專利名稱：多芯片的測試方法及其點(diǎn)測機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種測試方法及其點(diǎn)測機(jī)，尤其涉及一種多芯片的測試方法及其點(diǎn)測 機(jī)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)的技術(shù)日益成熟，應(yīng)用的領(lǐng)域也越來越廣，例如一般住宅所使 用的壁燈、輔助照明燈與庭園燈等，或者是運(yùn)用于顯示器的背光源。
然而隨著發(fā)光二極管的快速成長，除了發(fā)光二極管本身具有的高亮度、高功率、較 長壽命等優(yōu)點(diǎn)，要如何維持發(fā)光二極管的質(zhì)量也相當(dāng)重要，因此發(fā)光二極管制造完成后，必 須檢測發(fā)光二極管的發(fā)光特性，以判斷發(fā)光二極管的質(zhì)量是否良好。
發(fā)光二極管在制造時會成長于圓片(晶圓)之上，再利用激光切割形成多LED芯 片于圓片上。LED芯片進(jìn)行檢測時，則是以點(diǎn)測機(jī)的一探針組進(jìn)行，以致能LED芯片位于同 一側(cè)面的兩個電極，使得受測的單顆LED芯片發(fā)光，并據(jù)以感測LED芯片的發(fā)光特性。
為了增加檢測的速度，點(diǎn)測機(jī)逐漸朝多芯片點(diǎn)測的方向發(fā)展，也即點(diǎn)測機(jī)開始具 有多探針組，以于檢測時同時對多個芯片進(jìn)行檢測。然而在點(diǎn)測的過程中，芯片是黏著于一 薄膜之上，此薄膜會逐漸收縮而導(dǎo)致部份芯片產(chǎn)生偏移，也因此使得探針無法正確的致能 LED芯片的電極。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所欲解決的技術(shù)問題與目的
緣此，本發(fā)明的一目的在于提供一種多芯片的測試方法，此測試方法能夠在芯片 偏移的狀況發(fā)生時，繼續(xù)正確且快速的進(jìn)行多芯片點(diǎn)測動作。
同時，本發(fā)明也提供用于多芯片測試的點(diǎn)測機(jī)，以實(shí)現(xiàn)上述的多芯片的測試方法。
本發(fā)明解決問題的技術(shù)手段
一種多芯片的測試方法，供一點(diǎn)測機(jī)對多個待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測，該點(diǎn)測機(jī)包含多 探針組，該測試方法包括下列步驟取得該多個待測芯片的一位置數(shù)據(jù)；根據(jù)該位置數(shù)據(jù)， 以該些探針組對未產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測；以及根據(jù)該位置數(shù)據(jù)移動該些探針組與 該些待測芯片的至少一者，以該些探針組的至少一者對產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測。
于本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，其中根據(jù)該位置數(shù)據(jù)以該些探針組，對未產(chǎn)生偏移 的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測包括下列步驟當(dāng)該些探針組的位置對應(yīng)到該位置數(shù)據(jù)時，判斷該些 待測芯片未產(chǎn)生偏移；以及控制該些探針組處于一出針狀態(tài)，藉以對未產(chǎn)生偏移的待測芯 片進(jìn)行點(diǎn)測。
于本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，其中根據(jù)該位置數(shù)據(jù)移動該些探針組與該些待測芯 片的至少一者，以該些探針組的至少一者對產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測包括下列步驟 當(dāng)該些探針組的位置無法對應(yīng)到該位置數(shù)據(jù)時，判斷該些待測芯片產(chǎn)生偏移；以及移動該 些探針組與該些待測芯片的至少一者，并控制該些探針組的至少一者處于該出針狀態(tài)，藉以對產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測。
本發(fā)明還揭露一種多芯片的點(diǎn)測機(jī)，以同時測試多個待測芯片，該點(diǎn)測機(jī)包含檢 測平臺、多探針組、多個收針模塊以及一控制模塊；檢測平臺用以承載該些待測芯片；多個 收針模塊分別連結(jié)于該些探針組，以控制該些探針組的至少一者相對于該些待測芯片垂直 移動處于一收針狀態(tài)；控制模塊用以根據(jù)該些待測芯片的一位置數(shù)據(jù)移動該些探針組與該 檢測平臺的至少一者進(jìn)行上下作動與平面位移。
于本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，其中該收針模塊包含一音圈馬達(dá)與一電池閥的至少一者O
于本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，還包含一掃描模塊，用以對該些待測芯片進(jìn)行掃描， 以取得該位置數(shù)據(jù)。
本發(fā)明對照現(xiàn)有技術(shù)的功效
相較于現(xiàn)有的點(diǎn)測機(jī)測試程序與點(diǎn)測機(jī)，本發(fā)明的多芯片的測試方法及其點(diǎn)測機(jī) 不僅能夠同時對多個芯片進(jìn)行點(diǎn)測，還能夠在芯片產(chǎn)生偏移時，繼續(xù)正確的進(jìn)行點(diǎn)測動作， 而不需停止整個測試程序，因此能夠達(dá)到較現(xiàn)有的點(diǎn)測機(jī)測試程序還有效率的測試。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。
圖1為多個芯片均無偏移時，探針組與芯片間的相對位置關(guān)系圖2為芯片產(chǎn)生偏移時，探針組與芯片間的相對位置關(guān)系圖3為點(diǎn)測機(jī)多芯片測試程序的步驟圖；以及
圖4為本發(fā)明多芯片的點(diǎn)測機(jī)的結(jié)構(gòu)圖。
其中，附圖標(biāo)記
探針組IlaUlb
探針llla、112a、lllb、112b
待測芯片12a、12b
點(diǎn)測機(jī)200
檢測平臺21
掃描模塊22
探針組23
探針231、232
收針模塊24
控制模塊25
待測芯片300
點(diǎn)測機(jī)多芯片測試程序步驟S101-S10具體實(shí)施方式
以下茲列舉一較佳實(shí)施例以說明本發(fā)明，然本領(lǐng)域技術(shù)人員均知此僅為一舉例， 而并非用以限定發(fā)明本身。有關(guān)此較佳實(shí)施例的內(nèi)容詳述如下。
請參閱圖1、圖2與圖3，圖1為多個芯片均無偏移時，探針組與芯片間的相對位置關(guān)系圖，圖2為芯片產(chǎn)生偏移時，探針組與芯片間的相對位置關(guān)系圖，圖3為點(diǎn)測機(jī)多芯片 測試程序的步驟圖。本發(fā)明的點(diǎn)測機(jī)多芯片測試程序，供點(diǎn)測機(jī)對多個待測芯片12a與12b 進(jìn)行點(diǎn)測，點(diǎn)測機(jī)包含多探針組I Ia與I Ib ;其中，探針組I Ia與I Ib是包含探針11 la、112a、 Illb與112b，以于點(diǎn)測時致能待測芯片12a與12b ;如圖1所示，當(dāng)待測芯片12a與12b的 位置正確時，探針組Ila與Ilb的探針llla、112a、lllb與112b的位置是可以對應(yīng)到待測 芯片12a與12b的電極，而如圖2所示，當(dāng)待測芯片12a的位置產(chǎn)生偏移時，探針組Ila的 探針I(yè)lla與112a的位置是無法對應(yīng)到待測芯片12a的電極，若此時繼續(xù)依照正常程序進(jìn) 行點(diǎn)測，就會無法致能芯片12a的電極，并使點(diǎn)測的結(jié)果失去參考性。
因此本發(fā)明的點(diǎn)測機(jī)多芯片測試程序包括以下步驟
SlOl :取得該多個待測芯片12a與12b的一位置數(shù)據(jù)；
S103 :根據(jù)該位置數(shù)據(jù)以該些探針組Ila與11b，對未產(chǎn)生偏移的待測芯片12a與 12b進(jìn)行點(diǎn)測；其中，本步驟于一較佳實(shí)施例中還可以包含以下步驟首先，將該位置數(shù)據(jù) 與該些探針組Ila與Ilb的一探針組位置數(shù)據(jù)進(jìn)行比對，以判別出未產(chǎn)生偏移的待測芯片 12a與12b ;接著，再控制該些探針組I Ia與Ilb處于一出針狀態(tài)，藉以對未產(chǎn)生偏移的待測 芯片12a與12b進(jìn)行點(diǎn)測；在此所述的出針狀態(tài)是指探針組Ila與Ilb的水平位置較接近 待測芯片12a與12b，相反地，當(dāng)探針組Ila與Ilb的水平位置較遠(yuǎn)離待測芯片12a與12b 時，則可視為一收針狀態(tài)。
S105 :根據(jù)該位置數(shù)據(jù)移動該些探針組Ila與Ilb與該些待測芯片12a與12b的 至少一者，對產(chǎn)生偏移的待測芯片12a與12b進(jìn)行點(diǎn)測；其中，本步驟于一較佳實(shí)施例中還 可以包含以下步驟首先，將該位置數(shù)據(jù)與該些探針組Ila與Ilb的探針組位置數(shù)據(jù)進(jìn)行比 對，以判別出產(chǎn)生偏移的待測芯片12a與12b ;接著，再移動該些探針組Ila與Ilb與該些 待測芯片12a與12b的至少一者，并控制該些探針組Ila與Ilb的至少一者處于出針狀態(tài)， 藉以對產(chǎn)生偏移的待測芯片12a與12b進(jìn)行點(diǎn)測。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，多芯片的點(diǎn)測機(jī)也可以先對產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行 點(diǎn)測，再對未產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測，也就是先進(jìn)行步驟S105，再進(jìn)行步驟S103。因 此，上述的步驟并無順序的限制，測試的順序以測試時間愈短者為較佳實(shí)施例。
請參閱圖4，圖4為本發(fā)明多芯片的點(diǎn)測機(jī)的結(jié)構(gòu)圖。本發(fā)明還揭露一種多芯片的 點(diǎn)測機(jī)200，以同時測試多個待測芯片300，該點(diǎn)測機(jī)200包含檢測平臺21、掃描模塊22、多 個探針組23、多個收針模塊24以及一控制模塊25。
檢測平臺21是用以承載該些待測芯片300 ;掃描模塊22是用以對該些待測芯片 300進(jìn)行掃描，以取得該些待測芯片300的一位置數(shù)據(jù)，此外，待測芯片300可由外部預(yù)先掃 描產(chǎn)生的位置數(shù)據(jù)，則點(diǎn)測機(jī)200可直接匯入位置數(shù)據(jù)并判別待測芯片300是否產(chǎn)生偏移。
多個收針模塊24是分別連結(jié)于該些探針組23，以控制該些探針組23的至少一者 相對于該些待測芯片300垂直移動；其中，探針組23可以包含探針231與232，收針模塊則 分別連結(jié)探針231與232，據(jù)以控制探針231與232相對于該些待測芯片300垂直移動；當(dāng) 探針組23朝待測芯片300移動時，即為前述的出針狀態(tài)。反之，當(dāng)探針組23朝待測芯片 300的反方向移動時，即為前述的收針狀態(tài)；于本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，該收針模塊24是 可以是一音圈馬達(dá)或一電池閥。
控制模塊25可根據(jù)待測芯片300的位置數(shù)據(jù)移動探針組23與檢測平臺21的至少一者進(jìn)行上下作動與平面位移。點(diǎn)測機(jī)200進(jìn)行點(diǎn)測有二種方式，通常是先將探針組23 調(diào)整至固定位置后，由控制模塊25根據(jù)待測芯片300的位置數(shù)據(jù)移動檢測平臺21進(jìn)行點(diǎn) 測。另一方面，若檢測平臺21為固定，則控制模塊25移動探針組23進(jìn)行點(diǎn)測。
綜合以上所述，相較于現(xiàn)有的點(diǎn)測機(jī)測試程序與點(diǎn)測機(jī)，本發(fā)明的多芯片的測試 方法及其點(diǎn)測機(jī)不僅能夠同時對多個待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測，還能夠在待測芯片產(chǎn)生偏移時， 繼續(xù)正確的進(jìn)行點(diǎn)測動作，而不需停止整個測試程序，因此能夠達(dá)到較現(xiàn)有的點(diǎn)測機(jī)測試 程序還有效率的測試。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種多芯片的測試方法，供一點(diǎn)測機(jī)對多個待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測，該點(diǎn)測機(jī)包含多探針組，其特征在于，該測試方法包括下列步驟取得該多個待測芯片的一位置數(shù)據(jù)；根據(jù)該位置數(shù)據(jù)，以該些探針組對未產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測；以及根據(jù)該位置數(shù)據(jù)移動該些探針組與該些待測芯片的至少一者，以該些探針組的至少一者對產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片的測試方法，其特征在于，根據(jù)該位置數(shù)據(jù)以該些探針組，以該些探針組對未產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測包括當(dāng)該些探針組的位置對應(yīng)到該位置數(shù)據(jù)時，判斷該些待測芯片未產(chǎn)生偏移；以及控制該些探針組處于一出針狀態(tài)，藉以對未產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多芯片的測試方法，其特征在于，根據(jù)該位置數(shù)據(jù)移動該些探針組與該些待測芯片的至少一者，以該些探針組的至少一者對產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測包括當(dāng)該些探針組的位置無法對應(yīng)到該位置數(shù)據(jù)時，判斷該些待測芯片產(chǎn)生偏移；以及移動該些探針組與該些待測芯片的至少一者，并控制該些探針組的至少一者處于該出針狀態(tài)，藉以對產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多芯片的測試方法，其特征在于，控制該些探針組處于該出針狀態(tài)控制該探針組朝該些待測芯片移動使該些探針組處于該出針狀態(tài)。
5.一種多芯片的點(diǎn)測機(jī)，用以同時測試多個待測芯片，其特征在于，該點(diǎn)測機(jī)包含一檢測平臺，用以承載該些待測芯片；多探針組；多個收針模塊，分別連結(jié)于該些探針組，以控制該些探針組的至少一者相對于該些待測芯片垂直移動處于一出針狀態(tài)或一收針狀態(tài)；以及一控制模塊，用以根據(jù)該些待測芯片的一位置數(shù)據(jù)控制該些探針組與該檢測平臺的至少一者進(jìn)行上下作動與平面位移。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多芯片的點(diǎn)測機(jī)，其特征在于，該收針模塊包含一音圈馬達(dá)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多芯片的點(diǎn)測機(jī),其特征在于,該收針模塊包含一電磁閥。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多芯片的點(diǎn)測機(jī)，其特征在于，還包含一掃描模塊，用以對該些待測芯片進(jìn)行掃描，以取得該位置數(shù)據(jù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多芯片的點(diǎn)測機(jī)，其特征在于，該收針模塊控制該探針組的至少一者朝該些待測芯片的方向移動使該些探針組處于該出針狀態(tài)，以及控制該探針組的至少一者朝該些待測芯片的反方向移動使該些探針組處于該收針狀態(tài)。
全文摘要
一種多芯片的測試方法及其點(diǎn)測機(jī)，多芯片的測試方法供一點(diǎn)測機(jī)對多個待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測，該點(diǎn)測機(jī)包含多探針組，該測試方法包括下列步驟取得該多個待測芯片的一位置數(shù)據(jù)；根據(jù)該位置數(shù)據(jù)，以該些探針組對未產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測；以及根據(jù)該位置數(shù)據(jù)移動該些探針組與該些待測芯片的至少一者，以該些探針組的至少一者對產(chǎn)生偏移的待測芯片進(jìn)行點(diǎn)測。此外，本發(fā)明還揭露用于多芯片測試的點(diǎn)測機(jī)。
文檔編號G01R31/26GK103018647SQ20111029744
公開日2013年4月3日 申請日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月27日
發(fā)明者溫俊熙, 溫俊卿, 李聰明, 白智亮, 林晉生, 楊東叡 申請人:致茂電子(蘇州)有限公司