專利名稱：一種霍爾芯片磁通量測試裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種霍爾芯片磁通量測試裝置，以在SOT23封裝測試時對量產 的霍爾芯片進行磁通量的測試。
背景技術：
霍爾效應是磁電效應的一種，當電流以垂直于外磁場的方向通過位于該磁場中 的導體時，在導體的垂直于磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差，這種現象叫 做霍爾效應。霍爾傳感器即是利用霍爾元件基于霍爾效應原理而將被測量的物理量(如 電流、磁場、位移、壓力等)轉換成電動勢輸出的一種傳感器。其結構簡單，體積小， 無觸點，可靠性高，易微型化，因此，在測量技術中得到了廣泛的應用。在霍爾產品的 生產過程中，需要對霍爾產品進行磁通量的測試。目前在霍爾產品的磁通量測試中，通常通過對被測霍爾芯片施加外磁場的方法 實現對其磁通量的測試。一般采用雙線圈加磁和單線圈加磁兩種方法施加外磁場，雙線 圈加磁方法是將雙線圈安裝于測試夾具兩邊，將被測芯片平行放置于兩線圈之間(如圖 4所示)，兩線圈產生的磁場穿過被測芯片；而單線圈加磁方法是將線圈水平放置于水平 面上，將被測芯片平行放置于該線圈之上(如圖5所示)，單線圈產生的磁場穿過被測芯 片。在SOT23封裝測試中，由于傳統SOT23封裝測試分選機并沒有安裝磁場，因此無法 對霍爾芯片進行磁通量的測試。并且傳統的SOT23封裝測試分選機的測試頭和吸嘴部分 都是導磁性材料制成的，因此即便在SOT23封裝測試中對霍爾芯片施加磁場以進行磁通 量測試，前述所使用的導磁性材料會在加磁后被永久磁化，導致在不產生外加磁場的時 候，也會有剩磁出現，從而帶來測試偏差，產生誤判。
實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種可用于在SOT23封裝測試中實現磁通量測試的 霍爾芯片磁通量測試裝置。本實用新型的一種用于SOT23封裝測試分選機的霍爾芯片磁通量測試裝置包 括測試支架；固定在所述測試支架的上端的測試座；設置在所述測試座中用于放置被測 霍爾芯片的測試夾具；與所述測試夾具電連接的多個金手指；位于所述金手指上方的蓋 板，所述金手指固定在所述蓋板與所述測試座之間；以及繞在所述測試支架上的線圈。此外，所述線圈為單線圈。所述測試夾具的高度與所述線圈的上端表面齊平。 所述測試支架為鋁制測試支架。所述測試夾具為銅制測試夾具。所述測試座為環氧樹脂 制成的測試座。所述蓋板為環氧樹脂制成的蓋板。所述測試座通過玻璃螺絲固定在所述 測試支架上。所述金手指通過玻璃螺絲固定在所述蓋板與所述測試座之間。通過本實用新型的霍爾芯片磁通量測試裝置對傳統SOT23封裝測試分選機進行 加磁，以在SOT23封裝測試中實現對霍爾芯片的磁通量測試。
圖1示出了本實用新型的霍爾芯片磁通量測試裝置的示意圖。圖2示出了使用本實用新型霍爾芯片磁通量測試裝置的轉盤式測試分選機的整 體結構示意圖。圖3示出了圖2中的測試分選機的轉盤部分的正視圖。圖4示出了采用雙線圈進行加磁的示意圖。圖5示出了采用單線圈進行加磁的示意圖。附圖標記1、測試裝置 2、測試座3、測試夾具 4、線圈5、金手指 6、蓋板7、螺絲8、螺絲9、測試支架 10、分選機11、轉盤 12、吸嘴13、底座 14、工作臺
具體實施方式
以下結合附圖與實施例對本實用新型的技術方案作進一步的詳細描述。如圖1所示，示出了根據本實用新型的用于SOT23封裝測試分選機的霍爾芯片 磁通量測試裝置1。該測試裝置1包括一測試支架9 (如圖2所示)，在該測試支架上繞 有一線圈4，且在該測試支架的上端安裝有一測試座2，測試座2通過螺絲8固定在測試 支架上。在該測試座2中設有一用于放置被測霍爾芯片的測試夾具3。該測試裝置1還 包括與測試夾具3電連接以便與放置在該測試夾具3中的被測芯片的各引腳分別電性接觸 的兩排金手指5，所述金手指即是被測芯片引腳與外部測試線路的連接部件，所有的信號 都是通過金手指進行傳送的。金手指由眾多金黃色的導電觸片組成，因其表面鍍金而且 導電觸片排列如手指狀，所以稱為“金手指”。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工 藝再覆上一層金，因為金的抗氧化性極強，而且傳導性也很強。此外，該測試裝置1還 包括分別位于兩排金手指5上方的兩個蓋板6，每個金手指5分別通過一個螺絲7固定在 測試座2與蓋板6之間。在本實用新型中，通過對傳統SOT23封裝測試分選機加磁而實現對霍爾芯片磁 通量的測試。在該測試裝置1中采用的線圈4為單線圈。SOT23封裝測試分選機采用轉 盤式的結構，如圖2所示，該測試分選機包括工作臺14，位于工作臺14上的底座13，測 試裝置1通過其測試支架9安裝在底座13上，以及位于該測試裝置1上方的轉盤11 (如 圖3所示)，轉盤11中設有多個沿其圓周均勻分布的吸嘴12。各被測芯片通過吸嘴12 依次被送至測試裝置1的測試夾具3上，此種測試分選機的結構導致不能采用雙線圈加磁 方法對SOT23封裝測試分選機進行加磁。因此，在本實用新型中，采用了單線圈加磁方 法對SOT23封裝測試分選機進行加磁。在本實用新型中，將單線圈4的兩個接頭接入測試儀(圖未示)中，可由測試儀 改變線圈4的輸入電流的大小，來控制該線圈4產生的外加磁場的磁通量的大小。單線
4圈4產生的磁場在該線圈的圓心內部為一個垂直于線圈橫截面的均勻磁場，距離線圈表 面越遠磁場將衰減越快，形成的磁力線為曲線，將不再是垂直于線圈表面。所以，被測 霍爾芯片的表面與線圈表面平行并靠近于線圈圓心內部將會得到一個很好的磁場提供給 霍爾芯片。本實施例中該測試裝置1設置為使測試夾具3的高度與線圈4的上端齊平， 以當被測霍爾芯片通過轉盤11中的吸嘴12放置在測試夾具3中并壓緊以跟金手指5接觸 良好時，該芯片下表面與線圈4上端表面齊平。此裝置完全做到在進行霍爾芯片磁通量 測試時使外加磁場垂直通過霍爾芯片，做到最精確的磁感應強度測量。其具體的磁通量 測試原理如下給被測霍爾芯片的輸入腳加上一個高電平，此時該芯片的輸出腳也為高 電平，然后對線圈4通電以給該霍爾芯片加上外加磁場，該外加磁場由小變大，當輸出 腳電平由高變低時，這個點的磁場強度即為所需測的工作點磁場強度，然后減小磁場， 當輸出腳電平由低變高時，這個點的磁場強度即為所需測的釋放點磁場強度，工作點磁 場強度與釋放點磁場強度之間的差值即為該霍爾芯片的磁寬。在該測試中，將測得的磁 寬和測試規范比較是否在量程內，若在測試規范范圍內則為合格的霍爾芯片，否則即為 不合格的霍爾芯片。在霍爾芯片磁通量測試中，傳統測試分選機測試頭所用的導磁材料會因施加外 加磁場而被永久磁化，當線圈不產生磁場時，也會有剩磁出現。而在本實用新型的測試 裝置1中，用于供線圈4纏繞的測試支架9是用非導磁性材料鋁制成。用于放置霍爾芯 片的測試夾具3是用非導磁性材料銅制成。設有測試夾具3的測試座2以及位于金手指5 上方的蓋板6都是用非導電材料環氧樹脂制成。且用于將金手指5固定于蓋板6與測試 座2之間的螺絲7，及固定測試座2于測試支架9上的螺絲8都是用玻璃材料制成。因 此，本實用新型采用非導磁性材料對測試裝置的部分部件進行了無磁化改造，消除了剩 磁現象，減少了測試偏差和誤判，可獲得準確的磁通量測試。以上實施例僅用于說明但不限制本實用新型。在權利要求的范圍內本實用新型 還有多種變形和改進。凡是依據本實用新型的權利要求書及說明書內容所作的簡單、等 效變化與修飾，皆落入本實用新型專利的權利要求保護范圍。
權利要求1.一種用于SOT23封裝測試分選機的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所 述裝置⑴包括測試支架(9)；固定在所述測試支架的上端的測試座(2)；設置在所述測試座(2)中用于放置被測霍爾芯片的測試夾具(3)；與所述測試夾具(3)電連接的多個金手指(5)；位于所述金手指(5)上方的蓋板(6)，所述金手指(5)固定在所述蓋板(6)與所述測 試座⑵之間；以及繞在所述測試支架(9)上的線圈(4)。
2.根據權利要求1所述的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所述線圈(4) 為單線圈。
3.根據權利要求2所述的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所述測試夾具 (3)的高度與所述線圈(4)的上端表面齊平。
4.根據權利要求1所述的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所述測試支架 (9)為鋁制測試支架。
5.根據權利要求1所述的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所述測試夾具 (3)為銅制測試夾具。
6.根據權利要求1所述的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所述測試座 (2)為環氧樹脂制成的測試座。
7.根據權利要求1所述的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所述蓋板(6) 為環氧樹脂制成的蓋板。
8.根據權利要求1所述的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所述測試座 (2)通過玻璃螺絲(8)固定在所述測試支架(9)上。
9.根據權利要求1所述的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所述金手指 (5)通過玻璃螺絲(7)固定在所述蓋板(6)與所述測試座(2)之間。
專利摘要本實用新型涉及一種用于SOT23封裝測試分選機的霍爾芯片磁通量測試裝置(1)，其特征在于，所述裝置(1)包括測試支架(9)；固定在所述測試支架的上端的測試座(2)；設置在所述測試座(2)中用于放置被測霍爾芯片的測試夾具(3)；與所述測試夾具(3)電連接的多個金手指(5)；位于所述金手指(5)上方的蓋板(6)，所述金手指(5)固定在所述蓋板(6)與所述測試座(2)之間；以及繞在所述測試支架(9)上的線圈(4)。通過本實用新型可在SOT23封裝測試中對霍爾芯片進行磁通量測試。
文檔編號G01R33/07GK201804094SQ20102022782
公開日2011年4月20日 申請日期2010年6月13日 優先權日2010年6月13日
發明者楊連宏, 羅立權 申請人:燦瑞半導體(上海)有限公司