專利名稱：布線不良檢查方法以及布線不良檢查裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種布線不良檢查方法以及布線不良檢查裝置。
背景技術(shù)：
如圖7中所示，為了檢查TFT基板1000的點(diǎn)缺陷及線缺陷，通過使測量探針1003、1004與在TFT基板上形成的漏極布線1001及柵極布線1002的端子部(漏極端子1001A、柵極端子1002A)接觸，而使TFT基板1000與未圖示的測試器(包括電容檢測器及控制裝置而構(gòu)成測試器)連接。在此狀態(tài)下，從測試器對TFT基板1000施加規(guī)定的電壓，對在TFT基板1000上形成的像素電容進(jìn)行電荷的寫入、讀出。由此，檢測出不良位置。這種檢測方式稱為像素保持電容檢測方式。
此外，如圖8中所示，在形成像素和晶體管之前(例如，形成柵極布線為止的階段)的TFT基板2000中，通過利用未圖示的電流檢測器，對柵極端子1002A上施加規(guī)定電壓，檢測從COM端子1005A流入的電流，來實(shí)施柵極布線1002和COM布線1005之間有無短路的檢查。盡管在未發(fā)生短路的柵極布線1002中不會產(chǎn)生電流流入電流檢測器的情況，但在柵極布線-COM布線之間短路產(chǎn)生的線中，由于產(chǎn)生電流流入電流檢測器的情況，因此就能夠判斷出存在短路。
但是，由于在現(xiàn)有的像素保持電容檢測方式中，檢測TFT基板1000上的像素部1007的保持電容以檢測點(diǎn)缺陷·線缺陷，所以就會存在所謂不能夠檢測在未形成有像素部1007的狀態(tài)下的柵極布線1002的斷線的問題。
鑒于上述問題而提出的現(xiàn)有技術(shù)，例如，專利文獻(xiàn)1中就進(jìn)行了公開。
專利文獻(xiàn)1的技術(shù)是一種通過采用由裝載在探針單元中的晶體管及電容構(gòu)成的柵極線測試用基板及數(shù)據(jù)線測試用基板就能夠檢測像素部形成前的有源矩陣基板的線缺陷的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1 特開2002-40075號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容但是，在上述專利文獻(xiàn)1的技術(shù)中，存在所謂必須采用柵極線測試用基板和數(shù)據(jù)線測試用基板而檢查裝置不簡便的問題。
為了解決上述問題而提出本發(fā)明，本發(fā)明的目的在于，提供一種可更加簡便地檢測基板上的布線不良的布線不良檢查方法及布線不良檢查裝置。
用于解決課題的方案為了解決上述課題，本發(fā)明的布線不良檢查方法，檢查基板中的第1布線的不良，該基板具有作為檢查對象的多個(gè)上述第1布線和在與上述第1布線之間可分別構(gòu)成布線間電容的多個(gè)第二布線，該檢查方法的特征在于，包括對上述第1布線施加電壓的第1過程；在進(jìn)行上述第1過程的同時(shí)，檢測上述第1布線和上述第2布線之間的布線間電容的第2過程。
在本發(fā)明的布線不良檢查方法中，優(yōu)選利用與上述第2布線連接的電容檢測裝置來進(jìn)行上述第2過程。
在本發(fā)明的布線不良檢查方法中，優(yōu)選在上述第2布線和上述電容檢測裝置之間連接電容器的狀態(tài)下進(jìn)行上述第2過程。
此外，本發(fā)明的布線不良檢查方法，檢查基板中的第1布線的不良，該基板具有作為檢查對象的多個(gè)上述第1布線和在與上述第1布線之間可分別構(gòu)成布線間電容的多個(gè)第2布線，該檢查方法的特征在于，包括對上述第2布線施加電壓的第1過程；在進(jìn)行上述第1過程的同時(shí)，檢測上述第1布線和上述第2布線之間的布線間電容的第2過程。
在本發(fā)明的布線不良檢查方法中，優(yōu)選利用與上述第1布線連接的電容檢測裝置來進(jìn)行上述第2過程。
在本發(fā)明的布線不良檢查方法中，優(yōu)選在上述第1布線和上述電容檢測裝置之間連接電容器的狀態(tài)下進(jìn)行上述第2過程。
在本發(fā)明的布線不良檢查方法中，優(yōu)選相互大致平行地形成上述第1布線和上述第2布線。
在本發(fā)明的布線不良檢查方法中，優(yōu)選在同層中形成上述第1布線和上述第2布線。
在本發(fā)明的布線不良檢查方法中，優(yōu)選多個(gè)上述第2布線匯集在1個(gè)端子。
此外，本發(fā)明的布線不良檢查裝置，檢查基板中的第1布線的不良，該基板具有作為檢查對象的多個(gè)上述第1布線和在與上述第1布線之間可分別構(gòu)成布線間電容的多個(gè)第2布線，該檢查裝置的特征在于，包括對上述第1布線施加電壓的電壓施加裝置；檢測在上述第1布線和上述第2布線之間的布線間電容的電容檢測裝置。
在本發(fā)明的布線不良檢查裝置中，優(yōu)選上述電容檢測裝置與上述第2布線連接。
在本發(fā)明的布線不良檢查裝置中，優(yōu)選還包括在上述第2布線和上述電容檢測裝置之間連接的電容器。
在本發(fā)明的布線不良檢查裝置中，優(yōu)選還包括可連接在上述第2布線和上述電容檢測裝置之間的電容器；以及用于切換通過上述電容器對上述電容檢測裝置連接上述第2布線的狀態(tài)和不通過上述電容器對上述電容檢測裝置連接上述第2布線的狀態(tài)的開關(guān)。
此外，本發(fā)明的布線不良檢查裝置，檢測基板中的第1布線的不良，該基板具有作為檢查對象的多個(gè)上述第1布線和在與上述第1布線之間可分別構(gòu)成布線間電容的多個(gè)第2布線，其特征在于，包括對上述第2布線施加電壓的電壓施加裝置；檢測上述第1布線和上述第2布線之間的布線間電容的電容檢測裝置。
在本發(fā)明的布線不良檢查裝置中，優(yōu)選上述電容檢測裝置與上述第1布線連接。
在本發(fā)明的布線不良檢查裝置中，優(yōu)選還包括在上述第1布線和上述電容檢測裝置之間連接的電容器。
在本發(fā)明的布線不良檢查裝置中，優(yōu)選還包括可連接在上述第1布線和上述電容檢測裝置之間的電容器；以及用于切換通過上述電容器對上述電容檢測裝置連接的狀態(tài)和不通過上述電容器對上述電容檢測裝置連接上述第1布線的狀態(tài)的開關(guān)。
在本發(fā)明的布線不良檢查裝置中，優(yōu)選相互大致平行地形成上述第1布線和上述第2布線。
在本發(fā)明的布線不良檢查裝置中，優(yōu)選在同層中形成上述第1布線和上述第2布線。
在本發(fā)明的布線不良檢查裝置中，優(yōu)選多個(gè)上述第2布線匯集在1個(gè)端子。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，由于在對第1布線和第2布線施加電壓的同時(shí)，利用電容檢測裝置來檢測第1布線和第2布線之間的布線間電容，例如，就能夠采用簡單的裝置來更好地檢查形成像素部和晶體管之前的TFT基板的柵極布線等中的斷線。
此外，在第2布線或第1布線和電容檢測裝置之間連接電容器的狀態(tài)下，通過利用電容檢測裝置檢測第1布線和第2布線之間的布線間電容，即使在第1布線的斷線和短路同時(shí)存在的情況下，使用簡單的裝置也能夠更好地檢查斷線及短路。
圖1是表示形成有柵極布線及COM布線的TFT基板的結(jié)構(gòu)的典型平面圖。
圖2是表示根據(jù)實(shí)施方式的檢測裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖3是表示形成有柵極布線及COM布線的TFT基板的結(jié)構(gòu)的典型平面圖。
圖4是在電容檢測器中直接連接檢測用探針的情況下、橫軸表示柵極布線編號、縱軸表示柵極-COM布線間電容曲線的示意圖。
圖5是在通過散熱器將檢測用探針連接到電容檢測器的情況下、橫軸表示柵極布線編號、縱軸表示柵極-COM布線間電容的曲線的圖。
圖6是表示形成有柵極布線及COM布線的TFT基板的結(jié)構(gòu)的典型平面圖。
圖7是用于說明現(xiàn)有的斷線檢查方法的TFT基板的典型平面圖。
圖8是用于說明現(xiàn)有的短路檢查方法的TFT基板的典型平面圖。
符號說明1 TFT基板2 柵極布線(第1布線)3 COM布線(第2布線)3A COM端子(端子)10 脈沖產(chǎn)生部(脈沖產(chǎn)生裝置)30 開關(guān)40 電容器50 電容檢測器(電容檢測裝置)100 檢查裝置具體實(shí)施方式
下面，參照附圖，說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式。
在本實(shí)施方式中，說明檢測在TFT基板上形成的柵極布線的斷線及短路的檢查裝置及檢查方法。
首先，說明具有作為檢查對象的柵極布線的TFT基板的結(jié)構(gòu)。
圖1是表示形成有柵極布線及COM布線的TFT基板的結(jié)構(gòu)的典型平面圖。
如圖1中所示，在TFT基板1中，形成有多個(gè)COM布線(第2布線)3和作為檢查對象的多個(gè)柵極布線(第1布線)2。
各柵極布線2直線狀延伸，相互平行且等間隔地排列。
此外，各COM布線3也直線狀延伸，相互平行且等間隔地排列。
進(jìn)一步地，在相互平行地形成柵極布線2和COM布線3的同時(shí)，柵極布線2和COM布線3還一條一條交替地進(jìn)行配置。
此外，在TFT基板1中的同一層中(同層)形成各柵極布線2和各COM布線3。
在各柵極布線2的一個(gè)端部處，形成有接觸后述的施加用探針11的柵極端子2A。
此外，各COM布線3在各柵極端子2A的相反側(cè)處匯集成1條，并導(dǎo)向COM端子3A。使后述的檢測用探針21接觸到此COM端子3A。
接著，說明檢查裝置的結(jié)構(gòu)。
圖2是表示根據(jù)實(shí)施方式的檢查裝置100的結(jié)構(gòu)的方框圖。
如圖2中所示，檢查裝置100構(gòu)成為包括與檢查對象的布線(例如，柵極布線2)的端子(例如，柵極端子2A)接觸的施加用探針11；產(chǎn)生對此施加用探針11供給的電壓脈沖的脈沖發(fā)生部(電壓施加裝置)10；與在與檢查對象的布線間構(gòu)成布線電容的布線(例如，COM布線3)的端子(例如，COM端子3A)接觸的檢測用探針21；開關(guān)30；電容器40；檢測電容的電容檢測器(電容檢測裝置)50；進(jìn)行控制操作的控制部60；以及進(jìn)行顯示操作的顯示部70。
開關(guān)30在控制部60的控制之下進(jìn)行以下切換對電容檢測器50直接(不通過電容器40)連接檢測用探針21、或通過電容器40使檢測用探針21與電容檢測器50連接。
接著，說明檢查方法。
如圖1中所示，使施加用探針11接觸各柵極端子2A，另一方面，使檢測用探針21接觸COM端子3A。
此外，在控制部60的控制之下，開關(guān)30處于使檢測用探針21直接(不通過電容器40)連接到電容檢測器50的狀態(tài)。
在此狀態(tài)下，在控制部60的控制之下，脈沖發(fā)生部10產(chǎn)生脈沖電壓，通過各施加用探針11在各柵極端子2A上順序施加該脈沖電壓。
這里，具體地，例如，在1個(gè)TFT基板1上形成大約1600條柵極布線2及COM布線3，對各柵極布線2賦予方便的編號。即，對各柵極布線2，例如，賦予從1號至大約1600號的柵極編號。并且，例如，按從柵極編號小起的順序，順序地對這些柵極布線2(柵極端子2A)施加脈沖電壓。再有，例如，可列舉此脈沖電壓是矩形波。
此外，當(dāng)這樣對柵極布線2施加脈沖電壓時(shí)，電容檢測器50就通過檢測用探針21及開關(guān)30來檢測輸入的電容值。此電容值就是在各柵極布線2和相鄰的COM布線3之間形成的電容(以下，柵極-COM布線間電容)(參照圖1)。
這里，與柵極布線2及COM布線3的布線長度相比，相鄰的柵極布線2-COM布線3間的距離就非常短。
由此，如果電容檢測器5是能夠檢測像素保持電容的檢測器(例如，積分電路)的話，柵極-COM布線間電容就為完全可能檢測出的值。即，作為電容檢測器50，可以采用包括現(xiàn)有像素保持電容檢測方式的檢查裝置的電容檢測器。
這里，如圖1中所示，當(dāng)將產(chǎn)生斷線的柵極布線2特別地作為柵極布線201時(shí)，與正常(無斷線)柵極布線2構(gòu)成的柵極-COM布線間電容相比，此柵極布線201構(gòu)成的柵極-COM布線間電容的值變小。
由此，當(dāng)檢測出比在對正常柵極布線2施加脈沖電壓時(shí)利用電容檢測器50檢測出的電容值小的電容值的情況下，就能夠判斷為產(chǎn)生斷線。
但是，如上所述，對于使檢測用探針21直接連接電容檢測器50檢測斷線而言，當(dāng)在任何一條柵極布線2和與該柵極布線2相鄰的COM布線3之間發(fā)生短路時(shí)，由于對于電容檢測器50正常地施加脈沖電壓的Lo電壓，所以總會產(chǎn)生流入電容檢測器50的電流，不能檢測出正常的柵極-COM布線間電容，結(jié)果，就不能夠正確地檢測出斷線。
因此，在控制部60的控制之下切換開關(guān)30，如圖3中所示，形成通過電容器40將檢測用探針21連接到電容檢測器50的狀態(tài)，就能夠抑制從短路發(fā)生位置向電容檢測器50流入電流，確實(shí)地檢測柵極布線2的斷線。
這里，如圖3中所示，雖然通過電容器40將檢測用探針21連接到電容檢測器50的情況下的柵極-COM布線間電容C比對于電容檢測器50直接連接檢測用探針21的情況下(圖1)變小，但檢測斷線/短路時(shí)，能獲得充分的電容，通過插入電容器40就使S/N比變得良好。
此外，在對電容檢測器50直接連接檢測用探針21的情況下(圖1)，由于柵極布線-COM布線間的電容差比正常布線的小，所以柵極布線2的末端附近的斷線難于檢測，在通過電容器40在電容檢測器50連接檢測用探針21的情況下(圖3)，即使柵極布線2的末端附近的斷線也能夠更好地檢測。
接著，說明實(shí)際的實(shí)施例。
圖4是在對電容檢測器50直接連接檢測用探針21的情況下(圖1)、橫軸表示柵極布線編號、縱軸表示柵極-COM布線間電容曲線的圖。
這里，在大約1600條柵極布線2之中，從柵極編號100號的柵極布線2起每隔200號形成有斷線。此外，柵極編號越大，越會在柵極端子2A附近的位置形成斷線。
再有，作為脈沖電壓，例如，采用電壓25V、施加時(shí)間255毫秒的矩形波。再有，由于當(dāng)脈沖電壓的電壓值越大時(shí)，或者施加時(shí)間越長時(shí)，就越有希望提高檢測精度，所以在布線的耐壓特性允許的范圍之內(nèi)，優(yōu)選加大脈沖電壓的電壓值、增長其施加時(shí)間。
如圖4中所示，在斷線的某一柵極布線2之中，斷線位置越接近柵極端子2A時(shí)，柵極-COM布線間電容越小，可知容易檢測出斷線。
這里，由于柵極-COM布線間電容，與柵極端子2A和斷線位置的距離之間存在相關(guān)關(guān)系，所以就能給定在檢測出斷線的柵極布線2的什么位置發(fā)生斷線。
再有，在如圖4中所示的實(shí)例中，在柵極編號100號和300號的柵極布線2的情況下，在布線末端附近形成有斷線，因未發(fā)生斷線的柵極布線2的柵極-COM布線間電容的電容差過小而不能容易地檢測出斷線(根據(jù)條件可檢測出)。
此外，在任何一個(gè)柵極布線2與COM布線3之間發(fā)生短路的TFT基板1中，由于利用圖1的檢查方法不能完全檢測出柵極-COM布線間電容，所以雖然能夠判定存在短路的情況，但卻不能判定是否存在斷線，因此，適用于圖3的檢查方法，即在通過電容器40將檢測用探針21連接到電容檢測器50的狀態(tài)下進(jìn)行的檢查。
圖5是在通過電容器40將檢測用探針21連接到電容檢測器50的情況下(圖3)、橫軸表示柵極布線編號、縱軸表示柵極-COM布線間電容的曲線的圖。
通過電容器40進(jìn)行連接的情況下，如圖5中所示可知，當(dāng)檢查了存在斷線及短路的TFT基板1時(shí)，斷線·短路都能夠檢測出，即便在柵極布線末端部分處柵極-COM布線間電容比正常布線變小，也能夠檢測出斷線。
再有，將利用電容檢測器50檢測結(jié)果的數(shù)據(jù)輸入到控制器60，控制部60根據(jù)此數(shù)據(jù)，生成如圖4及5中所示的曲線，就能夠在顯示部70中顯示此曲線。
根據(jù)如上所述的實(shí)施方式，由于在對柵極布線2施加電壓的同時(shí)，利用與COM布線3連接的電容檢測器50檢測柵極-COM布線間電容，所以能夠采用簡便的檢查裝置100來很好地檢查形成像素部和晶體管之前的TFT基板1的柵極布線2中的斷線。
由此，就能夠通過早期地發(fā)現(xiàn)線缺陷來提高產(chǎn)品的合格率。這是因?yàn)?，即使是TFT基板完成之后不能修正的缺陷，也能夠通過修理和再加工進(jìn)行修正。
此外，如圖3中所示，由于在通過電容器40將檢測用探針21連接到電容檢測器50的狀態(tài)下進(jìn)行檢測，就能夠采用簡單的檢查裝置100來適當(dāng)?shù)貦z查存在斷線和短路的TFT基板1的柵極布線2中的斷線以及短路。
再有，在上述實(shí)施方式中，雖然說明了作為檢查對象的布線是柵極布線2，在與此柵極布線2之間構(gòu)成布線間電容的布線是COM布線3的例子，但如果是相互平行地形成的布線，即便是柵極布線2與COM布線3之外組合，也同樣能夠檢測出不良。
此外，在上述實(shí)施方式中，雖然說明了在基板(TFT基板1)中的同一層中形成作為檢查對象的布線(柵極布線2)和在與此布線之間構(gòu)成布線間電容的布線(COM布線3)的一個(gè)實(shí)例，但如果這些布線相互平行的話，即使在基板中，在互不相同層中形成，也同樣能夠檢測出不良。
進(jìn)一步地，在上述實(shí)施方式中，雖然說明了作為檢查對象的布線(柵極布線2)和在與此布線之間構(gòu)成布線間電容的布線(COM布線3)是相互平行的例子，但即使這些布線彼此不平行，原理上，也能夠與上述相同，檢測出的不良。對于這種情況下面參照圖6進(jìn)行說明。
圖6是表示形成有柵極布線及COM布線的TFT基板的結(jié)構(gòu)的典型平面圖。如圖6中所示，形成多個(gè)漏極布線201和多個(gè)COM布線3以使它們彼此正交，在各漏極布線201的端部處形成有漏極端子201A。在此情況下，在漏極布線201和COM布線3的交叉部處構(gòu)成布線間電容，所以與上述同樣，也能夠檢測出不良。
此外，在上述實(shí)施方式中，雖然說明了包括用于切換在COM布線3和電容檢測器50之間連接電容器40的狀態(tài)和不連接電容器40的狀態(tài)的開關(guān)30的例子，但也可以是不包含開關(guān)30而總是連接電容器40的狀態(tài)。
此外，在上述實(shí)施方式中，雖然說明了包含可在COM布線3和電容檢測器50之間連接的電容器40的實(shí)例，但也可以不包含電容器40。
進(jìn)一步地，在上述實(shí)施方式中，雖然舉例示出了柵極布線2側(cè)作為脈沖電壓的輸入側(cè)、COM布線3側(cè)作為電容檢測器50側(cè)的結(jié)構(gòu)，但與此實(shí)例相反，也可以是COM布線3側(cè)作為脈沖電壓的輸入側(cè)、柵極布線2側(cè)作為電容檢測器50側(cè)。即，在檢查基板中的第1布線不良的裝置中，基板具有作為檢查對象的多條第1布線(例如，柵極布線2)和在與第1布線之間可分別構(gòu)成布線間電容的多條第2布線(例如，COM布線3)，該裝置也可以按以下構(gòu)成，包括對第2布線施加電壓的電壓施加裝置(脈沖發(fā)生部10)和檢測第1布線和第2布線之間的布線間電容的電容檢測裝置(電容檢測器50)。在此情況下，優(yōu)選電容檢測器50與柵極布線2連接，還包括連接在柵極布線2和電容檢測器50之間的電容器40。或者，優(yōu)選包括可連接在柵極布線2和電容檢測器50之間電容器40，和用于切換通過電容器40對電容檢測器50連接?xùn)艠O布線2的狀態(tài)和不通過電容器40對電容檢測器50連接?xùn)艠O布線2的狀態(tài)的開關(guān)30。
權(quán)利要求
1.一種在具有待檢查的多個(gè)第1布線和與各上述第1布線分別構(gòu)成電容的多個(gè)第二布線的基板中，檢查上述第1布線是否不良的方法，包括(a)對上述第1布線或上述第2布線施加電壓；以及(b)在進(jìn)行上述步驟(a)時(shí)，檢測在上述第1布線和上述第2布線之間構(gòu)成的電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用與上述第2布線或上述第1布線電連接的電容檢測裝置來進(jìn)行上述步驟(b)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在上述第2布線或上述第1布線和上述電容檢測裝置之間電連接了電容器的狀態(tài)下進(jìn)行上述步驟(b)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的方法，其中，上述第1和第2布線大致相互平行地延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的方法，其中，在同層上形成上述第1和第2布線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的方法，其中，上述第2布線匯集于1個(gè)端子。
7.一種在具有待檢查的多個(gè)第1布線和與各上述第1布線分別構(gòu)成電容的多個(gè)第二布線的基板中，檢查上述第1布線是否不良的裝置，包括(a)對上述第1布線或上述第2布線施加電壓的電壓施加裝置；以及(b)檢測在上述第1布線和上述第2布線之間構(gòu)成的電容的電容檢測裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中，電容檢測裝置與上述第2布線或上述第1布線電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，還包括電連接在上述第2布線或上述第1布線和上述電容檢測裝置之間的電容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，還包括電連接在上述第2布線或上述第1布線和上述電容檢測裝置之間的電容器；以及給定第1狀態(tài)和第2狀態(tài)之一的開關(guān)，其中，第1狀態(tài)是通過上述電容器而對上述電容檢測裝置電連接上述第2布線或上述第1布線，第2狀態(tài)是不通過上述電容器而對上述電容檢測裝置電連接上述第2布線或上述第1布線。
11.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任意一項(xiàng)所述的裝置，其中，上述第1和第2布線大致相互平行地延伸。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任意一項(xiàng)所述的裝置，其中，在同層上形成上述第1和第2布線。
13.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任意一項(xiàng)所述的裝置，其中，上述第2布線匯集于1個(gè)端子。
全文摘要
一種檢查裝置，檢測在形成像素部之前的TFT基板中的柵極布線的斷線及短路。它是檢查TFT基板(1)中的柵極布線(2)的不良的檢查裝置，該TFT基板(1)具有作為檢查對象的多條柵極布線(2)和在與柵極布線(2)之間可分別構(gòu)成布線間電容的多條COM布線3。它包括對柵極布線(1)施加電壓的脈沖發(fā)生部；檢測在柵極布線(2)和COM布線(3)之間的布線間電容的電容檢測器(50)；以及在COM布線(3)和電容檢測器(5)之間連接的電容器。
文檔編號G01R27/26GK1996032SQ20071000146
公開日2007年7月11日 申請日期2007年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月6日
發(fā)明者鷺山惠 申請人:Nec液晶技術(shù)株式會社