稠合芳香碳環化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)、具有含氮雜環化合物作為配體的金屬絡合物等。施主型有機半導體不限于此，但是具有比用作n型(受主型)化合物的有機化合物低的電離勢的任何有機化合物可以被用作施主型有機半導體。n型有機半導體(化合物)是主要由電子傳輸有機化合物代表的受主型有機半導體(化合物)，是指具有容易接收電子的特性的有機化合物。更具體地，當彼此接觸地使用兩種有機化合物時，兩種有機化合物中具有較高電子親和カ的一種有機化合物是受主型有機化合物。因此，任何有機化合物可以被用作受主型有機化合物，只要該有機化合物具有接收電子的特性。其示例包括稠合芳香碳環化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)、包含氮原子、氧原子或硫原子的5至7元雜環化合物(例如，吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪，三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、異喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、鄰ニ氮雜菲、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、P惡唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并U惡唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并噠嗪、三唑并嘧啶、四氮雜茚J惡ニ唑、咪唑并吡啶、吡咯烷、批咯并吡啶、噻ニ唑并吡啶、ニ苯并吖庚因、三苯并吖庚因等)、聚芳撐化合物、芴化合物、環戊ニ烯化合物、甲硅烷基化合物和具有含氮雜環化合物作為配體的金屬絡合物。受主型有機半導體不限于此。具有高于用作施主型有機化合物的有機化合物的電子親和力的任何有機化合物可以被用作受主型有機半導體。關于p型有機染料或n型有機染料，可以使用任何已知染料。其優選的示例包括花菁染料、苯こ烯染料、半花菁染料、部花菁染料(包括零次甲基部花菁(簡單的部花菁))、三核部花菁染料、四核部花菁染料、羅丹花菁(rhodacyanine)染料、復合花菁染料、復合部花菁染料、alopolar染料、氧雜菁染料、半氧雜菁(hemioxonol)染料、方酸'."染料、克酮酸鍵染料、氮雜次甲基染料、香豆素染料、亞芳基染料、蒽醌染料、三苯甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲堿染料、螺環化合物、金屬茂染料、荷酮染料、flugide染料、花染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛藍染料、ニ苯甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、ニ苯胺染料、喹吖唳酮染料、喹酞酮染料、吩P惡嗪染料、酞花(phthaloperylene)染料,卟啉染料,葉綠素染料、酞菁染料、金屬絡合物染料和稠合芳香碳環染料(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)。可以優選地使用在ー對電極之間具 有p型半導體層和n型半導體層的光電轉換膜(光敏層)，該P型半導體和n型半導體中的至少ー個是有機半導體，并且其中，將包括該p型半導體和n型半導體的本體異質結結構層設置為在那些半導體層之間的中間層。在該光電轉換膜中包括的本體異質結結構層可以彌補有機層的載流子擴散長度短的缺陷。因此，可以提高光電轉換效率。在JP-A-2005-303266中詳細描述了該本體異質結結構。優選的是，考慮到來自閃爍器的光的吸收，光電轉換膜較厚。考慮到對于電荷的分離做出任何貢獻的比率，光電轉換膜優選不薄于30nm且不厚于300nm,更優選不薄于50nm且不厚于250nm,特別優選不薄于80nm且不厚于200nm。對于關于上述OPC膜的任何其他構成，例如，參考JP-A-2009-32854中的說明。[7-2.有機TFT (薄膜晶體管)]盡管無機材料通常用于上述TFT 42等，但是也可以使用有機材料，例如，如JP-A-2009-212389中所公開。有機TFT可能具有任何類型的結構，但是場效應晶體管(FET)結構是最優選的。在FET結構中，基板布置于底層，在基板的上表面部分地設置柵電極。設置絕緣層以覆蓋電極且在電極之外的其他部分觸及基板。此外，在絕緣層的上表面上設置半導體有源層，并且在半導體有源層的上表面的一部分上并且彼此相距一段距離地布置源極電極和漏極電扱。此構成被稱為頂部接觸類型器件。然而，也可以優選地使用底部接觸類型器件，其中，在半導體有源層下布置源極電極和漏極電扱。另外，可以使用垂直晶體管結構，其中，載流子在有機半導體膜的厚度方向流動。(半導體有源層)P型有機半導體材料用作半導體有源層的材料。P型有機半導體材料基本上無色且透明。例如，可以通過觸針厚度測量儀測量有機半導體薄膜的厚度。可以制造具有不同厚度的多個薄膜，并且可以測量其吸收光譜，從而基于校準曲線可以通過轉換獲得每30nm膜厚度的最大吸收率。在此提及的有機半導體材料是示出作為半導體的屬性的有機材料。有機半導體材料的示例包括P型有機半導體材料(或者被簡稱為P型材料或電子空穴傳輸材料)，其傳導作為載流子的電子空穴(空穴)；以及，n型有機半導體材料(或者被簡稱為n型材料或電子傳輸材料)，其與由無機材料形成的半導體類似地傳導作為載流子的電子。在有機半導體材料中，許多P型材料通常示出良好的屬性。另外，通常對于在大氣下的晶體管的操作穩定性而言，P型晶體管更優異。在此，將進行關于P型有機半導體材料的說明。有機薄膜晶體管的屬性之一是載流子遷移率(也被簡稱為遷移率)UU指示在有機半導體層中的載流子的遷移率。盡管優選的遷移率根據應用改變，但是通常優選較高的遷移率。遷移率優選不低于I. 0*10_7cm2/Vs，更優選不低于I. 0*10_6cm2/Vs，進ー步優選不低于1.0*10_5cm2/VS。當制造場效應晶體管(FET)器件時，可以通過屬性或TOF(飛行時間)測量來獲得遷移率。p型有機半導體材料可以是低分子量材料或高分子量材料，但是優選是低分子量材料。因為下述原因，許多低分子量材料通常示出優異的屬性因為可以對其應用各種精制處理例如升華精制、重結晶、柱色譜法等而易得高度純化，或者由于因為低分子量材料具有固定的分子結構而易于形成高度有序的晶體結構。低分子量材料的分子量優選不低于100且不高于5，000,更優選不低于150且不高于3，000,進ー步優選不低于200且不高于2，000。 將示出這種p型有機半導體材料的優選特定示例。Bu表示丁基，Pr表示丙基，Et表不乙基，Ph表不苯基。[化學品I]
權利要求
1.一種制造放射圖像檢測設備的方法，所述放射圖像檢測設備具有閃爍器，當其被曝光于放射線時發出熒光；以及光電檢測単元，其布置于閃爍器的輻射進入側，所述方法包括 光電檢測単元產生過程，用于在基板上層疊顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護部件，以及在保護部件上形成將熒光檢測為電信號的薄膜部，從而產生所述光電檢測單元； 基板剝離-去除過程，用于從保護部件剝離和除去基板；以及 整合過程，用于在基板剝離-去除過程之前或之后將先前產生的閃爍器和光電檢測單元整合在一起。
2.一種制造放射圖像檢測設備的方法，所述放射圖像檢測設備具有閃爍器，當其被曝光于放射線時發出熒光；以及光電檢測単元，其布置于閃爍器的輻射進入側，所述方法包括 光電檢測単元產生過程，用于在基板上層疊顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護部件，以及在保護部件上形成將熒光檢測為電信號的薄膜部，從而產生所述光電檢測單元； 閃爍器產生過程，用于在所述光電檢測單元的薄膜部上形成閃爍器，并且在閃爍器的相對于其面對薄膜部的一側的另ー側上放置支持部件；以及 基板剝離-去除過程，用于從在閃爍器產生過程中與閃爍器整合的保護部件剝離和除去基板。
3.根據權利要求I或2所述的制造放射圖像檢測設備的方法，其中以對于在60kV的管電壓下發出的X輻射的鋁當量在I. 8mm以下的方式設置所述保護部件。
4.根據權利要求I或2所述的制造放射圖像檢測設備的方法，其中 在所述光電檢測單元產生過程中，通過剝離層在基板上層疊所述保護部件。
5.ー種放射圖像檢測設備，其包括 閃爍器，當其被曝光于放射線時發出熒光；以及 光電檢測単元，其布置于閃爍器的輻射進入側上，其中 所述光電檢測單元包括由顯示出比玻璃材料顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的低輻射吸收材料形成的保護部件，以及在保護部件的面對閃爍器的ー側上形成的且將熒光檢測為電信號的薄膜部。
6.根據權利要求5所述的放射圖像檢測設備，其中， 對于在60kV的管電壓下發出的X輻射的保護部件的鋁當量在I. 8mm以下。
7.根據權利要求6所述的放射圖像檢測設備，其中 對于在60kV的管電壓下發出的X輻射的保護部件的鋁當量為O. Imm至I. Omm。
8.根據權利要求5至7中任一項所述的放射圖像檢測設備，其中 所述低輻射吸收材料是金屬(包括金屬互化物或合金)和/或樹脂。
9.根據權利要求8所述的放射圖像檢測設備，其中 所述保護部件包括樹脂層以及在樹脂層的輻射進入側上設置的由金屬制成的光反射層。
10.根據權利要求8所述的放射圖像檢測設備，其中所述金屬是單種金屬Al、Mg、Cr、Zr、Ti和Mn、其氧化物以及包括各個單種金屬的合金中的至少ー種。
11.根據權利要求8所述的放射圖像檢測設備，其中 所述樹脂是聚酰亞胺、聚萘ニ甲酸こニ醇酯、聚苯こ烯和芳族聚酰胺中的至少ー種。
12.根據權利要求5至7中任一項所述的放射圖像檢測設備，其中 所述保護部件是在所述薄膜部的相對于其面對閃爍器的ー側的另ー側上布置的且向所述薄膜部反射熒光的光反射部件。
13.根據權利要求5至7中任一項所述的放射圖像檢測設備，其中 由非晶氧化物或有機材料形成所述薄膜部的至少一部分。
14.根據權利要求5至7中任一項所述的放射圖像檢測設備，其中 所述保護部件的厚度為0. Olmm至1mm。
15.根據權利要求5至7中任一項所述的放射圖像檢測設備，其中 所述閃爍器包括從由熒光晶體的柱狀生長得到的柱狀晶體組形成的柱狀部。
16.根據權利要求15所述的放射圖像檢測設備，其中 在所述閃爍器的柱狀晶體的一端設置包括非柱狀晶體的非柱狀部。
17.根據權利要求5至7中任一項所述的放射圖像檢測設備，其中 保護部件的相對于其的上面形成所述薄膜部的一側的另ー側對應于從支持所述保護部件的基板剝離所述保護部件時獲得的所述保護部件的剝離表面。
18.—種放射成像暗盒，其包括 根據權利要求5至17中任一項所述的放射圖像檢測設備； 殼體，其以薄膜部通過所述保護部件與頂板的背面相対的方式容納所述放射圖像檢測設備，其中 所述殼體具有頂板，在所述頂板上放置被攝體。
19.根據權利要求18所述的放射成像暗盒，其中 所述保護部件固定到所述頂板。
20.根據權利要求18或19所述的放射成像暗盒，其中 當使用所述保護部件和所述頂板時對于在60kV的管電壓下產生的X輻射實現的鋁當量在I. 8mm以下。
全文摘要
本發明涉及一種放射圖像檢測設備及其制造方法，所述放射圖像檢測設備具有閃爍器，當其被曝光于放射線時發出熒光；以及光電檢測單元，其布置于所述閃爍器的放射進入側，所述方法包括光電檢測單元產生過程，用于在基板上層疊顯示出比基板顯示出的輻射吸收率更低的輻射吸收率的保護部件，以及在保護部件上形成將熒光檢測為電信號的薄膜部，從而產生所述光電檢測單元；基板剝離-去除過程，從保護部件剝離和除去基板；以及整合過程，在基板剝離-去除過程之前或之后將先前產生的閃爍器和光電檢測單元整合在一起。
文檔編號G01T1/20GK102650697SQ20121004571
公開日2012年8月29日 申請日期2012年2月24日 優先權日2011年2月24日
發明者中津川晴康, 巖切直人 申請人:富士膠片株式會社