集成電路和調節含有該集成電路的半導體材料溫度的方法

專利名稱：集成電路和調節含有該集成電路的半導體材料溫度的方法
技術領域：
本發明涉及一種集成在半導體材料內的集成電路，它優選地用于處理分配給它的傳感器的測量信號。該集成電路有至少一個優選地用于處理由傳感器產生的測量信號的有源部件。此外，本發明還涉及一種調節含有集成電路的半導體材料溫度的方法。
背景技術：
在許多技術領域，集成在半導體材料內的集成電路用于讀出和處理源自一個為該集成電路所配設的傳感器的測量信號。例如在X射線計算機體層照相機的X射線探測器內，可見這種傳感器與集成電路的組合。X射線探測器通常由許多并列成行的探測組件組成，其中每一個包括一個X射線傳感器和一個與傳感器連接的集成電路。在這里，集成電路的元器件，如電容器、電阻、晶體管或尤其由晶體管構成的比較器或積分儀，有一種與溫度有關的工作特性，它影響通過傳感器獲得的測量信號的處理。偏移信號的穩定性或電路元器件的線性是這方面的典型例子。用于X射線本身的傳感器的測量特性也受溫度的影響。若在傳感器內使用例如以半導體為基礎的光電二極管，則在半導體材料的溫度提高5至9°K(開氏溫度)時，可以觀察到光電二極管的暗電流加倍。也就是說，因為用于X射線及其集成電路的探測組件尤其它的傳感器的測量精度以不能忽略不計的程度取決于溫度，所以人們要采取措施，至少將探測組件的傳感器和集成電路的溫度基本保持恒定。
例如由US2003/0168605A1已知一種射線探測器，它有一個裝置可用于將射線探測器的溫度基本保持為恒定。借助一個比較器將探測器的半導體元件實際溫度與額定溫度作比較。當偏離額定溫度時將電流饋送給加熱電阻，為的是將探測器加熱到額定溫度。
在DE19615178C2中介紹了一種用于數字射線照相的設備，它有一個傳感器裝置，后者包括一個半導體傳感元件陣列，在它上面加上一個閃爍體層，設備有一個溫度控制裝置用于將傳感器裝置的溫度保持為常數。傳感器優選地設計為電荷耦合器件傳感器(亦即CCD傳感器)以及在其背面設加熱元件，在這里，傳感器的溫度可通過有效調節保持恒定。
由DE10034262C1已知一種集成在半導體材料內的集成電路，它包括一個有源部件、一個溫度傳感器和一個電路。若通過溫度傳感器測得的溫度低于溫度極限值，則通過電路引起生熱過程。在這種情況下，或觸發開關電路的偽工作循環，或使一個單獨設置的振蕩器工作。
由US5517052A已知一種集成在半導體材料內的集成電路，它包括一個有源部件、一個溫度傳感器和一個用于調節半導體材料溫度的電路。有源部件涉及“振蕩晶體管”。為了調節溫度，使用與晶體管不同的加熱元件。
由WO95/30200A1已知一種集成在半導體材料內的集成電路，該集成電路包括一個涉及計算機的中央處理器(CPU)的有源部件。為了調節通過溫度傳感器檢測到的CPU的溫度，設置一個電路，它根據檢測到的溫度改變CPU的“時鐘”速率，由此影響生熱并因而影響CPU的溫度。
DE10138913A1涉及一種用于X射線計算機體層照相的探測組件。一個沒有集成在半導體材料內的開關電路用于處理一個為該開關電路所配設的傳感器的測量信號。為了調節半導體材料的溫度采用一單獨的加熱元件。

發明內容
本發明的目的是，提供一種集成在半導體材料內的集成電路和一種用于調節含有該集成電路的半導體材料溫度的方法，這種方法可通過簡單的方式將含有集成電路的半導體材料置于一個規定的溫度和/或保持為一個基本上恒定的溫度。
上述目的首先通過一種集成在半導體材料內的集成電路來達到，該集成電路用于處理分配給它的傳感器的測量信號，該集成電路包括有源部件、溫度傳感器和調節半導體材料溫度的電路，其中，所述有源部件用于處理由所述傳感器產生的測量信號，而且可受到所述用于調節溫度的電路的這樣控制，即，可改變所述半導體材料的溫度，其中，為了調節溫度，所述用于調節溫度的電路有一個比例積分調節器(PI調節器)或比例積分微分調節器(PID調節器)。
上述目的另外通過一種調節半導體材料溫度的方法來實現，該半導體材料中含有集成電路，該集成電路包括有源部件、溫度傳感器和調節半導體材料溫度的電路，其中，該集成電路用于處理分配給它的傳感器的測量信號，以及，所述有源部件用于處理由所述傳感器產生的測量信號，并可受到所述用于調節溫度的電路的這樣控制，即，改變所述半導體材料的溫度，其中，為了調節溫度，采用所述用于調節溫度的電路中的比例積分調節器或比例積分微分調節器。
集成在半導體材料內的集成電路有至少一個有源部件、至少一個溫度傳感器和至少一個調節半導體材料溫度的電路，其中調節半導體材料溫度的電路可以這樣的方式影響有源部件的工作，即，可以有針對性地改變半導體材料的溫度。以優選地借助溫度傳感器連續測量半導體材料的溫度為基礎，用于調節溫度的電路可以這樣的方式控制集成電路有源部件的工作，即，可以根據在有源部件工作期間造成的損耗熱改變半導體材料的溫度。優選地半導體材料的溫度調節為一個預定的額定溫度。為此，用于調節溫度的電路有適用的電路元器件，它們是含有調節器的調整電路的組成部分，調節器涉及一種PI調節器或PID調節器。因此按本發明為了調節半導體材料溫度使用一種集成電路的有源部件，在這里該有源部件可理解成集成電路中的電路元器件，它們的工作可受到有效控制。
集成在半導體材料內的集成電路規定用于為該集成電路配設的傳感器的測量信號。所述至少一個有源部件規定用于處理亦即讀出、預處理和/或繼續傳遞由傳感器產生的測量信號，而且可以通過用于調節溫度的電路控制為，使半導體材料的溫度可以改變。為了調節半導體材料的溫度，可以取消設置獨立的分開設計的加熱裝置。取代這種加熱裝置，集成電路中一個用于處理測量信號原本就存在的有源部件以這樣的方式工作，即，可通過有源部件的損耗熱調節溫度。因此，根據由溫度傳感器測得的信號，由用于調節溫度的電路控制有源部件，使得能優選地將整個半導體材料調整為基本上恒定的溫度。若為了半導體材料的穩定性，集成電路一個有源部件工作不足以保證恒定的溫度，則也可以按相應的方式由用于調節溫度的電路控制多個有源部件。
集成電路的有源部件可以涉及移位寄存器和/或模擬數字轉換器。當它們工作時通常產生足夠的可用于調節溫度的損耗熱。
溫度的調節可以這樣進行在不處理測量信號的時刻，有源部件的工作是使集成電路的半導體材料基本上保持恒定的溫度。例如可以規定，半導體材料有基本上恒定的溫度約為40℃，或有一個高于半導體材料環境溫度并在20℃至40℃之間的溫度。在這里有源部件的工作可涉及一種偽工作(Dummy-Betrieb)，此時例如移位寄存器和/或模擬數字轉換器工作，并不進一步應用該工作的成果。在集成電路測量工作時，半導體材料也完全可以有比額定溫度略高的溫度。因此，當集成電路接著處于備用方式，換句話說不進行測量時，通過所述溫度調節，可以防止半導體材料的溫度下降到低于預定的額定溫度。在這里，半導體材料的額定溫度應優選地低于持續使用溫度，所以半導體材料只遭遇小量溫度波動，并因此降低由于半導體材料大的溫度波動造成的負荷，這對于其使用或工作壽命有好的效果。
可以規定，溫度調節的額定值是可調整的，亦即可以預先給定。在這種情況下，額定值可以與集成電路的環境條件相適配。在這里，環境條件尤其是環境溫度可借助一單獨設計的測量裝置確定并應用于所述額定溫度的預先給定。
半導體材料可以含有硅以及集成電路可以設計為專用集成電路ASIC。當集成電路如此設計時，可以使得為將溫度傳感器和用于調節溫度的電路集成在半導體材料內所需的費用比較低。ASIC的生產實際上可以在無需顯著提高成本的情況下實現。
為集成電路配設一個檢測光的傳感元件陣列作為傳感器，其中，該檢測光的傳感元件陣列與集成電路電連接以及與集成電路的半導體材料導熱連接。通常所述連接涉及一種金屬的釬焊連接。以此方式不僅可以調節集成電路半導體材料的溫度，而且也可以通過半導體材料與檢測光的傳感元件陣列的導熱連接以有利的方式調節所述檢測光的傳感元件陣列的溫度。
特別有利的是，所述檢測光的傳感元件陣列設計為在半導體材料上的光電二極管陣列的形式。在這種情況下也可以將光電二極管陣列的半導體材料保持為額定溫度，從而也可以至少減少對光電二極管陣列的溫度測量精度的影響。
若應借助集成電路和檢測光的傳感元件陣列檢測X射線，則可為檢測光的傳感元件陣列配設一個將X射線轉換成光的閃爍體元件陣列。光電二極管最終將光轉換為電信號，它們由集成電路讀出、預處理和/或繼續傳遞。
然而，也可以為集成電路配設一個直接轉換X射線的傳感元件陣列作為傳感器，其中，直接轉換X射線的傳感元件陣列與集成電路電連接以及與集成電路的半導體材料導熱連接。在這里，電和導熱連接通常也設計為金屬的釬焊連接。優選地對于直接轉換X射線的傳感元件陣列涉及一種在半導體基礎上的傳感元件陣列。為此適用的半導體材料是CdTe、CdZnTe、CdSeTe或類似的適用材料，此外它們可以加添加劑。在這種情況下，基于與直接轉換X射線的傳感元件陣列的導熱連接，也可以通過調節集成電路半導體材料的溫度，調節直接轉換X射線的傳感元件陣列的半導體材料的溫度。


下面借助所附示意圖詳細說明本發明的實施方式，附圖中圖1表示計算機X射線體層照相機的示意簡圖，該圖中局部含有方框連接圖；圖2表示圖1所示計算機X射線體層照相機的探測組件；圖3表示圖1所示計算機X射線體層照相機的探測組件的另一種實施形式；以及圖4表示圖3所示探測組件的分解圖。
具體實施例方式
圖1表示計算機X射線體層照相機1的局部示意簡圖。計算機X射線體層照相機1包括一個X射線源2，從其焦點F射出X射線束3，它通過圖1中沒有表示但眾所周知的遮光板例如成形為扇形或棱錐形。X射線束3穿透要檢查的目標4和命中X射線探測器5。X射線源2和X射線探測器5以在圖1中未表示的方式彼此對置地裝在計算機X射線體層照相機1的旋轉框架上，該框架可以沿方向繞計算機X射線體層照相機1的系統軸線Z旋轉。在計算機X射線體層照相機1工作時，所述裝在旋轉框架上的X射線源2和X射線探測器5圍繞目標4旋轉，在此過程中從不同的投影方向獲得目標4的X射線照片。每束X射線穿過目標4到達X射線探測器5并在穿過時被目標4削弱。削弱后的X射線命中X射線探測器5，在這種情況下X射線探測器5產生一些與命中它的X射線強度對應的信號。接著，圖像計算機6根據用X射線探測器5確定的信號，按眾所周知的方式計算目標4的一個或多個二維或三維圖像，圖像可以表示在顯示器7上。
X射線探測器5在本實施例的情況下有許多探測組件8，它們沿方向和Z方向并列地布置在圖中未詳細表示的固定在旋轉框架上的探測器拱形架上，以及在本實施例的情況下構成面狀X射線探測器5。
在圖2中示例性地表示X射線探測器5的探測組件8的一種實施形式。該探測組件8有一種垂直的結構，其中在檢測光的傳感元件陣列10上面設閃爍體元件陣列9。在本實施例的情況下，檢測光的傳感元件陣列涉及以半導體為基礎的光電二極管陣列10。閃爍體元件陣列9和光電二極管陣列10互相粘結并在這里構成用于探測組件8的X射線傳感器。在閃爍體元件陣列9上面存在一個視準管12，所以只有從規定的空間方間射出的X射線才能到達閃爍體元件陣列9上。光電二極管陣列10在本實施例的情況下通過涉及金屬釬焊連接的所謂凸點結合(Bump-Bond)連接，與集成在半導體材料上的集成電路11電連接，而且還通過釬焊連接與集成電路11的半導體材料導熱連接。集成在半導體材料上的集成電路11在本實施例的情況下設置在一個基底上或印刷電路板13上，它可以實現集成電路11的電觸點接通。
圖3表示X射線探測器5探測組件8的另一種實施形式，它與圖2所示實施形式的區別僅在于，檢測光的傳感元件陣列10和閃爍體元件陣列9用一個傳感器元件陣列14代替，它可以將X射線直接轉換成電信號。探測組件8兩種實施形式相同的部分采用同樣的附圖標記表示。
直接轉換X射線的傳感器元件陣列14基于一種用于將X射線直接轉換為電信號的半導體材料，例如CdTe、CdZnTe、CdSeTe或類似的適用材料。半導體材料在其面朝視準管12那一側有一個連續的電極15和在其面朝集成電路11那一側有一個在圖中不能看到的所謂像素電極，該像素電極可理解成是許多單個電極，傳感器元件陣列通過它們來布置構型。如上面已說明的那樣，直接轉換X射線的傳感器元件陣列14也通過釬焊連接與集成在半導體材料內的集成電路11電連接，而且還通過釬焊連接與集成在半導體材料內的集成電路11導熱連接。集成電路11仍可以安置在基底或印刷電路板13上，使集成電路11可以電觸點接通。
若安裝在計算機X射線體層照相機1旋轉框架上、亦即門形構架旋轉部分上的由探測組件8構成的X射線探測器5投入運行，則在X射線探測器5的包括測量階段和備用階段的工作過程中，導致X射線探測器5總體以及尤其集成電路的半導體材料與上述元件陣列發熱和冷卻。如前言已提及的那樣，熱的影響，尤其在涉及溫度波動時，惡化測量裝置的測量特性。由于這個原因要專門針對X射線探測器5采取一些措施，可將X射線探測器5基本上保持為恒定的溫度。例如，為X射線探測器5按圖中未表示的方式配設鼓風機。然而僅僅通過X射線探測器5的通風并不能將它保持為一個基本上恒定的溫度。尤其是，借助鼓風機并不能防止X射線探測器5在其未使用于測量時被冷卻，從而在探測組件8上產生比較大的溫度波動，這取決于它是否正使用于測量或處于備用階段。
因此建議，在X射線探測器5探測組件8內部測量并調節溫度。尤其是，測量集成電路11半導體材料的溫度以及優選地還測量用于檢測X射線的傳感器元件陣列的溫度。為了防止在X射線探測器5的測量模式與備用模式之間在探測組件8的測量鏈中的對溫度變化敏感反應的測量部件上發生不可允許的溫度波動，通過加熱將它們保持為至少基本上恒定的溫度。為了為此不必設附加的加熱元件，建議，為調節溫度使用至少一個原本就在集成電路11中存在的有源部件。
借助圖4說明本發明原理，圖4涉及圖3所示探測組件8的分解圖。有關工作原理毫無疑問可沿用圖2中所示探測組件8的工作原理。集成在此優選涉及硅的半導體材料內的集成電路11(此外在本實施例的情況下它設計為專用集成電路11)，有至少一個用于處理測量信號的有源部件，測量信號通過直接轉換X射線的傳感元件陣列14的傳感器元件獲得。有源部件在這里指的是集成電路中的一個其工作可以有效地受到控制，亦即對它的工作可以實施有效影響的部件。有源部件尤其理解為有至少一個晶體管的構件。集成電路，亦即專用集成電路11，補充至少一個溫度傳感器和一個用于調節半導體材料溫度的電路，它們同樣集成在半導體材料內。在本實施例的情況下，專用集成電路11有一個溫度傳感器16和一個與該溫度傳感器16配合作用的調節溫度用的電路17。借助溫度傳感器16和調節溫度用的電路17，在本實施例的情況下連續測量專用集成電路11的半導體材料實際溫度，并與溫度規定的額定值比較。若溫度的實際值偏離了溫度的額定值，用于調節溫度的電路17控制專用集成電路11的至少一個有源部件，使它通過其工作產生一定的損耗熱，用此損耗熱來提高或降低半導體材料的實際溫度。有源部件的工作優選地控制為，使專用集成電路11的半導體材料保持為基本上恒定的溫度。在本實施例的情況下，圖4示意表示專用集成電路11的四個有源部件，其中涉及專用集成電路11的兩個移位寄存器18、19和兩個模擬數字轉換器20、21。用于調節溫度的電路17按在圖4中未表示的方式與移位寄存器18、19和模擬數字轉換器20、21連接，所以用于調節溫度的電路17可按選擇只影響一個、多個或所有有源部件的工作。哪一些和有多少有源部件投入工作，以便能用它們的損耗熱保持專用集成電路11的半導體材料沿其全部尺寸基本上恒定的溫度，取決于借助單個有源部件是否能達到此目的。若應需要多個定位在不同地點的有源部件進行工作，以便沿專用集成電路11的整個半導體材料獲得基本上恒定的溫度，則借助控制溫度用的電路17對其進行控制。此外，用于控制溫度的電路17可以按不同的方式實現，亦即調節回路，它作為受控量有實際溫度以及作為給定參數有可規定并可調整的額定溫度，可按使用狀況含有另一個調節器，在這里優選地是一個PI調節器或PID調節器。此外，用于調節溫度的電路17通常與專用集成電路11的一個圖中未表示的控制裝置配合作用，以避免在專用集成電路11的有源部件上存取時發生控制矛盾。
專用集成電路11的半導體材料溫度的有效調節優選地在不處理測量信號的時刻進行，因為尤其在此時刻半導體材料的溫度與測量時的溫度相比降低并因而使半導體材料遭受比較大的溫度波動。因此借助調節溫度的電路17，即使處于所謂的備用方式也能使半導體材料保持基本上恒定的溫度，它與在集成電路實施測量工作時的溫度相應。但半導體材料的溫度在X射線探測器5測量工作時也可能略有升高。不過在這種情況下溫度波動比較輕微并因而對測量精度的影響同樣較小。然而溫度的有效調節也可以在專用集成電路11工作時，亦即在測量時進行，此時為了調節溫度只使用那些當前不需要用于讀出測量信號或處理測量信號的有源部件。
此外，也可以與以上所述不同，在專用集成電路11上實現第二個與用于測量信號的集成電路分開設計的用于調節溫度的集成電路，它有至少一個有源部件。此分開工作的用于調節溫度的集成電路在這里的優點是，為了溫度調節不必動用測量信號的集成電路的有源部件。確切地說，溫度的調節只借助用于調節溫度的集成電路的一個或多個有源部件，它們在一定程度上偽工作并用它們的損耗熱加熱專用集成電路11。
但本發明不僅允許專用集成電路11的半導體材料保持為基本上恒定的溫度。通過專用集成電路11的半導體材料與直接轉換X射線的傳感元件陣列14之間的導熱釬焊連接22，還將傳感元件陣列14或傳感元件陣列14的半導體材料保持為基本上恒定的溫度，因為在傳感元件陣列14的半導體材料與專用集成電路11的半導體材料之間發生熱交換。
這種溫度調節的方式也適用于圖2中表示的探測組件8，其中在半導體基礎上的光電二極管陣列10同樣通過釬焊連接與專用集成電路11的半導體材料導熱連接。
總之，借助探測組件8，將它們的傳感器及集成電路保持為恒定的溫度，每個投影獲得測量信號并預處理，測量信號例如經滑環傳給圖像計算機6，通過它如已提及的那樣可以重建圖像。
上面以X射線探測器為例說明本發明。但本發明不限于X射線探測器。確切地說，本發明可應用于任何集成在半導體材料內的集成電路，它規定用于讀出和/或進一步處理測量信號以及它的半導體材料應保持為基本上恒定的溫度，以便至少減小測量精度與溫度的依賴性。
此外，作為將其損耗熱用于調節溫度的有源部件，不同于移位寄存器或模擬數字轉換器的其他有源部件也是適用的。
此外，集成電路的半導體材料不一定必須含有硅。作為為集成電路配設的傳感器不僅可考慮采用檢測X射線的傳感器，而且也可考慮單純檢測光的傳感器、紫外線傳感器、紅外線傳感器或其他類型的測量傳感器或傳感元件陣列。
集成電路也不一定必須設計為專用集成電路ASIC。
權利要求
1.一種集成在半導體材料內的集成電路(11)，其用于處理分配給它的傳感器(9、10、14)的測量信號，該集成電路(11)包括有源部件(18至21)、溫度傳感器(16)和調節半導體材料溫度的電路(17)，其中，所述有源部件(18至21)用于處理由所述傳感器(9、10、14)產生的測量信號，而且可受到所述用于調節溫度的電路(17)的這樣控制，即，可改變所述半導體材料的溫度，其中，為了調節溫度，所述用于調節溫度的電路(17)有一個比例積分調節器或比例積分微分調節器。
2.按照權利要求1所述的集成電路，其中，所述有源部件是移位寄存器(18、19)。
3.按照權利要求1或2所述的集成電路，其中，所述有源部件是模擬數字轉換器。
4.按照權利要求1至3之一所述的集成電路，其中，所述溫度的調節這樣進行，即，在不處理測量信號的時刻使所述有源部件(18至21)這樣運行，即，使所述集成電路(11)的半導體材料基本上有恒定的溫度。
5.按照權利要求1至4之一所述的集成電路，其中，應調節到的溫度額定值是可調整的。
6.按照權利要求1至5之一所述的集成電路，其中，所述半導體材料含有硅。
7.按照權利要求1至6之一所述的集成電路，它設計為專用集成電路(11)。
8.按照權利要求1至7之一所述的集成電路，其中，為該集成電路配設一個檢測光的傳感元件陣列(10)作為傳感器，其中，該檢測光的傳感元件陣列(10)與所述集成電路(11)電連接以及與該集成電路(11)的半導體材料導熱連接。
9.按照權利要求8所述的集成電路，其中，所述傳感元件陣列是光電二極管陣列(10)。
10.按照權利要求8或9所述的集成電路，其中，為所述檢測光的傳感元件陣列(10)配設閃爍體元件陣列(9)。
11.按照權利要求1至7之一所述的集成電路，其中，為該集成電路配設一個直接轉換X射線的傳感元件陣列(14)作為傳感器，其中，該直接轉換X射線的傳感元件陣列(14)與所述集成電路(11)電連接以及與該集成電路(11)的半導體材料導熱連接。
12.一種調節半導體材料溫度的方法，該半導體材料中含有集成電路(11)，該集成電路(11)包括有源部件(18至21)、溫度傳感器(16)和調節半導體材料溫度的電路(17)，其中，該集成電路(11)用于處理分配給它的傳感器(9、10、14)的測量信號，以及，所述有源部件(18至21)用于處理由所述傳感器(9、10、14)產生的測量信號，并可受到所述用于調節溫度的電路(17)的這樣控制，即，改變所述半導體材料的溫度，其中，為了調節溫度，采用所述用于調節溫度的電路(17)中的比例積分調節器或比例積分微分調節器。
13.按照權利要求12所述的方法，其中，所述有源部件是移位寄存器(18、19)。
14.按照權利要求12或13所述的方法，其中，所述有源部件是模擬數字轉換器。
15.按照權利要求12至14之一所述的方法，其中，這樣進行溫度調節，即，在不處理測量信號的時刻使所述有源部件(18至21)這樣運行，即，使所述集成電路(11)的半導體材料基本上有恒定的溫度。
16.按照權利要求12至15之一所述的方法，其中，可調整應調節到的溫度額定值。
17.按照權利要求12至16之一所述的方法，其中，所述半導體材料含有硅。
18.按照權利要求12至17之一所述的方法，其中，所述集成電路設計為專用集成電路(11)。
19.按照權利要求12至18之一所述的方法，其中，為所述集成電路(11)配設一個檢測光的傳感元件陣列(10)作為傳感器，其中，該檢測光的傳感元件陣列(10)與所述集成電路(11)電連接以及與該集成電路(11)的半導體材料導熱連接。
20.按照權利要求19所述的方法，其中，所述傳感元件陣列是光電二極管陣列(10)。
21.按照權利要求19或20所述的方法，其中，為所述檢測光的傳感元件陣列(10)配設閃爍體元件陣列(9)。
22.按照權利要求12至18之一所述的方法，其中，為所述集成電路(11)配設一個直接轉換X射線的傳感元件陣列(14)作為傳感器，其中，該直接轉換X射線的傳感元件陣列(14)與所述集成電路(11)電連接以及與該集成電路(11)的半導體材料導熱連接。
全文摘要
本發明涉及一種集成在半導體材料內具有溫度調節作用的集成電路(11)和一種調節含有集成電路(11)的半導體材料溫度的方法。該集成電路(11)包括有源部件(18至21)、溫度傳感器(16)和調節半導體材料溫度的電路(17)，其中，調節溫度的電路(17)可以這樣的方式影響有源部件(18至21)的工作，即，能夠有針對性地改變半導體材料的溫度。
文檔編號G01T1/24GK1988153SQ20061016697
公開日2007年6月27日 申請日期2006年12月15日 優先權日2005年12月21日
發明者比約恩·海斯曼, 赫爾穆特·溫克爾曼 申請人:西門子公司