專(zhuān)利名稱(chēng)：寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的光離化截面測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的光離化截面的測(cè)試方法，更具體地說(shuō) 是針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的光離化截面的測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
鑒于寬禁帶半導(dǎo)體材料，如GaN、 SiC等，其本身具有的優(yōu)越性質(zhì)及其在微 波功率器件領(lǐng)域應(yīng)用中潛在的巨大前景，使得這些材料系統(tǒng)將在微波功率器件領(lǐng)
域占有不可取代的地位。但是，在寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管實(shí)用化之前， 仍有許多重要的基礎(chǔ)問(wèn)題有待解決。其中，由于深能級(jí)中心存在引起的持續(xù)光電 導(dǎo)效應(yīng)，以及與該效應(yīng)相關(guān)的器件電流崩塌現(xiàn)象是寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件實(shí)用 化之前必須解決的問(wèn)題。因此，針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件中持續(xù)光電導(dǎo)現(xiàn)象 和電流崩塌效應(yīng)進(jìn)行研究、探討與之相關(guān)的深能級(jí)缺陷的性質(zhì)、類(lèi)型、去除方法 對(duì)于提高材料和器件的電輸運(yùn)性能有著重要的意義。
上世紀(jì)70年代末期，深能級(jí)瞬態(tài)光譜技術(shù)不斷成熟，并應(yīng)用于Si， GaAs 器件中深能級(jí)中心的檢測(cè)中，深能級(jí)瞬態(tài)譜是在瞬態(tài)電容法的基礎(chǔ)上采用率窗技 術(shù)后發(fā)展起來(lái)的一種新方法.在深能級(jí)瞬態(tài)譜的測(cè)試過(guò)程中，首先要在半導(dǎo)體上 制備P-N結(jié)，在P-N結(jié)上加一固定的反向偏置電壓和一個(gè)周期性的正向注入脈 沖電壓，當(dāng)P-N結(jié)試樣的溫度改變的同時(shí).電子從深能級(jí)中的發(fā)射率亦不斷變 化，因此得到的一組瞬態(tài)電容指數(shù)曲線，它們的時(shí)間常數(shù)亦是在不斷改^變的，利 用率窗(如鎖相放大技術(shù))可以從這一組瞬態(tài)電容指數(shù)信號(hào)中提取出某一特定時(shí) 間常數(shù)的指數(shù)信號(hào).通過(guò)對(duì)特定時(shí)間常數(shù)的指數(shù)信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析，可以大致得 到深能級(jí)光離化截面等信息。使得基于光離化截面分析的DX中心缺陷理論和實(shí) 驗(yàn)研究在指導(dǎo)材料生長(zhǎng)和器件制備工作中獲得了巨大成功，因此，人們也期待使 用同樣的方法對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體材料中的深能級(jí)中心進(jìn)行研究。然而，由于寬禁帶
半導(dǎo)體材料禁帶較寬，相應(yīng)深能級(jí)中心能級(jí)較深，即使在很高溫度下，被深能級(jí) 捕捉的載流子的發(fā)射率也很難同率窗值匹配，因此使得基于率窗技術(shù)的深能汲中 心瞬態(tài)光譜法在寬禁帶半導(dǎo)體材料體系的光離化截面測(cè)試研究中受到限制。
目前，相對(duì)于材料生長(zhǎng)、器件制備方面的突飛猛進(jìn)，有關(guān)寬禁帶半導(dǎo)體材料 中深能級(jí)特性的實(shí)驗(yàn)研究工作仍處于一種相對(duì)滯后的狀態(tài)。迄今還沒(méi)有一種能夠 精確測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心光離化截面的方法，使得寬禁帶半導(dǎo)體 材料在深能級(jí)研究上受到限止。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足之處，本發(fā)明提供一種能夠精確測(cè)試寬禁帶 半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心光離化截面的方法，從而為寬禁帶半導(dǎo)體材料在深能級(jí) 研究中提供技術(shù)保障。 本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
針對(duì)載流子濃度為W。、遷移率為/i的寬禁帶半導(dǎo)體材料，寬禁帶半導(dǎo)體材
料中含有一定濃度的深能級(jí)中心，在光子能量小于寬禁帶半導(dǎo)體材料禁帶寬度的 入射光能量的平行入射光作用下，深能級(jí)中心光離化截面公式為
其中，A為熱激活作用下載流子克服回復(fù)勢(shì)壘回復(fù)到深能級(jí)中心的幾率，"為導(dǎo)
帶或價(jià)帶中的載流子濃度，"n、 。分別是平衡時(shí)刻寬禁帶半導(dǎo)體材料中波載 流子占據(jù)的深能級(jí)中心濃度和未被占據(jù)的深能級(jí)中心濃度。
根據(jù)以上公式，寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的光離化截面的測(cè)試步驟如
下
(1 )以光子能量小于寬禁帶半導(dǎo)體材料禁帶寬度的入射光能量的平行入射 光入射到樣品表面，由于入射光子的作用，寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心將不 斷釋放載流子，在特定入射光子能量和強(qiáng)度下，寬禁帶半導(dǎo)體材料中的光電流將 不斷升高并最終趨于平衡值，控制光電流的變化為恒定值；
(2)通過(guò)霍爾測(cè)試得到光照前后寬禁帶半導(dǎo)體材料中的載流子濃度w，并
計(jì)算出光照前后材料中載流子濃度的變化Aw;通過(guò)變溫霍爾測(cè)試獲得，結(jié)合在 光照前后載流子濃度的變化Aw可以求出w,。 。，并由此推出^，在光電流
變化為恒定值的情況下，不同入射光子能量情況下？的值為恒量；
(3) 利用光電流衰減方程對(duì)撤去光照后光電流衰減曲線擬合獲得A值；
(4) 使用光電二極管測(cè)試獲得入射光強(qiáng)度/(M;)的值；
(5) 代入深能級(jí)中心光離化截面公式，獲得對(duì)應(yīng)入射光子能量情況下，光離 化截面的數(shù)值。
上述測(cè)步驟中，通過(guò)使用常備的半導(dǎo)體性能測(cè)試設(shè)備即可獲得求解深能級(jí)中 心光離化截面所涉及的參數(shù)，如使用半導(dǎo)體材料電流-電壓測(cè)試設(shè)備獲得光電流 衰減曲線，通過(guò)對(duì)光電流衰減曲線擬合即可獲得熱激活作用下載流子克服回復(fù)勢(shì)
壘回復(fù)到深能級(jí)中心的幾率A。使用霍爾測(cè)試設(shè)備即可獲得 。"。
為了控制V為常數(shù)，使得不同入射光情況下光電流變化為恒定值，利用
PID控制器(Proportional-Integral-Derivative英文縮寫(xiě)PID)，以樣品中反 映載流子濃度變化的電流信號(hào)為被控信號(hào)，通過(guò)調(diào)整激發(fā)光強(qiáng)度來(lái)改變樣品中的 電流響應(yīng)；將所述被控信號(hào)采樣輸入PID控制器的輸入端，PID控制器比較被控 信號(hào)同目標(biāo)信號(hào)值之間的差異，通過(guò)計(jì)算得出新的控制參量并輸出控制信號(hào)，以 所述控制信號(hào)控制入射光發(fā)光設(shè)備(鹵鎢燈)的輸出功率，以調(diào)節(jié)入射光強(qiáng)度， 進(jìn)而調(diào)節(jié)樣品中光激發(fā)電流的數(shù)值。通過(guò)上述手段可以有效的達(dá)到控制寬禁帶半 導(dǎo)體材料中光電流變化的目標(biāo)，從而為實(shí)現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體材料中光離化截面的準(zhǔn) 確測(cè)量奠定良好的基礎(chǔ)。相對(duì)于深能級(jí)瞬態(tài)譜法，該方法中不涉及鎖相放大器， 脈沖發(fā)生器等精密設(shè)備，成本較低。
本發(fā)明是通過(guò)分析寬禁帶半導(dǎo)體材料深能級(jí)中心與入射光子相互作用的過(guò) 程，提出的深能級(jí)光離化截面測(cè)試方法的，理論論證如下
寬禁帶半導(dǎo)體材料中存在深能級(jí)中心，濃度為 ；寬禁帶半導(dǎo)體材料中自 由載流子的初始濃度為w。；在恒定溫度無(wú)光照情況下，寬禁帶半導(dǎo)體材料處于熱
平衡狀態(tài)時(shí)，材料中被載流子占據(jù)的深能級(jí)中心濃度為 t，未被占據(jù)的深能級(jí)中 心濃度為 。，應(yīng)滿足
wn+"ro=wr (1)
在小于禁帶寬度的入射光子作用下，深能級(jí)中心捕捉的載流子將被激發(fā)到導(dǎo) 帶，形成自由載流子。在平衡時(shí)刻,入射光子引起的載流子變化和載流子克服回復(fù) 勢(shì)壘回復(fù)到深能級(jí)中心的幾率相同,它們之間的關(guān)系可用下式表示<formula>formula see original document page 7</formula> (2)
公式(2)經(jīng)變化可轉(zhuǎn)換為
<formula>formula see original document page 7</formula>
其中/(M;)為入射光強(qiáng)度，o"(/n;)為在入射光子能量為/zv的情況下深能級(jí)中
心的光離化截面。A為熱激活作用下載流子克服回復(fù)勢(shì)壘回復(fù)到深能級(jí)中心的
幾率。" 、 w,。分別是平衡時(shí)刻樣品中被載流子占據(jù)的深能級(jí)中心濃度和未被
占據(jù)的深能級(jí)中心濃度,它們的和仍滿足公式(l)。"為導(dǎo)帶(價(jià)帶)中的載流子濃 度。
假設(shè)在入射光的作用下，樣品中的載流子濃度變化A 應(yīng)滿足
<formula>formula see original document page 7</formula> (4)
△w = wn —wn (5) 如果能夠保證在不同入射光作用情況下載流子濃度變化Aw為恒定值，那么根 據(jù)公式(1)-(5), " 、 。、w將也為定值，在恒定溫度下，載流子克服回復(fù)勢(shì) 壘回復(fù)到深能級(jí)中心的幾率A可視為常數(shù)，因此公式(3)可以轉(zhuǎn)換為
<formula>formula see original document page 7</formula> (6)
與已有技術(shù)相比，本發(fā)明的特點(diǎn)在于
1、由于本發(fā)明綜合考慮到在入射光子的作用下，深能級(jí)中心釋放載流子的 同時(shí)，存在捕捉載流子的過(guò)程，本發(fā)明方法能夠精確測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料中深
能級(jí)中心光離化截面，從而為寬禁帶半導(dǎo)體材料在深能級(jí)研究中提供了必要的技
術(shù)保障。
2、己有技術(shù)中深能級(jí)瞬態(tài)譜法中設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體樣品必須制成P-N結(jié)器i'牛， 相對(duì)而言制備工藝比較復(fù)雜，本發(fā)明可直接對(duì)半導(dǎo)體材料特別是寬禁帶半導(dǎo)體材 料進(jìn)行測(cè)量，從而降低了測(cè)試的復(fù)雜性。
-
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明
圖1為本發(fā)明中半導(dǎo)體材料中入射光子同深能級(jí)中心相互作用示意圖。
圖2為本發(fā)明中基于PID控制器的光離化截面測(cè)試原理圖。
圖3為兩個(gè)不同激發(fā)波長(zhǎng)下使用本發(fā)明得到的光電流變化曲線。
圖4為不同入射光子能量下使用本發(fā)明的測(cè)試誤差示意。
圖5為本發(fā)明得到的光離化截面數(shù)據(jù)同P.B.Klein等報(bào)導(dǎo)的結(jié)果對(duì)比圖。
具體實(shí)施例方式
參見(jiàn)圖1、 2所示。 實(shí)施例1
對(duì)于GaN寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的測(cè)試。
選用被測(cè)樣品為分子束外延生長(zhǎng)氮化鎵外延薄膜，光電導(dǎo)測(cè)試表明，即使在 室溫，上述被測(cè)樣品中仍然存在明顯的持續(xù)光電導(dǎo)現(xiàn)象，表明該樣品中存在深能 級(jí)中心。以427nm入射光平行入射到樣品表面；通過(guò)霍爾測(cè)試得到光照前后寬禁 帶半導(dǎo)體材料中的載流子濃度分別為"^.225X 10150！1—3、 2.238X 1015cm—3，并計(jì) 算出光照前后材料中載流子濃度的變化Aw4. 3X1013cm—3;使用變溫霍爾效應(yīng)可
以求出氮化鎵中光照前深能級(jí)中心的濃度濃度" =3. 768X1015cm—3，結(jié)合在光照 前后載流子濃度的變化An求出";^3.755X 1015(^3、 廣1.3X10"cm—3，并由此
推出^U7.748XK)'2cm-3，在光電流變化為恒定值的情況下，不同入射光子能
量情況下M的值為恒量；利用光電流衰減方程對(duì)撤去光照后光電流衰減曲線
擬合獲得A^.43X10"值；使用2CR1226-01型光電二極管測(cè)試獲得入射光強(qiáng)度 =2. 0 X 1013光子 cm—2的值；代入深能級(jí)中心光離化截面公式
+)=,,;),，獲得427nm入射光子能量情況下，光離化截面的數(shù)值2.85
X10—15cm—2。 實(shí)施例2
本例中被測(cè)樣品仍選用分子束外延生長(zhǎng)含有深能級(jí)中心的氮化鎵外延薄膜， 樣品室溫載流子濃度為2.5X1015cnT3，遷移率為125cm7V s。所選用的智能控 制調(diào)節(jié)器為PID控制器6，選用鹵鴿燈光源室8配合光柵光譜儀9和相應(yīng)的濾光 片為測(cè)試提供單色光源，使用光學(xué)系統(tǒng)10將單色光聚焦在樣品2上，樣品2安 裝在樣品臺(tái)3上，測(cè)試在超高真空室1中進(jìn)行，該設(shè)備可實(shí)現(xiàn)77K-300K溫度范 圍內(nèi)低溫電流一電壓測(cè)試.使用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試4在恒壓模式下測(cè)試樣品中的 電流變化，測(cè)試時(shí)使用電流放大系統(tǒng)5將測(cè)試電流信號(hào)放大后接入PID控制器6 的電流輸入端，使用PID控制器儀表的線性電流輸出模塊控制可控硅移相觸發(fā)器 調(diào)節(jié)鹵鎢燈控制器7的輸出功率，當(dāng)樣品中的光電流值達(dá)到設(shè)定值后測(cè)試入射光
強(qiáng)度，使用公式CT(/nOx^^計(jì)算對(duì)應(yīng)入射波長(zhǎng)下深能級(jí)中心的光離化截面.
剩
上例中通過(guò)綜合考慮GaN材料中深能級(jí)中心與入射光子相互作用同時(shí)存在 載流子發(fā)射和俘獲的基礎(chǔ)上，給出了一種基于光電流分析的深能級(jí)中心光離化截 面的新測(cè)試思路，即，在保證光電流變化為恒定的情況下，深能級(jí)中心的光離化 截面與入射光強(qiáng)度成反比.并給出了一種基于PID控制器技術(shù)的深能級(jí)中心測(cè)試 方法。
圖3是低溫下(77K)，兩個(gè)不同激發(fā)波長(zhǎng)下使用基于PID技術(shù)的光離化截面 測(cè)試方法得到的光電流變化曲線.在不同的入射情況下，光電流均從初始階沒(méi)上 升經(jīng)30秒左右達(dá)到目標(biāo)值，呈現(xiàn)出明顯的瞬態(tài)過(guò)程.另外，我們還可以發(fā)現(xiàn)，由于 PID控制器的作用，入射光強(qiáng)度均從初始階段較弱逐漸增強(qiáng)，即使在不同波長(zhǎng)的 光入射情況下，光電流均很快達(dá)到穩(wěn)態(tài)值,基本無(wú)超調(diào)，穩(wěn)態(tài)誤差很小.表明基于 PID控制器技術(shù)的光電流控制系統(tǒng)平穩(wěn)性和快速性較好，控制精度很高，能夠達(dá) 到快速準(zhǔn)確地控制被測(cè)樣品中光電流變化的目標(biāo),從而為光離化截面的測(cè)試奠定
良好的基礎(chǔ).
圖4是77K時(shí)使用上述方法測(cè)試得到的光離化截面隨入射光子能量變化歸一 化的結(jié)果，從圖4中可以發(fā)現(xiàn)，針對(duì)不同光子能量的入射光，使用基于PID控制 器技術(shù)的光離化界面測(cè)試方法測(cè)得的深能級(jí)中心的光離化界面大小誤差不同，在 入射光子能量趨于高能量端，深能級(jí)中心的光離化界面測(cè)試誤差較大，約8%左 右。這種誤差來(lái)源于光電二極管對(duì)入射光強(qiáng)度的測(cè)試誤差。由于在測(cè)試入射光強(qiáng) 度時(shí)，我們選用的是2CR1226-01型光電二級(jí)管，這種光電二極管對(duì)不同波長(zhǎng)的 入射光的響應(yīng)能力不同，導(dǎo)致不同入射情況下光離化截面的測(cè)試誤差不同，相信 通過(guò)提高入射光強(qiáng)度的測(cè)試精度，測(cè)試誤差還可進(jìn)一步提高。
圖5是77K時(shí)使用上述方法測(cè)試得到的光離化截面隨入射光子能量變化歸一 化的結(jié)果，將該結(jié)果同P. B. Klein等在GaN/AlGaNHEMTs器件中測(cè)得的光離化譜 結(jié)果對(duì)比，同P. B. Klein等提出的在HEMTs器件中的位于導(dǎo)帶以下2. 85eV的深 能級(jí)中心光離化譜吻合較好。由于在針對(duì)GaN材料中深能級(jí)缺陷同入射光子相互 作用的理論分析過(guò)程中，我們綜合考慮到在入射光子的作用下載流子從深能級(jí)中 心釋放出來(lái)的過(guò)程中還伴隨著回復(fù)過(guò)程，因此，根據(jù)上述模型得到的GaN材料中 深能級(jí)缺陷光離化截面公式(6)要比公式(3)相對(duì)準(zhǔn)確.同時(shí),通過(guò)實(shí)驗(yàn)過(guò)程 中引入PID控制器技術(shù)可以較好的控制入射光強(qiáng)度,達(dá)到公式(6)控制載流子濃 度變化的目標(biāo)，上述工作均為GaN材料中深能級(jí)缺陷光離化截面的準(zhǔn)確測(cè)量奠定
基石出。
權(quán)利要求
1、寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的光離化截面測(cè)試方法，其特征在于針對(duì)載流子濃度為n0、遷移率為μ的寬禁帶半導(dǎo)體材料，寬禁帶半導(dǎo)體材料中含有深能級(jí)中心，在光子能量小于寬禁帶半導(dǎo)體材料禁帶寬度的入射光能量的平行入射光作用下，深能級(jí)中心光離化截面公式為<maths id="math0001" num="0001" ><math><![CDATA[ <mrow><mi>σ</mi><mrow> <mo>(</mo> <mi>hv</mi> <mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><mfrac> <mrow><msubsup> <mi>An</mi> <mrow><mi>T</mi><mn>0</mn> </mrow> <mo>′</mo></msubsup><mi>n</mi> </mrow> <mrow><mi>I</mi><mrow> <mo>(</mo> <mi>hv</mi> <mo>)</mo></mrow><msubsup> <mi>n</mi> <mrow><mi>T</mi><mn>1</mn> </mrow> <mo>′</mo></msubsup> </mrow></mfrac> </mrow>]]></math> id="icf0001" file="A2008100222140002C1.tif" wi="31" he="12" top= "55" left = "112" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/></maths>其中，A為熱激活作用下載流子克服回復(fù)勢(shì)壘回復(fù)到深能級(jí)中心的幾率，n為導(dǎo)帶或價(jià)帶中的載流子濃度，n′T1、n′T0分別是平衡時(shí)刻寬禁帶半導(dǎo)體材料中被載流子占據(jù)的深能級(jí)中心濃度和未被占據(jù)的深能級(jí)中心濃度。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的光離化截面測(cè) 試方法，其特征在于在保證不同入射光作用情況下載流子濃度變化Aw-w-"。，An = "n—wn為恒定值時(shí)， 將也為定值，在恒定溫度下，載流子克服回復(fù)勢(shì)壘回復(fù)到深能級(jí)中心的幾率A可視為常數(shù)，因此所述&式可以轉(zhuǎn)換為<formula>formula see original document page 2</formula>
3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的光離化截 面測(cè)試方法，其特征在于根據(jù)所述公式，測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的 光離化截面包括以下步驟1)以光子能量小于寬禁帶半導(dǎo)體材料禁帶寬度的入射光能量的平行入時(shí)光 入射到樣品表面，控制光電流的變化為恒定值； 2)通過(guò)霍爾測(cè)試得到光照前后寬禁帶半導(dǎo)體材料中的載流子濃度《，并計(jì) 算出光照前后材料中載流子濃度的變化An ;結(jié)合在光照前后載流子濃度的變化A"求出 ,、 。，并由此推出^，在光電流變化為恒定值的情況下，不同入 射光子能量情況下T的值為恒量；3) 利用光電流衰減方程對(duì)撤去光照后光電流衰減曲線擬合獲得A值；4) 使用光電二極管測(cè)試獲得入射光強(qiáng)度/(/zV)的值；5) 代入深能級(jí)中心光離化截面公式，獲得對(duì)應(yīng)入射光子能量情況下，光離化截面的數(shù)值。
4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心的光離化截面測(cè)試方法，其特征在于為了控制所述Y為常數(shù)，使得不同入射光情況下光電流變化為恒定值，利用PID控制器，以樣品中反映載流子濃度變化的電流信號(hào)為被 控信號(hào)，通過(guò)調(diào)整激發(fā)光強(qiáng)度來(lái)改變樣品中的電流響應(yīng)；將所述被控信號(hào)采洋輸 入PID控制器的輸入端，PID控制器比較被控信號(hào)同目標(biāo)信號(hào)值之間的差異，通 過(guò)計(jì)算得出新的控制參量并輸出控制信號(hào)，以所述控制信號(hào)控制入射光發(fā)光設(shè)備 的輸出功率，以調(diào)節(jié)入射光強(qiáng)度，進(jìn)而調(diào)節(jié)樣品中光激發(fā)電流的數(shù)值。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種寬禁帶半導(dǎo)體材料中深能級(jí)中心光離化截面的測(cè)試方法，該方法建立了計(jì)算光離化截面的公式和測(cè)試步驟，通過(guò)綜合考慮GaN材料中深能級(jí)中心與入射光子相互作用同時(shí)存在載流子發(fā)射和俘獲的基礎(chǔ)上，給出了一種基于光電流分析的深能級(jí)中心光離化截面的新測(cè)試思路，即，在保證光電流變化為恒定的情況下，深能級(jí)中心的光離化截面與入射光強(qiáng)度成反比。并給出了一種基于PID技術(shù)的深能級(jí)中心測(cè)試方法。本發(fā)明操作方便、測(cè)試誤差小、適用性強(qiáng)，可推廣應(yīng)用于寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件中深能級(jí)中心光離化截面的測(cè)試。
文檔編號(hào)G01R31/26GK101349735SQ20081002221
公開(kāi)日2009年1月21日 申請(qǐng)日期2008年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月25日
發(fā)明者瑩 王 申請(qǐng)人:安徽大學(xué)