用于分析集成電路的方法、設備和集成電路的制作方法

專利名稱：用于分析集成電路的方法、設備和集成電路的制作方法
技術領域：
本發明涉及用于分析在襯底的第一表面上包括多個半導體器件的集成電路的方法。本發明還涉及用于改變這種集成電路的襯底的設備。 本發明進一步涉及在襯底的第一表面上包括多個半導體器件的集成電路。
背景技術：
對于集成電路(ic)制造者而言重要的是優化所制造的IC的制造 成品率，即最小化所制造的良好ic的數量和缺陷IC的數量之間的比率。 首先，由于與集成電路(ic)的制造有關的高成本，高成品率制造工藝對于在小容限市場中維持競爭力是必要的。并且，銷售缺陷ic在該產品 的形象方面可產生有害的影響。為此，典型地在銷售之前嚴格測試ic， 以便從所制造的一批產品中去除缺陷ic。在檢測缺陷ic的情形下，重要的是確定缺陷的根本原因，因為該 信息有助于改善IC制造工藝的成品率。不幸地是，IC測試通常不能提 供IC板上缺陷的位置的足夠詳細的信息。并且，IC測試程序常常不能 分辨一批產品中的每一個缺陷IC，或者IC可能在操作中損壞，這意味 著缺陷IC可能被用戶退回。在這種情形下，必須以不同的方式對IC板上缺陷定位。在US6549022中給出了使用聚焦激光束的缺陷檢測方法的一個實 例，其中為接受檢査的工C配置一組測試向量(test vectors),同時改 變IC的特性(例如工C預選部分的溫度)，以檢測工C的缺陷行為。為此， 在試圖定位子集(subset)內的缺陷時，使用聚焦激光束以提高IC中該 子集的半導體器件的溫度。可以改變激光束的功率水平以控制子集的溫 美國專利申請US 2004/0203257公開了用于缺陷工C的替代缺陷分 析方法。根據該方法，使用聚焦離子束蝕刻技術，在IC襯底的背側中蝕 刻具有突起的中心部分的半球形空腔。該空腔及其突起的中心部分用作 固體浸沒透鏡，便于對IC的內部進行光學檢查。必須將透鏡定位在IC 的背側，因為典型地，其他側被使工C內部可見性變差的多個金屬層覆蓋。 該方法的缺點是必須去除IC襯底的主要部分用于制作固體浸沒透鏡，這 不僅使得該方法相對昂貴，而且通常也意味著每個襯底區域只能形成一 次這種透鏡。結果，如果在襯底的錯誤部分形成固體浸沒透鏡，并且預 期缺陷位于與其中已經形成固體浸沒透鏡的區域部分重疊的區域中，就 不能檢測到IC內的缺陷，并且浪費了缺陷分析方面的投資。發明內容本發明尋求提供更便宜和更靈活的ic光學分析方法。本發明也尋求提供便于實現這種方法的設備。本發明還尋求提供為執行該方法而準備的IC。根據本發明的一方面，提供一種用于對集成電路光學檢查的方法， 該集成電路包括位于襯底的第一表面上的多個半導體器件，該方法包括 形成衍射透鏡，該衍射透鏡包括位于與襯底的第一表面相對的襯底另一 表面的第一區域中的多個同心衍射區，以及通過衍射透鏡檢查所述多個 半導體器件的一個子集。本發明基于如下認識衍射透鏡(例如菲涅耳相移片或波帶片)可 以有效地在IC的襯底中(例如在硅襯底中)實現。與固體浸沒透鏡相反， 衍射透鏡可以容易地在亞微米的量級上實現，這減少了形成這種透鏡所 需的時間。在相移片的優選實施方式中，通過對應于衍射區在第一區域的一部 分中蝕刻第n相位級結構(n-th phase level structure)而近似每一 個衍射fe， n是至少為2的整數。這便于甚至更有效地實現這種衍射透 鏡，代價是與具有理想衍射區的衍射透鏡相比損失某些光效率。第n相 位級結構可以通過在蝕刻步驟之前采用抗蝕劑對每個衍射區的第一相位
級摻雜而形成，從而在衍射區的不同相位級之間產生耐蝕刻性方面的差 異。有利地，將鎵離子注入用作抗蝕劑，因為這可以例如使用聚焦離子 束在無掩模的步驟中實現。替代地，通過將多個衍射區形成為不透明區和透明區交替的圖案， 可以將衍射透鏡實現為波帶片。通過在第一區域上沉積一層不透明材料， 隨后通過選擇性地去除不透明材料以露出透明區形成交替的圖案，而形 成不透明區。替代地，通過在第一區域的預定部分上選擇性地沉積不透 明材料而形成不透明區。通過使用聚焦離子束，可以在無掩模的步驟中 實現二者。有利地，該方法還包括以下步驟通過拋光所述另一個表面去除衍 射透鏡，在所述另一個表面的另一個區域中蝕刻具有另外的多個同心衍 射區的另一個衍射透鏡，以及通過該另一個衍射透鏡檢査所述多個半導 體器件中的另一個子集。本發明的一個重要方面在于以下認識小深度的菲涅耳透鏡便于襯 底上透鏡的重新安置，而在使用固體浸沒透鏡時這不是直接的，甚至是 不可能的。并且，與切出的固體浸沒透鏡相比，本發明的衍射透鏡便于 使用通過襯底的更短的光路，這對于襯底弱吸收的波長導致更少的光吸 收，例如在硅襯底的情形下IR激光器的1064納米譜帶。因此，本發明 的方法顯著提高檢測到IC內部缺陷的機會。本發明也提供了與前述美國專利US6549022中公開的缺陷檢測方法相比改善的缺陷檢測方法，因為 激光束可以使用衍射透鏡聚焦在子集上，這改善了缺陷檢測方法的光學 分辨率，并因而提高了可以精確檢測到工C板上缺陷的機會。應當指出，PCT專利申請WO 91/02380公開了一種具有在其襯底背 側中蝕刻的近似折射菲涅耳透鏡陣列的工C，在襯底的另一側上承載輻射 探測器陣列。透鏡陣列被設置成將入射輻射聚焦在輻射探測器上。將理 解這是實質上不同地使用菲涅耳透鏡。WO 91/02380沒有提及使用(菲 涅耳)衍射透鏡自身，沒有教導可以比固體浸沒透鏡更便宜地實現菲涅 耳透鏡，或者可以在襯底上重新安置菲涅耳透鏡。因此，WO 91/02380 自身的教導以及WO 91/02380和US 2004/0203257相結合的教導都沒有 使得本領域的技術人員獲得本發明。
根據本發明的另一方面，提供一種用于改變集成電路的襯底的設 備，該集成電路包括位于襯底第一表面上的多個半導體器件，該設備包 括用于產生衍射透鏡的預編程的功能，該衍射透鏡包括位于與襯底的第 一表面相對的襯底另一表面的第一區域中的多個同心衍射區，使得能夠通過衍射透鏡光學訪問(optical access)所述多個半導體器件的子集。 采用可以包括聚焦離子束發生器的這種設備，可以在選定用于光學檢査 的工C的襯底上按例程形成衍射透鏡。例如，該設備可以被預編程為通過在第一表面中蝕刻第n相位級結 構而形成每一個衍射區，n是至少為2的整數，每一相位級的高度小于 光學檢查中使用的光的主波長，以便于實現相移片。替代地，該設備可被預編程為選擇性地圖案化在第一區域上沉積的 不透明材料，形成透明區，以便于形成波帶片。這也可以通過被預編程 為在第一區域的預定部分中注入或沉積不透明材料以形成不透明區的設 備來實現。


參照附圖通過非限定的實例的方式更詳細地描述本發明，其中 圖1示意性地描述了承載著以相移片實現的衍射透鏡的IC。圖2描述了用于制造以3級相位近似的相移片實現的衍射透鏡的方法的實施方式。圖3a示出了在IC的襯底中以2級相位近似的相移片實現的衍射透 鏡的圖像。圖3b示出了在IC的襯底中以2級相位近似的相移片實現的衍射透 鏡的特寫圖像。圖4示出了采用單獨的透鏡獲取的IC襯底上多個半導體器件的一 個子集的圖像。圖5示出了采用IC襯底中蝕刻的衍射透鏡獲取的一個較小的子集 的圖像。圖6示出了用于在襯底上制造波帶片的方法的實施方式。以及 圖7示出了在襯底上制造波帶片的方法的另一實施方式。
具體實施方式
應當理解，附圖只是示意性的，沒有按比例繪制。同樣應當理解， 在所有附圖及其詳細描述中使用相同的參考數字指示相同或類似的部 分。圖l示意性地描述了本發明的檢査方法。(a)中示出的集成電路(IC) 的襯底10在第一表面上承載多個半導體器件20。半導體器件20可以是 任何已知的半導體器件，例如晶體管、二極管等，或其集合，例如邏輯 單元或存儲單元等。在與承載半導體器件20相對的襯底10表面的第一 區域中制作具有多個衍射區110的衍射透鏡100，使得能夠使用合適波 長的電磁輻射120對半導體器件20的子集30進行光學檢查，電磁輻射 120例如是通過與衍射透鏡100對準的基于紅外掃描激光器的顯微鏡(未 示出)產生的單色紅外光。可以使用例如固體浸沒透鏡的單獨的透鏡(未 示出)以進一步改善該配置的光學分辨率。應當強調，本發明的IC檢査 方法的主要目的是IC缺陷檢測，但本發明的檢查方法不必限于該目的。第一區域的選擇可以基于己知的檢查技術，如采用單獨的透鏡的預 光學檢查以接近缺陷的位置(例如半導體器件缺陷)。例如，這種技術的實例可以在Proc. 28th Intl. Symposium for Testing and Failure Analysis 2002第21-27頁，Bruce等人的Soft Defect localization onICs中，或者在前述的美國專利申請US6549022中找到。由于有限的光 學分辨率，這種定位方法不總是確定的。正如下文將要解釋的那樣，通 過使用衍射透鏡IOO可以極大地減少橫向分辨率的不足，該橫向分辨率 的不足可導致對缺陷精確定位的失敗。衍射透鏡100 (例如菲涅耳相移片)的一個重要特性是衍射區110 的高度可以小于在對IC光學檢査中使用的光波長。這便于在亞微米的量 級上實現衍射透鏡100。例如，當使用波長處于1000-1500納米譜帶中 的紅外光時，硅襯底10對該紅外光是透明的，衍射區典型地可以具有亞 微米的高度，而襯底10的厚度通常是幾十至幾百個微米。這便于在襯底 10上多次重新安置衍射透鏡100，因為去除衍射透鏡100沒有明顯減小 襯底10的厚度。使用常用的拋光技術，可以容易地從襯底10上拋去衍
射透鏡IOO，產生(b)中所示的平整襯底10，隨后，可以在襯底10的另 一區域上形成新的衍射透鏡100，以檢查半導體器件20的另一個子集 30'，如(c)所示。該重新安置步驟可以重復數次，因而顯著增加了可以 定位IC板上缺陷的機會。衍射透鏡100可以實現為菲涅耳相移片，有時也稱作反相波帶片或 菲涅耳波帶片。這種器件基于的光學原理是公知的，并且詳細描述可以 在許多光學教科書中找到，例如Eugene Hecht， Addison Wesley的 Optics, Fourth Edition (International Edition), San Francisco, 2002，第485-497頁，或Brunner等人的Diffraction Based Solid Immersion Lens， J. Opt. Soc. Am. A， 21，第1186-1191頁，2004， 以引用方式將其包括在本文中。簡言之，波帶片基于如果合適地選擇尺寸則連續的菲涅耳(或衍射) 區可以彼此抵消的原理。這是由如下事實引起的通過連續的區行進的 波前部分相對于彼此發生了相移n，相移由波前的各個部分行進經過襯 底10的光程差引起。這在衍射透鏡100的焦點引起波前的各個部分之間 的相消干涉。為了最大化波前的各個部分之間的干涉，衍射區110應當 具有基本上相等的區域，以確保通過各個衍射區110行進的衍射光波振 幅基本上相等。通過遮擋偶數級或奇數級的衍射區110，即通過產生不 透明和透明區110的交替圖案，通過兩個相鄰的透明區110行進的波前將相對于彼此發生2n的相移，從而導致相長干涉，代價是由于引入不透明區產生的大約50%的光強度損失。如果不希望有這種光強度損失，則可以構造相移片，其中通過奇數區或通過偶數區的波前的光程被理想地延遲半個波長，即n。該相移將波帶片的相鄰區之間的相消干涉轉變成相移片的相鄰區之間的相長干涉。因為對于通過衍射區110行進的光的波長入，相移片的所有衍射區 110彼此同相，所以不需要遮擋衍射區，這種衍射透鏡具有比波帶片更高的光效率。顯然，采用更小的延遲，例如n/2或n/4，也避免了通過 相鄰的衍射區no的光的完全相消干涉，盡管與完全相移n相比不那么有效。典型地，通過改變相鄰的衍射區110的高度，以改變波前的各個部 分行進通過的襯底10的厚度，來實現波前的各個部分的前述延遲。該延 遲基于光的傳播速度與其行進通過的介質的折射率的相關性。因此，通過使一部分的波前行進通過襯底10的光程1，使相鄰部分的波前行進通 過由通過空氣的第一部分1和通過襯底10的第二部分12組成的光程1 (L+l2二l)，通過選擇合適的h和l2，在整個長度1上通過襯底10行進 的波前部分的傳播可以被延遲所需的大小。因為在衍射區110的整個寬度上的傳播延遲也不是恒定的，衍射區 110理想地具有明顯漸變的厚度以補償由傳播延遲中的這種變化引入的 相移。實際上，這種理想的衍射區110實現很困難且昂貴，因而相移片 的衍射區110通常是近似的。圖2示出了用于制造以相移片實現的衍射透鏡110的近似衍射區 1110的方法的實施方式。每一個衍射區110以N級相位結構而實現，即 具有N個臺階的臺階狀結構。將會理解選擇的N越大，對理想衍射區的 近似越好。在圖2中，僅作為示例的方式，N=3。盡管高N數值具有更好的光 效率，優選還是低N數值，例如N二2或N二3，因為低N數值將產生具 有可接受的光效率并且制作簡單的相移片。將要理解衍射透鏡110的光 學質量也可按照其他的方式來控制，例如通過改變衍射區110的數量和/ 或改變衍射透鏡100的直徑。在該方法的第一步驟中，在衍射區110的臺階114和116中實施抗 蝕劑，如(a)中所示。這種抗蝕劑可以是通過聚焦離子束注入的鎵離子 注入。臺階116具有比臺階114更高的抗蝕劑濃度，以確保臺階114比 臺階116更快地蝕刻掉。臺階112具有甚至更低的蝕刻劑濃度或者完全 沒有蝕刻劑，以確保臺階112比臺階114更快地蝕刻掉。在下一步驟中， 襯底110的表面經過蝕刻步驟，例如KOH蝕刻或等離子體蝕刻，產生(b) 中所示的具有臺階狀結構的衍射區110。每一個相位級結構112、 114、 116之間的高度差可以小于光學檢査中使用的光的主波長，盡管這不是 嚴格必要的。替代地，臺階狀結構112、 114、 116可以例如釆用聚焦離子束通過 銑削(milling)襯底100直接形成，其中不需要蝕刻步驟。該替代的方
法沒有在襯底中導致比蝕刻方法更高的離子濃度，具有如下缺點由于 注入的離子的高吸收特性，降低了衍射透鏡100的光學質量。兩種方法 都具有在衍射透鏡100的制造步驟中不需要掩模的優點，使得其實現便 宜。并且，這種衍射透鏡的制造工藝的無掩模特性便于在襯底改變設備 上添加與制造這種透鏡相關的功能，如聚焦離子束發生器。這種設備可 以擴展成具有預編程的功能，用于產生包括多個同心衍射區的衍射透鏡，
設備的使用者只需要輸入特定的關鍵參數，例如襯底10第一區域的位 置、至半導體器件20的焦距、每個衍射區IIO所需的相位級的數量等， 使得該設備能夠在襯底10的背側按例程產生衍射透鏡100。
在這方面，應當強調以相移片實現的衍射透鏡100也可以使用常規 的基于掩模的光刻步驟形成在襯底10上。然而，顯然這是比所提出的無
掩模制造工藝更昂貴的工藝。
圖3a示出了使用圖2的方法在IC的硅襯底10中以相移片實現的 衍射透鏡100的結構的掃描電子顯微圖像。衍射透鏡110的衍射區被實 現為兩級相位結構，N=2。暗環112對應于下部的相位級，而亮環114 對應于凸出的相位級。圖3b是圖3a的衍射透鏡100的特寫掃描電子顯 微圖像，其中下部的相位級112和凸出的相位級114之間的高度變化更 為清晰可辨。
圖4示出了釆用紅外掃描激光顯微鏡通過工C襯底10的背側獲取的 工C內部的照片圖像，而圖5示出了通過在IC襯底10中以相移片實現的 衍射透鏡100，采用相同的紅外掃描激光顯微鏡對IC的相同的部分獲取 的照片圖像。通過衍射透鏡IOO產生的圖像示出了比通過單獨的折射透 鏡產生的圖像更高程度的細節；例如，在通過衍射透鏡100產生的圖像 中單個的晶體管520只是可見的，在使用在IC襯底10中形成的衍射透 鏡100時晶體管520是改善的光學分辨率和缺陷檢測能力的清楚反映。
光學質量方面的這種差異的主要原因在于對于光學檢査的特定光 學要求可以容易地調節衍射透鏡100，例如，可以對應于襯底10的厚度、 其所需的光強度，以及對應于至半導體器件20的焦距來限定透鏡，相反 這在固定的單獨透鏡中是不可能的。同樣，可以將衍射透鏡100設計成 非球面，這在預期非球面透鏡比球面透鏡產生更好質量的圖像時是有利
的。并且，由單獨的透鏡產生的圖像的圖像質量可能受到透鏡和襯底io 之間的接觸表面質量的妨礙，而該問題對于襯底io中形成的衍射透鏡
100不會發生。
圖6示出了制造以波帶片實現的衍射透鏡110的方法的實施例。在 步驟(a)中，在襯底10的選定區域上方沉積不透明材料膜400，例如 鈦膜之類的金屬膜。接著，通過在圖案化步驟(b)中選擇性地去除不透 明材料而形成透明的衍射區420，這可以是包含聚焦離子束的無掩模蝕 刻步驟。例如，這種蝕刻步驟的一個實例可以在J.M. F. Zachariasse
禾口 J.F Walker的direct write patterning of titanium films using focused ion beam implantation and plasma etching, Microelectronic
engineering 35 (1997)，第63-66頁中找到。
圖7示出了制造以波帶片實現的衍射透鏡110的方法的替代實施 例。在襯底10的選定區域中注入或在其上沉積不透明材料，以形成不透 明區410和透明衍射區420的交替圖案。這例如可以通過采用聚焦離子 束在這些區域中注入鎵離子、或者通過聚焦離子束感應沉積(focussed ion beam induced d印osition)在襯底10的頂部上沉積圖案化的金屬 層來實現。
所提出的用于以波帶片實現的衍射透鏡100的制造方法也適合于襯 底改變裝置上包含的預編程的功能，如聚焦離子束發生器。 一旦用戶輸 入例如所需透明區420的焦距或數量，該設備可按例程計算透明區420 和不透明區410的尺寸和位置，并且可以相應地改變襯底IO，即通過蝕 刻掉透明衍射區420的不透明材料或通過直接注入不透明區420而進行。
衍射透鏡100的各種實施方式可以有利地用于各種IC檢查方法中， 例如檢測IC內部一個或更多個半導體器件20中的缺陷。例如，可以將 可形成顯微鏡一部分的激光束(例如紅外激光束)聚焦在半導體器件20 的子集30上，借助于衍射透鏡100以實現對子集30的光學訪問。該訪 問可以有各種目的，如產生子集30的圖像的目的或改變子集30的特性 的目的。子集30的特性的改變例如可以是通過加熱子集30而提高子集 30的溫度。典型地，如果缺陷位于子集30內部，該改變將引起IC的功 能行為的變化。 這可以通過向已改變的IC (即包含具有改變的特性的半導體器件 20子集30的工C)提供刺激來校驗，例如諸如測試適量的測試模式，或 正弦波調制的模擬測試信號，并測量已改變的IC對該剌激的響應。該響 應可以與改變之前IC對相同的剌激的響應(即未改變的IC的響應)進 行比較，以便于評估所述改變對IC行為的效果。本發明的方法的主要優 點在于如果沒有能夠檢測到指示子集30內存在缺陷的可測量的效應， 則如前面解釋的那樣，可以容易地在襯底10上重新安置衍射透鏡100， 隨后，可以通過檢查另一個子集30'重復該檢査方法，例如通過修改另 一個子集30'的特性以及接著產生刺激并評估IC對刺激的響應而進行， 如前面提出的那樣。 一
應當注意，上述實施方式說明而非限制本發明，在不背離所附權利 要求的范圍的情形下，本領域的技術人員將能夠設計許多替代的實施方 式。在權利要求中，置于圓括號之間的任何參考標記不應被理解成限制 權利要求。詞語"包括"不排除存在著除權利要求中列舉的那些元件和 步驟之外的元件和步驟。元件之前的冠詞不排除存在著多個這種元件。 本發明可以通過包括幾個不同元件的硬件的方式實施。在列舉數個手段 的裝置權利要求中，這些手段中的數個可以通過一個相同的硬件項目來 實施。某些措施在彼此不同的從屬權利要求中提及的不爭事實，并不表 示不能有利地使用這些措施的組合。
權利要求
1.一種用于分析集成電路的方法，該集成電路包括位于襯底(10)的第一表面上的多個半導體器件(20)，該方法包括形成衍射透鏡(100)，該衍射透鏡(100)包括位于與襯底(10)的第一表面相對的襯底(10)的另一個表面的第一區域中的多個同心衍射區(110，620)；以及通過衍射透鏡(100)光學訪問所述多個半導體器件(20)的子集。
2. 根據權利要求1所述的方法，還包括通過對應于衍射區在第一 區域的一部分中蝕刻第n相位級結構(112; 114; 116)而形成每一個衍 射區(110)， n是至少為2的整數。
3. 根據權利要求2所述的方法，其中在蝕刻步驟之前采用抗蝕劑 對每個衍射區(110)的第一相位級(114， 116)摻雜。
4. 根據權利要求3所述的方法，其中采用抗蝕劑對每個衍射區 (110)的第一相位級(114， 116)摻雜的步驟包括注入鎵離子，在第一相位級(114， 116)中形成摻雜分布。
5. 根據權利要求l所述的方法，還包括將所述多個衍射區(620) 形成為不透明區(610)和透明區(620)的交替圖案。
6. 根據權利要求5所述的方法，其中將所述多個衍射區(620)形 成為不透明區(610)和透明區(620)的交替圖案的步驟包括在第一區 域上沉積不透明材料層(600)，并且通過選擇性去除不透明材料而形成 交替圖案。
7. 根據權利要求5的方法，還包括通過在第一區域的預定部分上 選擇性地沉積不透明材料而形成不透明區(610)。
8. 根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其中光學訪問步驟 包括采用激光束，使用衍射透鏡(100)將激光束聚焦在子集(30)上， 訪問所述多個半導體器件(20)中的子集(30)。
9. 根據權利要求8的方法，光學訪問步驟還包括通過采用激光束 改變所述多個半導體器件(20)中的子集(30)的特性而改變集成電路。
10. 根據權利要求9的方法，還包括向已改變的集成電路提供刺激， 并測量已改變的集成電路對該剌激的響應。
11. 根據權利要求io的方法，還包括將所述響應與未改變的集成 電路的響應進行比較。
12. 根據權利要求1至11中任一項所述的方法，還包括以下步驟 通過拋光所述另一個表面去除衍射透鏡，形成具有位于所述另一個表面的另一個區域中的另外的多個同心衍射區(110， 620)的另一個衍射透 鏡(100)，以及通過所述另一個衍射透鏡(100)檢查所述多個半導體器 件(20)的另一個子集(30')。
13. —種用于改變集成電路襯底(10)的設備，該集成電路包括位 于襯底(10)第一表面上的多個半導體器件(20)，該設備包括用于產生 衍射透鏡(100)的預編程的功能，該衍射透鏡(100)包括位于與襯底(10)的第一表面相對的襯底(10)的另一個表面的第一區域中的多個 同心衍射區(110)，使得能夠通過衍射透鏡(100)光學訪問所述多個半 導體器件(20)的子集(30)。
14. 根據權利要求13所述的設備，其中所述設備被預編程為通過 在第一表面中蝕刻第n相位級結構(112; 114; 116)而形成每個衍射區(110)， n是至少為2的整數，每個相位級結構(112， 114， 116)的高 度小于在光學檢査中使用的光的主波長。
15. 根據權利要求13所述的設備，其中所述多個衍射區(620)包 括不透明區(610)和透明區(620)的交替圖案，所述設備被預編程為 將在第一區域上沉積的不透明材料選擇性地圖案化成不透明區。
16. 根據權利要求13所述的設備，其中所述多個衍射區(620)包 括不透明區(610)和透明區(620)的交替圖案，所述設備被預編程為 在第一區域的預定部分中注入不透明材料以形成不透明區(620)。
17. —種集成電路，包括襯底(10)和襯底(10)第一表面上的多 個半導體器件(20)，該集成電路還包括衍射透鏡(IOO)，衍射透鏡(IOO) 包括位于與襯底(10)的第一表面相對的襯底(10)的另一個表面的第 一區域中的多個同心衍射區(110， 620)，用于檢查所述多個半導體器件(20)的子集(30)。
全文摘要
公開了一種用于分析集成電路(IC)的方法，該集成電路包括位于襯底(10)的第一表面上的多個半導體器件(20)。該方法包括以下步驟形成衍射透鏡(100)，衍射透鏡(100)包括位于與襯底(10)的第一表面相對的另一表面的第一區域中的多個同心衍射區(110)，以及通過衍射透鏡(100)光學訪問所述多個半導體器件(20)中的一個子集(30)的另一個步驟。由于衍射透鏡(100)可以在亞微米尺寸上實現的事實，可以比折射透鏡更便宜地形成透鏡(100)，折射透鏡通常為數個微米深。并且，可以容易地將透鏡(100)從襯底(10)上拋去，這便于在襯底(10)上重復地重新安置透鏡(100)，從而提高了光學檢測到IC內部缺陷的機會。
文檔編號G01R31/311GK101213465SQ200680024329
公開日2008年7月2日 申請日期2006年5月4日 優先權日2005年5月5日
發明者弗蘭克·薩卡里亞斯, 馬特吉·戈森斯 申請人:Nxp股份有限公司