專利名稱：梯度磁場線圈單元、mri裝置用機架、以及mri裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及具有用來修正磁場的均勻度的被動勻場機構的梯度 磁場線圈單元、MRI裝置用機架(gantry)、以及MRI裝置。
背景技術：
磁共振診斷裝置(Magnetic Resonance Imaging: MRI裝置)具有產生非常強的靜磁場的大致圓筒狀的靜磁場磁鐵。由靜磁場磁鐵產生 的靜磁場通常要求幾千高斯到10千高斯(1特斯拉)左右的強度。 靜磁場除了強度以外還要求空間的均勻性。空間的均勻性通常需要幾 十ppm以下的均勻性。要求均勻的磁場的空間區域是直徑50cm左右 的球狀區域。磁場受到磁性體的影響而變形。作為修正用于該現象的靜磁場的 不均勻性的方法，有將鐵片(鐵補償片(shim))等的磁性體配置在梯 度磁場線圈單元的適當的位置上的方法。該方法稱作被動勻場 (passive shim)。此外，如被動勻場等那樣提高磁場的均勻性的操作， 稱作勻場。在靜磁場磁鐵的內側安裝有用來產生梯度磁場的梯度磁場線圈 單元。梯度磁場線圈單元具有具備產生梯度磁場的主線圈的主線圈 層、和具備產生用來將來自主線圈的泄漏磁場屏蔽的磁場的屏蔽線圈 的屏蔽線圈層。來自主線圈的梯度磁場與來自屏蔽線圈的磁場的耦 合，使攝影區域內的磁場強度降低。因此，最好是可以盡量使主線圈 與屏蔽線圈分離。所以，在主線圈層與屏蔽線圈層之間設有收容靜磁場不均勻度修正用的鐵補償片的勻場層。近年來，為了提高MR圖像的畫質，使梯度磁場的強度上升的要 求增強。為了提高梯度磁場強度，需要對梯度磁場線圈單元供給高電 流。高電流供給的結果使主線圈與屏蔽線圈的發熱量增加。因而，設 置在梯度磁場線圈內部中的鐵補償片的溫度上升。鐵補償片的溫度上 升的結果，使靜磁場的均勻性變動。所以，在主線圈層與勻場層之間 設有具有主線圈冷卻用的冷卻管的主線圈冷卻層，在屏蔽線圈層與勻 場層之間設有具有屏蔽線圈冷卻用的冷卻管的屏蔽線圈冷卻層。這些 冷卻管沿著梯度磁場線圈單元的大致圓筒形狀以螺旋狀安裝(參照例 如日本特開2006-311957號公報)。另一方面，為了改善患者居住性，擴大孔腔直徑的要求增強。為 了不使靜磁場磁鐵的內徑變化而擴大孔腔直徑，需要擴大梯度磁場線 圈單元的內徑。因此，在處于主線圈層與屏蔽線圈層之間的主線圈冷 卻層、勻場層、以及屏蔽線圈冷卻層中不能確保足夠的空間。發明內容本發明的目的是提供一種實現徑向的厚度降低的梯度磁場線圈 單元、MRI裝置用機架、以及MRI裝置。有關本發明的第1技術方案的梯度磁場線圈單元具備主線圈 層，具有產生梯度磁場的主線圈，并具有大致圓筒形狀；屏蔽線圈層， 安裝在上述主線圈層的外側，具有產生用來對來自上述主線圈的泄漏 磁場進行屏蔽的磁場的屏蔽線圈；以及冷卻層，安裝在上述主線圈層 與上述屏蔽線圈層之間，具有排列為以上述主線圈層的中心軸為中心 的大致圓周狀的用于冷媒的多個流路、和保持用于磁性體的補償片托 盤的多個補償片托盤保持部。有關本發明的第2技術方案的梯度磁場線圈單元具備主線圈， 產生梯度磁場，并配置為大致圓筒形狀；屏蔽線圈，安裝在上述主線 圈的外側，產生用來使從靜磁場磁鐵產生的靜磁場均勻化的修正磁 場；多個補償片托盤，在上述主線圈與上述屏蔽線圈之間、排列在具 有以上述主線圈的中心軸為中心的大致圓周形狀的帶狀區域中，用于磁性體；以及多個流路，離散地排列在上述帶狀區域中，用于冷媒。 有關本發明的第3技術方案的梯度磁場線圈單元具備主線圈 層，具有產生梯度磁場的主線圈，并具有大致圓筒形狀；第1冷卻層, 安裝在上述主線圈層的外側，具有沿著上述主線圈的中心軸以螺旋狀 埋設的用于冷媒的流路；第2冷卻層，安裝在上述第1冷卻層的外側， 具有排列為以上述中心軸為中心的大致圓周狀的用于冷媒的多個流 路、和保持用于磁性體的補償片托盤的多個補償片托盤保持部；以及 屏蔽線圈層，安裝在上述第2冷卻層的外側，具有產生用來對來自上 述主線圈的泄漏磁場進行屏蔽的磁場的屏蔽線圈。有關本發明的第4技術方案的MRI裝置用機架具備靜磁場磁 鐵，產生靜磁場，并具有大致圓筒形狀；主線圈層，具有產生梯度磁 場的主線圈，并具有大致圓筒形狀；屏蔽線圈層，安裝在上述主線圈 層的外側，具有產生用來對來自上述主線圈的泄漏磁場進行屏蔽的磁 場的屏蔽線圈；以及冷卻層，安裝在上述主線圈層與上述屏蔽線圈層 之間，具有排列為以上述主線圈層的中心軸為中心的大致圓周狀的用 于冷媒的多個流路、和保持用于磁性體的補償片托盤的多個補償片托 盤保持部。有關本發明的第5技術方案的MRI裝置，取得與載置在機架內 的被檢體有關的磁共振圖像，上述機架具備靜磁場磁鐵，產生靜磁 場，并具有大致圓筒形狀；主線圈層，具有產生梯度磁場的主線圈， 并具有大致圓筒形狀；屏蔽線圈層，安裝在上述主線圈層的外側，具 有產生用來對來自上述主線圈的泄漏磁場進行屏蔽的磁場的屏蔽線 圈；以及冷卻層，安裝在上述主線圈層與上述屏蔽線圈層之間，具有 排列為以上述主線圈層的中心軸為中心的大致圓周狀的用于冷媒的 多個流路、和保持用于磁性體的補償片托盤的多個補償片托盤保持 部。本發明的其他目標和優點還會在以下進行說明，并且通過描述會 部分地變得清楚，或者可以通過實施本發明來了解。通過以下特別指 出的手段和組合能夠實現并獲得本發明的目標和優點。
構成說明書的一部分的附圖用來說明本發明的實施方式，并且與 以上給出的發明內容和以下給出的實施方式的具體描述一起解釋本 發明的概念。圖1是有關本發明的實施方式的MRI裝置的結構圖。 圖2是將圖1的梯度磁場線圈單元局部剖開顯示的立體圖。 圖3A是圖2的梯度磁場線圈單元的XY平面的剖視圖。 圖3B是與圖3A不同的、圖2的梯度磁場線圈單元的XY平面 的剖視圖。圖3C是與圖3A和圖3B不同的、圖2的梯度磁場線圈單元的 XY平面的剖視圖。圖4是有關本實施方式的管模組的橫剖視圖。 圖5是圖4或圖12的A-A'剖視圖。 圖6是與圖4不同的管模組的橫剖視圖。 圖7是圖4及圖6的補償片托盤的立體圖。 圖8是圖4或圖12的B-B'的剖視圖。 圖9是圖4及圖8的鐵補償片的立體圖。圖10是與圖7的補償片托盤不同的構造的補償片托盤的立體圖。 圖11是與圖4及圖6不同的管模組的立體圖。 圖12是圖11的管模組的橫剖視圖。圖13是將有關本實施方式的變形例的梯度磁場線圈單元局部剖 開顯示的立體圖。圖14是表示有關本實施方式的變形例的沿著Z軸具有波浪形狀 的流路的圖。
具體實施方式
以下，參照
本發明的實施方式。圖1是表示有關本發明的實施方式的MRI裝置1的結構的圖。 如圖1所示，MRI裝置1具有機架10和計算機系統20。機架10具 有靜磁場磁鐵ll、 ASGC (Actively Shielded Gradient Coil:主動屏蔽梯度線圈)類型的梯度磁場線圈單元12、梯度磁場電源13、治療床 14、治療床控制部15、發送RF線圈16、發送部17、接收RF線圈 18、以及接收部19。以下，對各個結構要素進行說明。靜磁場磁鐵11具有中空的大致圓筒形狀，在大致圓筒內部中產 生靜磁場。在該大致圓筒形狀中，不僅包括圓筒形狀，還包括橢圓筒 形狀。產生的磁場的均勻度良好的空間區域是攝影區域。攝影區域中 的磁場具有幾十ppm以下的均勻度。作為靜磁場磁鐵ll，使用例如 永久磁鐵及超導磁鐵等。將該靜磁場磁鐵11的大致圓筒的中心軸規 定為Z軸、將鉛直方向規定為X軸、將水平方向規定為Y軸。梯度磁場線圈單元12安裝在靜磁場磁鐵11的內側。梯度磁場線 圈單元12從梯度磁場電源13接受電流的供給，產生梯度磁場。梯度 磁場有切片(slice)選擇用梯度磁場、相位編碼用梯度磁場、以及讀出 用梯度磁場。切片選擇用梯度磁場是為了任意地確定攝像截面而使用 的。相位編碼用梯度磁場是為了根據空間位置對磁共振信號(以下稱 作MR信號)的相位進行編碼而使用的。讀出用梯度磁場是為了根據 空間位置對MR信號的頻率進行編碼而使用的。此外，梯度磁場線圈單元12具備用來將梯度磁場線圈單元12冷 卻的冷媒通過的流路。以下設冷媒為冷卻水。但是，作為冷媒，也可 以使用水以外的其他物質。流路在梯度磁場線圈單元12的機殼表面 上與樹脂性的軟管連接。循環裝置43與樹脂性的軟管連接，具備熱交換器和循環泵。循 環泵使冷卻水在梯度磁場線圈單元12與熱交換器之間循環。熱交換 器通過將梯度磁場線圈單元12冷卻而將已變暖的冷卻水冷卻。在治療床14的頂板41上載置被檢體P。通常，將治療床14設 置為，使治療床14的頂板41的長邊方向與靜磁場磁鐵11的中心軸 平行。將治療床14的頂板41插入到梯度磁場線圈單元12的空洞(孔 腔)內。治療床14的頂板41受治療床控制部15驅動，沿其長邊方 向(Z軸)及上下方向(X軸)移動。發送RF線圈16配置在梯度磁場線圈單元12的內側。發送RF 線圈16從發送部17接受高頻率脈沖的供給而產生高頻率磁場。發送部17內裝有振蕩部、相位選擇部、頻率變換部、振幅調制 部、高頻率功率放大部等。振蕩部為了激勵存在于被檢體P內的對象 原子核而產生以對象原子核所固有的共振頻率振動的高頻率信號 (RF信號)。相位選擇部選擇RF信號的相位。頻率變換部變換從相 位選擇部輸出的RF信號的頻率。振幅調制部按照例如sine函數調制 從頻率變換部輸出的RF信號的振幅。高頻率功率放大部將從振幅調 制部輸出的RF信號放大。并且，作為這些各部的動作的結果，發送 部17將對應于拉莫(Larmor)頻率的高頻率脈沖發送給發送RF線圈 16。接收RF線圈18配置在梯度磁場線圈單元12的內側。接收RF 線圈18接收由于從發送RF線圈17產生的高頻率磁場的影響而從被 檢體P放射的MR信號。通常，接收RF線圈18兼用作發送RF線圈 16。接收部19接收來自接收RF線圈18的輸出信號。接收部19對 接收到的MR信號進行放大、檢波、A/D變換等處理，生成作為數字 信號的磁共振信號數據(MR信號數據)。計算機系統20具有接口部21、數據收集部22、重建部23、存 儲部24、顯示部25、輸入部26及控制部27。以下對各個結構要素 進行說明。在接口部21上，連接著梯度磁場電源13、治療床控制部15、發 送部17、接收RF線圈18及接收部19等。接口部21進行在這些連 接的各部與計算機系統20之間收發的信號的輸入輸出。數據收集部22經由接口部22收集從接收部29輸出的數字信號。 重建部23基于存儲在存儲部24中的MR信號數據，對磁共振圖 像數據進行重建。存儲部24存儲MR信號數據及磁共振圖像數據。 顯示部25在控制部27的控制之下顯示磁共振圖像及各種信息。 作為顯示部25，可以使用液晶顯示器等的顯示器。輸入部26受理來自操作者的各種指令及信息輸入。作為輸入部 26，可以適當地使用鼠標或跟蹤球等的指點設備、模式切換開關等的選擇設備、或者鍵盤等的輸入設備。控制部27控制各結構要素以實現作為MRI裝置1的動作，從而 取得與被檢體有關的磁共振圖像。圖2是將圖1的梯度磁場線圈單元12局部剖開顯示的立體圖， 圖3A是圖2的梯度磁場線圈單元12的XY平面的剖視圖。如圖2 及圖3A所示，機架10具有大致圓筒形狀的梯度磁場線圈單元12。 梯度磁場線圈單元12具有從內側開始依次由主線圈層31、冷卻層33、 以及屏蔽線圈層35構成的3層構造。主線圈層31將3個主線圈(X-主線圈、Y-主線圈、Z-主線圈) 用樹脂模制為大致圓筒狀而構成。各主線圈接受來自梯度磁場電源 13的電流的供給，產生分別沿著X、 Y、 Z軸磁場強度變化的梯度磁 場。屏蔽線圈層35將3個屏蔽線圈(X-屏蔽線圈、Y-屏蔽線圈、Z-屏蔽線圈)用樹脂模制為大致圓筒狀而構成。各屏蔽線圈接受來自梯 度磁場電源13的電流的供給，產生用來將來自主線圈層31的泄漏磁 場屏蔽的磁場。冷卻層33安裝在主線圈層31與屏蔽線圈層35之間。冷卻層33 是具有以主線圈層31的中心軸為中心的大致圓周形狀的帶狀區域。 在冷卻層33中構成流路53。例如，作為直管的多個冷卻管51離散 地配置為以Z軸為中心的大致圓周狀。各冷卻管51例如平行于Z軸 排列。冷卻管51具有大致方筒或大致圓筒形狀。冷卻管51的內部為 冷卻水流過的流路53。冷卻管51由熱傳導率較大的坯材、例如銅形 成。被冷卻水冷卻后的冷卻管51將配置在冷卻層33的內側的作為熱 源的主線圈及安裝在冷卻層33的外側的作為熱源的屏蔽線圈冷卻。在以大致圓周狀排列的多個冷卻管51的多個間隔中，設置有多 個補償片托盤保持部55。多個補償片托盤保持部55與多個冷卻管51 例如如圖3A所示，沿著相同直徑的大致圓周Rl配置。多個補償片 托盤保持部55典型地是平行于Z軸而排列，并且構成為使冷卻層33 沿Z軸方向貫通的橫孔。補償片托盤保持部55保持搭載鐵片(以下 稱作鐵補償片)的補償片托盤(tray)。補償片托盤具有能夠將適當數量的鐵補償片保持在適當的位置上的構造。將使適當的數量的鐵補償 片配置在適當的位置上、修正磁場的不均勻度的處理稱作被動勻場。另外，如圖3A所示，各流路53與補償片托盤59配置為相同直 徑的圓周狀。但是并不需要限定于此。例如，如圖3B所示，排列補 償片托盤保持部55的大致圓周R2與排列冷卻管51的大致圓周R3 也可以不相同。此外，如圖3C所示，流路53也可以以大致同心圓狀 在冷卻層33內排列多列、例如兩列。以下，說明用來將冷卻管51和補償片托盤保持部55安裝在冷卻 層33中的具體的方法。在冷卻層33上形成有多個貫通孔。在該多個貫通孔的每一個中， 嵌入有具有兩條冷卻管51和1個補償片托盤保持部55的管模組57。 冷卻層33是將排列為以Z軸為中心的大致圓周狀的多個管模組57 用樹脂模制為大致圓筒狀而成的。圖4是管模組57的橫剖視圖，垂直于紙面的方向是Z軸。如圖 4所示，管模組57由兩個冷卻管51-1、 51-2和兩個固定板61、 62構 成。兩個冷卻管51-1、 51-2隔開間隔Ll沿著Z軸平行地排列。兩根 冷卻管51-1、51-2的上部和下部分別通過具有細長的短條形狀的固定 板61、 62固定。管模組57例如具有中空的方柱狀的構造。管模組 57的中空的部分作為補償片托盤保持部55發揮功能，補償片托盤保 持部55中插入補償片托盤59。固定板61與固定板62由熱傳導性良 好的坯材、例如樹脂或在樹脂材料中混合了熱傳導性的填料的復合材 料等形成。補償片托盤保持部55可沿Z方向滑動地保持補償片托盤 59。補償片托盤保持部55的Y方向的長度L1比補償片托盤59的Y 方向的寬度L2大一些。因此，兩個冷卻管51兼作為沿Z方向可滑 動地導引補償片托盤59的導引軌道。以下，參照圖5對管模組57的冷卻功能進行說明。圖5是圖4 的A-A'剖視圖。如圖5所示，在兩個冷卻管51 (圖5的斜線部分) 的每一個的Z方向的兩端部E上，結合有具有大致圓筒形狀的多個 連結管63。連結管53通過釬焊等結合在冷卻管51的端部E上。通 過多個連結管63將排列為以Z軸為中心的大致圓周狀的多個冷卻管51連結為1根。雖然在圖5中沒有圖示，但連結為1根的冷卻管51 的兩端部經由樹脂制等的軟管連接在循環裝置43上。通過冷卻管51、 連結管63及循環裝置43完成冷卻水的循環系統。通過循環裝置43 使冷卻水如圖5的粗線的箭頭所示那樣在流路53中循環。通過冷卻 水在流路53中循環，將冷卻管51冷卻。被冷卻后的冷卻管51將通 過電流的供給而發熱的主線圈及屏蔽線圈冷卻。此外，冷卻后的冷卻 管51將收容在補償片托盤59中的鐵補償片64冷卻。圖6是具有用來提高冷卻效果的構造的管模組57'的橫剖視圖。 如圖6所示，管模組57'具有用來提高冷卻管51對主線圈等的冷卻 效果的兩個冷卻鰭(以下稱作翅片(fin)) 65-1和65-2。兩個翅片65-1 和65-2具有大致圓弧形狀，以使其能夠接近主線圈。翅片65-1和65-2 通過熱傳導性良好的坯材、例如樹脂或在樹脂材料中混合了熱傳導性 的填料的復合材料等形成。即，通過翅片使主線圈層與冷卻用的冷卻 源的接觸面積增大。翅片65-l、 65-2安裝在例如連接在冷卻管51-1、 51-2上的固定板62'的下端部上。經由冷卻管51-1、 51-2、固定板 62'及翅片65-l、 65-2，在主線圈及屏蔽線圈與冷卻水之間進行熱交 換。即，與圖5的管模組57相比，圖6的管模組57'的冷卻效果更 高。以下對管模組57的被動勻場功能進行說明。圖7是補償片托盤59的立體圖。如圖7所示，補償片托盤59沿 著Z方向形成有多個用來收容鐵補償片64的凹陷67。圖8是圖4的B-B'的剖視圖。如圖8所示，在補償片托盤59 的凹陷67中，安裝有帶臺階的襯墊69。在襯墊69上固定有螺栓71。 圖9是鐵補償片64的立體圖。如圖9所示，在鐵補償片64的中央部， 形成有具有襯墊69能夠通過的程度的直徑的孔74。為了被動勻場， 鐵補償片64使螺栓71及襯墊69通過該孔74中，以適當的數量層疊 在適當的位置的凹陷67中。層疊的鐵補償片64通過板72從上部被 按壓。層疊的鐵補償片64被經由板72螺合在螺栓71上的螺母73固 定。通過做成這樣的構造，螺母73不會到達比鐵補償片64高的位置。 即，收容鐵補償片64所需要的空間依存于凹陷67的深度及螺栓71的高度。因而，通過調節凹陷67的深度及螺栓71的高度，能夠使冷 卻層33的徑向的厚度變得更小，來收容鐵補償片64。另外，在補償 片托盤59的凹陷67中也可以不安裝襯墊69而直接安裝螺栓71 。圖10是與圖7的補償片托盤59不同的構造的補償片托盤59' 的立體圖。如圖10所示，補償片托盤59'沒有形成有凹陷。在此情 況下，鐵補償片64被安裝在補償片托盤59'的托盤面59' a的適當 的部位上的螺栓71和螺栓73固定。以下，對與圖4及圖6不同的管模組80的構造進行說明。圖ll 是管模組80的立體圖，圖12是管模組80的橫剖視圖。管模組80由 熱傳導性良好的坯材、例如樹脂或在樹脂材料中混入了熱傳導性的填 料的復合材料等形成。如圖11及圖12所示，在管模組80上，形成 有作為沿著Z軸方向貫通管模組80的橫孔的3個貫通孔。3個貫通 孔例如沿著Z軸方向平行地形成。3個貫通孔中的兩端的貫通孔是用 來使冷卻水通過的流路53-l、 53-2。 3個貫通孔中的最中間的貫通孔 是補償片托盤保持部55。補償片托盤保持部55的Y方向的長度(L3) 比補償片托盤53的Y方向的長度(L2)長一些。因此，補償片托盤 保持部55還起到將補償片托盤59沿Z方向可滑動地導引的導引軌道 的作用。圖12的A-A'剖視圖對應于圖5。另外，在此情況下，圖5的 斜線部分為管模組80的一部分。因而，連結管63安裝在管模組80 的一部分的Y方向的端部E上，以使流路53、連結管63和循環裝置 43形成冷卻水的循環系統。圖12的B-B'剖視圖原樣對應于圖8。這樣，根據本實施方式，能夠實現徑向的厚度的降低。(變形例)圖13是將有關本實施方式的變形例的梯度磁場線圈單元90局部 剖開顯示的立體圖。如圖13所示，梯度磁場線圈單元90具有從內側 起依次由主線圈層31、第1冷卻層91、第2冷卻層92、以及屏蔽線 圈層35構成的4層構造。第1冷卻層91安裝在主線圈層31的外側。第1冷卻層91具有沿著Z軸以螺旋狀埋設的第1冷卻管93。第1冷卻管93的內部為作 為冷媒的冷卻水流過的流路94。被冷卻水冷卻后的第1冷卻管93將 作為梯度磁場線圈單元90的主要熱源的主線圈層31的主線圈冷卻。 具有螺旋形狀的第1冷卻管93與圖2所示那樣的具有平行于Z軸的 直管構造的冷卻管相比，與主線圈層31的接觸面積較大，所以能夠 效率良好地將主線圈冷卻。第2冷卻層92安裝在第1冷卻層91的外側。第2冷卻層92將 作為直管的多個第2冷卻管95配置為以Z軸為中心的大致圓周狀。 第2冷卻管95分別平行于Z軸排列。在多個第2冷卻管96的多個間 隔中設置有多個補償片托盤保持部55。第2冷卻管95的內部為作為冷媒的冷卻水流過的流路96。被冷 卻水冷卻后的第2冷卻管95將作為熱源的屏蔽線圈層35的屏蔽線圈 冷卻。由于與主線圈相比，屏蔽線圈并不產生熱，所以能夠通過具有 直管構造的冷卻管95充分地冷卻。具體而言，在第2冷卻層92中，為了安裝第2冷卻管95和補償 片托盤保持部55，嵌入有管模組57及管模組80。另外，在上述實施方式中，各流路53、 96 (冷卻管51、 95)分 別平行于Z軸，但并不需要限于此。例如，如圖14所示，各流路53 也可以為了比上述實施方式更提高對主線圈及屏蔽線圈的冷卻能力 而沿著Z軸具有波浪那樣的形狀。此外，各流路53也可以沿著Z軸 具有鋸齒形狀或螺旋形狀等。本發明的其他優點和變更對于本領域的技術人員來說是顯而易 見的。因此，本發明的范圍并不僅限于這里表示的特定的細節及優選 的實施方式。因而，在不脫離由權利要求書定義的總的發明構思的范 圍和主旨的情況下能夠進行各種變更。
權利要求
1、一種梯度磁場線圈單元，其特征在于，具備主線圈層，具有產生梯度磁場的主線圈，并具有大致圓筒形狀；屏蔽線圈層，安裝在上述主線圈層的外側，具有產生用來對來自上述主線圈的泄漏磁場進行屏蔽的磁場的屏蔽線圈；以及冷卻層，安裝在上述主線圈層與上述屏蔽線圈層之間，具有排列為以上述主線圈層的中心軸為中心的大致圓周狀的用于冷媒的多個流路、和保持用于磁性體的補償片托盤的多個補償片托盤保持部。
2、 如權利要求1所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 上述流路與上述補償片托盤保持部平行于上述中心軸排列。
3、 如權利要求1所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 上述流路與上述補償片托盤保持部排列為大致相同直徑的上述大致圓周狀。
4、 如權利要求1所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 上述冷卻層具有嵌入上述大致圓周狀的多個模組； 上述模組中的每一個具有上述補償片托盤保持部和上述流路。
5、 如權利要求4所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 相互鄰接的上述流路的端部通過具有上述冷媒所流過的中空部分的連接部而連接，以使上述冷媒在上述冷卻層中所包含的全部上述 流路中循環。
6、 如權利要求4所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 上述模組具有形成為一列的3個貫通孔； 上述流路是上述3個貫通孔中的兩端的貫通孔； 上述補償片托盤保持部是上述3個貫通孔中的中央的貫通孔。
7、 如權利要求6所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 上述模組由樹脂材料形成。
8、 如權利要求6所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 上述模組由在樹脂材料中混合了熱傳導性的填料的復合材料形成。
9、 如權利要求4所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于，上述模組具有兩個冷卻管，該兩個冷卻管的中空部分是上述流路； 第1固定板，將上述兩個冷卻管的上端部固定；以及 第2固定板，將上述兩個冷卻管的下端部固定； 上述補償片托盤保持部由上述兩個冷卻管、上述第1固定板和上 述第2固定板形成。
10、 如權利要求1所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 上述補償片托盤具有螺栓和螺合在上述螺栓上的螺母； 上述磁性體由上述螺栓和上述螺母固定。
11、 一種梯度磁場線圈單元，其特征在于，具備 主線圈，產生梯度磁場，并配置為大致圓筒形狀； 屏蔽線圈，安裝在上述主線圈的外側，產生用來使從靜磁場磁鐵產生的靜磁場均勻化的修正磁場；用于磁性體的多個補償片托盤，在上述主線圈與上述屏蔽線圈之 間、排列在具有以上述主線圈的中心軸為中心的大致圓周形狀的帶狀 區域中；以及用于冷媒的多個流路，離散地排列在上述帶狀區域中。
12、 如權利要求ll所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 上述流路將上述補償片托盤導引為平行于上述中心軸。
13、 如權利要求ll所述的梯度磁場線圈單元，其特征在于， 上述補償片托盤配置在形成于相互鄰接的上述流路之間的空間中。
14、 一種梯度磁場線圈單元，其特征在于，具備 主線圈層，具有產生梯度磁場的主線圈，并具有大致圓筒形狀； 第1冷卻層，安裝在上述主線圈層的外側，具有沿著上述主線圈的中心軸以螺旋狀埋設的用于冷媒的流路；第2冷卻層，安裝在上述第1冷卻層的外側，具有排列為以上述 中心軸為中心的大致圓周狀的用于冷媒的多個流路、和保持用于磁性 體的補償片托盤的多個補償片托盤保持部；以及屏蔽線圈層，安裝在上述第2冷卻層的外側，具有產生用來對來自上述主線圈的泄漏磁場進行屏蔽的磁場的屏蔽線圈。
15、 一種MRI裝置用機架，其特征在于，具備 靜磁場磁鐵，產生靜磁場，并具有大致圓筒形狀； 主線圈層，具有產生梯度磁場的主線圈，并具有大致圓筒形狀； 屏蔽線圈層，安裝在上述主線圈層的外側，具有產生用來對來自上述主線圈的泄漏磁場進行屏蔽的磁場的屏蔽線圈；以及冷卻層，安裝在上述主線圈層與上述屏蔽線圈層之間，具有排列 為以上述主線圈層的中心軸為中心的大致圓周狀的用于冷媒的多個 流路、和保持用于磁性體的補償片托盤的多個補償片托盤保持部。
16、 一種MRI裝置，取得與載置在機架內的被檢體有關的磁共 振圖像，其特征在于，上述機架具備靜磁場磁鐵，產生靜磁場，并具有大致圓筒形狀； 主線圈層，具有產生梯度磁場的主線圈，并具有大致圓筒形狀； 屏蔽線圈層，安裝在上述主線圈層的外側，具有產生用來對來自 上述主線圈的泄漏磁場進行屏蔽的磁場的屏蔽線圈；以及冷卻層，安裝在上述主線圈層與上述屏蔽線圈層之間，具有排列 為以上述主線圈層的中心軸為中心的大致圓周狀的用于冷媒的多個 流路、和保持用于磁性體的補償片托盤的多個補償片托盤保持部。
全文摘要
梯度磁場線圈單元具備主線圈層，具有產生梯度磁場的主線圈，并具有大致圓筒形狀；屏蔽線圈層，安裝在上述主線圈層的外側，具有產生用來對來自上述主線圈的泄漏磁場進行屏蔽的磁場的屏蔽線圈；以及冷卻層，安裝在上述主線圈層與上述屏蔽線圈層之間，具有排列為以上述主線圈層的中心軸為中心的大致圓周狀的用于冷媒的多個流路、和保持用于磁性體的補償片托盤的多個補償片托盤保持部。
文檔編號G01R33/385GK101226232SQ20081000346
公開日2008年7月23日 申請日期2008年1月17日 優先權日2007年1月17日
發明者山下正干, 高森博光 申請人:株式會社東芝;東芝醫療系統株式會社