專利名稱：射線探測器晶體模塊及其制造方法和射線探測器的制作方法
技術領域：
本發明涉及射線探測領域，尤其是涉及用于射線探測器的晶體模塊的設計 及其制造方法、和具有所述晶體模塊的射線探測器。
背景技術：
射線成像是利用射線束通過被測對象(例如不同形狀的工件、人體的器官 等)投影在探測器陣列上，通過電子器件讀出和計算機數據釆集和分析系統， 使被測對象的內部結構的圖像重現在計算機屏幕上的 一項技術。
射線成像，既可以對被測對象進行射線的外照射，圍繞其掃描得到的大量 射線吸收數據來重建其斷層圖像的裝置，也可以先讓生物體接受某種放射性藥 物，這些藥物聚集在某個部位中或參與體內某種代謝過程，再對生物體中的放 射性核素的濃度分布和代謝進行成像。
無論利用哪種工作原理，射線探測器均是射線成像系統中必需的組成部分 之一。目前，公知的進行Y射線探測的多邊形或環形等晶體探測器設計，為提 高探測效率或者使之與其他機械、電子模塊進行空間接合，射線探測器的晶體 模塊需要進行切割形成斜面，即構成晶體模塊的每一個晶體子模塊均要切割為 規則的五邊形截面。
如圖1所示為現有技術中晶體子模塊的示意圖。從圖1中可以看到，為達 到晶體模塊間或晶體模塊和機械、電子模塊的無縫或微縫匹配，傳統的斜面設
計需要將晶體模塊1的截面切割成如圖1所示的五邊形，與光放大裝置2使用 光學耦合劑3填充縫隙進行耦合。在這樣的技術方案中，需要對晶體模塊的每 一個晶體條4進行符合特定角度的切割和研磨，以使得研磨后的各晶體條4 的頂面與光放大裝置進行匹配，從而滿足射線探測的要求。
但是，從如上所述的晶體模塊的形成過程可見，主要存在如下所述的缺陷 第一，晶體條會有不可避免的切割損傷率、切割錯誤率和角料比例，導致的一定比例的晶體條報廢，尤其是作為探測器設計主要成本的探測器晶體條，
如常用的BGO、 LSO、 LYSO等，都比較脆，切割過程中容易受到損傷。這就 提高了晶體探測器的設計成本。
第二，切割斜面的過程涉及到大部分(部分方案是全部)晶體，切割過程 復雜而耗時，對機械加工的角度精確度要求較高，提高了尋找可配合的機加工 的門檻和成本，延長了設計周期。
綜上所述，現有技術中晶體條的切割工藝要求高，切割量大，設計成本高， 制造時間長。
發明內容
因此，本發明需要提供一種用于射線探測器的晶體模塊，盡量減少或者避 免晶體模塊的切割，從而達到節約成本和省時的目的。
本發明的另 一 目的在于提供一種所述晶體模塊的制造方法。
本發明的再一目的在于提供一種射線探測器，所述射線探測器具有上述的 晶體模塊。
為了解決上述中的至少 一個技術問題，提供了 一種用于射線探測器的晶體 模塊，所述晶體模塊包括多層疊置的晶體子模塊，所述晶體子模塊由多個長方 體形狀的晶體條沿著晶體條的寬度方向排列而成，其中多個晶體條中包括中心 晶體條和在所述中心晶體條兩側的側晶體條，且位于所述中心晶體條的兩側的 側晶體條對稱，所述中心晶體條的長度大于所述側晶體條的長度，且所述相鄰
的側晶體條的內側晶體條的長度大于位于外側的晶體條的長度；所述各側晶體 條頂面的、沿著所述晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離所述中心晶體 條的一邊與所述中心晶體條頂面的相應側邊位于同一斜面水平；各晶體條的底 面位于同一平面。
本發明提供的技術方案，在與空氣相接的端面仍然保持平面，在與光放大 裝置耦合的端面，由于晶體不等長，拼接后形成階梯面，包絡保持和斜面方案 同樣的傾斜角度，代替斜面方案中的斜面，滿足幾何設計條件。無論探測器設 計是多邊形、環形，還是任意需要晶體模塊外表面不平行的探測器設計，在同 樣的幾何條件下都大大減少了的晶體模塊的所需的切割量，可以在滿足探測器幾何條件的情況下，減少探測器晶體研磨量，節約探測器設計環節和時間，降 低成本。
根據本發明的一方面，位于晶體子模塊最外側的兩端側晶體條、沿著垂直 于所述晶體子模塊的疊置方向的截面為直角梯形，位于所述兩端側晶體條的頂 面的、所述直角梯形底邊的長度大于位于所述兩端側晶體條的底面的、所述直 角梯形底邊的長度，且所述兩端的側晶體條的外側面為一斜面。這樣的加工， 以滿足晶體模塊同周圍機械、電子模塊的無縫或微縫匹配的要求。
才艮據本發明的一方面，所述晶體條為BGO晶體、LSO晶體或者LYSO晶體。
根據本發明的另一方面，所述構成晶體子模塊的各側晶體條具有相同的寬 度，且由大于1的奇數個晶體條形成所述晶體子模塊。
根據本發明的另一方面，所述晶體模塊具有7、 9、 11層晶體子模塊，所 述晶體子模塊由7、 9、 ll個晶體條構成。
本發明進一步提供了 一種制造用于射線探測器的晶體模塊的方法，包括如 下步驟A、將多個長方體形的側晶體條依次連接至中心晶體條的兩側，并沿 著晶體條的寬度方向排列，以形成晶體子模塊，其中位于所述中心晶體條的兩 側的側晶體條被對稱排列，所述中心晶體條的長度形成為大于所述側晶體條的 長度，且所述相鄰的側晶體條的內側晶體條的長度形成為大于位于外側的晶體 條的長度；B、將所述晶體子模塊的頂面加工成這樣的形狀所述各側晶體條 頂面的、沿著所述晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離所述中心晶體條 的一邊與所述中心晶體條頂面的相應側邊位于同一斜面水平；c、將所述晶體
子模塊的底面加工成這樣的形狀各晶體條的底面位于同一平面。D、根據步 驟A、 B、 C形成多個晶體子模塊；以及E、將所述晶體子模塊沿著所述疊置 方向進行疊置，以形成所述晶體模塊。
根據本發明的一方面，上述制造方法的步驟C進一步包括將位于晶體 子模塊最外側的兩端側晶體條研磨成這樣的側晶體條，所述側晶體條沿著垂直 于所述晶體子模塊的疊置方向的截面為直角梯形，位于所述兩端側晶體條的頂 面的、所述直角梯形底邊的長度大于位于所述兩端側晶體條的底面的、所述直 角梯形底邊的長度，且所述兩端的側晶體條的外側面為一斜面。根據本發明的 一方面，所述制造用于射線探測器的晶體模塊的方法中使用
的晶體條為BGO晶體、LSO晶體或者LYSO晶體。
根據本發明的另 一方面，所述構成晶體子模塊的各側晶體條具有相同的寬 度，且由大于1的奇數個晶體條形成所述晶體子模塊。
本發明還進一步提供了一種射線探測器，包括多個如上所述的晶體模塊， 所述晶體模塊的底面彼此鄰接布置成環形或者多邊形；以及多個光放大裝置， 所述光放大裝置圍繞所述晶體模塊組成的環形或者多邊形的外緣彼此相鄰排 列，其中各側晶體條頂面的、沿著所述晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、 遠離所述中心晶體條的一邊與所述中心晶體條頂面的相應側邊形成的斜面分 別與光放大裝置的光收集面相對平行設置；其中所述晶體模塊和所述光放大裝 置之間填充有光學耦合劑。
本發明提供的晶體模塊設計方案，與傳統的斜面方案不同的是，產生了階 梯形的空隙，此空隙可以通過使用光學耦合劑進行填充，可使得光信號在晶體 模塊與光放大裝置光收集面之間正常的傳播，同時省去了切割過程帶來的時間 和成本的損耗。
根據本發明的一個實施方式，所述晶體模塊和所述光放大裝置在進行空間 排布時，可進一步放置為兩者之間具有相同的或差別較小的寬度尺寸，并以半 個所述寬度的錯位交錯放置。
本發明中使用的光學耦合劑，具有和晶體條相同或者相近的光折射率，呈 凝膠狀，光損失小，例如光脂(optical grease),以及其他能夠達到同樣技術效 果的化學物質。通過填充光學耦合劑，可使得光信號在晶體模塊與光放大裝置 光收集面之間的接口處不會產生空氣縫隙，防止空氣對光的全反射，保證光良 好傳播。
根據本發明的一方面，其中相鄰接的兩個所述晶體模塊的各側晶體條頂面 的、沿著所述晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離所述中心晶體條的一 邊與所述中心晶體條頂面的相應側邊形成的斜面、位于同一平面上，每個所述 光放大裝置的光收集面和兩個相鄰接的晶體模塊構成的所述平面平行地相對 設置。光放大裝置的光收集面與所述平面的平行度越好，則光耦合劑的填充量 越少，使得制造和后期維護都比較容易。本發明附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描 述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
本發明的上述和/或附加的方面和優點從下面結合附圖對實施例的描述中
將變得明顯和容易理解，其中
圖1顯示了現有的晶體模塊和光放大裝置的結構示意圖2a顯示了射線探測器的晶體模塊和光放大裝置的結構示意圖，圖2b顯
示了圖2a中的部分A的放大示意圖3顯示了根據本發明的一個實施例的晶體模塊和光放大裝置的布置示
意圖4顯示了根據本發明的一個實施例的晶體模塊的立體結構示意圖。
圖中符號含義如下 1晶體模塊
2光放大裝置 3光學耦合劑 4晶體條 41中心晶體條
42側晶體條
具體實施例方式
下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自
件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發明，而不能 解釋為對本發明的限制。
此說明性實施方式的描述應與相應的圖例相結合，圖示應作為完整的 說明書的一部分。此處實施例的描述，有關方向和方位的任何參考，均僅是為了便于描述，而不能理解為對本發明保護范圍的任何限制。相關術語， 如"頂部"、"底部"、"內側"、"外側"、"頂面"、"底面"、"上"、"下"等均應 被解釋為說明中描述或圖中顯示的討論對象的指代方位。這些相關術語僅 僅為了方便描述，而不應認為是對儀器設備的解釋或者在特定方位上的具
體操作。部分術語含義如下"外側"，指晶體子模塊上距中心晶體條較遠 的方向；"內側，，指晶體子模塊上距離中心晶體條較近的方向；"頂面，，指晶 體模塊上其與光放大裝置光收集面相鄰的面；"底面"指晶體模塊上與"頂
面"相對的面。
為了克服由形狀匹配需求而進行晶體模塊切割所帶來的經濟成本和時間 耗費上的浪費,本發明提供了 一種用于射線探測器的晶體模塊、該模塊的組裝 方法以及包含該模塊的射線探測器。
下面將結合附圖來描述根據本發明的晶體模塊和具有所述晶體模塊的射 線探測器的詳細結構，且下面將以BGO晶體作為所述晶體模塊的示例來進行 示例性說明，但是這只是出于說明目的而不是為了限制本發明的保護范圍，例 如，普通技術人員在閱讀了下述技術方案的詳細說明之后，可以很容易地將其 應用到諸如LSO、 LYSO晶體的晶體模塊中。
如圖2a中所示，提供了一種環形射線探測器，包括多個晶體模塊l， 晶體模塊的底面彼此鄰接布置成環形；多個光放大裝置2，光放大裝置2圍繞 晶體模塊1組成的環形外緣彼此相鄰排列，其中各側晶體條42頂面的、沿著 晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離所述中心晶體條41的一邊與中心 晶體條41頂面的相應側邊形成的斜面分別與光放大裝置2的光收集面相對平 行設置。
其中晶體模塊1和光放大裝置2之間填充有光學耦合劑3，如圖2b所示。 通過填充光學耦合劑，可使得光信號在晶體模塊與光放大裝置光收集面之間正 常傳播，同時省去了切割過程帶來的時間和成本的損耗。根據本發明的一個實 施例，該多個晶體模塊1還可以彼此鄰接布置成任意多邊形，例如八邊形、十 邊形等。
本發明中使用的光學耦合劑，具有和晶體條相同或者相近的光折射率，呈 凝膠狀，光損失小，例如光脂或者其他能夠達到同樣技術效果的化學物質。通過填充光學耦合劑，可使得光信號在晶體模塊與光放大裝置光收集面之間的接 口處不會產生空氣縫隙，防止空氣對光的全反射，保證光良好傳播性能。
如圖2所示，晶體模塊1和光放大裝置2的空間排布，可以呈如下情況 相鄰接的兩個晶體模塊1的各側晶體條42頂面的、沿著晶體子模塊的疊置方 向的兩條邊中的、遠離中心晶體條41的 一邊與中心晶體條41頂面的相應側邊 形成的斜面、位于同一平面上。每個光放大裝置2的光收集面和兩個相鄰接的 晶體模塊i構成的平面平行地相對設置。
光放大裝置2的光收集面與晶體模塊1的側晶體條的頂面所在的斜面的平 行度越好，則光耦合劑的填充量也會越少，使得制造和后期維護都比較容易。
下面將參照圖3來詳細描述根據本發明的一個實施例的晶體模塊。該晶體 模塊包括多層疊置的晶體子模塊。晶體子模塊由多個長方體形狀的晶體條4 沿著晶體條的寬度方向排列而成。其中多個晶體條中包括中心晶體條41和在 中心晶體條41兩側的側晶體條42，且位于中心晶體條41的兩側的側晶體條 42對稱。中心晶體條41的長度大于側晶體條42的長度，且相鄰的側晶體條 42的內側晶體條的長度大于位于外側的晶體條的長度。各側晶體42條頂面的、 沿著晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離中心晶體條41的一邊與中心 晶體條41頂面的相應側邊位于同一斜面水平。各晶體條4的底面位于同一平 面水平。即如圖3所示，整個晶體子模塊的外緣大致形成為五邊形，但是本發 明不限于此，所述晶體子模塊的外緣也可以形成為其他所需的形狀。
本發明所提供的晶體模塊，構成其的各晶體條4可以為具有相同的寬度， 且由大于1的奇數個晶體條形成晶體子模塊。普通技術人員顯然可以理解，具 有不同寬度的側晶體條也可以用于形成所述晶體模塊，只要各側晶體條42頂 面的、沿著晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離中心晶體條41的一邊 與中心晶體條41頂面的相應側邊位于同一斜面水平，由此上述只是出于示例 的目的而不是為了限定本發明的保護范圍。
按照所設計的晶體探測器最終的多邊形或者環形的形狀需求，可以進行幾 何計算來獲得各晶體條4的準確長度，這些晶體條的長度應該是不相同的，以 滿足最終形成的探測器晶體模塊的形狀需求。
下面將參照圖2a、圖3和圖4來進一步詳細描述上述的晶體模塊。當所設計為36個射線探測器的晶體模塊1被布置成環形(如圖2a所示)，從圓 心到晶體模塊底面的半徑為160cm。晶體模塊由7層子模塊構成，每一個子模 塊又由7個晶體條沿著晶體條的寬度方向排列組成。晶體條的原始形狀為長方 體形，底面為2mmx2mm的正方形，中心晶體條的高度為10mm。
按照如上設計要求，晶體子模塊由7個晶體條沿著晶體條的寬度方向排列 而成。其中中心晶體條41，其長度為10mm。兩側的側晶體條42，位于中心 晶體條41的兩側對稱排列，其長度由高到低分別為9.83mm， 9.64mm, 9.47mcm。這些側晶體條的內側晶體條的長度大于位于外側的晶體條的長度， 各側晶體條42頂面的、沿著晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離中心 晶體條41的一邊與中心晶體條41頂面的相應側邊位于同一斜面水平，且各晶 體條4的底面位于同一平面。
進一步地，晶體模塊l兩側面的設計角度，也可以根據設計上(例如無隙 匹配的晶體模塊或者有隙匹配的晶體模塊)的需要來進行計算，從而得出晶體 子模塊最外側的兩端側晶體條的切割角度，也就是說確定最外側的兩端側晶體 條的、沿著垂直于晶體子模塊的疊置方向所呈截面的直角梯形的具體形狀。
針對上述設計要求，可以計算出晶體子模塊最外側的兩端側晶體條的切割 角度為5。，直角梯形截面的頂部邊長仍為2mm，底部邊長為1.17mm，且其外 側面為一殺牛面。
圖4所示是本發明提供的晶體模塊的立體示意圖，圖中可以看到，晶體模 塊的各側晶體條42頂面的、沿著晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離 中心晶體條41的一邊與中心晶體條41頂面的相應側邊位于同一斜面水平，最 終形成兩側對稱的斜面，以滿足與光放大裝置(圖4中未示出)的空間耦合， 而晶體模塊的底面可以形成為一平面。
上述設計而成的晶體模塊，在與空氣相接的端面仍然保持平面，在與光放 大裝置耦合的端面，由于晶體不等長，拼接后形成階梯面，包絡保持和斜面方 案同樣的傾斜角度，代替斜面方案中的斜面，滿足幾何設計條件。無論探測器 設計是多邊形、環形，還是任意需要晶體模塊外表面不平行的探測器設計，在 同樣的幾何條件下都大大減少了的晶體模塊的所需的切割量，可以在滿足探測 器幾何條件的情況下，減少探測器晶體研磨量，節約探測器設計環節和時間， 降低成本。下面將描述根據本發明的晶體模塊的制造方法，其中所述制造方法包括下
述步驟
將7個具有上述尺寸的長方體形的晶體條由高到底分別加工為10mm， 9.83mm, 9.64mm, 9.47mm。其中最長的為中心晶體條41,其余為側晶體條 42。將側晶體條42依次連接至中心晶體條41兩側，并沿著晶體條的寬度方向 排列，以形成晶體子模塊。其中位于中心晶體條41兩側的側晶體條42被對稱 排列，中心晶體條41的長度形成為大于側晶體條42的長度，且相鄰的側晶體 條42的內側晶體條的長度形成為大于位于外側的晶體條的長度(步驟A)。
接著，將晶體子模塊的頂面加工成這樣的形狀各側晶體條42頂面的、 沿著晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離中心晶體條41的一邊與中心 晶體條41頂面的相應側邊位于同一斜面水平(步驟B)。
接著，將晶體子模塊的底面加工成這樣的形狀各晶體條4的底面位于同 一平面(步驟C)。
然后，根據本發明的一個實施例，可以根據步驟A、 B、 C形成7個晶體 子模塊(步驟D)，且將晶體子模塊沿著疊置方向進行疊置，以形成晶體模塊 1 (步驟E )。
進一步地，上述制造方法之步驟C可以進一步包括將位于晶體子模塊 最外側的兩端側晶體條研磨成這樣的形狀，側晶體條沿著垂直于晶體子模塊的 疊置方向的截面為直角梯形，位于兩端側晶體條的頂面的、直角梯形底邊的長 度為2mm，位于兩端側晶體條的底面的、直角梯形底邊的長度為1.17mm，且 兩端的側晶體條的外側面為 一斜面。
上述晶體模塊還可以根據射線探測器的其他具體設計要求和晶體條的規 格加工而成，以根據實際的設計要求來形成所述晶體模塊，由此所述尺寸僅出 于示例的目的而不是為了限定本發明的保護范圍。
上述實施例僅僅是示意性的，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解 在不脫離本發明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修 改、替換和變型，本發明的范圍由所附權利要求及其等同物限定。 一切滿足實 際多邊形或環形射線探測器設計要求的晶體模塊的外形和構成要求，均可以通 過上述方法計算得出，均應視為對本發明內容的等同替換，仍屬于本發明的保 護范圍。
權利要求
1、一種用于射線探測器的晶體模塊，所述晶體模塊包括多層疊置的晶體子模塊，所述晶體子模塊由多個長方體形狀的晶體條(4)沿著晶體條的寬度方向排列而成，其中多個晶體條中包括中心晶體條(41)和在所述中心晶體條兩側的側晶體條(42)，且位于所述中心晶體條(41)的兩側的側晶體條(42)對稱，所述中心晶體條(41)的長度大于所述側晶體條(42)的長度，且所述相鄰的側晶體條(42)的內側晶體條的長度大于位于外側的晶體條的長度；所述各側晶體條(42)頂面的、沿著所述晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離所述中心晶體條(41)的一邊與所述中心晶體條(41)頂面的相應側邊位于同一斜面水平；各晶體條(4)的底面位于同一平面。
2、 根據權利要求1所述的晶體模塊，其中，位于晶體子模塊最外側的兩 端側晶體條、沿著垂直于所述晶體子模塊的疊置方向的截面為直角梯形，位于 所述兩端側晶體條的頂面的、所述直角梯形底邊的長度大于位于所述兩端側晶 體條的底面的、所述直角梯形底邊的長度，且所述兩端的側晶體條的外側面為 一斜面。
3、 根據權利要求1所述的晶體模塊，其中，所述晶體為BGO晶體、LSO 晶 體或者LYSO晶體。
4、 根據權利要求1所述的晶體模塊，其中，所述構成晶體子模塊的各晶 體條具有相同的寬度，且由大于1的奇數個晶體條形成所述晶體子模塊。
5、 根據權利要求4所述的晶體模塊，其中，所述晶體模塊具有7、 9、 11 層晶體子模塊，所述晶體子模塊由7、 9、 ll個晶體條構成。
6、 一種制造用于射線探測器的晶體模塊的方法，包括如下步驟A、 將多個長方體形的側晶體條(42)依次連接至中心晶體條(41)的兩 側，并沿著晶體條的寬度方向排列，以形成晶體子模塊，其中位于所述中心晶 體條(41 )的兩側的側晶體條(42)被對稱排列，所述中心晶體條(41 )的長 度形成為大于所述側晶體條(42)的長度，且所述相鄰的側晶體條(42)的內 側晶體條的長度形成為大于位于外側的晶體條的長度；B、 將所述晶體子模塊的頂面加工成這樣的形狀所述各側晶體條(42)頂面的、沿著所述晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離所述中心晶體條(41)的一邊與所述中心晶體條(41)頂面的相應側邊位于同一斜面水平；C、 將所述晶體子模塊的底面加工成這樣的形狀各晶體條(4)的底面 位于同一平面；D、 根據步驟A、 B、 C形成多個晶體子模塊；以及E、 將所述晶體子模塊沿著所述疊置方向進行疊置，以形成所述晶體模塊。
7、 根據權利要求6所述的方法，其中，所述步驟C進一步包括 將位于晶體子模塊最外側的兩端側晶體條研磨成這樣的側晶體條，所述側晶體條沿著垂直于所述晶體子模塊的疊置方向的截面為直角梯形，位于所述兩 端側晶體條的頂面的、所述直角梯形底邊的長度大于位于所述兩端側晶體條的 底面的、所述直角梯形底邊的長度，且所述兩端的側晶體條的外側面為一斜面。
8、 根據權利要求6所述射線探測器晶體模塊的制造方法，其中，所述晶 體條為BGO晶體、LSO晶體或者LYSO晶體。
9、 根據權利要求6所述射線探測器晶體模塊的制造方法，其中，構成晶體子模塊的所述各側晶體條具有相同的寬度，且由大于1的奇數個晶體條形成 所述晶體子模塊。
10、 一種射線探測器，包括多個如權利要求1所述的晶體模塊(1 )，所述晶體模塊的底面彼此鄰接布 置成環形或者多邊形；以及多個光放大裝置(2)，所述光放大裝置(2)圍繞所述晶體模塊(1 )組成 的環形或者多邊形的外緣彼此相鄰排列，其中各側晶體條(42)頂面的、沿著 所述晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離所述中心晶體條(41)的一邊 與所述中心晶體條(41)頂面的相應側邊形成的斜面分別與光放大裝置(2) 的光收集面相對平行設置；其中所述晶體模塊(1 )和所述光放大裝置(2)之間填充有光學耦合劑(3)。
11、 根據如權利要求10所述的射線探測器，其中相鄰接的兩個所述晶體 模塊(1)的各側晶體條(42)頂面的、沿著所述晶體子模塊的疊置方向的兩 條邊中的、遠離所述中心晶體條(41)的一邊與所述中心晶體條(41 )頂面的 相應側邊形成的斜面、位于同一平面上，每個所述光放大裝置(2)的光收集 面和兩個相鄰接的晶體模塊(1 )構成的所述平面平行地相對設置。
全文摘要
本發明提供了一種用于射線探測器的晶體模塊，包括多層疊置的晶體子模塊，晶體子模塊由多個長方體形狀的晶體條沿著其寬度方向排列而成。多個晶體條包括中心晶體條和兩側的側晶體條，且位于中心晶體條的兩側的側晶體條對稱。中心晶體條的長度大于側晶體條的長度，且相鄰的側晶體條的內側晶體條的長度大于位于外側的晶體條的長度。各側晶體條頂面的、沿著晶體子模塊的疊置方向的兩條邊中的、遠離中心晶體條的一邊與中心晶體條頂面的相應側邊位于同一斜面水平；各晶體條的底面位于同一平面。該模塊可以降低晶體條的研磨量，節約成本和減少研磨時間，提高成品率。本發明進一步提供了制造用于射線探測器的晶體模塊的方法以及具有所述晶體模塊的射線探測器。
文檔編號G01T1/202GK101561508SQ20091008537
公開日2009年10月21日 申請日期2009年5月21日 優先權日2009年5月21日
發明者劉亞強, 吳朝霞, 彥 夏, 石 王 申請人:清華大學