專利名稱：用于位置檢測的光接收元件與具有其的傳感器和電子設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種光接收元件，更具體而言，涉及一種用于位置檢測的光接收元件以及具有所述光接收元件的傳感器和電子設備。
背景技術：
用于位置檢測的光接收元件用于傳感器等，其基于光接收元件中光的入射位置等檢測反射光的待測物體等的位置。
例如，日本專利公開No.59-056774(專利文獻1)公開了一種具有如下所述的光接收元件的位置檢測器件。更具體地說，在一種位置檢測器件中，在該器件中在具有某一導電類型的半導體襯底的表面上提供了具有相反導電類型的電阻層，并且通過所述電阻層劃分由進入所述電阻層的微粒射線等產生的轉換電流并由多個電極提取所述轉換電流，以檢測微粒射線等的入射位置，由形成為圓弧的四根電阻線包圍所述電阻層，從而獲得位于正方形或矩形的每個角處的電阻線的連接點，提供了一種從所述電阻線的連接點提取電流的運算電路，其對所提取的電流進行運算以獲得與微粒射線等的入射位置相關的輸出，并且給出了電阻層的薄層電阻率和形成為圓弧的電阻線之間的預定關系。
此外，日本專利公開No.61-108930(專利文獻2)公開了一種具有如下所述的光接收元件的位置檢測器件。更具體地說，在一種位置檢測器件中，在該器件中在具有第一導電類型的半導體襯底上形成具有第二導電類型的電阻層，并且由設置于所述電阻層的外圍的多個電極分割性地輸出由進入所述半導體襯底的微粒射線等產生的電流，使所述微粒射線等從所述半導體襯底的與在其上形成了具有第二導電類型電阻層的表面相反的一側進入，在對應于入射表面的半導體襯底的表面上形成厚度足夠小、濃度高的第一導電類型層，所述電阻層被配置以由形成為圓弧的四根電阻線包圍，從而使得電阻線的連接點位于正方形或矩形的每個角處，以便從所述電阻線的連接點提取電流，并且給出了電阻層的薄層電阻率和形成為圓弧的電阻線之間的預定關系。
然而，在專利文獻1和專利文獻2公開的具有光接收元件的位置檢測器件中，為了提高光接收元件中表示光的入射位置等的位置信號的S/N(信噪比)比，也就是說，為了提高由光的入射位置差異引起的輸出電流差異，應當形成薄層電阻率極高的電阻層。這是因為當薄層電阻率低時，電阻層的每一區域內的薄層電阻率的變化顯著影響了輸出電流，因而難以實現精確的位置檢測。此外，為了提高位置信號的S/N比率，應當形成在半導體襯底的整個區域內薄層電阻率高度均勻的電阻層。
就制造工藝而言，難以形成薄層電阻率極高的電阻層，也難以使薄層電阻率在半導體襯底的整個區域內都是均勻的。此外，盡管為了提高薄層電阻率，應當降低電阻層的雜質濃度，但是，電阻層的雜質濃度的降低將導致易受制造工藝中產生的表面電荷以及根據使用環境而產生的表面電荷的影響。因此，薄層電阻率變化導致特性變化，也就是說，由溫度和遷移率高的離子等引起的薄層電阻率變化。因此，就制造工藝而言，專利文獻1和專利文獻2公開的具有光接收元件的位置檢測器件具有難以提高位置信號的S/N比率的缺陷。
發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠提高位置信號的S/N比率并簡化制造工藝的光接收元件以及具有這樣的光接收元件的傳感器和電子設備。
根據本發明的一個方面的光接收元件包括多個按矩陣排列的光接收單元，每一所述光接收單元將入射光轉換為電信號，并且具有極性彼此不同的第一和第二電極；第一到第四輸出端子；包括多個電阻器的第一電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的第一列的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第一輸出端子；包括多個電阻器的第二電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的最后一列的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第二輸出端子；包括多個電阻器的第三電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的第一行的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第三輸出端子；包括多個電阻器的第四電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的最后一行的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第四輸出端子；以及包括多個電阻器的第五電阻單元，所述多個電阻器連接所述光接收單元的矩陣中彼此相鄰的所述光接收單元的所述第一電極，其中將按矩陣排列的所述多個光接收單元的所述第二電極連接到公共電勢。
優選地，所述按矩陣排列的多個光接收單元具有面積基本相同的光接收表面。
優選地，所述按矩陣排列的多個光接收單元中的至少一個具有面積與其他所述光接收單元的光接收表面不同的光接收表面。
優選地，所述光接收單元的光接收表面的面積沿從所述光接收單元的矩陣的第一行到最后一行的方向、或沿從第一列到最后一列的方向逐漸增大或減小。
優選地，每一電阻器具有基本相同的電阻值。
優選地，連接至所述按矩陣排列的多個光接收單元中至少一個所述光接收單元的所述第一電極的所述電阻器具有與其他所述電阻器的電阻值不同的電阻值。
優選地，所述電阻器的電阻值沿從所述光接收單元的矩陣的第一行到最后一行的方向、或沿從第一列到最后一列的方向逐漸增大或減小。
優選地，通過在具有第一導電類型的半導體層的光接收表面一側上分割性地(divisionally)形成具有第二導電類型的半導體層，形成所述按矩陣排列的多個光接收單元。
更優選地，所述具有第一導電類型的半導體層的電阻率不小于200Ωcm且小于8000Ωcm。
更優選地，在所述具有第一導電類型的半導體層的光接收表面上形成電絕緣層，在所述電絕緣層上對應于彼此相鄰的所述光接收單元之間的間隔的區域內形成每一所述電阻器。
更優選地，形成于所述彼此相鄰的光接收單元之間的區域內的每一所述電阻器由多晶硅構成。
更優選地，在所述具有第一導電類型的半導體層的光接收表面上形成電絕緣層，在所述電絕緣層上對應于彼此相鄰的所述光接收單元之間的間隔的區域內形成互連。
根據本發明的一個方面的傳感器包括所述的根據本發明的一個方面的光接收元件。
根據本發明的一個方面的電子設備包括所述的根據本發明的一個方面的傳感器。
根據本發明，能夠實現對位置信號S/N比率的提高以及對制造工藝的簡化。
通過下文中結合附圖對本發明的詳細說明，本發明的上述和其他目的、特征、方面和優點將變得更加顯見。
圖1是顯示從光接收表面一側觀察的根據本發明實施例的光接收元件的結構的平面圖。
圖2是顯示本發明的實施例的光接收元件的等效電路圖。
圖3是顯示從光接收元件的光接收表面一側觀察的光接收單元(lightreceiving cell)PDjk的附近的放大圖。
圖4是顯示沿圖3中的IV-IV線得到的截面的截面圖。
圖5是顯示沿圖3中的V-V線得到的截面的截面圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖描述本發明的實施例。
圖1是顯示從光接收表面一側觀察的根據本發明實施例的光接收元件的結構的平面圖。圖2是根據本發明的實施例的光接收元件的等效電路圖。
參考圖1和圖2，光接收元件200包括數量為m×n(m和n是不小于2的自然數)的光接收單元PD、輸出端子(第一到第四輸出端子)4到7、電阻單元(resistance unit)(第一到第五電阻單元)3a到3e以及陰極電極8。
光接收單元PD具有極性不同的兩個電極，即陽極(電極)和陰極(電極)，并將入射光轉換為電信號。按矩陣排列數量為m×n的光接收單元PD，以形成m行×n列的矩陣100。在下述說明中，將矩陣100的行方向稱為X軸方向，將列方向稱為Y軸方向。
電阻單元3a包括多個電阻器，每一電阻器的一端連接至對應于矩陣100的第一列的光接收單元PD11到PDm1的陽極，另一端連接至輸出端子4。
電阻單元3b包括多個電阻器，每一電阻器的一端連接至對應于矩陣100的第n列的光接收單元PD1n到PDmn的陽極，另一端連接至輸出端子5。
電阻單元3c包括多個電阻器，每一電阻器的一端連接至對應于矩陣100的第一行的光接收單元PD11到PD1n的陽極，另一端連接至輸出端子6。
電阻單元3d包括多個電阻器，每一電阻器的一端連接至對應于矩陣100的第m行的光接收單元PDm1到PDmn的陽極，另一端連接至輸出端子7。
電阻單元3e包括多個電阻器，其電連接矩陣100中彼此相鄰的光接收單元PD的陽極。
在下文中，又將包含在電阻單元3a到3e中的電阻器稱為電阻器3。
在矩陣100中，每一光接收單元PD的陰極電極8是共用的，即，每一光接收單元PD的陰極連接至公共電勢。
通過把輸出端子4到7接地，并向陰極電極8施加正電勢，跨越光接收單元PD的P-N結施加反向偏壓。這樣的布置防止了由光接收元件的V-I(電壓-電流)特性和阻抗分量導致的能夠由輸出端子4到7提取的輸出電流的降低。而且還防止了輸出電流對光的入射的響應延遲。還可以防止串擾的增大，在下文中將對其予以說明。
輸出端子4到7的電勢不局限于地電勢，例如，可以向輸出端子4到7施加1V，向陰極電極8施加5V。
圖3是顯示從光接收元件的光接收表面一側觀察的光接收單元PDjk(j是滿足j≤m的自然數，k是滿足k≤n的自然數)的附近的放大圖。圖4是顯示沿圖3中的IV-IV線得到的截面的截面圖。圖5是顯示沿圖3中的V-V線得到的截面的截面圖。
在N型襯底1的光接收表面一側(第一導電類型的半導體層)上，通過分割性地形成P型擴散層2(第二導電類型的半導體層)而形成每一光接收單元PD。這樣的結構實現了形成作為一個芯片的光接收元件，從而實現了光接收元件的尺寸下降。
在光接收單元PD中，P型擴散層2起著陽極層的作用，N型襯底1起著陰極層的作用。在N型襯底1的背面上，設置陰極層8。
將具有高電阻率，即大于等于200Ωcm小于8000Ωcm的電阻層用作N型襯底1。這一使用的原因在于通過向光接收單元PD施加反向偏壓，在耗盡層12中產生更多的光載流子，由此充分擴展耗盡層12，進而降低光接收單元PD之間的串擾。對于起著N型襯底或P型襯底作用的半導體襯底而言，大體上需要小于8000Ωcm的電阻率。在電阻率大于等于200Ωcm時，可以通過公共反向偏壓充分擴展耗盡層12，大于等于500Ωcm的電阻率更為優選。
這里，當在N型襯底1中產生光載流子時，由于在N型襯底1中不存在電場，因此，所產生的光載流子將擴散，即基本上分散。例如，在光進入光接收單元PDjk，從而直接在圖3中的PDjk下產生光載流子時，所產生的光載流子的一部分將被帶到位于外圍的光接收單元PDj+1k中。那么，電流還流入了沒有光進入的光接收單元PDj+1k中，即產生了串擾。
此外，就大波長而言，光的行進長度大，因而從襯底表面(光接收表面)到朝向背面的深入N型襯底1的位置都將產生光載流子。此外，P-N結的反向偏壓變得越高，耗盡層在N型襯底1中從襯底表面向背面擴展得越深。此外，電阻層的電阻率變得越高，耗盡層就越易于擴散。因此，在根據本發明的實施例的光接收單元中，具有高電阻率的電阻層的使用抑制了光載流子在耗盡層12之外產生，從而在不增大P-N結的反向偏壓、以及不限制光的最大波長的情況下防止了串擾的增大。此外，由于沒有必要增大反向偏壓，因此能夠實現被施加反向偏壓的電路的結構的簡化以及功耗的降低。
在N型襯底1的光接收表面上形成氧化膜(電絕緣層)11，在氧化膜11上與光接收單元PD之間的間隔對應的區域內形成每一電阻器3。這樣的結構能夠使電阻器3被有效地設置在N型襯底1的空閑區域內，由此實現了光接收元件的尺寸下降。
此外，每一電阻器3由多晶硅形成。于是，采用具有高電阻率的多晶硅作為電阻器3實現了由光入射位置差異引起的輸出電流差異的增大，從而增大了位置信號的S/N比率。
還提供了電連接光接收單元PD、電阻器3和輸出端子4到7的金屬互連9。金屬互連9電連接位于氧化膜11上與光接收單元PD之間的間隔對應的區域內的電阻器3。這樣的結構能夠使金屬互連9被有效地設置在N型襯底1的空閑區域內，由此實現了光接收元件的尺寸下降。
接下來，將說明當光進入根據本發明的實施例的光接收元件時所執行的操作。
再一次參考圖2，當光進入某一光接收單元PD時，通過光接收單元PD的P-N結分開所激發的光載流子，使得空穴從陽極層通過電阻器3流入輸出端子4到7。更具體地說，耗盡層12中的原子對光能的接收引起了電子空穴對的產生，使得空穴進入P型擴散層2，電子進入N型襯底1。這時，通過由每一電阻器3形成的電阻網絡將所激發的空穴分配給輸出端子4到7。
這里假設以I4表示流入輸出端子4的電流，以I5表示流入輸出端子5的電流，以I6表示流入輸出端子6的電流，以I7表示流入輸出端子7的電流，以下述表達式表示代表光接收單元PD位置的位置信號(X，Y)，光沿矩陣100上的X軸方向和Y軸方向進入所述光接收單元PDX＝(I5-I4)/(I5+I4)(1)Y＝(I6-I7)/(I6+I7)(2)這里，將考慮在不具有電阻單元3e的情況下配置的光接收元件能否達到本發明的目的。就這樣的結構而言，由于當光進入矩陣100的邊緣部分，即對應于第一行、第m行、第一列和第n列的光接收單元PD時，從光接收單元PD輸出的電流在不經過電阻器3的情況下全部流入所連接的輸出端子，因此不能檢測出光進入的光接收單元的位置，因而無法達到本發明的目的。
接下來，將說明根據本發明的實施例的光接收元件制造工藝。
再次參考圖4和圖5，通過N型襯底1的初始氧化在N型襯底1的表面(光接收表面)上形成氧化膜11，并對所形成的氧化膜11有選擇地蝕刻。之后，通過向受到蝕刻的部分進行離子注入，將諸如硼的P型雜質有選擇地注入到N型襯底1的表面內，此后，通過熱處理形成P型擴散層2。
P型擴散層2上的氧化膜11是在通過熱處理形成擴散層2時生長的熱氧化膜。此外，位于P型擴散層2之外的其他部分上的氧化膜11是在初始氧化下生長的熱氧化膜。
接下來，通過LPCVD(低壓化學氣相淀積)在N型襯底1的氧化膜11上生長多晶硅。之后，通過離子注入或熱擴散使諸如磷的N型雜質擴散到多晶硅中，以調整多晶硅使其具有預定電阻值。有選擇地蝕刻電阻值經過了調整的多晶硅，從而在N型襯底1的氧化膜11上形成每一電阻器3。
接下來，有選擇地蝕刻氧化膜11，以形成開口10，并采用諸如鋁的電極材料涂覆所述開口，對所述電極材料構圖以形成金屬互連9和輸出端子4到7。最后，采用電極材料涂覆N型襯底1的背面以形成陰極電極8。
在N型襯底1的表面上除了開口10的其他區域內形成氧化膜11。
此外，在根據本發明的實施例的光接收單元中，每一光接收單元PD的光接收表面一側的面積基本相同。這樣的結構有助于光接收元件的制造，以降低制造成本。
不僅其中每一光接收單元PD的光接收表面一側的面積基本相同的結構是可能的，而且其中各光接收單元PD中的至少一個具有與其他光接收單元PD不同的光接收表面面積的結構也是可能的。就這樣的結構而言，即使在采用了用于位置檢測的光接收元件的光學系統的結構的影響下，產生了在其中相對于待測目標的位置變化而言光接收元件上的入射光位置變化極小的部分時，也能夠通過調整每一光接收單元PD的面積而糾正位置信號，進而實現精確的位置檢測。
此外，這樣的結構也是有可能的其中，光接收單元PD的光接收表面的面積沿從光接收單元PD的矩陣的第一行到最后一行的方向，或沿從第一列到最后一列的方向逐漸增大或減小。憑借這樣的結構，有可能處理位置信號要求線性度的情況。
此外，在根據本發明的實施例的光接收單元中，每一電阻器3的電阻值是相同的。這樣的結構有助于光接收元件的制造，以降低制造成本。
不僅其中每一電阻器3的電阻值是相同的結構是可能的，而且，其中連接至各個光接收單元PD中的至少一個光接收單元PD的陽極的電阻器3具有與其他電阻器3不同的電阻值的結構也是可能的。就這樣的結構而言，即使在采用了位置檢測元件的光學系統的結構的影響下，產生了在其中相對于待測目標的位置變化而言光接收元件上的入射光位置變化極小的部分時，也能夠通過調整電阻器3的電阻值而糾正位置信號，進而實現精確的位置檢測。
此外，這樣的結構也是有可能的其中，電阻器3的電阻值沿從光接收單元PD的矩陣的第一行到最后一行的方向，或沿從第一列到最后一列的方向逐漸增大或減小。就這樣的結構而言，有可能處理位置信號要求線性度的情況。
但是，就制造工藝而言，專利文獻1和專利文獻2公開的具有光接收元件的位置檢測器件具有難以提高位置信號S/N比的缺陷。反之，根據本發明的實施例的光接收元件包括多個按矩陣排列的光接收單元PD。這時，各電阻單元3a到3d的電阻器電連接各光接收單元PD的陽極和對應于矩陣的外圍裝置的輸出端子4到7。電阻單元3e的每一電阻器電連接彼此相鄰的光接收單元PD的陽極。當光進入光接收單元PD時，通過由每一電阻器3形成的電阻網絡將所激發的光載流子分配給輸出端子4到7。這時，基于流入每一輸出端子的電流值，獲得位置信號(X，Y)，其代表具有處于矩陣100的X軸方向和Y軸方向的入射光的光接收元件PD的位置。這樣的結構實現了對位置信號的S/N比的提高，所述結構借助了形成電阻值高并且在N型襯底1上均勻的電阻器3的簡單制造工藝，而不是像在專利文獻1和專利文獻2所公開光接收元件中那樣，形成薄層電阻率極高的電阻層，以及形成薄層電阻率在半導體襯底的整個區域內極為均勻的電阻層，來提高位置信號的S/N比。因此，根據本發明的實施例的光接收元件實現了對位置信號的S/N比的提高，以及使制造工藝變得更為方便。
盡管根據本發明的實施例的光接收元件被構造為在N型襯底1的光接收表面一側上分割性地形成P型擴散層2，以形成每一光接收單元PD，但是，不限于該結構。可以通過在P型襯底的光接收表面一側上形成N型擴散層分割性地形成每一光接收單元PD。在這種情況下，可以反轉施加到光接收單元PD上的反向偏壓的方向。于是，在光進入某一光接收單元PD時，通過光接收單元PD的P-N結分開所激發的光載流子，使得電子進入N型擴散層，空穴進入P型襯底。這時，通過由每一電阻器3形成的電阻網絡將所激發的電子分配給輸出端子4到7。
此外，盡管根據本發明的實施例的光接收元件被構造為其中在N型襯底1上形成光接收單元PD等的單個芯片，但是并不限于該結構。還可以通過這樣的結構達到本發明的目的其中，采用二極管等作為光接收單元PD，并且采用分立零件等作為電阻器3，從而通過跨接線(strap line)連接相應的光接收單元PD和電阻器3。
此外，根據本發明的實施例的光接收元件適于用作(具體而言)諸如測量傳感器、寬角度傳感器和紙張大小傳感器的傳感器。其更適于用作諸如西式馬桶座、自動清潔器、復印機以及各種自動儀的電子設備中的傳感器。
此外，由于根據本發明的實施例的光接收元件被構造為包括m×n個光接收單元PD、輸出端子4到7、電阻單元3a到3e和陰極電極8，因此，能夠提供結構極為簡單的光接收元件。還可以簡化具有該光接收元件的傳感器的結構和具有所述傳感器的電子設備的結構。
雖然已經對本發明進行了詳細描述和圖示，但是應當明確地理解，所述描述和圖示只是為了圖解和示例，而不是為了進行限定，本發明的精神和范圍僅由權利要求限定。
本申請以2005年9月9日在日本專利局提交的日本專利申請No.2005-261965為基礎，在此將其全文引入以供參考。
權利要求
1.一種光接收元件，包括多個按矩陣排列的光接收單元，每一所述光接收單元將入射光轉換為電信號，并且具有極性彼此不同的第一和第二電極；第一到第四輸出端子；包括多個電阻器的第一電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的第一列的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第一輸出端子；包括多個電阻器的第二電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的最后一列的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第二輸出端子；包括多個電阻器的第三電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的第一行的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第三輸出端子；包括多個電阻器的第四電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的最后一行的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第四輸出端子；以及包括多個電阻器的第五電阻單元，所述多個電阻器連接所述光接收單元的矩陣中彼此相鄰的所述光接收單元的所述第一電極，其中將所述按矩陣排列的多個光接收單元的所述第二電極連接到公共電勢。
2.根據權利要求1所述的光接收元件，其中，所述按矩陣排列的多個光接收單元具有面積基本相同的光接收表面。
3.根據權利要求1所述的光接收元件，其中，所述按矩陣排列的多個光接收單元中的至少一個具有面積與其他所述光接收單元的光接收表面不同的光接收表面。
4.根據權利要求1所述的光接收元件，其中，所述光接收單元的光接收表面的面積沿從所述光接收單元的矩陣的第一行到最后一行的方向，或沿從第一列到最后一列的方向逐漸增大或減小。
5.根據權利要求1所述的光接收元件，其中，每一所述電阻器具有基本相同的電阻值。
6.根據權利要求1所述的光接收元件，其中，連接至所述按矩陣排列的多個光接收單元中至少一個所述光接收單元的所述第一電極的所述電阻器具有與其他所述電阻器的電阻值不同的電阻值。
7.根據權利要求1所述的光接收元件，其中，所述電阻器的電阻值沿從所述光接收單元PD的矩陣的第一行到最后一行的方向，或沿從第一列到最后一列的方向逐漸增大或減小。
8.根據權利要求1所述的光接收元件，其中，通過在具有第一導電類型的半導體層的光接收表面一側上分割性地形成具有第二導電類型的半導體層，形成所述按矩陣排列的多個光接收單元。
9.根據權利要求8所述的光接收元件，其中，所述具有第一導電類型的半導體層的電阻率大于等于200Ωcm小于8000Ωcm。
10.根據權利要求8所述的光接收元件，其中，在所述具有第一導電類型的半導體層的光接收表面上形成電絕緣層，在所述電絕緣層上對應于所述彼此相鄰的光接收單元之間的間隔的區域內形成每一所述電阻器。
11.根據權利要求10所述的光接收元件，其中，形成于所述彼此相鄰的光接收單元之間的區域內的每一所述電阻器由多晶硅構成。
12.根據權利要求8所述的光接收元件，其中，在所述具有第一導電類型的半導體層的光接收表面上形成電絕緣層，在所述電絕緣層上對應于彼此相鄰的所述光接收單元之間的間隔的區域內形成互連。
13.一種具有光接收元件的傳感器，其中，所述光接收元件包括多個按矩陣排列的光接收單元，每一所述光接收單元將入射光轉換為電信號，并且具有極性彼此不同的第一和第二電極；第一到第四輸出端子；包括多個電阻器的第一電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的第一列的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第一輸出端子；包括多個電阻器的第二電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的最后一列的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第二輸出端子；包括多個電阻器的第三電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的第一行的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第三輸出端子；包括多個電阻器的第四電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的最后一行的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第四輸出端子；以及包括多個電阻器的第五電阻單元，所述多個電阻器連接所述光接收單元的矩陣中彼此相鄰的所述光接收單元的所述第一電極，其中將按矩陣排列的所述多個光接收單元的所述第二電極連接到公共電勢。
14.一種包括具有光接收元件的傳感器的電子設備，其中，所述光接收元件包括多個按矩陣排列的光接收單元，每一所述光接收單元將入射光轉換為電信號，并且具有極性彼此不同的第一和第二電極；第一到第四輸出端子；包括多個電阻器的第一電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的第一列的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第一輸出端子；包括多個電阻器的第二電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的最后一列的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第二輸出端子；包括多個電阻器的第三電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的第一行的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第三輸出端子；包括多個電阻器的第四電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的最后一行的所述光接收單元的所述第一電極，另一端連接至所述第四輸出端子；以及包括多個電阻器的第五電阻單元，所述多個電阻器連接所述光接收單元的矩陣中彼此相鄰的所述光接收單元的所述第一電極，其中將按矩陣排列的所述多個光接收單元的所述第二電極連接到公共電勢。
全文摘要
本發明公開了一種用于位置檢測的光接收元件與具有其的傳感器和電子設備。所述光接收元件包括多個按矩陣排列的光接收單元，每一光接收單元將入射光轉換為電信號，并且具有極性彼此不同的陽極電極和陰極電極；第一到第四輸出端子；包括多個電阻器的第一到第四電阻單元，每一所述電阻器的一端連接至對應于所述光接收單元的矩陣中的第一列、最后一列、第一行和最后一行的所述光接收單元的所述陽極，另一端連接至所述第一到第四輸出端子；以及包括多個電阻器的第五電阻單元，所述多個電阻器連接彼此相鄰的光接收單元的陽極電極，其中，在矩陣中，將各光接收單元的陰極電極連接到公共電勢。
文檔編號G01T1/24GK1928517SQ20061015154
公開日2007年3月14日 申請日期2006年9月11日 優先權日2005年9月9日
發明者小山順一郎 申請人:夏普株式會社