專利名稱：一種有機保護膜厚度測量方法
技術領域：
本發明涉及一種測量方法，屬于檢測技術領域。特別涉及一種有機保護膜厚度測
量方法。
背景技術：
目前測量各種有機膜厚度的方法大多采用機械接觸式的測量，由于有機膜具有一定的柔軟性，測量時存在比較大的誤差，測量時要精確到0. Ium必須要用其它的方法。而有機保護膜的厚度一般只有幾十個微米，采用傳統的機械接觸式測量方法難以滿足測量精度要求。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種有機保護膜厚度測量方法，改測量方法可以提高有機保護膜厚度測量的精度。為了解決上述技術問題，本發明提供一種有機保護膜厚度測量方法，其包括以下步驟1)、在有機保護膜表面均勻地鍍一層導電的物質；2)、對經過步驟1)處理過的有機保護膜的局部進行離子剝離切割；3)、對經過步驟2)處理過的有機保護膜進行局部放大并測量有機保護膜截面的厚度。根據本發明所述的有機保護膜厚度測量方法，所述步驟1)中的導電的物質為金或鉬。根據本發明所述的有機保護膜厚度測量方法，所述步驟2)中的離子剝離切割采用聚焦離子束切割方式。本發明所述的有機保護膜厚度測量方法，通過采用在有機保護膜表面均勻地鍍一層導電的物質并對其局部進行離子剝離切割，來提高有機保護膜厚度測量的精度。并通過對有機保護膜進行局部放大并測量有機保護膜截面的厚度，還可以從微觀上觀察有機保護膜厚度的均勻性。
具體實施例方式以下用實施例結合附圖
對本發明作更詳細的描述。本實施例僅僅是對本發明最佳實施方式的描述，并不對本發明的范圍有任何限制。實施例將有機保護膜表面均勻地鍍一層導電的物質，優選為鉬或金。然后將樣有機保護膜用聚焦離子束進行剝離切割，再將切割好的有機保護膜的截面進行局部紡放大測量。本發明所述的有機保護膜厚度測量方法，通過采用在有機保護膜表面均勻地鍍一層導電的物質并對其局部進行離子剝離切割，來提高有機保護膜厚度測量的精度。并通過對有機保護膜進行局部放大并測量有機保護膜截面的厚度，還可以從微觀上觀察有機保護膜厚度的均勻性。
權利要求
1.一種有機保護膜厚度測量方法，其特征在于包括以下步驟1)、在有機保護膜表面均勻地鍍一層導電的物質；2)、對經過步驟1)處理過的有機保護膜的局部進行離子剝離切割；3)、對經過步驟2、處理過的有機保護膜進行局部放大并測量有機保護膜截面的厚度。
2.根據權利要求1所述的有機保護膜厚度測量方法，其特征在于所述步驟1)中的導電的物質為金或鉬。
3.根據權利要求1或2所述的有機保護膜厚度測量方法，其特征在于所述步驟2)中的離子剝離切割采用聚焦離子束切割方式。
全文摘要
本發明涉及一種有機保護膜厚度測量方法，其包括以下步驟1)、在有機保護膜表面均勻地鍍一層導電的物質；2)、對經過步驟1)處理過的有機保護膜的局部進行離子剝離切割；3)、對經過步驟2)處理過的有機保護膜進行局部放大并測量有機保護膜截面的厚度。本發明所述的有機保護膜厚度測量方法，通過采用在有機保護膜表面均勻地鍍一層導電的物質并對其局部進行離子剝離切割，來提高有機保護膜厚度測量的精度。并通過對有機保護膜進行局部放大并測量有機保護膜截面的厚度，還可以從微觀上觀察有機保護膜厚度的均勻性。
文檔編號G01B11/06GK102313521SQ20111007762
公開日2012年1月11日 申請日期2011年3月29日 優先權日2011年3月29日
發明者閆武杰 申請人:上海華碧檢測技術有限公司