專利名稱：一種選擇性擴散方阻測試的方法
技術領域：
本發明涉及一種測試方法，尤其涉及一種選擇性擴散方阻測試的方法。
背景技術：
當前制備高效率晶體硅太陽能電池片，主要是利用擴散的選擇性發射極來得到。 其在柵線下面形成重擴散區，以降低電極與晶硅的接觸電阻；在受光部分(活性區)形成輕擴散區，使得電池的短波段光譜響應卓越。一般來說，晶體硅發射極的方塊電阻值是利用四探針量測(圖1)，由于選擇性發射極活性區的方塊電阻太大(> 75 Ω / □)，制取工藝受到挑戰，這就需要在擴散后，對其活性區方塊電阻值進行實時監控并及時排除擴散不良片；另一方面，輕擴散發射極是在重擴后/同時(一次擴散通過印刷含P的硅漿料)得到，由于重擴散區方塊電阻的測試干擾， 會使得測試不準確。目前來說，輕擴散區方塊電阻的監控通過如下方法兩次/ 一次擴散工藝選擇同批次制絨后的晶硅片，但未經過重擴散(監控片)與準備進行輕擴散，已/同時經過重擴散的硅片放入同一爐管中，這時，只需對監控片進行5 點量測，就可得到方塊電阻值和均勻性。回刻(Etch Back)工藝將重擴散后但不噴涂臘的硅晶片，隨正常回刻工藝同時進行，工藝完成后，對其進行5點量測就可以得到方塊電阻值和其均勻性或者是通過分光法通過量測刻蝕的深度來進行工藝監控。上述的方法，是根據不同制備選擇性發射極的方法而來，歸根結底，這些方法需要較多的監控片，而監控片大部分會作為返工片處理；同時，前期重擴散方阻應保持與燒結匹配(不匹配可能會導致電池片過燒或欠燒)，而當前方法沒有將重擴散區的方塊電阻進行工藝監控，從而影響電池片的效率和良率，從而不利于企業的成本控制。
發明內容
本發明的目的就是為了解決現有技術中存在的上述問題，提供一種選擇性擴散方阻測試的方法。本發明的目的通過以下技術方案來實現一種選擇性擴散方阻測試的方法，其包括以下步驟步驟①，選擇晶體硅片，進行重摻雜，令其方塊電阻為40-55 Ω / □；步驟②，對擴散面柵線處進行噴涂臘或其他有機物質；步驟③，放入回刻設備中進行無機酸/堿性刻蝕，形成選擇性發射極面，制得選擇性發射極晶體硅片；步驟④，取出步驟③制備好的選擇性發射極晶體硅片，放入四探針測試設備中；步驟⑤，選擇探針移動步徑，對選擇性發射極晶體硅片進行與探針移動步徑對應的逐步方塊電阻進行測試，獲取數據組；步驟⑥，對數據組用軟件進行分析，得到曲線圖，包含方塊電阻大小數據、均勻性數據、重擴散區域方塊電阻的大小數據。上述的一種選擇性擴散方阻測試的方法，其中所述的形成選擇性發射極面，制得選擇性發射極晶體硅片過程中，令輕擴散區方塊電阻值> 75Ω/ 口。進一步地，上述的一種選擇性擴散方阻測試的方法，其中所述的選擇性發射極晶體硅片放入四探針測試設備中時，保證四根探針位于同一直線上并與副柵線重擴散區平行。更進一步地，上述的一種選擇性擴散方阻測試的方法，其中所述探針移動步徑為 0. Olmm-O. 5mm。本發明技術方案的優點主要體現在不需要用到方塊電阻的監控片，這就有利于企業成本的下降。同時，無需對正常片和監控片進行區分，這會給產線的作業員帶來方便。 再者，通過5塊區域測量，避免之前5點測試的不準確性。由此，為本領域的技術進步拓展了空間，實施效果好。
本發明的目的、優點和特點，將通過下面優選實施例的非限制性說明進行圖示和解釋。這些實施例僅是應用本發明技術方案的典型范例，凡采取等同替換或者等效變換而形成的技術方案，均落在本發明要求保護的范圍之內。這些附圖當中，圖1是四探針測試設備檢測實施示意圖；圖2是方塊電阻隨探針移動距離而變化的曲線圖。
具體實施例方式如圖1、圖2所示一種選擇性擴散方阻測試的方法，其與眾不同之處在于包括以下步驟首先選用選擇多晶硅片(P型，156*156)，進行重摻雜，令其方塊電阻為40-55 Ω / 口。 具體來說，考慮到現有的多晶硅片類型，選取P型，156*156的多晶硅片較為常見。之后，對擴散面柵線處進行噴涂臘。具體來說，為了而便于后續的測試精確度得到滿足，整個涂臘過程為對3根主柵，68根副柵，進行完全涂臘，且令副柵線中心之間的距離
為2.沘讓。接著，放入回刻設備中進行硝酸、氫氟酸的水溶液刻蝕，形成選擇性發射極面，制得選擇性發射極晶體硅片，確保輕擴散區方塊電阻值> 75Ω/ 口。緊接著，取出制備好的選擇性發射極多晶硅片，放入四探針測試設備中。在此期間，選擇性發射極多晶硅片放入四探針測試設備中時，保證四根探針位于同一直線上并與副柵線重擴散區平行。然后，選擇探針移動步徑，對選擇性發射極晶體硅片的中心位置進行與探針移動步徑對應的逐步方塊電阻進行測試，獲取數據組。具體來說，為了提高數據的精確程度，探針移動步徑為0. 1mm。具體結合圖1來看，a-主柵線重擴散區中心點間距；b_主柵重擴散區寬度；C-四探針探頭間距；d-發射極厚度；e-副柵線重擴散區中心點間距；W-硅片寬度。獲取的數據如表1所示
權利要求
1.一種選擇性擴散方阻測試的方法，其特征在于包括以下步驟步驟①，選擇晶體硅片，進行重摻雜，令其方塊電阻為40-55Ω/ □；步驟②，對擴散面柵線處進行噴涂臘；步驟③，放入回刻設備中進行無機酸/堿性刻蝕，形成選擇性發射極面，制得選擇性發射極晶體硅片；步驟④，取出步驟③制備好的選擇性發射極晶體硅片，放入四探針測試設備中；步驟⑤，選擇探針移動步徑，對選擇性發射極晶體硅片進行與探針移動步徑對應的逐步方塊電阻測試，獲取數據組；步驟⑥，對數據組用Minitab軟件進行分析，得到曲線圖，包含方塊電阻大小數據、均勻性數據、重擴散區域方塊電阻的大小數據。
2.根據權利要求1所述的一種選擇性擴散方阻測試的方法，其特征在于所述的形成選擇性發射極面過程中，令輕擴散區方塊電阻值> 75Ω / 口。
3.根據權利要求1所述的一種選擇性擴散方阻測試的方法，其特征在于所述的選擇性發射極晶體硅片放入四探針測試設備中時，保證四根探針位于同一直線上并與副柵線重擴散區平行。
4.根據權利要求1所述的一種選擇性擴散方阻測試的方法，其特征在于所述探針移云力步徑 0. Olmm-O. 5mm。
全文摘要
本發明涉及一種晶體硅選擇性擴散方塊電阻測試的方法，其包括以下步驟首先，選擇晶體硅片，進行重摻雜，令其方塊電阻為40-55Ω/□。之后，對擴散面柵線處進行噴涂蠟或其他有機物質。接著，放入回刻設備中進行刻蝕，制得選擇性發射極晶體硅片。然后，取出制備好的選擇性發射極晶體硅片，放入四探針測試設備中，對其不同位置進行與探針移動步徑對應的逐步方塊電阻進行測試，獲取數據組。之后，對數據組用Minitab軟件進行分析，得到曲線圖。這樣，不需要用到方塊電阻的監控硅片，同時可以監測重擴散區域大小和方塊電阻值，這就有利于企業成本的下降。
文檔編號G01R27/02GK102539919SQ20111042846
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月19日 優先權日2011年12月19日
發明者倪正中, 孫利國, 彭江, 王志剛, 胡黨平, 趙文祥, 魏青竹, 黃書斌 申請人:中利騰暉光伏科技有限公司