專利名稱：MOS晶體管的柵極電壓-1/f噪聲曲線測量方法
技術領域：
本發明涉及半導體測試技術，特別涉及一種MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法。
背景技術：
在一個穩定工作的直流電路系統中，流經某一個節點的電流理論上是恒定的，不隨時間的變化而變化。用電流-時間圖來表示就是一條直線，如圖1的虛線所示。但是，由于各種原因，實際測量的電流并不是恒定的，而是如圖1中的實線所示，是一個圍繞理論電流值上下波動的曲線。實際電流值就是理論值加上噪聲電流，所述噪聲電流可正可負。類似的，流過金屬-氧化物-半導體-場效應晶體管(M0S晶體管)的電流也會產生噪聲，其成分可以分為三類，分別是Ι/f噪聲，散粒噪聲和熱噪聲，其中在低頻或直流時， MOS晶體管的噪聲主要為Ι/f噪聲。且隨著MOS晶體管器件特征尺寸的縮小，Ι/f噪聲會大大增加。Ι/f噪聲主要是由于在MOS晶體管的柵極氧化層和溝道的交界面處存在很多的電荷陷阱，溝道中的載流子在流動的過程中，會不斷地有載流子被陷阱俘獲或脫離陷阱，造成漏極電流波動，在回路中產生噪聲電流。通過測量在不同電壓條件下的Ι/f噪聲，可有效地檢測出MOS晶體管的柵極氧化層和溝道的交界面處電荷缺陷的數量。因此，MOS晶體管的 Ι/f噪聲變化曲線作為一種有效的器件可靠性評價工具，在半導體器件的質量和可靠性評價中得到了廣泛的應用。在現有技術中，通常測量MOS晶體管的Ι/f噪聲變化曲線的方法為使用低頻頻譜分析儀對MOS晶體管的Ι/f噪聲進行測量。但這種測量方法測量過程需要專門的數據轉換軟件和參數提取軟件，測量過程較為復雜，總的耗時過長。因此，亟需找到一種能快速有效的測量MOS晶體管的Ι/f噪聲變化曲線的方法，從而便于評價器件可靠性。更多關于器件噪聲的測量方法和測量裝置請參考公開號為US2006/0187109A1的美國專利文獻。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，可快速有效的測量出MOS晶體管在不同柵極電壓條件下的Ι/f噪聲，從而便于評價MOS晶體管的器件可靠性。為解決上述問題，本發明技術方案提供了一種MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，包括提供待檢測的MOS晶體管；測量在指定柵極電壓區間內的MOS晶體管柵極電壓-漏極電流的變化曲線；將所述柵極電壓區間劃分成至少2個分區間，比較分區間的漏極電流的變化趨勢，在各個分區間內選取多個柵極電壓值，且漏極電流的變化趨勢大的分區間內選取的柵極電壓值數量大于漏極電流的變化趨勢小的分區間內選取的柵極電壓值數量；
測量選取的柵極電壓值對應的ι/f噪聲，根據獲得的l/f噪聲獲得在對應柵極電壓區間的柵極電壓-l/f噪聲曲線。可選的，測量所述MOS晶體管的l/f噪聲的具體方法包括利用測試探針在MOS 晶體管上施加源漏電壓、柵極電壓；測量MOS晶體管的漏極電流信號；分析所述漏極電流信號，獲得所述MOS晶體管的l/f噪聲。可選的，所述源漏電壓為直流電壓。可選的，還包括利用所述柵極電壓-l/f噪聲的變化曲線判斷MOS晶體管柵極氧化層和溝槽之間的電荷陷阱數量。可選的，所述待檢測的MOS晶體管的柵極電壓-漏極電流的變化曲線通過測量若干個柵極電壓條件下的漏極電流獲得。可選的，所述待檢測的MOS晶體管的柵極電壓-漏極電流的變化曲線通過使用器件模型進行模擬仿真計算獲得。可選的，在測試MOS晶體管的漏極電流和l/f噪聲時，所述MOS晶體管的源極和襯底接地或加偏壓。可選的，所述待檢測的MOS晶體管位于未封裝的晶圓上。可選的，所述待檢測的MOS晶體管位于封裝器件中。可選的，測量所述MOS晶體管的l/f噪聲采用的測試裝置具備電磁噪聲屏蔽能力。與現有技術相比，本發明具有以下優點在本發明實施例中，由于發明人發現不同柵極電壓下漏極電流的變化趨勢和不同柵極電壓下ι/f噪聲的變化趨勢大致相同，通過先獲得指定柵極電壓區間內的MOS晶體管柵極電壓-漏極電流的變化曲線，來判斷對應柵極電壓區間內柵極電壓-l/f噪聲的變化趨勢，并根據對應柵極電壓區間柵極電壓-l/f噪聲的變化趨勢選取能表現MOS晶體管的l/f 噪聲的變化趨勢的幾個柵極電壓進行測量獲得l/f噪聲，并根據獲得的l/f噪聲獲得在對應柵極電壓區間的柵極電壓-ι/f噪聲曲線。相對于現有l/f噪聲測量技術減少了測試時間，且測試結果能夠全面高精度地描述器件噪聲性能。
圖1為直流電路中理論電流值和實際電流值的對比圖；圖2為本發明實施例的MOS晶體管的柵極電壓-l/f噪聲曲線測量方法的流程示意圖；圖3至圖5為不同源漏電壓下柵極電壓-漏極電流-l/f噪聲的測量結果圖。
具體實施例方式由于現有技術中通過對MOS晶體管的l/f噪聲進行檢測從而獲知MOS晶體管的器件可靠性時，為了從整體上了解MOS晶體管的器件可靠性，需要獲得MOS晶體管的l/f噪聲變化曲線，了解不同電壓條件對MOS晶體管的l/f噪聲的影響的趨勢，從而了解不同電壓條件下MOS晶體管的器件可靠性變化。通常，由于我們不能預知不同電壓條件對MOS晶體管的l/f噪聲的影響的趨勢，因此我們只能通過測量等間隔的多個不同電壓條件下MOS晶體管的l/f噪聲，利用測得的多個不同電壓條件下MOS晶體管的l/f噪聲獲得MOS晶體管的Ι/f噪聲變化曲線，從而判斷不同電壓條件下所述MOS晶體管的器件可靠性變化。為了能得到較精確的MOS晶體管的Ι/f噪聲變化曲線，通常需要測量至少10組以上的Ι/f噪聲。當需要測試十個不同電壓條件下MOS晶體管的Ι/f噪聲時，由于測試每一組Ι/f噪聲所需的時間至少為半個小時，測試十組至少需要5個小時，這會極大的浪費時間。為了解決所述問題，本發明實施例的發明人經過大量實驗，發現了一個規律，即在 MOS晶體管中，不同柵極電壓下漏極電流的變化趨勢和不同柵極電壓下漏極電流噪聲的變化趨勢大致相同。在不同柵極電壓下，當所述漏極電流變化較快時，所述漏極電流噪聲也變化較快，當所述漏極電流變化較慢時，所述漏極電流噪聲也變化較慢，從而最終形成的柵極電壓-漏極電流的變化曲線與最終形成的柵極電壓-漏極電流噪聲的變化曲線的形狀大致相同。由于測試不同柵極電壓下MOS晶體管的漏極電流非常容易，可以輕易獲得不同柵極電壓對應的漏極電流并形成的柵極電壓-漏極電流的變化曲線，并以此為依據選取能表現 MOS晶體管的Ι/f噪聲的變化趨勢的幾個柵極電壓，與現有技術相比，減少了 Ι/f噪聲的測試次數，從而減少了測量時間，且測試結果能夠全面高精度地描述器件噪聲性能。在本發明實施例中，由于施加在源漏極兩端的電壓為直流電壓，因此所述漏極電流噪聲主要為Ι/f噪聲，在后續的表述中，用Ι/f噪聲代替漏極電流噪聲。為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。本發明實施例首先提供了一種MOS晶體管的Ι/f噪聲測量方法，請參考圖2，為本發明實施例的MOS晶體管的Ι/f噪聲測量方法的流程示意圖，具體包括步驟S101，提供待檢測的MOS晶體管；步驟S102，測量在指定柵極電壓區間內的MOS晶體管柵極電壓-漏極電流的變化曲線；步驟S103，將所述柵極電壓區間劃分成至少2個分區間，比較分區間的漏極電流的變化趨勢，在各個分區間內選取多個柵極電壓值，且漏極電流的變化趨勢大的分區間內選取的柵極電壓值數量大于漏極電流的變化趨勢小的分區間內選取的柵極電壓值數量；步驟S104，測量選取的柵極電壓值對應的Ι/f噪聲，根據獲得的Ι/f噪聲獲得在對應柵極電壓區間的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線。執行步驟S101，提供待檢測的MOS晶體管。不同的MOS晶體管在形成過程中由于工藝參數、工藝環境的不同，MOS晶體管的柵氧化層和溝道的交界面處存在的電荷陷阱的數量也各不相同，不同的MOS晶體管會有不同的Ι/f噪聲。當所述Ι/f噪聲較大時，說明柵氧化層和溝道的交界面處的電荷陷阱的數量較多，MOS晶體管的器件可靠性較差，因此，非常有必要對利用半導體制造技術形成的MOS 晶體管進行Ι/f噪聲測試，進而分析器件的可靠性。在本發明實施例中，所述MOS晶體管位于晶圓上，未進行封裝，在測試時，將形成有MOS晶體管的晶圓放入測試裝置的承載臺上， 直接將測試探針與源/漏極、柵極、襯底電接觸，利用測試探針對MOS晶體管施加直流電壓并檢測漏極電流信號。在其他實施例中，所述MOS晶體管位于封裝器件中，利用測試探針通過封裝器件的測試引腳對MOS晶體管施加直流電壓并檢測漏極電流信號。其中，所述測試裝置具有電磁噪聲屏蔽能力，當MOS晶體管進行測量時，所述測試裝置內部的MOS晶體管不會受到外界噪聲的影響。執行步驟S102，測量在指定柵極電壓區間內的MOS晶體管柵極電壓-漏極電流的變化曲線。在本實施例中，當所述形成有MOS晶體管的晶圓放入到測量裝置的承載臺上后， 將測試探針與源/漏極、柵極、襯底進行電連接。所述MOS晶體管的源極和襯底接地。在其他實施例中，所述源極和襯底也可以施加非零的偏壓。當所述漏極和柵極被施加電壓后，源漏極之間產生漏極電流，通過測試探針測量對應柵極電壓下的漏極電流。通過測量若干個柵極電壓條件下的漏極電流，從而可以繪制出柵極電壓-漏極電流的變化曲線。由于測量一組柵極電壓下的漏極電流所需的時間很短，只需要將測試端頭施加在MOS晶體管的源/漏極的兩端，對所述源/漏極施加源漏電壓，就可獲得柵極電壓對應的漏極電流，然后不斷改變柵極電壓，從而測量出不同柵極電壓對應的漏極電流。由于發明人多次實驗發現的實驗結果和理論指出，在低頻或直流時，不同柵極電壓下漏極電流的變化趨勢和不同柵極電壓下Ι/f噪聲的變化趨勢大致相同，即在相同的柵極電壓區間內，漏極電流的變化曲線和Ι/f噪聲的變化曲線大致相同。因此，需要根據Ι/f噪聲的變化曲線的柵極電壓區間來確定漏極電流的變化曲線的柵極電壓區間，并在所述柵極電壓區間內選取若干等間距的柵極電壓來測試對應的漏極電流，并獲得柵極電壓-漏極電流的變化曲線。所述Ι/f噪聲的變化曲線的柵極電壓區間根據具體的器件類型、 測試需求來指定。通常的，至少測量6個等間距的柵極電壓的漏極電流，從而畫出一條較為完整、精準的柵極電壓-漏極電流的變化曲線。在其他實施例中，所述待檢測的MOS晶體管的柵極電壓-漏極電流的變化曲線通過使用器件模型進行模擬仿真計算獲得。執行步驟S103，將所述柵極電壓區間劃分成至少2個分區間，比較分區間的漏極電流的變化趨勢，在各個分區間內選取多個柵極電壓值，且漏極電流的變化趨勢大的分區間內選取的柵極電壓值數量大于漏極電流的變化趨勢小的分區間內選取的柵極電壓值數量。由于不同柵極電壓下漏極電流的變化趨勢和對應的柵極電壓下Ι/f噪聲的變化趨勢大致相同。不同柵極電壓下，當所述漏極電流變化較快時，所述Ι/f噪聲也變化較快， 當所述漏極電流變化較慢時，所述Ι/f噪聲也變化較慢，從而最終形成的柵極電壓-漏極電流的變化曲線與最終形成的柵極電壓-Ι/f噪聲的變化曲線的形狀大致相同。因此，可以根據所述柵極電壓-漏極電流的變化曲線選取能表現MOS晶體管的Ι/f噪聲的變化趨勢的幾個柵極電壓，并測量所述幾個柵極電壓下MOS晶體管的Ι/f噪聲，從而得到柵極電壓_l/f 噪聲的變化曲線。當獲得指定柵極電壓區間內的柵極電壓-漏極電流的變化曲線后，將對應的柵極電壓區間等大小劃分成至少2個分區間，比較所述分區間的漏極電流的變化趨勢，按各分區間內漏極電流的變化速率的大小進行排列，在各個分區間內選取多個柵極電壓值，具有不同漏極電流的變化速率的分區間選取的柵極電壓值不同，其中，對漏極電流的變化速率較快的分區間多選取幾個柵極電壓值，對漏極電流的變化速率較慢的分區間少選取幾個柵極電壓值。
請參考圖3，在圖3所示的實施例中，所述柵極電壓區間為0. 8V 5. 0V，將所述柵極電壓區間等大小劃分成2個分區間，其中第一分區間為0. 8V 2. 9V，第二分區間為 2. 9V 5. 0V。由于第一分區間內柵極電壓-漏極電流的變化曲線的平均斜率較大，對應的， 漏極電流的變化速率也較快，而第二分區間內柵極電壓-漏極電流的變化曲線的平均斜率較小，對應的，漏極電流的變化速率也較慢，因此，在第一分區內取三個柵極電壓(0.8V、 1. 0V、2. 9V)，在第二分區內取兩個柵極電壓(2. 9V、5. 0V，其中2. 9V為兩個分區的邊界)。由于利用本發明實施例的測量方法只需測量M個柵極電壓下的漏極電流噪聲(M 通常小于等于5，由器件的直流特性決定)，其中在漏極電流變化速率較快時可適當選取較多個柵極電壓用于測量，在漏極電流變化速率較慢時適當選取較少個柵極電壓用于測量， 這樣既能節省時間又能較精準得到MOS晶體管的Ι/f噪聲的變化趨勢。而在現有技術中，由于未測量MOS晶體管的Ι/f噪聲之前不了解待檢測的MOS晶體管的Ι/f噪聲的變化趨勢， 因此通常我們需要等間距地選取N個柵極電壓來測量MOS晶體管的Ι/f噪聲(由于現在沒有成熟的可用于測量Ι/f噪聲的模型，N通常大于等于10，才能得到較為精準的Ι/f噪聲變化曲線，而現有技術中測量漏極電流的模型已較為成熟，通常測量6個柵極電壓下對應的漏極電流即可得到較為精準的漏極電流的變化曲線)，同時，在測試器件的Ι/f噪聲前就確定了測試的電壓條件，避免了當前技術中，可能會因為數據不全而需要補充測試的情況。利用本發明實施例的測量方法與現有技術相比可減少測試時間，且最后測得的MOS晶體管的 Ι/f噪聲的變化趨勢的精準度與現有技術相當，最后也能檢測出不同電壓條件下MOS晶體管的器件可靠性變化。執行步驟S104，測量選取的柵極電壓值對應的Ι/f噪聲，根據獲得的Ι/f噪聲獲得在對應柵極電壓區間的柵極電壓-ι/f噪聲曲線。在本實施例中，根據選取的柵極電壓值測量對應柵極電壓值的Ι/f噪聲，并將所述測量得到的Ι/f噪聲進行直線連接，形成在對應柵極電壓區間的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線。由于ι/f噪聲主要是由于在MOS晶體管的柵極氧化層和溝道的交界面處存在很多的電荷陷阱，溝道中的載流子在流動的過程中，會不斷地有載流子被陷阱俘獲和脫離陷阱，造成漏極電流波動，在回路中產生噪聲電流，影響MOS晶體管的器件可靠性。其中，當所述電荷陷阱較多時，對應MOS晶體管的Ι/f噪聲較大，因此，利用不同MOS晶體管的柵極電壓-1/ f噪聲的變化曲線可以判斷MOS晶體管柵極氧化層和溝槽之間的電荷陷阱數量，從而判斷 MOS晶體管的器件可靠性。請參考圖3，為源漏電壓為1. 5V的柵極電壓-漏極電流_l/f噪聲的測量結果圖。 橫坐標為柵極電壓，左邊的縱坐標為漏極電流，右邊的縱坐標為Ι/f噪聲。其中，實線表示漏極電流隨柵極電壓的變化曲線，三角形表示在選取的幾個柵極電壓下的Ι/f噪聲，虛線表示ι/f噪聲隨柵極電壓的變化曲線。本實施例中，所述柵極電壓區間為0. 8V 5. OVdf 所述柵極電壓區間等大小劃分成2個分區間，其中第一分區間為0. 8V 2. 9V，第二分區間為2. 9V 5. OV0從圖中可清晰地看到，漏極電流隨柵極電壓的變化曲線和Ι/f噪聲隨柵極電壓的變化曲線非常相識，利用漏極電流隨柵極電壓的變化曲線可以了解到當柵極電壓的變化范圍為0. 8V 2. 9V時，漏極電流的變化速率較快，在該范圍內選取較多個柵極電壓用于測量，而當柵極電壓的變化范圍為2. 9V 5. 0V，漏極電流的變化速率較慢，在該范圍內選取較少個柵極電壓用于測量。本實施例選取的柵極電壓值為0. 8V、1. 0V、2. 9V、5V四個柵極電壓，并對所述四個柵極電壓下的Ι/f噪聲進行測量，從而獲得柵極電壓-ι/f噪聲的變化曲線，從而可以判斷出MOS晶體管在不同的柵極電壓下器件可靠性的變化情況。請參考圖4，為源漏電壓為2. 5V的柵極電壓-漏極電流_l/f噪聲的測量結果圖。 請參考圖5，為源漏電壓為5. OV的柵極電壓-漏極電流-Ι/f噪聲的測量結果圖。在以上兩個實施例中，所述柵極電壓區間為0. 8V 5. 0V，將所述柵極電壓區間等大小劃分成2個分區間，其中第一分區間為0. 8V 2. 9V，第二分區間為2. 9V 5. 0V。從圖4、圖5中也可清晰地看到，漏極電流隨柵極電壓的變化曲線和Ι/f噪聲隨柵極電壓的變化曲線非常相識， 利用漏極電流隨柵極電壓的變化曲線可以了解到當柵極電壓的變化范圍為0. 8V 2. 9V 時，漏極電流的變化較快，在該范圍內選取較多個柵極電壓用于測量，而當柵極電壓的變化范圍為2. 9V 5. 0V，漏極電流的變化較慢，在該范圍內選取較少個柵極電壓用于測量。因此，本實施例中，選取電壓值為0. 8V、1. 0V、2. 9V、5V四個柵極電壓，并對所述四個柵極電壓下的Ι/f噪聲進行測量，獲得Ι/f噪聲隨柵極電壓的變化曲線，從而可以判斷出當源漏電壓為2. 5V或5. OV時，MOS晶體管在不同的柵極電壓下器件可靠性的變化情況。在本發明實施例中，發明人發現不同柵極電壓下漏極電流的變化趨勢和不同柵極電壓下ι/f噪聲的變化趨勢大致相同，通過先獲得指定柵極電壓區間內的MOS晶體管柵極電壓-漏極電流的變化曲線，來判斷對應柵極電壓區間內柵極電壓-ι/f噪聲的變化趨勢， 并根據對應柵極電壓區間柵極電壓_l/f噪聲的變化趨勢選取能表現MOS晶體管的Ι/f噪聲的變化趨勢的幾個柵極電壓進行測量獲得Ι/f噪聲，并根據獲得的Ι/f噪聲獲得在對應柵極電壓區間的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線。相對于現有Ι/f噪聲測量技術減少了測試時間， 且測試結果能夠全面高精度地描述器件噪聲性能。本發明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發明，任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和范圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發明技術方案的保護范圍。
權利要求
1.一種MOS晶體管的柵極電壓_l/f噪聲曲線測量方法，其特征在于，包括提供待檢測的MOS晶體管；測量在指定柵極電壓區間內的MOS晶體管柵極電壓-漏極電流的變化曲線；將所述柵極電壓區間劃分成至少2個分區間，比較分區間的漏極電流的變化趨勢，在各個分區間內選取多個柵極電壓值，且漏極電流的變化趨勢大的分區間內選取的柵極電壓值數量大于漏極電流的變化趨勢小的分區間內選取的柵極電壓值數量；測量選取的柵極電壓值對應的Ι/f噪聲，根據獲得的Ι/f噪聲獲得在對應柵極電壓區間的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線。
2.如權利要求1所述的MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，其特征在于， 測量所述MOS晶體管的Ι/f噪聲的具體方法包括利用測試探針在MOS晶體管上施加源漏電壓、柵極電壓；測量MOS晶體管的漏極電流信號；分析所述漏極電流信號，獲得所述MOS 晶體管的Ι/f噪聲。
3.如權利要求2所述的MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，其特征在于， 所述源漏電壓為直流電壓。
4.如權利要求1所述的MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，其特征在于， 還包括利用所述柵極電壓_l/f噪聲的變化曲線判斷MOS晶體管柵極氧化層和溝槽之間的電荷陷阱數量。
5.如權利要求1所述的MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，其特征在于， 所述待檢測的MOS晶體管的柵極電壓-漏極電流的變化曲線通過測量若干個柵極電壓條件下的漏極電流獲得。
6.如權利要求1所述的MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，其特征在于， 所述待檢測的MOS晶體管的柵極電壓-漏極電流的變化曲線通過使用器件模型進行模擬仿真計算獲得。
7.如權利要求1所述的MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，其特征在于， 在測試MOS晶體管的漏極電流和Ι/f噪聲時，所述MOS晶體管的源極和襯底接地或加偏壓。
8.如權利要求1所述的MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，其特征在于， 所述待檢測的MOS晶體管位于未封裝的晶圓上。
9.如權利要求1所述的MOS晶體管的柵極電壓-Ι/f噪聲曲線測量方法，其特征在于， 所述待檢測的MOS晶體管位于封裝器件中。
10.如權利要求1所述的MOS晶體管的柵極電壓-ι/f噪聲曲線測量方法，其特征在于， 測量所述MOS晶體管的Ι/f噪聲采用的測試裝置具備電磁噪聲屏蔽能力。
全文摘要
一種MOS晶體管的柵極電壓-1/f噪聲曲線測量方法，包括提供待檢測的MOS晶體管；測量在指定柵極電壓區間內的MOS晶體管柵極電壓-漏極電流的變化曲線；將所述柵極電壓區間劃分成至少2個分區間，比較分區間的漏極電流的變化趨勢，在各個分區間內選取多個柵極電壓值，且漏極電流的變化趨勢大的分區間內選取的柵極電壓值數量大于漏極電流的變化趨勢小的分區間內選取的柵極電壓值數量；測量選取的柵極電壓值對應的1/f噪聲，根據獲得的1/f噪聲獲得在對應柵極電壓區間的柵極電壓-1/f噪聲曲線。通過測量不同柵極電壓下漏極電流的變化趨勢，并根據漏極電流的變化趨勢選取若干柵極電壓，可減少測量1/f噪聲次數，減少測試時間。
文檔編號G01R19/00GK102435817SQ201110335639
公開日2012年5月2日 申請日期2011年10月28日 優先權日2011年10月28日
發明者路向黨 申請人:上海宏力半導體制造有限公司