專利名稱：Mri用超導磁體的調整方法
技術領域：
本發明涉及MRI (磁共振成像(magnetic resonance imaging))用超導磁體的調
整方法。
背景技術：
在MRI用超導磁體中，從設計階段起就對拍攝空間內的靜磁場進行了優化，使得拍攝空間內的靜磁場的均勻度達到ppm(百萬分之一)數量級。在實際制作的MRI用超導磁體中，因各構成零部件的尺寸誤差和組裝誤差等制作誤差而導致靜磁場的均勻度處于幾百至幾千PPm的較低的狀態。因而，作為校正靜磁場的不均勻的技術，進行勻場(shimming)。作為揭示有能進行勻場的MRI裝置的背景文獻，有日本專利特開2008-220923號公報。在日本專利特開2008-220923號公報所記載的MRI裝置中，通過將鐵片(鐵墊片) 配置于所希望的位置，對靜磁場的不均勻性進行校正。將利用勻場提高了靜磁場的均勻性的MRI裝置運送并設置于醫院等使用場所。由于設置MRI裝置的使用場所的磁場氛圍各不相同，因此，有時會因使用場所的磁場氛圍的影響而導致靜磁場的均勻性受到破壞。因而，作為揭示有減少使用場所的磁場氛圍影響的靜磁場產生裝置的背景文獻，有日本專利特開平02-083904號公報。在日本專利特開平02-083904號公報所記載的靜磁場產生裝置中，在設置有MRI 裝置的地板與MRI裝置之間，鋪設有用于對磁場的均勻度進行補償的磁性板。埋設于地板下的鋼筋和鋼結構等磁性材料會對靜磁場造成較大的影響。在日本專利特開平02-083904 號公報所記載的MRI裝置中，通過從出廠階段起就將上述磁性板作為MRI裝置的必要結構要素，來減少因使用場所的地板下環境而對靜磁場所造成的影響。為了提高使用場所中的MRI裝置的靜磁場的均勻度，配置用于補償磁場均勻性的磁性板和用于勻場的鐵片等磁性體，從而使得因這些磁性板和磁性體之間的相互作用而產生的電磁力作用于MRI用超導磁體。MRI用超導磁體能通過維持超導狀態來產生較強的穩定靜磁場，但在因上述電磁力的影響而在超導磁體中產生超過允許量的擾亂的情況下，會發生破壞超導狀態的現象即失超。在一旦發生了失超的條件下，MRI用超導磁體再次發生失超的可能性較低，即呈現出所謂的訓練現象(training phenomenon)。反過來講，若在初次條件下使MRI用超導磁體工作，則發生失超的可能性較高。
發明內容
本發明的目的在于，提供一種能降低發生失超的可能性從而提高MRI用超導磁體的穩定性的、MRI用超導磁體的調整方法。基于本發明的MRI用超導磁體的調整方法，是在將MRI用超導磁體設置于使用場所之前對其進行調整的方法。MRI用超導磁體的調整方法包括考慮使用場所的磁場氛圍而對MRI用超導磁體進行勻場的工序；在實現使用場所的磁場氛圍的環境下、在進行了勻場的MRI用超導磁體中產生額定磁場的工序；以及在產生額定磁場的工序之后、將MRI用超導磁體設置于使用場所的工序。根據本發明，能減少發生失超的可能性，從而提高MRI用超導磁體的穩定性。關于本發明的上述及其他目的、特征、方面及優點，可從以下結合附圖而理解的、 與本發明相關的詳細說明來了解。
圖1是表示MRI裝置的外觀的立體圖。圖2是表示本發明的實施方式1所涉及的MRI用超導磁體的結構的剖視圖。圖3是表示將該實施方式的MRI用超導磁體設置于使用場所的狀態的側視圖。圖4是從圖3的IV-IV線箭頭方向來觀察的圖。圖5是表示該實施方式的MRI用超導磁體中的勻場部的立體圖。圖6是表示該實施方式的墊片盤和鐵片的分解立體圖。圖7是示意性地表示在MRI用超導磁體的下方配置有地板屏蔽體的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。圖8是示意性地表示在圖7的MRI用超導磁體中、在進行了勻場的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。圖9是示意性地表示在MRI用超導磁體的斜下方配置有地板屏蔽體、在其側面配置有側壁屏蔽體的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。圖10是示意性地表示在圖9的MRI用超導磁體中、在進行了勻場的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。圖11是示意性地表示在MRI用超導磁體的斜下方配置有大小不同的地板屏蔽體、 在其側面配置有大小不同的側壁屏蔽體的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。圖12是示意性地表示在圖11的MRI用超導磁體中、在進行了勻場的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。圖13是表示該實施方式的MRI用超導磁體的調整方法的流程圖。圖14是表示使制造MRI用超導磁體的工廠的磁場氛圍與使用場所的磁場氛圍相同的狀態的側視圖。圖15是從圖14的XV-XV線箭頭方向來觀察的圖。圖16是表示本發明的實施方式2的MRI用超導磁體的調整方法的流程圖。
具體實施例方式下面，參照附圖，對本發明的實施方式1所涉及的MRI用超導磁體的調整方法進行說明。在以下的實施方式的說明中，對圖中的相同或相當部分標注相同的標號，不重復其說明。(實施方式1)圖1是表示MRI裝置的外觀的立體圖。如圖1所示，MRI裝置1包括靜磁場產生部10和睡臺30。靜磁場產生部10包括后述的MRI用超導磁體，在孔20內部產生靜磁場。圖2是表示本發明的實施方式1所涉及的MRI用超導磁體的結構的剖視圖。如圖 2所示，在本發明的實施方式1所涉及的MRI用超導磁體100中，在最外側，配置有中空圓筒狀的真空槽110。真空槽110的圓筒中心部的空間成為與孔20相對應的孔部160。真空槽 110的內部利用未圖示的減壓裝置進行減壓而成了真空。利用配置于下部的腳部170對真空槽110進行支撐，使孔部160的中心軸呈水平方向。在真空槽110的內部，配置有形狀與真空槽110大體相似的中空圓筒狀的熱屏蔽體120。在熱屏蔽體120的內部，配置有形狀與熱屏蔽體120大體相似的中空圓筒狀的氦槽 130。熱屏蔽體120具有在氦槽130與真空槽110之間進行隔熱的功能。在氦槽130的內部，在圓周上配置有超導線圈140。在氦槽130的內部，充有液態氦150。將超導線圈140浸漬于液態氦150中以對其進行冷卻。若MRI用超導磁體100工作，則在孔部160的、以圖中的虛線來表示的范圍內的靜磁場區域180中，會產生箭頭方向的靜磁場190。希望該靜磁場190又強、又均勻、并且穩定。圖3是表示將本實施方式的MRI用超導磁體設置于使用場所的狀態的側視圖。圖 4是從圖3的IV-IV線箭頭方向來觀察的圖。如圖3、4所示，將本實施方式的MRI用超導磁體100配置于作為使用場所的房間 300內。在本實施方式中，為了減少泄漏至房間300外部的、MRI用超導磁體100所產生的較強的磁場，用磁屏蔽體對房間300進行覆蓋。磁屏蔽體包括配置于地板部的地板屏蔽體310、配置于圖3的右側的側壁部的第一側壁屏蔽體320、配置于圖3的左側的側壁部的第二側壁屏蔽體330、配置于圖4的右側的側壁部的第三側壁屏蔽體350、配置于圖4的左側的側壁部的第四側壁屏蔽體360、以及配置于頂部的頂部屏蔽體340。在本實施方式中，用鐵板形成了磁屏蔽體，但只要用磁性體形成磁屏蔽體即可，對材料沒有特別限制。由于地板屏蔽體310離MRI用超導磁體100的距離較近，并且為了支撐MRI用超導磁體100的重量，因此，地板屏蔽體310形成得比第一側壁屏蔽體320、第二側壁屏蔽體 330、第三側壁屏蔽體350、第四側壁屏蔽體360、以及頂部屏蔽體340要厚。雖然在圖2中進行了簡要表示，但如圖4所示，靜磁場190包括產生于孔部160的中心軸上的中心磁場191、以及產生于孔部160的徑向的端部側的端部磁場192。在靜磁場區域180中，呈直線狀地產生端部磁場192，但在孔部160的中心軸方向的端部，呈曲線狀地產生端部磁場192。圖5是表示本實施方式的MRI用超導磁體中的勻場部的立體圖。圖6是表示本實施方式的墊片盤和鐵片的分解立體圖。雖然在圖2中未圖示，但如圖3、5所示，在MRI用超導磁體100中，沿真空槽110 的內周側的側壁形成有勻場部200。在勻場部200中，設置有多個開口部210，所述多個開口部210沿勻場部200的周向相互隔開間隔設置，沿孔部160的中心軸方向延伸。如圖4、5、6所示，將墊片盤230插入至開口部210中。如圖6所示，墊片盤230包括形成有收納多片鐵片250的凹部240的主體部231、以及蓋部232，所述鐵片250由矩形薄板所形成。
在插入各開口部210的多個墊片盤230的各個墊片盤中，通過調節分別收納于多個凹部MO的鐵片250的片數，能提高靜磁場區域180的靜磁場190的均勻性。像這樣配置鐵片250，從而力圖提高靜磁場區域180中的靜磁場190的均勻性，這即是所謂的勻場。這里，對在MRI用超導磁體100中產生額定磁場時、作用于MRI用超導磁體100的電磁力進行說明。此外，在圖7至圖12中，關于設置MRI用超導磁體100的房間，只圖示出了磁屏蔽體。此外，所謂額定磁場，是指利用MRI用超導磁體100進行拍攝時所需要的強度的磁場。圖7是示意性地表示在MRI用超導磁體的下方配置有地板屏蔽件的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。如圖7所示，若在將地板屏蔽體310配置于下方的狀態下使MRI 用超導磁體100產生額定磁場，則對地板屏蔽體310作用有將地板屏蔽體310向MRI用超導磁體100吸引的吸引力400。其結果是，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力400相反的反作用力的電磁力500。吸引力400和電磁力500是方向相反而大小相同的力。圖8是示意性地表示在圖7的MRI用超導磁體中、在進行了勻場的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。如圖8所示，為了緩解電磁力500產生的對靜磁場190的影響，在孔部160的上方的位置處將收納有鐵片250的墊片盤230A插入開口部210，在該狀態下，若使MRI用超導磁體100產生額定磁場，則對鐵片250作用有將鐵片250向MRI用超導磁體 100吸引的吸引力410。其結果是，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力410相反的反作用力的電磁力510。吸引力410和電磁力510是方向相反而大小相同的力。由此，在MRI用超導磁體100的內部，變得作用有電磁力500和電磁力510。圖9是示意性地表示在MRI用超導磁體的斜下方配置有地板屏蔽件、在其側面配置有側壁屏蔽件的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。如圖9所示，在孔部160的中心軸的下方的位置處隔開間隙且相互隔開間隔而配置兩個地板屏蔽體311。此外，配置側壁屏蔽體321和側壁屏蔽體331，使它們相互相對。側壁屏蔽體321和側壁屏蔽體331的大小相同且厚度相同。若在配置有地板屏蔽體311和側壁屏蔽體321、331的狀態下，使MRI用超導磁體 100產生額定磁場，則對圖中的右側的地板屏蔽體311和側壁屏蔽體321作用有將圖中的右側的地板屏蔽體311和側壁屏蔽體321向MRI用超導磁體100吸引的吸引力420。特別是吸引力420沿左斜上方的方向作用于位于MRI用超導磁體100附近的地板屏蔽體311。同樣地，對圖中的左側的地板屏蔽體311和側壁屏蔽體331作用有將圖中的左側的地板屏蔽體311和側壁屏蔽體331向MRI用超導磁體100吸引的吸引力430。特別是吸引力430沿右斜上方的方向作用于位于MRI用超導磁體100附近的地板屏蔽體311。其結果是，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力420相反的反作用力的電磁力520。吸引力420和電磁力520是方向相反而大小相同的力。另外，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力430相反的反作用力的電磁力530。吸引力430 和電磁力530是方向相反而大小相同的力。由此，在MRI用超導磁體100的內部，變得作用有電磁力520和電磁力530。圖10是示意性地表示在圖9的MRI用超導磁體中、在進行了勻場的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。如圖10所示，為了緩解電磁力530產生的對靜磁場190的影響， 在孔部160的右斜上方的位置處將收納有鐵片250的墊片盤230B插入開口部210，在該狀態下，若使MRI用超導磁體100產生額定磁場，則對鐵片250作用有將鐵片250向MRI用超導磁體100吸引的吸引力440。同樣地，為了緩解電磁力520產生的對靜磁場190的影響，在孔部160的左斜上方的位置處將收納有鐵片250的墊片盤230C插入開口部210，在該狀態下，若使MRI用超導磁體100產生額定磁場，則對鐵片250作用有將鐵片250向MRI用超導磁體100吸引的吸引力 450。其結果是，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力440相反的反作用力的電磁力討0。吸引力440和電磁力540是方向相反而大小相同的力。同樣地，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力450相反的反作用力的電磁力550。吸引力450 和電磁力550是方向相反而大小相同的力。由此，在MRI用超導磁體100的內部，變得作用有電磁力520、電磁力530、電磁力M0、以及電磁力550。圖11是示意性地表示在MRI用超導磁體的斜下方配置有大小不同的地板屏蔽體、 在其側面配置有大小不同的側壁屏蔽體的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。如圖11所示，在孔部160的中心軸的下方的位置處隔開間隙且相互隔開間隔而配置地板屏蔽體312和地板屏蔽體313。地板屏蔽體312和地板屏蔽體313的厚度相同，但地板屏蔽體313比地板屏蔽體312要大。此外，配置側壁屏蔽體322和側壁屏蔽體332，使它們相互相對。側壁屏蔽體322 和側壁屏蔽體332的厚度相同，但側壁屏蔽體322比側壁屏蔽體332要大。由此，在MRI用超導磁體100的周圍呈不對稱地配置有磁屏蔽體。此外，圖11所示的磁屏蔽體是一個例子， 對于磁屏蔽體的厚度和配置有各種各樣的方式。若在配置有地板屏蔽體312、313和側壁屏蔽體322、332的狀態下，使MRI用超導磁體100產生額定磁場，則對地板屏蔽體313和側壁屏蔽體322作用有將地板屏蔽體313 和側壁屏蔽體322向MRI用超導磁體100吸引的吸引力460。特別是吸引力460沿左斜上方的方向作用于位于MRI用超導磁體100附近的地板屏蔽體313。同樣地，對地板屏蔽體312和側壁屏蔽體332作用有將地板屏蔽體312和側壁屏蔽體332向MRI用超導磁體100吸引的吸引力470。特別是吸引力470沿右斜上方的方向作用于位于MRI用超導磁體100附近的地板屏蔽體312。其結果是，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力460相反的反作用力的電磁力560。吸引力460和電磁力560是方向相反而大小相同的力。另外，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力470相反的反作用力的電磁力570。吸引力470 和電磁力570是方向相反而大小相同的力。由此，在MRI用超導磁體100的內部，變得作用有電磁力560和電磁力570。圖12是示意性地表示在圖11的MRI用超導磁體中、在進行了勻場的狀態下產生額定磁場時的電磁力的圖。如圖12所示，為了緩解電磁力570產生的對靜磁場190的影響， 在孔部160的右斜上方的位置處將收納有鐵片250的墊片盤230D插入開口部210，在該狀態下，若使MRI用超導磁體100產生額定磁場，則對鐵片250作用有將鐵片250向MRI用超導磁體100吸引的吸引力480。
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同樣地，為了緩解電磁力560產生的對靜磁場190的影響，在孔部160的左斜上方的位置處將收納有鐵片250的墊片盤230E插入開口部210，在該狀態下，若使MRI用超導磁體100產生額定磁場，則對鐵片250作用有將鐵片250向MRI用超導磁體100吸引的吸引力 490。其結果是，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力480相反的反作用力的電磁力580。吸引力480和電磁力580是方向相反而大小相同的力。同樣地，在MRI用超導磁體100的內部，作用有作為與吸引力490相反的反作用力的電磁力590。吸引力490 和電磁力590是方向相反而大小相同的力。由此，在MRI用超導磁體100的內部，變得作用有電磁力560、電磁力570、電磁力580、以及電磁力590。如上所述，對于MRI用超導磁體100，受到使用場所的磁場氛圍以及通過勻場而配置的鐵片250等的影響，各種強度的電磁力作用于各個不同的位置。在該電磁力超過允許量并作用于MRI用超導磁體100的情況下，發生失超的可能性會變大，特別是在超過允許量的電磁力初次作用的情況下，發生失超的可能性會變大。因而，在本實施方式的MRI用超導磁體100中，在設置于使用場所之前進行以下調整，從而能減少發生失超的可能性。下面，對本實施方式的MRI用超導磁體100的調整方法進行說明。圖13是表示本實施方式的MRI用超導磁體的調整方法的流程圖。在本實施方式中，在設置于使用場所之前進行勻場。具體而言，在制造MRI用超導磁體100的工廠內進行勻場。進行勻場，是為了在將MRI用超導磁體100設置于使用場所的狀態下的靜磁場區域180的靜磁場190變得均勻而進行的。因此，為了在工廠內進行勻場，需要考慮設置MRI用超導磁體100的使用場所的磁場氛圍來進行勻場。為此，首先，由于MRI用超導磁體100設置于房間300內，因此，通過在房間300內對磁場進行測定，來掌握房間300內的磁場氛圍(S100)。具體而言，在對MRI用超導磁體 100進行勻場之前，預先對作為MRI用超導磁體100的預設場所的房間300中的、由地板屏蔽體310、第一側壁屏蔽體320、第二側壁屏蔽體330、第三側壁屏蔽體350、第四側壁屏蔽體 360、以及頂部屏蔽體340所產生的磁場的總和進行測定。但是，也可以基于在標準的磁屏蔽體的條件下進行磁場分析所獲得的結果和所保存的過去的統計數據等，來掌握房間300 內的磁場氛圍，以代替對該磁場總和進行測定。在對使用場所的磁場進行測定之后，將房間300內的磁場的測定結果、以及在工廠中進行了組裝的MRI用超導磁體的制作誤差輸入至磁場分析的程序，從而對靜磁場區域 180中的靜磁場190進行仿真分析。基于仿真分析的結果，來決定鐵片250的配置，使得能提高靜磁場區域180中的靜磁場190的均勻性，從而對MRI用超導磁體100進行勻場。換而言之，考慮使用場所的磁場氛圍，對MRI用超導磁體進行勻場(SllO)。接著，將經勻場后的MRI用超導磁體100放置于與作為使用場所的房間300中的磁場氛圍基本相同的磁場氛圍中，在該狀態下，使其產生額定磁場。換而言之，在實現使用場所的磁場氛圍的環境下，在經勻場后的MRI用超導磁體100中產生額定磁場(S120)。圖14是表示使制造MRI用超導磁體的工廠的磁場氛圍與使用場所的磁場氛圍相同的狀態的側視圖。圖15是從圖14的XV-XV線箭頭方向來觀察的圖。如圖14、圖15所示，用由磁性體所構成的磁屏蔽體覆蓋制造MRI用超導磁體100的工廠600的周圍，從而使工廠600內的磁場氛圍與作為使用場所的房間300的磁場氛圍相同。具體而言，用包括配置于地板部的地板屏蔽體610、配置于圖14的右側的側壁部的第一側壁屏蔽體620、配置于圖14的左側的側壁部的第二側壁屏蔽體630、配置于圖15 的右側的側壁部的第三側壁屏蔽體650、配置于圖15的左側的側壁部的第四側壁屏蔽體 660、以及配置于頂部的頂部屏蔽體640的磁屏蔽體覆蓋工廠600。在本實施方式中，用鐵板形成了這些磁屏蔽體，但只要用磁性體形成磁屏蔽體即可，對材料沒有特別限制。配置于工廠600的磁屏蔽體采用能在工廠600內形成與由配置于房間300的磁屏蔽體所形成的磁場氛圍相同的磁場氛圍的結構。此外，在本實施方式中，通過用磁屏蔽體覆蓋工廠600來形成所期望的磁場氛圍， 但磁場氛圍的形成方法并不局限于此，也可以利用其他方法來形成所期望的磁場氛圍。若在磁場氛圍與房間300的磁場氛圍相同的工廠600內，使MRI用超導磁體100 產生額定磁場，則如上所述，電磁力作用于MRI用超導磁體100。該電磁力是與在作為使用場所的房間300內的磁場氛圍中作用于產生額定磁場的MRI用超導磁體100的電磁力相同的電磁力。在MRI用超導磁體100的內部，無論外部是否存在磁性體，都會沿軸向和徑向產生一定的電磁力，即使在其本身不發生失超的情況下，也可能因上述電磁力的重疊而產生新的擾亂，從而發生失超。例如，在電磁力作用于作為超導線圈140的構成要素的線圈、浸漬于線圈之間的環氧樹脂、以及層間薄膜等的情況下，在超導線圈140的內部有可能會產生微小的裂紋。在這種情況下，在超導線圈140內，有可能會因引起發熱而發生失超。在發生失超的情況下，在停止MRI用超導磁體100的動作并對超導線圈140的冷卻進行了確認之后，補充新的液態氦。之后，再次在MRI用超導磁體100中產生額定磁場。 此時，雖然也對MRI用超導磁體100作用有與最初產生額定磁場時相同的電磁力，但在超導線圈140的內部不容易再產生新的裂紋。因此，可以認為降低了發生失超的可能性，而基本未使由液態氦150所形成的冷卻條件發生變化。也可以重復該產生額定磁場的工序和補充液態氦的工序，直至使MRI用超導磁體100不再發生失超為止。此外，通過在工廠600內產生額定磁場也可以不一定引起MRI用超導磁體100發生失超。若在工廠600中直至產生額定磁場為止都不使MRI用超導磁體100發生失超，則之后，能降低在配置于使用場所后使用MRI用超導磁體100時發生失超的可能性。最后，將MRI用超導磁體100設置于作為使用場所的房間300內(S130)。這樣， 通過在設置于使用場所之前對MRI用超導磁體100進行調整，從而能降低MRI用超導磁體 100在使用場所發生失超的可能性，能提高MRI用超導磁體100的穩定性。此外，作為進行勻場的操作，也可以將磁性體簡單地配置于MRI用超導磁體100 上，以代替將鐵片250收納于墊片盤230內。下面，參照附圖，對本發明的實施方式2所涉及的MRI用超導磁體的調整方法進行說明。(實施方式2)由于本發明的實施方式2所涉及的MRI用超導磁體100的調整方法與實施方式1所涉及的MRI用超導磁體100的調整方法的不同之處僅在于勻場工序，因此，不再對其他工序進行重復說明。圖16是表示本發明的實施方式2的MRI用超導磁體的調整方法的流程圖。如圖 16所示，在本實施方式中，在實現作為使用場所的房間300的磁場氛圍的環境下，對MRI用超導磁體100進行勻場(S210)。具體而言，如圖14、圖15所示，在磁場氛圍與作為使用場所的房間300內的磁場氛圍相同的工廠600內，對fflR用超導磁體100進行勻場。在這種情況下，由于能一邊對靜磁場區域180中的靜磁場190的磁場進行實際測定，一邊進行勻場，因此，能進一步力圖提高靜磁場190的均勻性。盡管對本發明進行了詳細說明，但這只是用于舉例表示，而非限定，可清楚地理解為發明的范圍由附加的權利要求的范圍來解釋。
權利要求
1.一種MRI用超導磁體的調整方法，所述MRI用超導磁體的調整方法是在將MRI用超導磁體設置于使用場所之前對其進行調整的方法，其特征在于，包括考慮所述使用場所的磁場氛圍而對所述MRI用超導磁體進行勻場的工序； 在實現所述使用場所的所述磁場氛圍的環境下、在進行了勻場的所述MRI用超導磁體中產生額定磁場的工序；以及在產生所述額定磁場的所述工序之后、將所述MRI用超導磁體設置于所述使用場所的工序。
2.如權利要求1所述的MRI用超導磁體的調整方法，其特征在于，在對所述MRI用超導磁體進行勻場的所述工序中，在實現所述使用場所的所述磁場氛圍的環境下，對所述MRI用超導磁體進行勻場。
3.如權利要求1所述的MRI用超導磁體的調整方法，其特征在于，為了實現所述使用場所的所述磁場氛圍，在所述MRI用超導磁體的周圍配置磁性體， 所述磁性體將以下電磁力作用于產生所述額定磁場的所述MRI用超導磁體所述電磁力與在所述使用場所的所述磁場氛圍中作用于產生所述額定磁場的所述MRI用超導磁體的電磁力相同。
4.如權利要求1所述的MRI用超導磁體的調整方法，其特征在于，在產生所述額定磁場的所述工序中，重復產生所述額定磁場，直至所述MRI用超導磁體中不再發生失超。
全文摘要
本發明涉及一種MRI用超導磁體的調整方法，包括考慮使用場所的磁場氛圍而對MRI用超導磁體進行勻場的工序(S110)；在實現使用場所的磁場氛圍的環境下、在進行了勻場的MRI用超導磁體中產生額定磁場的工序(S120)；以及在產生額定磁場的工序(S120)之后、將MRI用超導磁體設置于使用場所的工序(S130)。由此，能減少發生失超的可能性，從而提高MRI用超導磁體的穩定性。
文檔編號G01R33/3815GK102478647SQ20111020480
公開日2012年5月30日 申請日期2011年7月12日 優先權日2010年11月24日
發明者田邊肇 申請人:三菱電機株式會社