專利名稱：崩應架構及崩應方法
技術領域：
本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種崩應架構及崩應方法。
背景技術：
在集成電路制造完成后，還需經過產品可靠性測試來判斷其性能的好壞，而產品 老化壽命實驗是產品可靠性測試非常重要的必須經過的一個環節。一般常見的壽命實驗項 目有崩應(Burn-in)測試，也叫做老化測試。通常崩應測試都是先對芯片進行高溫和高壓 處理，加速其老化，迫使故障在更短時間內出現。崩應測試包括靜態崩應測試、動態崩應測試和監測崩應測試等。崩應測試的過程 包括崩應和測試兩個步驟首先進行崩應，圖1為一種現有的崩應架構的示意圖，如圖1所 示，將芯片10封裝在測試載體20上，使芯片輸入端和輸出端與測試載體20的內側引腳電 性相連；然后將測試載體20插在老化測試板30內的插槽40上與插槽40內的引腳(未圖 示)電性相連，老化測試板30具有測試管腳50，所述測試管腳50通過老化測試板30內的 引線和插槽內的引腳50電性相連，當測試載體20插在所述插槽40內則測試載體20和老 化測試板30電性相連，從而芯片通過測試載體20就和老化測試板30電性相連。圖1是示 意性說明，實際上老化測試板可以包括多個插槽40。然后，對老化測試板30及其內的芯片10施以高溫和高壓進行老化，例如將芯片及 其所在的老化測試板置于老化爐中進行加熱，例如加熱到150°C，維持一天的高溫，通過老 化測試板的管腳對老化測試板內的芯片施以高壓。接著，進行測試的步驟，在芯片老化的一些節點，例如老化M小時、48小時或者 168小時、500小時、1000小時的時候，將芯片及老化測試板從老化爐取出，放入測試機臺中進行直流參數、交流參數和功能參數的測量。例如申請號為“USM89538”的美國專利文獻中公開了一種崩應測試的方法，其中 靜態崩應測試利用了先對芯片進行加壓和加熱進行崩應，然后測試其直流特性，動態崩應 測試利用了先對芯片進行加壓和加熱進行崩應，然后測試其功能特性。現有的崩應測試存在的問題是芯片不同，其測試載體的管腳及內部引線的連接 形式都不同，因此所需的老化測試板也不同，這樣就需要根據不同的芯片制造不同的老化 測試板，這樣就造成了巨大的浪費。
發明內容
本發明解決的技術問題是降低成本，簡化崩應工藝。為了解決上述問題，本發明提供了一種崩應架構及崩應方法，包括老化測試板，其具有管腳和插槽，所述管腳和插槽內的引腳電性相連；測試載體，其具有和所述插槽內的引腳對應的外圍引腳，所述測試載體具有和外 圍引腳對應電性相連的內側引腳；芯片功能轉換板，在其內部封裝有芯片，所述芯片功能轉換板的引腳和測試載體的內側引腳對應；其中所述芯片功能轉換板能夠安裝在測試載體上，并且芯片功能轉換板的引腳與 測試載體的內側引腳電性相連；所述測試載體能夠通過外圍引腳安裝在老化測試板的插槽內，使測試載體與老化 測試板電性相連。可選的，所述芯片功能轉換板的引腳為焊盤；所述測試載體的內側引腳為焊盤。可選的，所述測試載體的外圍引腳為焊盤，所述老化測試板的插槽內的引腳為焊ο可選的，所述芯片功能轉換板的引腳小于或者等于所述測試載體的內側引腳數。可選的，所述老化測試板插槽內的引腳數目大于2。相應的本發明還提供了一種崩應方法，包括步驟提供芯片、老化測試板及測試載體，所述老化測試板具有插槽，所述測試載體具有 和所述插槽內的管腳對應的外圍引腳，所述測試載體具有和外圍引腳電性相連的內側引 腳；對芯片進行封裝，將芯片進行封裝形成芯片功能轉換板，并使得所述芯片功能轉 換板的引腳和測試載體的內側引腳對應；將芯片功能轉換板安裝在測試載體上，并使芯片功能轉換板的引腳與測試載體的 內側引腳電性相連；將測試載體安裝在老化測試板的插槽內，并且測試載體與老化測試板電性相連。可選的，所述芯片功能轉換板的引腳為焊盤；所述測試載體的內側引腳為焊盤。可選的，所述測試載體的外圍引腳為焊盤，所述老化測試板的插槽內的引腳為焊ο可選的，所述芯片功能轉換板的引腳小于或者等于所述測試載體的內側引腳數。可選的，所述老化測試板插槽內的引腳數目大于2。與現有技術相比，本發明主要具有以下優點本發明將芯片封裝成芯片功能轉換板，因為芯片功能轉換板的引腳和測試載體的 內側引腳對應，因此使得不同種類的芯片，即使是輸出端與測試載體的內側管腳不匹配的 芯片，也可以通過封裝為芯片功能轉換板的過程中，使得其輸出端和測試載體的內側管腳 匹配。進一步的因為測試載體與老化測試板的管腳匹配，從而使得輸出端不同的不同種類 的芯片，都可以使用相同的測試載體及老化測試板，因為崩應時不需要重新制作測試載體 和老化測試板，因此這樣降低了成本，簡化了崩應工藝。
通過附圖中所示的本發明的優選實施例的更具體說明，本發明的上述及其它目 的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按 實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發明的主旨。圖1為現有的一種崩應架構的示意圖；圖2為本發明的崩應架構的示意圖；圖3為本發明的崩應方法的流程圖4為本發明的老化測試板結構示意圖；圖5為本發明的測試載體的結構示意圖；圖6為本發明的芯片功能轉換板的結構示意圖；圖7為將芯片功能轉換板安裝在測試載體上的示意圖；圖8為將測試載體安裝在老化測試板上的示意圖。
具體實施例方式由背景技術可知，在現有的崩應測試中，需要先進行崩應也就是老化，在崩應的時 候需要將芯片封裝在測試載體內，然后根據測試載體的管腳來制造老化測試板，這樣由于 芯片的輸入輸出接口不同，因此測試載體的管腳也不同，相應的老化測試板的接口也不同， 從而需要根據芯片的輸入輸出接口來制造老化測試板，這樣使得老化測試板不能通用，因 此兼容性差，造成浪費，并且每種芯片的崩應都需要先制造老化測試板，從而崩應工藝復ο為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明 的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發 明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不 違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發明實施例時，為便于說明，表 示器件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其在此不應 限制本發明保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖2為本發明的崩應架構的示意圖，如圖2所示，本發明的崩應架構包括老化測 試板110，其具有管腳IlOa和插槽110b，所述管腳IlOa和插槽IlOb內的引腳(圖2未示 出)電性相連；測試載體120，其具有和所述插槽IlOb內的引腳對應的外圍引腳(圖2未 示出)，所述測試載體120具有和外圍引腳電性相連的內側引腳(圖2未示出)；芯片功能 轉換板130，在其內部封裝有芯片140，所述芯片功能轉換板130的引腳(圖2未示出)和 測試載體120的內側引腳(圖2未示出)對應；其中所述芯片功能轉換板130能夠安裝在 測試載體120上，并且芯片功能轉換板130的引腳與測試載體120的內側引腳電性相連；所 述測試載體120能夠安裝在老化測試板110的插槽IlOb內，并且測試載體120與老化測試 板110電性相連。下面結合崩應方法對本發明的崩應架構進行進一步說明。圖3為本發明的崩應方 法的流程圖。參考圖3，本發明的本應方法包括步驟S10:提供芯片、老化測試板及測試載體，所述老化測試板具有插槽，所述測試載體 具有和所述插槽內的管腳對應的外圍引腳，所述測試載體具有和外圍引腳電性相連的內側 引腳。圖4為本發明的老化測試板結構示意圖。具體的參考圖4，其中老化測試板110可以為現有的一種老化測試板，但其管腳 IlOa的數目必須大于要測試的芯片的接口數目，這樣才能保證芯片的接口都可以通過老化 測試板的管腳施加老化電壓。老化測試板可以包括多個插槽IlOb(在圖4中為了更清楚的示意，只畫出了一個插槽110b)，在插槽IlOb內具有引腳IlOc0所述管腳IlOa和插槽IlOb內的引腳IlOcffl 過內部導線電性相連。由于在老化測試板110上的插槽IlOb內的管腳IlOc的數目越多，其可以適用的 芯片種類就越多，老化測試板的通用性也就越好。但是插槽內的管腳IlOc越多，插槽IlOb 占用的面積越大，則同樣面積的老化測試板110包括的插槽數目也就越少，這樣老化測試 板110可以同時測量的芯片的數目也就越少，測試效率也就越低。因此為了既保證測試效 率和老化測試板的通用性，在本實施例中，所述老化測試板插槽內的引腳數目大于2，甚至 為可多達上千個，例如為16、512或IOM個，對應的所述老化測試板內插槽數亦多達數百 個，例如為12至360個。例如插槽數可以為150個，每個插槽內包括的引腳數為100個，從 而對應的測試載體的外部引腳數也為100個。圖5為本發明的測試載體的結構示意圖。如圖5所示，測試載體120具有和所述 插槽內的引腳IlOc對應的外圍引腳120a，所述測試載體120具有和外圍引腳120a電性相 連的內側引腳120b。在本實施例中，所述測試載體120的外圍引腳120a和所述插槽內的引腳IlOc數 量相同，可以一一對應連接。所述外圍引腳120a可以為位于測試載體120的外圍的扁平式 管腳，所述插槽內的引腳IlOc可以為位于插槽的四周的扁平式管腳。所述外圍引腳120a 也可以為位于測試載體120的一個側面的焊盤，所述插槽內的引腳IlOc也可以為位于插槽 的底部的焊盤。所述焊盤包括球狀、柱狀等。測試載體120的內側管腳120b可以為位于測試載體120內的扁平式管腳，也可以 為位于測試載體120的和外圍管腳相對的一個側面上的焊盤。所述焊盤包括球狀、柱狀等。S20 對芯片進行封裝，將芯片進行封裝形成芯片功能轉換板，并使得所述芯片功 能轉換板的弓I腳和測試載體的內側引腳對應。圖6為本發明的芯片功能轉換板的結構示意圖。具體的，如圖6所示，在封裝芯片140的過程中，芯片的接口被封裝為芯片功能轉 換板的引腳。并且在封裝的時候需要考慮到使封裝后的芯片功能轉換板130的引腳130a 與測試載體120的內部管腳120b之間匹配，所述匹配包括數量的匹配(芯片功能轉換板 130的引腳130a數目不能大于測試載體120的內部管腳120b的數目)；類型的一致，例如 同為扁平式或者焊盤式；并且位于對應位置的管腳傳輸的信號相同，例如同為數據引腳或 同為控制引腳。因為芯片功能轉換板130需要安裝到測試載體120上，并且芯片功能轉換板130 的引腳130a都需要連接到測試載體120的內部管腳120b上，因此為了保證芯片功能轉換 板130的引腳130a都可以連接到測試載體上，則芯片功能轉換板130的引腳130a數目可 以小于或者等于測試載體120的內部管腳120b的數目。因為不同的芯片的接口數目不同，因此封裝后的芯片功能轉化板的引腳數目也不 同，如果利用通用的測試載體120，則對于不同的封裝芯片，有的芯片功能轉換板的引腳可 能小于測試載體的內側引腳(也就是測試載體的內部引腳可能有空閑)，有的芯片功能轉 換板的弓I腳可能等于測試載體的內側引腳。具體的封裝過程為本領域技術人員根據上述說明可以實現的，因此不再贅述。S30 將芯片功能轉換板安裝在測試載體上，并使芯片功能轉換板的引腳與測試載體的內側引腳電性相連。圖7為將芯片功能轉換板安裝在測試載體上的示意圖。具體的，參考圖7，將芯片功能轉換板130安裝在測試載體120上，并且使得芯片功 能轉換板130的引腳和測試載體120的內側引腳電性相連，例如圖7所示的將芯片功能轉 換板130的焊盤式引腳和測試載體120的焊盤式內側引腳位置對應，然后進行焊接。因為不同的芯片的接口數目不同，因此封裝后的芯片功能轉化板的引腳數目也不 同，如果利用通用的測試載體120，則對于不同的封裝芯片，有的芯片功能轉換板的引腳可 能小于測試載體的內側引腳(也就是測試載體的內部引腳可能有空閑)，有的芯片功能轉 換板的弓I腳可能等于測試載體的內側引腳。S40:將測試載體安裝在老化測試板的插槽內，并且測試載體與老化測試板電性相連。圖8為將測試載體安裝在老化測試板上的示意圖。具體的，參考圖8，因為測試載體的外部引腳和老化測試板插槽內的引腳一一對 應，因此可以利用本領域技術人員熟知的方法將測試載體安裝在老化測試板上，并使得其 電性相連。這樣就可以通過給老化測試板的引腳加電壓，從而實現對芯片的接口加電壓，以 便對芯片進行崩應。參考上述崩應方法可知本發明還提供了一種崩應架構一種崩應架構，包括老化 測試板，其具有管腳和插槽，所述管腳和插槽內的引腳電性相連；測試載體，其具有和所述 插槽內的引腳對應的外圍引腳，所述測試載體具有和外圍引腳電性相連的內側引腳；芯片 功能轉換板，在其內部封裝有芯片，所述芯片功能轉換板的引腳和測試載體的內側引腳對 應；其中所述芯片功能轉換板能夠安裝在測試載體上，并且芯片功能轉換板的引腳與測試 載體的內側引腳電性相連；所述測試載體能夠安裝在老化測試板的插槽內，并且測試載體 與老化測試板電性相連。其中優選的，所述芯片功能轉換板的引腳為焊盤；所述測試載體的內側引腳為焊 盤。所述焊盤包括球狀、柱狀等。其中優選的，所述測試載體的外圍引腳為焊盤，所述老化測試板的插槽內的引腳 為焊盤。所述焊盤包括球狀、柱狀等。其中優選的，所述芯片功能轉換板的引腳小于或者等于所述測試載體的內側引腳數。其中優選的，所述老化測試板插槽內的引腳數目大于2，甚至為可多達上千個，例 如為16、512或IOM個，對應的所述老化測試板內插槽數亦多達數百個，例如為12至360 個。例如插槽數可以為150個，每個插槽內包括的引腳數為100個，從而對應的測試載體的 外部引腳數也為100個。。本發明利用了先將芯片封裝形成芯片功能轉換板，使得芯片功能轉換板的引腳排 列為預先設定的模式，也就是和通用的測試載體的內側引腳對應的模式，這樣即使不同的 芯片的接口不同，通過封裝后就得到了引腳排列相同的芯片功能轉換板，這樣就可以使用 通用的測試載體，因為測試載體是通用的，也就是說不同的芯片所使用的測試載體引腳排 列相同，從而老化測試板也可以使用通用的，這樣就不需要每種芯片單獨設計制造一種老 化測試板，因此大大降低了崩應工藝的復雜度，降低了成本，減少了浪費。
以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制。任 何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方 法和技術內容對本發明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實 施例。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做 的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發明技術方案保護的范圍內。
權利要求
1.一種崩應架構，其特征在于，包括老化測試板，其具有管腳和插槽，所述管腳和插槽內的引腳電性相連；測試載體，其具有和所述插槽內的引腳對應的外圍引腳，所述測試載體具有和外圍引 腳對應電性相連的內側引腳；芯片功能轉換板，在其內部封裝有芯片，所述芯片功能轉換板的引腳和測試載體的內 側引腳對應；其中所述芯片功能轉換板能夠安裝在測試載體上，并且芯片功能轉換板的引腳與測試 載體的內側引腳電性相連；所述測試載體能夠通過外圍引腳安裝在老化測試板的插槽內，使測試載體與老化測試 板電性相連。
2.根據權利要求1所述的崩應架構，其特征在于，所述芯片功能轉換板的引腳為焊盤； 所述測試載體的內側引腳為焊盤。
3.根據權利要求1所述的崩應架構，其特征在于，所述測試載體的外圍引腳為焊盤，所 述老化測試板的插槽內的引腳為焊盤。
4.根據權利要求1所述的崩應架構，其特征在于，所述芯片功能轉換板的引腳小于或 者等于所述測試載體的內側引腳數。
5.根據權利要求1所述的崩應架構，其特征在于，所述老化測試板插槽內的引腳數目 大于2。
6.一種崩應方法，其特征在于，包括步驟提供芯片、老化測試板及測試載體，所述老化測試板具有插槽，所述測試載體具有和所 述插槽內的管腳對應的外圍引腳，所述測試載體具有和外圍引腳電性相連的內側引腳；對芯片進行封裝，將芯片進行封裝形成芯片功能轉換板，并使得所述芯片功能轉換板 的引腳和測試載體的內側引腳對應；將芯片功能轉換板安裝在測試載體上，并使芯片功能轉換板的引腳與測試載體的內側 引腳電性相連；將測試載體安裝在老化測試板的插槽內，并且測試載體與老化測試板電性相連。
7.根據權利要求6所述的崩應方法，其特征在于，所述芯片功能轉換板的引腳為焊盤； 所述測試載體的內側引腳為焊盤。
8.根據權利要求6所述的崩應方法，其特征在于，所述測試載體的外圍引腳為焊盤，所 述老化測試板的插槽內的引腳為焊盤。
9.根據權利要求6所述的崩應方法，其特征在于，所述芯片功能轉換板的引腳小于或 者等于所述測試載體的內側引腳數。
10.根據權利要求6所述的崩應架構，其特征在于，所述老化測試板插槽內的引腳數目 大于2。
全文摘要
本發明提供了一種崩應架構和方法，該結構包括老化測試板，其具有管腳和插槽，所述管腳和插槽內的引腳電性相連；測試載體，其具有和所述插槽內的引腳對應的外圍引腳，所述測試載體具有和外圍引腳電性相連的內側引腳；芯片功能轉換板，在其內部封裝有芯片，所述芯片功能轉換板的引腳和測試載體的內側引腳對應；其中所述芯片功能轉換板能夠安裝在測試載體上，并且芯片功能轉換板的引腳與測試載體的內側引腳電性相連；所述測試載體能夠安裝在老化測試板的插槽內，并且測試載體與老化測試板電性相連。本發明可以降低成本，簡化崩應工藝。
文檔編號G01R1/04GK102053220SQ20091019859
公開日2011年5月11日 申請日期2009年11月10日 優先權日2009年11月10日
發明者張榮哲, 簡維廷 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司