專利名稱：片狀探測器及其制造方法和應用的制作方法
技術領域：
本發明涉及片狀探測器及其制造方法和應用，該片狀探測器作為探測器裝置，用于在集成電路等電路的電檢查中，對電路進行電連接。
背景技術：
例如，對具有多個集成電路的晶片和半導體元件等電子部件等的電路裝置進行電檢查時，使用具有檢查電極的檢查用探測器，上述檢查電極的圖案是與被檢查電路裝置的被檢查電極圖案對應的。
上述檢查用探測器中，檢查電極由銷或刀片構成。
但是，被檢查電路裝置是具有多個集成電路的晶片時，制作檢查晶片的檢查用探測器時，需要排列多個檢查電極，因此檢查用探測器的成本就高，而且，被檢查電極的螺距較小時，檢查用探測器在制造上很困難。
而且，晶片上一般會發生彎曲，由于每個產品(晶片)的彎曲狀態不同，所以檢查用探測器的各檢查電極難以穩定、準確地與晶片上的多個被檢查電極接觸。
鑒于上述原因，近幾年有發明提出了一種對晶片上的集成電路進行檢查的檢查用探測器，具有檢測用電路基板，該檢測用電路基板的一面上形成多個與被檢查電極圖案對應的檢查電極；各向異性導電片，設置在該檢查用電路基板的這一面上；設置在上述各向異性導電片上的片狀探測器，其上排列了多個電極結構體，上述電極結構體都貫穿柔軟絕緣片的厚度方向。(例如參照專利文獻1)圖39表示以往由檢查用電路基板85、各向異性導電片80及片狀探測器90構成的探測卡的一例的說明用剖面圖。
該探測卡中，設置了檢查用電路基板85，該檢查用電路基板85的一面上具有多個與被檢查電路裝置的被檢查電極圖案對應的檢查電極86，該檢查用電路基板85的這一面通過各向異性導電片80，設置了片狀探測器90。
各向異性導電片80只沿厚度方向具有導電性，或者具有加壓導電性導電部，沿厚度方向加壓時，其厚度方向才有導電性，上述各向異性導電片有多種結構，例如專利文獻2等所公開的各向異性導電片(以下稱為“分散型各向異性導電片”)，將金屬粒子均勻分散在合成橡膠中得到。
另外，專利文獻3等公開了一種各向異性導電片(以下稱為“不均型各向異性導電片”)，在合成橡膠中不均勻地分布了導電性磁體粒子，由此形成貫穿厚度方向的多個導電部和使之互相絕緣的絕緣部，而專利文獻4中還公開了一種不均型各向異性導電片，其導電部的表面與絕緣部之間有高度差。
片狀探測器90具有如樹脂構成的柔軟的絕緣片91，貫穿該絕緣片91厚度方向的多個電極結構體95的與被檢查電路裝置的被檢查電極圖案對應。
上述各電極結構體95中，從絕緣片91表面露出的突起狀表面電極部96和從絕緣片91的背面露出的片狀背面電極部97，由貫穿絕緣片91厚度方向的短路部98，連接為一體。
上述片狀探測器90一般由以下方法來制造。
首先，如圖40(a)所示，準備絕緣片91的一面上形成了金屬層92的層疊體90A，如圖40(b)所示，在絕緣片91上形成貫穿其厚度方向的貫穿孔98H。
然后，如圖40(c)所示，在絕緣片91的金屬層92上形成抗蝕膜93后，將金屬層92作為共同電極，實施電解鍍敷處理，在絕緣片91的貫穿孔98H內部填充金屬堆積體，形成與金屬層92連接為一體的短路部98，同時在絕緣片91的表面上形成與短路部98連接為一體的突起狀表面電極部96。
接著，從金屬層92上除去抗蝕膜93，如圖40(d)所示，在包含表面電極部96的絕緣片91的表面形成抗蝕膜94A，同時在金屬層92上，與將形成的背面電極部的圖案對應，形成抗蝕膜94B，對金屬層92實施蝕刻處理，如圖40(e)所示，除去金屬層92中露出的部分，形成背面電極部97，由此，形成電極結構體95。
然后除去絕緣片91和表面電極部96上形成的抗蝕膜94A，同時除去背面電極部97上形成的抗蝕膜93，由此得到片狀探測器90。
上述檢查用探測器中，在被檢查電路裝置上，例如在晶片表面上，將片狀探測器90中電極結構體95的表面電極部96放置在晶片的被檢查電極上。
然后，在此狀態下，用檢查用探測器來壓晶片，由此，各向異性導電片80被片狀探測器90中的電極結構體95的背面電極部97壓住。
由此，各向異性導電片80中，背面電極部97與檢查用電路基板85的檢查電極86沿厚度方向形成導電通路，結果，晶片的被檢查電極與檢查用電路基板85的檢查電極86之間，實現了電連接。
接著在此狀態下，對晶片進行所需的電檢查。
然后，用上述檢查用探測器，晶片被檢查用探測器壓住時，根據晶片的彎曲程度，各向異性導電片80發生變形，因此，對晶片中的多個被檢查電極，能夠實現良好且準確地電連接。
但是，上述檢查用探測器中，具有以下問題。
上述片狀探測器90的制造方法中，形成短路部98和表面電極部96的工序中，由電解鍍敷使鍍敷層均勻層疊，因此，如圖41所示，得到的表面電極部96中，從表面電極部96的周邊到短路部98周邊的距離W與表面電極部96的突出高度h相同。
因此，得到的表面電極部96的直徑R比突出高度h的2倍還要大。
所以，被檢查電路裝置中的被檢查電極以極小的螺距設置時，難以充分保證相鄰電極結構體95之間的距離，其結果，在得到的片狀探測器90中，絕緣片91失去柔軟性，不能對被檢查電路裝置進行穩定的電連接。
實際上，電解鍍敷處理中，對整個金屬層92提供電流密度分布均勻的電流是很困難的，當該電流密度分布不均時，絕緣片91的各貫穿孔98H的鍍敷層的層疊速度不同，因此，形成的表面電極部96的突出高度h和從表面電極部96周邊到短路部98周邊的距離W、即直徑R會有很大偏差。
表面電極部96的突出高度H有很大偏差時，難以對被檢查電路裝置進行穩定的電連接，而表面電極部96的直徑有很大偏差時，相鄰的表面電極部96之間可能會短路。
上述說明中，可以減小表面電極部96的突出高度h，而減小得到的表面電極部96直徑，可以減小短路部98的直徑(剖面形狀不是圓形時，為最短的長度)r，即減小絕緣片91的貫穿孔98H的直徑，但是減小突出高度h后得到的片狀探測器，難以對被檢查電極實現穩定的電連接。
另外，減小短路部98的直徑r，難以用電解鍍敷處理形成短路部98和表面電極部96。
為了解決上述問題，專利文獻5和專利文獻6中分別提出設置了多個電極結構體的片狀探測器，上述電極結構體具有從底端到頂端直徑變小的錐形表面電極部。
專利文獻5中所記載的片狀探測器由下述方法制造。
如圖42(a)所示，準備層疊體90B，層疊體90B中，在絕緣片91表面形成抗蝕膜93A和表面側金屬層92A，在絕緣片91的背面層疊背面側金屬層92B。
然后如圖42(b)所示，形成貫穿孔，使該層疊體90B的背面側金屬層92B、絕緣片91和抗蝕膜93A沿厚度方向連通。
由此，在層疊體90B背面上形成電極結構體形成用凹處90K，為錐形，適合將形成的電極結構體的短路部和表面電極部。
接著，如圖42(c)所示，將該層疊體90B中的表面側金屬層92A作為電極進行鍍敷處理，由此，在電極結構體形成用凹處90K中填充金屬，形成表面電極部96和短路部98。
然后對該層疊體中的背面側金屬層92B進行蝕刻處理，除去其中一部分，如圖42(d)所示，形成背面電極部97，由此，得到片狀探測器90。
另外，專利文獻6中記載的片狀探測器由下述方法制造。
如圖43(a)所示，準備層疊體90C，該層疊體90C中，絕緣片材91A比將形成的片狀探測器中的絕緣片厚，在該絕緣片材91A的表面形成表面側金屬層92A，在絕緣片材91A的背面層疊背面側金屬層92B。
然后如圖43(b)所示，形成貫穿孔，使該層疊體90C的背面側金屬層92B和絕緣片材91A沿厚度方向連通，由此，在層疊體90C背面上形成電極結構體形成用凹處90K，為錐形，適合將形成的電極結構體的短路部和表面電極部。
接著，將該層疊體90C中的表面側金屬層92A作為電極進行鍍敷處理，由此，如圖43(c)所示，在電極結構體形成用凹處90K中填充金屬，形成表面電極部96和短路部98。
然后除去該層疊體90C中的表面側金屬層92A，同時對絕緣片材91A進行蝕刻處理，除去絕緣片的表面側部分，由此，如圖43(d)所示，形成所需厚度的絕緣片材91，同時露出表面電極部96。
接著，對背面側金屬層92B進行蝕刻處理，形成背面電極部97，得到圖43(e)所示的片狀探測器90。
上述片狀探測器90中，表面電極部96為錐形，所以能夠確保相鄰電極結構體中的、直徑小且突出高度高的表面電極部96之間的距離，同時，由于電極結構體95的各表面電極部96中，形成在層疊體上的電極結構體形成用凹處90K是以空腔的形式形成的，所以能夠得到表面電極部96的突出高度偏差小的電極結構體95。
但是，上述片狀探測器中，電極結構體中的表面電極部的直徑小于等于短路部的直徑，即形成在絕緣片上的貫穿孔的直徑，所以電極結構體從絕緣片的背面脫落，片狀探測器在實際應用上會很困難。
為了解決該問題，提出了如專利文獻7所示的片狀探測器，直徑小的錐形電極結構體中，表面電極部側具有保持部，防止電極結構體從絕緣片的背面脫落。
專利文獻7中記載的片狀探測器由以下的方法制造。
如圖44(a)所示，準備層疊材料132，有表面側金屬層122、絕緣片124、第1背面側金屬層126、絕緣層128、第2背面側金屬層130這5層。
如圖44(b)所示，該層疊體132的第2背面側金屬層130上設置了開口部134，通過該開口部134對絕緣層128進行蝕刻，在絕緣層128上設置貫穿孔136。
接著，對絕緣層128的貫穿孔底部露出的第1背面側金屬層126進行蝕刻，使絕緣片124從該貫穿孔136的底部露出來。
然后，通過第1背面側金屬層126的貫穿孔136對絕緣片124進行蝕刻，使表面側金屬層122從貫穿孔136的背面露出來。
通過對金屬層和樹脂層(絕緣層128、絕緣片124)交替進行蝕刻，形成貫穿孔138，使第2背面側金屬層130、絕緣層128、第1背面側金屬層126、絕緣片124沿厚度方向互相連通，在層疊體132背面上形成電極結構體形成用凹處90K，為錐形，適合將形成的電極結構體的短路部和表面電極部。
接著，將該層疊體132中的表面側金屬層122作為電極進行鍍敷處理，由此，如圖44(c)所示，在電極結構體形成用凹處90K中填充金屬，形成表面電極部96和短路部98。
然后除去該層疊體132中的表面側金屬層122，同時對絕緣片124進行蝕刻處理，除去絕緣片124，露出第1背面側金屬層126[圖44(d)]。
接著，對第1背面側金屬層126進行蝕刻處理，形成保持部，對第1背面側金屬層126進行蝕刻處理，除去其中一部分，由此形成背面電極部97和支撐部，得到圖44(e)所示的片狀探測器90。
但是，由該制造方法得到的片狀探測器中，層疊體90C的背面形成了電極結構體形成用凹處90K，為錐形，適合將形成的電極結構體的短路部和表面電極部，所以電極結構體形成用凹處的頂端直徑92T小于層疊體90C背面上形成的開口部92H的直徑。
專利文獻7的片狀探測器的制作工序中，在聚酰亞胺等的絕緣層上形成貫穿孔，用于形成電極結構體。
該貫穿孔如圖45所示，在第2背面側金屬層130的一面上形成光刻膠膜140的圖案，該圖案是在形成貫穿孔的部分上有開口140a的圖案，將整個片浸漬在蝕刻液中進行蝕刻，能夠在聚酰亞胺構成的絕緣層128、絕緣片124上形成貫穿孔。
通過該方法，形成貫穿孔142a，使層疊在絕緣片124上的表面側金屬層122從背面露出，將該表面側金屬層122作為共同電極進行電解鍍敷，形成電極結構體。
但是，對聚酰亞胺構成的絕緣層128、絕緣片124進行蝕刻從而形成貫穿孔時，如圖45所示，貫穿孔142a為錐形，從外到里，直徑逐漸變小。
因此，使用膜厚較厚的聚酰亞胺膜時，在到達表面側金屬層122前，孔就消失了，不能形成貫穿孔142a。
即，像以往這樣，對聚酰亞胺的絕緣層進行蝕刻加工，形成用于形成電極結構體的貫穿孔時，由光刻膠膜140覆蓋其表面的絕緣層128的膜厚t1和絕緣層128的膜厚t2變厚，與表面側金屬層122之間就不能形成貫穿孔142a。
即，蝕刻處理中蝕刻處理角度θ根據加工條件的不同而不同，一般為45°～55°。
因此，絕緣片124與絕緣層128的膜厚t1與t2的總膜厚，如果大于孔徑1的1/2左右，就不能在絕緣層上準確形成貫穿孔142a。
因此，為了準確形成貫穿孔142a，必須減小絕緣片124的膜厚t1或者絕緣層128的膜厚t2，所以有時會難以形成突起高度較大的表面電極部。減小片狀探測器的電極結構體厚度后，例如當被檢查電路裝置的被檢查電極周圍被厚的絕緣層包圍時，電極結構體與被檢查電極的連接可能會出現問題。
而且，該制造方法中，電極結構體的厚度幾乎等于絕緣片124與絕緣層128的總厚度，短路部的厚度與絕緣層128的厚度相同。因此，為了增大電極結構體的厚度，絕緣層的厚度也必須增大。
絕緣層厚的片狀探測器在重復使用上具有耐用性，但絕緣層厚度方向的變形量變小，因此電極結構體沿厚度方向的移動量也變小。
特別是為了降低電極結構體平面上的位置偏差，由金屬支撐體來支撐絕緣膜，在這種形狀的片狀探測器中，電極結構體沿厚度方向的移動量變得更小。
該片狀探測器的電極結構體沿厚度方向移動量的降低，導致使用片狀探測器的探測卡的凹凸吸收性能降低。
即，探測卡中，各向異性導電連接器的凹凸吸收性能加上片狀探測器的凹凸吸收性能等于探測卡的凹凸吸收性能。因此，片狀探測器的凹凸吸收性能的降低會導致探測卡的凹凸吸收性能的降低。
凹凸吸收性能降低的探測卡中，電路裝置的被檢查電極有很大偏差時，為了使探測卡與所有被檢查電極電連接，必須很大的加壓壓力。因此，增大了各向異性導電連接器的導電部的壓縮變形量，所以各向異性導電連接器會提前發生導電部的永久變形，難以實現電連接，必須替換各向異性導電連接器，增大檢查成本。
并且，電路裝置的被檢查電極為焊錫凸點電極等偏差較大的電極時，探測卡不可能與所有被檢查電極電連接。
因此，片狀探測器最好電極結構體沿厚度方向的移動量大，這樣才能得到凹凸吸收性能大的探測卡。
增大凹凸吸收性能的方法例如專利文獻8所示的片狀連接器。
該片狀連接器為各向異性導電連接器，具有復合導電片，在絕緣片中的錐形貫穿孔內，適合該貫穿孔的錐形可動導體可以在絕緣片的厚度方向上移動；2個各向異性導電合成橡膠片，分別設置在該復合導電片的兩面。
上述具有復合導電片的各向異性導電連接器中，由于復合導電片中的可動電極沿厚度方向可以移動，所以沿厚度方向加壓時，分別設置在復合導電片的兩面的2個各向異性導電合成橡膠片互相聯動，發生壓縮變形，二者的凹凸吸收性能和就是各向異性導電連接器的凹凸吸收性能，因此，能夠得到很高的凹凸吸收性能。
另外，為了得到所需的凹凸吸收性能，所需的厚度可以由2個各向異性導電合成橡膠片的總厚度來保證，每個各向異性導電合成橡膠片的厚度可以較小，所以得到較高的分解性能。
但是，上述各向異性導電連接器中，應用上有以下問題。
上述各向異性導電連接器中，復合導電片的可動導體由絕緣片和各向異性導電合成橡膠片一起來支撐，將復合導電片和各向異性導電合成橡膠片分離時，可動導體可能會從絕緣片上脫落，所以單獨操作復合導電片實際上是很困難的。
因此，各向異性導電連接器中的復合導電片和各向異性導電合成橡膠片中任何一個發生故障時，不能只更換復合導電片或者各向異性導電合成橡膠片，必須更換整個各向異性導電連接器。
上述片狀連接器中，為了形成可動導體及其突出部，在絕緣片材料和層疊突出部形成用輔助層的層疊材料上，從絕緣片側面進行激光加工，形成錐形的貫穿孔。
因此，專利文獻7的電極結構體形成用凹處90K的形成過程中，對厚的層疊片進行加工時，可動導體頂端部直徑的減小和后面作為被檢查對象的晶片的電極螺距的減小，難以保證相鄰可動導體間的絕緣性，無法作為晶片檢查用的片狀探測器來使用。
伴隨著作為被檢查對象的晶片的電極螺距的減小，片狀探測器的電極結構體的設置螺距也在變短，現在通常為100～120μm，將來可能會降低到100μm以下或者小于等于80μm。
另外，為了確保相鄰電極結構體間的絕緣性，電極結構體間的絕緣部的寬度(電極結構體的設置螺距與孔徑1的差)例如為40～50μm。
為了確保聚酰亞胺膜的強度而使用較厚的膜時，由蝕刻來形成貫穿孔時，如上述，必須增大孔徑1，但電極結構體的設置螺距一定、增大孔徑1時，就難以確保相鄰電極結構體間的絕緣性。
因此，減小電極結構體的設置螺距時，聚酰亞胺膜的厚度就會受到限制，例如電極結構體的設置螺距為120μm、貫穿孔的孔徑1為70μm時，使用的聚酰亞胺膜的厚度t必須小于等于35μm，背面側的孔徑2大于等于某個值時，必須再減小厚度t。
另外，假如為了增加絕緣層128的強度而使用50μm厚的絕緣層128時，貫穿孔的孔徑1必須大于等于100μm，由于難以保證制造的電極結構體中相鄰絕緣層間的絕緣性，所以，考慮到絕緣層128的厚度，不可能增大孔徑。
在圖45所示的錐形貫穿孔142a中形成電極結構體時，蝕刻方向里側的孔徑2越小，電阻值就會越大，所以該小直徑部分的孔徑2越大越好。
而且，該孔徑2小，該小直徑部分會對電阻值產生影響，所以片狀探測器中的各電極結構體間的電阻值偏差可能會變大。
專利文獻1特開平7-231019號公報專利文獻2特開昭51-93393號公報專利文獻3特開昭53-147772號公報專利文獻4特開昭61-250906號公報專利文獻5特開平11-326378號公報專利文獻6特開2002-196018號公報專利文獻7特開2004-172589號公報專利文獻8特開2001-351702號公報發明內容本發明是鑒于上述問題發明的，本發明的目的在于提供一種片狀探測器能夠形成具有直徑小的表面電極部的電極結構體；能夠對電路裝置進行穩定且準確的電連接，該電路裝置中，以小于等于160μm或者小于等于120μm甚至小于等于100μm的小螺距形成電極；電極結構體不會從絕緣層上脫落，具有很高的耐用性。
本發明的目的在于提供一種片狀探測器能夠對以小螺距形成電極的電路裝置進行穩定且準確地電連接，具有很高的耐用性，絕緣層的厚度較小，電極結構體的厚度較大，凹凸吸收性能較大。
本發明的目的在于提供一種片狀探測器具有能夠在絕緣層厚度方向上移動的電極結構體，電極結構體不會從絕緣層上脫落，容易單獨操作。
本發明的目的在于提供一種片狀探測器的制作方法能夠形成具有突出高度偏差小的表面電極部的電極結構體；能夠對以小螺距形成電極的電路裝置進行穩定且準確的電連接；電極結構體不會從絕緣層上脫落，絕緣層厚度小，具有很高的耐用性。
本發明的目的在于提供一種片狀探測器的制作方法能夠形成具有突出高度偏差小的表面電極部的電極結構體；能夠對以小螺距形成電極的、電極高度偏差大的電路裝置進行穩定且準確地電連接；電極結構體不會從絕緣層上脫落，具有能夠在絕緣層厚度方向上移動的電極結構體，具有很高的耐用性。
本發明的目的在于提供一種片狀探測器及其制作方法檢查對象即使是直徑大于等于8英寸的大面積晶片和被檢查電極螺距為小于等于100μm的極小的電路裝置時，老化試驗中也能防止溫度變化引起的電極結構體與被檢查電極的位置偏差，由此，能夠維持良好且穩定的電連接狀態。
本發明的目的在于提供具有上述片狀探測器的探測卡。
本發明的目的在于提供具有上述探測卡的電路裝置的檢查裝置。
本發明的片狀探測器具有絕緣層，接點膜，具有在上述絕緣層上沿其面方向分開設置的、沿上述絕緣層厚度方向貫穿而延伸的多個電極結構體；其特征在于，上述各電極結構體具有表面電極部，從上述絕緣層的表面露出，并從上述絕緣層的表面突出來，從其底端到頂端，直徑變小，背面電極部，從上述絕緣層的背面露出來，短路部，沿上述絕緣層的厚度方向，從上述表面電極部的底端連續貫穿上述絕緣層而延伸，并與上述背面電極部相連；其中上述表面電極部的底端直徑比上述短路部的與表面電極部相連的那一端的直徑大；而且上述短路部的厚度比上述絕緣層的厚度大。
本發明的片狀探測器中，上述短路部最好能夠相對于上述絕緣層沿其厚度方向移動。
本發明的片狀探測器中，電極結構體在絕緣層厚度方向上能夠移動的距離最好為5～30μm。
本發明的片狀探測器的制造方法的特征在于具有下述工序準備層疊體，該層疊體至少具有絕緣片，表面側金屬層，形成在上述絕緣片的表面，第1背面側金屬層，形成在上述絕緣片的背面；形成使上述層疊體中的第1背面側金屬層和絕緣片互相連通的、沿其厚度方向延伸的貫穿孔，由此，在上述層疊體的背面形成表面電極部形成用凹處；對上述層疊體進行下述處理將其表面側金屬層作為電極，實施鍍敷處理，以向表面電極部形成用凹處填充金屬，由此形成從絕緣層表面突出的表面電極部，然后在上述層疊體的背面側沿厚度方向形成由多個蝕刻速度不同的樹脂層構成的絕緣層和在上述絕緣層表面上形成第2背面側金屬層，形成與各個上述層疊體中的第2背面側金屬層和絕緣層互相連通、將表面電極部從背面露出來的短路部形成用凹處；對上述層疊體進行下述處理將其表面側金屬層作為電極，實施鍍敷處理，以向短路部形成用凹處填充金屬，由此，形成沿絕緣層的厚度方向從表面電極部底端連續的、貫穿絕緣層而延伸的短路部，之后對第2背面側金屬層實施蝕刻處理，形成背面電極部，除去上述表面側金屬層和上述絕緣片，由此露出上述表面電極部和上述第1背面側金屬層，
然后對上述第1背面側金屬層實施蝕刻處理，形成從上述表面電極部的底端部分連續的、沿著上述絕緣片表面向外延伸的保持部，接著對絕緣層進行蝕刻處理，除去絕緣層的表面側部分，減小絕緣層的厚度。
本發明的片狀探測器的制造方法中，構成上述絕緣層的蝕刻速度不同的樹脂層中，最好與表面電極部相連的那一側的樹脂層的蝕刻速度快。
本發明的片狀探測器的制造方法中，構成上述絕緣層的蝕刻速度不同的樹脂層中，最好至少除去1層樹脂層。
本發明的片狀探測器的制造方法中，上述絕緣層最好由通過金屬層來層疊的多個樹脂層構成，最好由蝕刻將表面電極部側的樹脂層從金屬層上除去。
本發明的探測卡，用于進行作為檢查對象的電路裝置與測試器的電連接；其特征在于，具有檢查用電路基板，形成了多個檢查電極，與作為檢查對象的電路裝置的被檢查電極對應；各向異性導電連接器，設置在上述檢查用電路基板上；以及上述任一種片狀探測器，設置在上述各向異性導電連接器上。
本發明的探測卡，用于進行作為檢查對象的電路裝置與測試器的電連接；其特征在于，具有檢查用電路基板，形成了多個檢查電極，與作為檢查對象的電路裝置的被檢查電極對應；各向異性導電連接器，設置在上述檢查用電路基板上；以及用上述任一種方法制造的片狀探測器，設置在上述各向異性導電連接器上。
本發明的探測卡中，作為檢查對象的電路裝置是形成了多個集成電路的晶片；
各向異性導電連接器最好具有框架板，與作為檢查對象的晶片上形成的所有集成電路或者一部分集成電路設置了被檢查電極的電極區域對應地形成了多個開口，各向異性導電片，以塞住上述框架板的各開口的方式設置。
本發明的電路裝置的檢查裝置的特征在于，具有上述任一種探測卡。
本發明的晶片的檢查方法的特征在于，將形成了多個集成電路的晶片的各集成電路通過上述任一種探測卡與測試器電連接，進行上述各集成電路的電檢查。
根據本發明的片狀探測器，由于電極結構體的表面電極部底端的直徑大于短路部中與表面電極部連接側的直徑，所以即使表面電極部的直徑很小，電極結構體也不會從絕緣層上脫落，具有很高的耐用性。
根據本發明的片狀探測器，由于電極結構體的厚度較大，所以即使是被檢查電極周圍被厚度大的絕緣層包圍的被檢查電路裝置，也容易實現電極結構體與被檢查電極的連接。
根據本發明的片狀探測器，檢查對象即使是直徑大于等于8英寸的大面積晶片，或者是被檢查電極的螺距小于等于120μm的電路裝置，表面電極部頂端直徑大小合適、突出高度較大、表面電極部的直徑大于短路部的直徑，能夠確保相鄰電極結構體間的絕緣性，電極結構體不會從絕緣層上脫落。并且由于絕緣層的厚度較小，所以電極結構體容易沿厚度方向移動，片狀探測器的凹凸吸收性能也變大。
因此，能夠提高使用了本發明的片狀探測器的探測卡的凹凸吸收性能，即使被檢查電路裝置的被檢查電極有很大偏差，探測卡也能夠與所有被檢查電極電連接。
根據本發明的片狀探測器，由于電極結構體的短路部能夠在絕緣層厚度方向上移動，所以片狀探測器的凹凸吸收性能變大。
因此，能夠提高使用了本發明的片狀探測器的探測卡的凹凸吸收性能，即使被檢查電路裝置的被檢查電極有很大偏差，探測卡也能夠與所有被檢查電極電連接。
根據本發明的片狀探測器，由于電極結構體的短路部能夠在絕緣層的厚度方向上移動，并且電極結構體的表面電極部和背面電極部大于短路部，所以電極結構體不會從絕緣層上脫落，因此能夠單獨操作片狀探測器。使用了上述片狀探測器的探測卡和電路裝置的檢查裝置中，能夠容易更換各向異性導電連接器和片狀探測器，所以提高了電路裝置的檢查效率。
根據本發明的片狀探測器的制造方法，將其表面側金屬層作為電極實施鍍敷處理，向表面電極部形成用凹處填充金屬，由此形成從絕緣層表面突出的表面電極部，然后，沿厚度方向層疊由多個蝕刻速度不同的樹脂層構成的絕緣層，在上述絕緣層上形成短路部形成用凹處，填充金屬后形成短路部，接著對絕緣層進行蝕刻處理，除去絕緣層的表面側部分，減小絕緣層的厚度，因此，能夠容易制造短路部厚度大于絕緣層厚度的片狀探測器。
根據本發明的片狀探測器的制造方法，絕緣層由蝕刻速度不同的多個樹脂層構成，與表面電極部連接側的樹脂層的蝕刻速度較快，所以能夠容易除去與表面電極部連接側的樹脂層，能夠容易制造短路部厚度大于絕緣層厚度的片狀探測器。
根據本發明的片狀探測器的制造方法，絕緣層由通過金屬層來層疊的多個樹脂層構成，所以能夠容易除去與表面電極部連接側的樹脂層，能夠容易制造短路部厚度大于絕緣層厚度的片狀探測器。
圖1表示本發明的片狀探測器第1實施例的結構的說明用剖面圖，圖1(a)為平面圖，圖1(b)為X-X線的剖面圖。
圖2是將圖1的片狀探測器中的接點膜擴大后顯示的平面圖。
圖3表示本發明片狀探測器第1實施例的結構的說明用剖面圖。
圖4是將本發明第1實施例片狀探測器的電極結構體擴大后顯示的說明用剖面圖。
圖5(a)為本發明的片狀探測器中接點膜的支撐部的剖面圖，圖5(b)為本發明的片狀探測器中接點膜的支撐部的剖面圖。
圖6表示本發明的片狀探測器的其他實施方式，圖6(a)為平面圖，圖6(b)為X-X線的剖面圖。
圖7表示本發明第2實施例的片狀探測器的說明用剖面圖。
圖8是將本發明第2實施例的片狀探測器的電極結構體擴大后顯示的說明用剖面圖。
圖9是將本發明第1實施例的片狀探測器的電極結構體擴大后顯示的說明用剖面圖。
圖10為表示本發明片狀探測器的第1實施例制造方法的部分擴大剖面圖。
圖11為表示本發明的片狀探測器的其他實施方式的剖面圖。
圖12為表示本發明的片狀探測器的其他實施方式的剖面圖。
圖13為表示本發明片狀探測器的第1實施例制造方法的部分擴大剖面圖。
圖14為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的結構的說明用剖面圖。
圖15為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的結構的說明用剖面圖。
圖16為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的結構的說明用剖面圖。
圖17為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的結構的說明用剖面圖。
圖18為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的結構的說明用剖面圖。
圖19為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的結構的說明用剖面圖。
圖20為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的結構的說明用剖面圖。
圖21為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的其他結構的說明用剖面圖。
圖22為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的其他結構的說明用剖面圖。
圖23為表示用于制造本發明第2實施例的片狀探測器的層疊體的其他結構的說明用剖面圖。
圖24為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的其他結構的說明用剖面圖。
圖25為表示用于制造本發明片狀探測器的層疊體的其他結構的說明用剖面圖。
圖26為表示用于制造本發明第2實施例的片狀探測器的層疊體的其他結構的說明用剖面圖。
圖27為表示本發明的電路裝置的檢查裝置及其使用的探測卡的實施方式的剖面圖。
圖28為表示本發明的電路裝置的檢查裝置及其使用的探測卡的其他實施方式的剖面圖。
圖29為表示圖28的探測卡在組裝前后各狀態的剖面圖。
圖30為將圖28所示的檢查裝置中的探測卡擴大后顯示的說明用剖面圖。
圖30為將圖29所示的檢查裝置中的探測卡擴大后顯示的說明用剖面圖。
圖32為圖30、圖28所示的探測卡中各向異性導電連接器的平面圖。
圖33為表示實施例中制作的試驗用晶片的平面圖。
圖34為表示形成在圖33所示的試驗用晶片上的集成電路的被檢查電極區域位置的說明圖。
圖35為表示形成在圖34所示的試驗用晶片上的集成電路的被檢查電極的設置圖案的說明圖。
圖36為表示實施例中制作的各向異性導電連接器中框架板的平面圖。
圖37是將圖36所示的框架板的一部分擴大后顯示的說明圖。
圖38為說明本發明片狀探測器的金屬框架板形狀的平面圖。
圖39為表示以往探測卡一例的結構的說明用剖面圖。
圖40為表示以往片狀探測器的制造例的說明用剖面圖。
圖41為將圖40所示的探測卡中的片狀探測器擴大后顯示的說明用剖面圖。
圖42為表示以往片狀探測器的其他制造例的說明用剖面圖。
圖43為表示以往片狀探測器的其他制造例的說明用剖面圖。
圖44為說明比較例1的片狀探測器的制造方法的剖面圖。
圖45為說明以往片狀探測器的貫穿孔的概略圖。
符號說明1探測卡2支撐部件3加壓片4晶片載臺5加熱器6晶片7被檢查電極8粘合劑9接點膜
10片狀探測器10A層疊體10B層疊體10C層疊體10K表面電極部形成用凹處11絕緣片11H貫穿孔12貫穿孔12A抗蝕膜12H圖案孔13A抗蝕膜13H圖案孔14A抗蝕膜15電極結構體16表面電極部16A表面側金屬層17背面電極部17A第2背面側金屬層17E抗蝕膜17F抗蝕膜17H圖案孔(貫穿孔)18短路部18B絕緣層18C聚酰亞胺層18K短路部形成用凹處18H貫穿孔19保持部19A第1背面側金屬層19H圖案孔
20檢查用電路基板21檢查電極22支撐部24金屬框架板25金屬框架板26開口部28A抗蝕膜29B抗蝕膜29H圖案孔29K圖案孔30各向異性導電連接器31框架板32開口35各向異性導電片36導電部37絕緣部38突出部40A保護膜40B保護膜50導銷80各向異性導電片85檢查用電路基板86檢查電極90片狀探測器90A層疊體90B層疊體90C層疊體90K電極結構體形成用凹處91絕緣片
91A絕緣片材92金屬層92A表面側金屬層92B背面側金屬層92H開口部93抗蝕膜93A抗蝕膜94A抗蝕膜94B抗蝕膜95電極結構體96表面電極部97背面電極部98短路部98H貫穿孔122表面側金屬層124絕緣片126第1背面側金屬層128絕緣層130第2背面側金屬層132層疊體132層疊材料134開口部136貫穿孔138貫穿孔140光刻膠膜140a開口142a貫穿孔218A聚酰亞胺層218B聚酰亞胺膜
219金屬層220金屬薄層318貫穿孔具體實施方式
下面詳細說明本發明的實施方式。
<第1實施例的片狀探測器>
圖1表示本發明的片狀探測器第1實施例的結構的說明用剖面圖，圖1(a)為平面圖，圖1(b)為X-X線的剖面圖。圖2是將圖1的片狀探測器中的接點膜擴大后顯示的平面圖。圖3表示本發明片狀探測器的結構的說明用剖面圖。圖4是將本發明的狀探測器的電極結構體擴大后顯示的說明用剖面圖。
本實施方式的片狀探測器10是對形成了多個集成電路的8英寸等的晶片，在晶片狀態下進行各集成電路的電檢查。
該片狀探測器10，如圖1(a)所示，具有金屬框架板25，與作為被檢查對象的晶片上的各集成電路對應的位置上形成貫穿孔，該貫穿孔內設置了接點膜9。
接點膜9在金屬框架板25上，由金屬框架板25中貫穿孔周圍的支撐部22來支撐。
如圖1(b)所示，該支撐部22中，由絕緣膜構成的接點膜9形成在金屬框架板25上，由該金屬框架板25來支撐接點膜9。
接點膜9的結構如圖2所示，貫穿柔軟的絕緣層18B形成電極結構體15。
即，貫穿絕緣層18B厚度方向的多個電極結構體15，在絕緣層18B的面上互相分離設置，與作為檢查對象的晶片的被檢查電極對應。
另外，如圖3所示，各電極結構體15具有突起狀的表面電極部16，從絕緣層18B的表面露出并突出來。而且電極結構體15還具有矩形的片狀背面電極部17，從絕緣層18B的背面露出來。
另外，電極結構體15還具有短路部18，沿上述絕緣層的厚度方向，從表面電極部16的底端連續貫穿絕緣層18B而延伸，并與背面電極部17連接。而且電極結構體15還具有圓環片狀的保持部19，與表面電極部16底端部分的周邊相連，沿著絕緣層18B的表面向外側呈放射狀延伸。
該第1實施例的電極結構體15中，表面電極部16中，從與短路部18連接的底端到頂端，直徑逐漸變小，為錐形，整體為圓錐臺狀，與表面電極部16底端連接的短路部18為錐形，從絕緣層18B的背面到表面，直徑逐漸變小。
另外，如圖4所示，保持部19的直徑R6大于短路部18中與其底端相連端的直徑R3。
而且，絕緣層18B的厚度d小于短路部18的厚度d3。
絕緣層18B的材料沒有特別限定，只要具有絕緣性且柔軟的材料都可以，例如可以使用聚酰亞胺樹脂、液晶聚合物、聚酯、含氟樹脂等構成的樹脂片，或將編織有纖維的布料浸泡在上述樹脂中而形成的片等，但為了形成短路部18，必須由蝕刻容易形成貫穿孔，所以能夠蝕刻的材料比較好，最好是聚酰亞胺。
另外，絕緣層18B的厚度d沒有特別限定，只要絕緣層18B柔軟就可以了，但是在5～50μm之間比較好，最好是10～30μm。
金屬框架板25與絕緣層18B設置為一體，可以層疊在絕緣層18B的表面，也可以作為中間層夾在絕緣層18B中。
而且，金屬框架板25與電極結構體15分離設置，電極結構體15與金屬框架板25通過絕緣層18B連接，所以電極結構體15與金屬框架板25之間電絕緣。
另外，根據后面的片狀探測器10的制造方法，金屬框架板25是除去第2背面側金屬層17A的一部分后形成的。
構成金屬框架板25的第2背面側金屬層17A的金屬可以使用鐵、銅、鎳、鈦或者他們的合金或合金鋼，但后面的制造方法中，容易由蝕刻處理將第2背面側金屬層17A分離分割為金屬框架板25和背面電極部17，考慮到這一點，最好使用42合金、因瓦合金、科伐鐵鎳鈷合金等鐵-鎳合金鋼和銅、鎳及其合金。
另外，金屬框架板25的線熱膨脹系數小于等于3×10-5/K較好，-1×10-7～1×10-5/K更好，最好為-1×10-6～8×10-6/K。
構成上述金屬框架板25的材料的具體例子如因瓦合金等因瓦型合金、鎳鉻恒彈性合金等埃林瓦爾型恒彈性合金、超因瓦合金、科伐鐵鎳鈷合金、42合金等合金或合金鋼。
金屬框架板25的厚度為3～100μm較好，最好為5～50μm。
該厚度過小時，支撐片狀探測器的金屬框架板得不到必需的強度，該厚度過大時，后述的制造方法中，難以由蝕刻處理將第2背面側金屬層17A分離分割為金屬框架板25和背面電極部17。
另外，如圖11(a)、(b)所示，可以將絕緣片蝕刻成多個接點膜9，支撐在金屬框架板25上。
這時，金屬框架板25的各開口部26中，保持電極結構體15的柔軟的接點膜9是互相獨立的[圖11(a)]，或者是部分獨立的[圖11(b)]。
各接點膜9，如圖11(a)、(b)所示，具有柔軟的絕緣層18B，該絕緣層18B中，貫穿該絕緣層18B的、由金屬構成的多個電極結構體15，互相分離地設置在絕緣層18B的面上，與作為檢查對象的晶片電極區域中被檢查電極的圖案對應，接點膜9設置在金屬框架板25的開口部內。
構成電極結構體15的金屬可以使用鎳、銅、金、銀、鈀、鐵等，電極結構體15可以全部由同一種金屬構成，也可以由2種或2種以上的金屬合金構成，或者層疊2種或2種以上的金屬，也可以是構成表面電極部16與短路部18的金屬不同。
另外，為了防止電極部的氧化且得到接觸電阻小的電極部，可以在電極結構體15中的表面電極部16和背面電極部17的表面上，形成金、銀、鈀等化學穩定且具有高導電性的金屬膜。
電極結構體15中，如圖4所示，表面電極部16的頂端直徑R2與底端直徑R1的比(R2/R1)為0.11～0.9較好，最好為0.15～0.6。
電極結構體15的設置螺距與將連接的電路裝置中被檢查電極的螺距相同，但在40～160μm較好，40～120μm更好，最好為40～100μm。
如果滿足了上述條件，即使將連接的電路裝置中的電極螺距小于等于120μm甚至小于等于100μm，也能夠穩定且準確地與電路裝置電連接。
另外，表面電極部16底端的直徑R1是電極結構體15的螺距的30～70％較好，最好是35～60％。
另外，如圖4所示，表面電極部16的突出高度h1與底端直徑R1的比h1/R1為0.2～0.8較好，最好為0.25～0.6。
如果滿足了上述條件，即使將連接的電路裝置中的電極螺距小于等于120μm甚至小于等于100μm，也能夠容易與電極圖案對應形成電極結構體15，并且能夠更加穩定且準確地與電路裝置電連接。
表面電極部16底端的直徑R1是考慮到上述條件和將連接的電極直徑來設定的，但為30～80μm較好，最好為30～60μm。
為了穩定且準確地與將連接的電極電連接，表面電極部16的突出高度h1為12～50μm較好，最好為15～30μm。
另外，如圖4所示，背面電極部17的外徑R5大于與背面電極部17連接的短路部18在絕緣層18B背面側的直徑R4，并且小于電極結構體15的螺距，但最好盡可能大，由此能夠穩定且準確地與如各向異性導電片電連接。
考慮到強度大且重復耐用這一點，背面電極部17的厚度d2為10～80μm較好，最好為12～60μm。
另外，短路部18中，在絕緣層18B表面側的直徑R3與在絕緣層18B背面側的直徑R4的比R3/R4為0.2～1較好，最好為0.3～0.9。
短路部18在絕緣層18B表面側的直徑R3為電極結構體15螺距的10～50％較好，最好為15～45％。
另外，短路部18的厚度d3為10～60μm較好，最好為15～40μm。
而短路部18的厚度d3與絕緣層18B的厚度d的差h2為5～30μm較好，最好為10～25μm。
保持部19的直徑R6為電極結構體15螺距的30～70％較好，最好為40～60％。
保持部19的厚度d1為3～50μm較好，最好為4～40μm。
另外，本發明的片狀探測器10中，金屬框架板25和背面電極部17可以由不同的金屬材料構成。
即，如后述，可以在構成金屬框架板25的金屬材料上，用沖孔、激光加工等形成多個貫穿孔12。
另外，如后述，背面電極部17如圖17(b)、圖17(c)所示，實施電解鍍敷，向各短路部形成用凹處18K和抗蝕膜29A的各圖案孔29H內填充金屬，由金屬材料形成背面電極部17。
如上述，由于金屬框架板24和背面電極部17由不同的金屬材料構成，所以金屬框架板24不受構成的金屬種類、厚度等制約，例如，考慮彎曲的彈性、易得性后，可以由任意種類的金屬和任意厚度形成金屬框架板24。
由于構成背面電極部17的金屬材料與金屬框架板24不同，所以背面電極部17不受構成金屬框架板24的金屬的影響，可以由金屬、如電特性較好的銅等構成背面電極部17。
這時，可以由不同種類的金屬構成金屬框架板24和背面電極部17。
另外，也可以由相同種類的金屬構成金屬框架板24和背面電極部17。
片狀探測器10的周邊部，如圖6所示，設置了具有剛性的平板環狀支撐部件2。上述支撐部件2的材料有因瓦合金、超因瓦合金等因瓦型合金、鎳鉻恒彈性合金等埃林外爾型恒彈性合金、科伐鐵鎳鈷合金、42合金等低熱膨脹金屬材料、礬土、碳化硅、氮化硅等陶瓷材料。
另外，支撐部件2的厚度最好大于等于2mm。
在這個范圍內設定環狀支撐部件2的厚度，由此能夠抑制金屬框架板25與環狀支撐部件2熱膨脹率差異的影響即溫度變化所引起的電極結構體與被檢查電極的位置偏離。
由上述支撐部件2的剛性來支撐片狀探測器10，由此，在后述的探測卡中，例如使支撐部件2上形成的孔與探測卡上設置的導銷相嵌，或者使支撐部件2與探測卡周邊部上設置的圈狀臺階部相嵌，能夠容易地使片狀探測器10的接點膜9上設置的電極結構體15與被檢查物的被檢查電極和各向異性導電連接器的導電部位置對應。而且，重復檢查時，能夠防止粘在被檢查物上，也能夠防止與電極結構體15規定位置的偏離。
另外，本發明的片狀探測器10中，如圖5(b)所示，由金屬框架板25來支撐絕緣層18B，除此之外，如圖5(a)、圖6(b)所示，可以是絕緣層18B中含有(夾著)金屬框架板24。
圖5(a)、圖6(b)所示的片狀探測器10中，各接點膜的開口部中，保持電極結構體15的柔軟的接點膜9可以互相獨立設置[圖12(a)]，也可以部分獨立設置[圖12(b)]。
下述說明中，參照圖7～圖9來說明圖5(b)所示的、由金屬框架板25來支撐絕緣層18B的本發明的片狀探測器10。
后面將詳細說明圖9和圖12所示的本發明的片狀探測器10的制造方法，但除了由金屬框架板來支撐絕緣層18B的形態不同外，其他結構基本相同。
該片狀探測器10，具有金屬框架板25，與作為被檢查對象的晶片上的各集成電路對應的位置上形成貫穿孔，該貫穿孔內設置了接點膜9。
接點膜9在金屬框架板25上，由金屬框架板25中貫穿孔周圍的支撐部22來支撐。
由金屬框架板24來支撐接點膜9的方法，如圖5(b)所示，在接點膜9的一面上形成支撐部22，與金屬框架板25連接，除此之外，如上述圖5(a)、圖6(b)所示，由樹脂制的絕緣層18B夾住金屬框架板24，形成支撐部22。
上述片狀探測器10中，各接點膜的開口部中，保持電極結構體15的柔軟的接點膜9可以互相獨立設置[圖11(a)]，也可以部分獨立設置[圖11(b)]。
上述片狀探測器10如圖6(b)所示，金屬框架板24由粘合劑8粘接固定在支撐部件2上。
上述支撐部件2的材料有因瓦合金、超因瓦合金等因瓦型合金、鎳鉻恒彈性合金等埃林外爾型恒彈性合金、科伐鐵鎳鈷合金、42合金等低熱膨脹金屬材料、礬土、碳化硅、氮化硅等陶瓷材料。
由上述支撐部件2的剛性來支撐片狀探測器10，由此，在后述的探測卡中，例如使框架板上形成的孔與探測卡上設置的導銷相嵌，或者使支撐部件2與探測卡周邊部上設置的圈狀臺階部相嵌，能夠容易地使片狀探測器10的接點膜9上設置的電極結構體15與被檢查物的被檢查電極和各向異性導電連接器的導電部位置對應。
而且，重復檢查時，能夠防止粘在被檢查物上，也能夠防止與電極結構體15的規定位置的偏離。
根據上述片狀探測器10，電極結構體15上形成的保持部19與表面電極部16底端部分連接，沿著絕緣層18B的表面向外部延伸，所以即使表面電極部16的直徑很小，由于保持部19由絕緣層18B的表面支撐，所以電極結構體15不會從絕緣層18B的背面脫落，具有很高的耐用性。
另外，由于表面電極部16的直徑很小，所以能夠保證相鄰的表面電極部16之間的間隔距離，由于絕緣層18B的厚度小，所以能夠充分發揮絕緣層的柔軟性，因此，能夠穩定且準確地與以小螺距形成電極的電路裝置電連接。
<第1實施例的片狀探測器的制造方法>
下面說明第1實施例中片狀探測器10的制造方法。
該制造方法中，片狀探測器10的結構是由金屬框架板25來支撐絕緣層18B，準備層疊體10A，如圖14(a)所示，具有絕緣片11、形成在該絕緣片11上面的表面側金屬層16A、形成在絕緣片11背面的第1背面側金屬層19A。
絕緣片11與第1背面側金屬層19A的總厚度等于將形成的電極結構體15中表面電極部16的突出高度。
絕緣片11的材料沒有特別限定，只要具有絕緣性且柔軟的材料都可以，例如可以使用聚酰亞胺樹脂、液晶聚合物、聚酯、含氟樹脂等構成的樹脂片，或將編織有纖維的布料浸泡在上述樹脂中而制成的片等，但為了形成表面電極部16，必須由蝕刻容易形成貫穿孔，所以能夠蝕刻的材料比較好，最好是聚酰亞胺。
另外，絕緣片11的厚度沒有特別限定，只要絕緣片11柔軟就可以了，但是在10～50μm之間比較好，最好是10～25μm。
上述層疊體10A可以使用如市面上出售的層疊聚酰亞胺片，兩面層疊了如銅構成的金屬層。
如圖14(b)所示，在上述層疊體10A的整個表面側金屬層16A的表面上層疊了保護膜40A，同時在第1背面側金屬層19A的表面上層疊蝕刻用的抗蝕膜12A，其上形成了與將形成的電極結構體15的圖案對應的多個圖案孔12H。
這里，抗蝕膜12A的形成材料可以是作為蝕刻用光刻膠來使用的各種材料。
接著，實施蝕刻處理，除去第1背面側金屬層19A從抗蝕膜12A的圖案孔12H中露出的部分，由此，如圖14(c)所示，第1背面側金屬層19A上形成多個圖案孔19H，分別與抗蝕膜12A的圖案孔12H連通。
然后，實施蝕刻處理，除去絕緣片11從抗蝕膜12A的各圖案孔12H和第1背面側金屬層19A的各圖案孔19H中露出的部分，由此，如圖15(a)所示，絕緣片11上形成多個錐形貫穿孔11H，分別與第1背面側金屬層19A的圖案孔19H連通，并且從絕緣片11的背面到表面，直徑逐漸變小。
由此，層疊體10A的背面上形成多個表面電極部形成用凹處10K，分別與第1背面側金屬層19A的圖案孔19H、絕緣片11的貫穿孔11H連通。
上述說明中，對第1背面側金屬層19A進行蝕刻處理的蝕刻劑根據構成這些金屬層的材料進行選擇，例如這些金屬層為銅時，可以使用氯化鐵水溶液。
另外，對絕緣片11進行蝕刻處理的蝕刻液，可以使用胺系蝕刻液、肼系水溶液和氫氧化鉀水溶液等，通過選擇蝕刻處理條件，能夠在絕緣片11上形成錐形貫穿孔11H，從背面到表面直徑逐漸變小。
由此，從形成了表面電極部形成用凹處10K的層疊體10A上除去抗蝕膜12A，然后，如圖15(b)所示，在層疊體10A的第1背面側金屬層19A的表面上形成鍍敷用抗蝕膜13A，其上形成了多個圖案孔13H，與將形成的電極結構體15中保持部19的圖案對應。
這里，抗蝕膜13A的形成材料，可以是作為鍍敷用光刻膠使用的各種材料，但最好是感光性干膜抗蝕膜。
接著，將層疊體10A的表面側金屬層16A作為電極，實施電解鍍敷，向各表面電極部形成用凹處10K和抗蝕膜13A的各圖案孔13H內填充金屬，由此，如圖15(c)所示，形成多個表面電極部16和與各表面電極部16的底端連接、沿著絕緣片11的背面向外側延伸的保持部19。這里，各保持部19通過第1背面側金屬層19A互相連接。
然后，剝離抗蝕膜13A。
接著，在形成了表面電極部16、保持部19的層疊體10A上，形成絕緣層18B，如圖16(a)所示，覆蓋第1背面側金屬層19A和保持部19，在該絕緣層18B的表面形成第2背面側金屬層17A，作為層疊體10B。
這里，絕緣層18B由多個沿厚度方向的蝕刻速度不同的樹脂層構成。
絕緣層18B的構成材料，使用能夠蝕刻的高分子材料，最好是聚酰亞胺。
聚酰亞胺可以使用(1)感光性聚酰亞胺溶液、聚酰亞胺前軀體溶液、用溶劑將聚酰亞胺前軀體和低分子聚酰亞胺稀釋后的液態聚酰亞胺或者清漆(2)熱可塑性聚酰亞胺
(3)聚酰亞胺膜(如東レデユポン(株)商品名“カプトン”)等。
其中，上述(1)的感光性聚酰亞胺溶液、聚酰亞胺前軀體溶液、用溶劑將聚酰亞胺前軀體和低分子聚酰亞胺稀釋后的液態聚酰亞胺或者清漆，由于粘性小，所以容易涂抹，涂抹后會發生固化(聚合)，所以伴隨著溶劑的蒸發、聚合，體積會縮小。
使用上述(1)感光性聚酰亞胺溶液、聚酰亞胺前軀體溶液、用溶劑將聚酰亞胺前軀體和低分子聚酰亞胺稀釋后的液態聚酰亞胺或者清漆時，涂抹在層疊體10A上后固化，由此形成絕緣層18B。
另外，可以將上述(2)的熱可塑性聚酰亞胺溶解在溶劑中，作為聚酰亞胺溶液涂抹在層疊體10A上，溶劑蒸發后，作為絕緣層18B，或者將熱可塑性聚酰亞胺膜層疊在層疊體10A上，通過加熱壓，與層疊體10A形成為一體，作為層疊體18B。
上述(3)的聚酰亞胺膜很穩定，加熱不會溶解，也不會溶解于溶劑中，所以使用該聚酰亞胺膜時，可以將上述(3)的聚酰亞胺膜通過熱可塑性聚酰亞胺膜層疊在層疊體10A上，然后加熱壓，成為一體，形成絕緣層18B。或者由上述(1)的感光性聚酰亞胺溶液、聚酰亞胺前軀體溶液、用溶劑將聚酰亞胺前軀體和低分子聚酰亞胺稀釋后的液態聚酰亞胺或者清漆，在上述(3)的聚酰亞胺膜表面形成半固化狀態的聚酰亞胺層后，層疊在層疊體10A上固化，成為一體后形成絕緣層18B。
上述(1)的感光性聚酰亞胺溶液、聚酰亞胺前軀體溶液、用溶劑將聚酰亞胺前軀體和低分子聚酰亞胺稀釋后的液態聚酰亞胺或者清漆固化后形成的局限亞胺層，由上述(2)的熱可塑性聚酰亞胺形成的聚酰亞胺層，上述(3)的聚酰亞胺膜，它們的蝕刻速度不相同。一般來說，聚酰亞胺膜的蝕刻速度比上述聚酰亞胺固化后形成的聚酰亞胺層慢。
例如，如圖10(a)或者圖10(b)所示，上述(1)的感光性聚酰亞胺溶液、聚酰亞胺前軀體溶液、用溶劑將聚酰亞胺前軀體和低分子聚酰亞胺稀釋后的液態聚酰亞胺或者清漆固化后形成聚酰亞胺層218A，或者由上述(2)的熱可塑性聚酰亞胺形成聚酰亞胺層218A，通過上述方法形成的聚酰亞胺層218A，將聚酰亞胺膜218B層疊在層疊體10A上，并成為一體，形成絕緣層18B。由此，絕緣層18B就成為沿厚度方向層疊了蝕刻速度不同的樹脂層的結構。
即，如圖10(a)所示，設置聚酰亞胺層218A，覆蓋第1背面側金屬層19A和保持部19，在第2背面側金屬層17A側形成聚酰亞胺膜218B，通過聚酰亞胺層218A層疊在層疊體10A上，并成為一體，由此，構成了絕緣層18B。
另外，如圖10(b)所示，在第2背面側金屬層17A側形成聚酰亞胺膜218B和聚酰亞胺層218A，通過聚酰亞胺層218A，層疊在層疊體10(A)上，覆蓋第1背面側金屬層19A和保持部19，并成為一體，構成了絕緣層18B。
這里，涂抹在層疊體10A上固化的聚酰亞胺使用了多種，形成多個不同種類的聚酰亞胺層218A，然后層疊聚酰亞胺膜218B，由此絕緣層18B就成為沿厚度方向層疊了蝕刻速度不同的多個樹脂層的結構[參照圖10(a)]。
另外，將一面上層疊了如42合金構成的金屬層的層疊聚酰亞胺片，通過聚酰亞胺層218A層疊在層疊體10A上，由此，形成絕緣層18B和第2背面側金屬層17A[參照圖10(b)]。
這時，第2背面側金屬層17A的厚度與將形成的金屬框架板25相同。
然后，如圖16(b)所示，在層疊體10B的第2背面側金屬層17A的表面上形成蝕刻用的抗蝕膜28A，其上形成了多個與將形成的電極結構體15的圖案對應的圖案孔28H。
這里，抗蝕膜28A的形成材料可以是作為蝕刻用光刻膠來使用的各種材料。
接著，實施蝕刻處理，除去第2背面側金屬層17A從抗蝕膜28A的圖案孔28H中露出的部分，由此，如圖16(c)所示，第2背面側金屬層17A上形成多個圖案孔17H，分別與抗蝕膜28A的圖案孔28H連通。
然后，實施蝕刻處理，除去絕緣層18B從抗蝕膜28A的各圖案孔28H和第2背面側金屬層17A的各貫穿孔17H中露出的部分，由此，如圖17(a)所示，絕緣層18B上形成多個錐形貫穿孔18H，分別與第1背面側金屬層19A的圖案孔19H連通，并且從絕緣層18B的背面到表面，直徑逐漸變小，背面露出表面電極部16。
由此，層疊體10B的背面上形成多個短路部形成用凹處18K，分別與第2背面側金屬層17A的圖案孔17H、絕緣層18B的貫穿孔18H連通。
上述說明中，對第2背面側金屬層17A進行蝕刻處理的蝕刻劑根據構成這些金屬層的材料進行選擇。
另外，對絕緣層18B進行蝕刻處理的蝕刻液，可以使用上述絕緣片11蝕刻用的蝕刻液。
由此，從形成了短路部形成用凹處18K的層疊體10B上除去抗蝕膜28A，然后，如圖17(b)所示，在層疊體10B的第2背面側金屬層17A的表面上形成鍍敷用抗蝕膜29A，其上形成了多個圖案孔29H，與將形成的電極結構體15中背面電極部17的圖案對應。
這里，抗蝕膜29A的形成材料，可以是作為鍍敷用光刻膠使用的各種材料，但最好是感光性干膜抗蝕膜。
接著，將層疊體10B的表面側金屬層16A作為電極，實施電解鍍敷處理，向各短路部形成用凹處18K和抗蝕膜29A的各圖案孔29H內填充金屬。
由此，如圖17(c)所示，形成短路部18，與各表面電極部16的底端連接，貫穿其厚度方向，并形成背面電極部17，與各短路部18的絕緣層18B的背面側連接。
這里，各背面電極部17通過第2背面側金屬層17A互相連接。
由此，從形成了表面電極部16、保持部19、短路部18和背面電極部17的層疊體10B上除去抗蝕膜29A。然后，如圖18(a)所示，覆蓋背面電極部17和作為金屬框架板25的第2背面側金屬層17A的部分，同時，與應除去的第2背面側金屬層17A的部分對應，形成具有圖案孔29K的、形成圖案的蝕刻用抗蝕膜29B。
這里，抗蝕膜29B的形成材料可以是作為蝕刻用光刻膠來使用的各種材料。
然后除去表面側金屬層16A上設置的保護膜40A，對表面側金屬層16A和第2背面側金屬層17A實施蝕刻處理。
由此，如圖18(b)所示，除去表面側金屬層16A，同時除去第2背面側金屬層17A從圖案孔29K中露出的部分，形成開口部26，由此形成互相分離的多個背面電極部17和金屬框架板25。
如圖18(c)所示，除去背面側蝕刻用抗蝕膜29B之后，形成抗蝕膜17E，覆蓋背面電極部17、金屬框架板25、開口部26。
這里，抗蝕膜17E的形成材料可以是作為蝕刻用光刻膠來使用的各種材料。
然后在抗蝕膜17E的整個表面層疊保護膜40B。
接著，對絕緣片11實施蝕刻處理后全部除去，如圖19(a)所示，得到露出表面電極部16和第1背面側金屬層19A的層疊體10C。然后，如圖19(b)所示，形成圖案形成后的蝕刻用抗蝕膜14A，覆蓋表面電極部16和第1背面側金屬層19A中的保持部19。
接著，對第1背面側金屬層19A實施蝕刻處理，除去露出的部分，由此，如圖19(c)所示，形成保持部19，與各表面電極部16的底端周圍連接，沿著絕緣層18B的表面呈放射狀向外側延伸，由此形成電極結構體15。
接著，如圖13(a)所示，對絕緣層18B進行蝕刻處理，除去絕緣層18B的表面側部分，減小絕緣層的厚度。
這時，利用形成絕緣層的樹脂層的蝕刻速度不同，通過對絕緣層18B的表面側部分進行蝕刻處理來除去。
例如，上述(1)的感光性聚酰亞胺溶液、聚酰亞胺前軀體溶液、用溶劑將聚酰亞胺前軀體和低分子聚酰亞胺稀釋后的液態聚酰亞胺或者清漆硬化后形成聚酰亞胺層218A，或者由上述(2)的熱可塑性聚酰亞胺形成聚酰亞胺層218A，將上述方法形成的聚酰亞胺層218A作為絕緣層18B的表面側部分，并由上述(3)的聚酰亞胺膜218B形成絕緣層18B的背面側部分，由于絕緣層18B表面側部分的蝕刻速度比絕緣層18B背面側部分的聚酰亞胺膜快，所以能夠通過蝕刻，將聚酰亞胺層218A構成的表面層部分從絕緣層18B中除去。
圖13(a)的例子中，電極結構體15的保持部19與絕緣層18B之間殘留了聚酰亞胺層18C，但不是必須保留這部分聚酰亞胺層18C，也可以除去保持部19與絕緣層18B之間的聚酰亞胺層18C。
接著，如圖13(b)所示，除去抗蝕膜14A，在層疊體10C上面形成抗蝕膜17F，露出金屬框架板25的一部分。此狀態下，通過對絕緣層18B進行蝕刻處理，如圖13(c)所示，露出金屬框架板25的一部分。
然后，從絕緣層18B的表面上除去抗蝕膜17F，從絕緣層18B的背面和背面電極部17上除去保護膜40B和抗蝕膜17E，由此，得到圖3所示的片狀探測器10。
<第2實施例的片狀探測器>
下面說明本發明的第2實施例的片狀探測器10。
圖7表示本發明第2實施例的片狀探測器結構的說明用剖面圖。圖8是將本發明第2實施例的片狀探測器的電極結構體擴大后顯示的說明用剖面圖。
如圖7所示，各電極結構體15具有突起狀的表面電極部16，從絕緣層18B的表面露出并突出來。而且電極結構體15還具有矩形的片狀背面電極部17，從絕緣層18B的背面露出來。
另外，電極結構體15還具有短路部18，沿絕緣層18B的厚度方向，從表面電極部16的底端連續貫穿絕緣層18B而延伸，并與背面電極部17相連。而且電極結構體15還具有圓環片狀的保持部19，與表面電極部16底端部分的周邊相連，沿著絕緣層18B的表面向外側呈放射狀延伸。
該第2實施例的電極結構體15中，表面電極部16中，從與短路部18連接的底端到頂端，直徑逐漸變小，為錐形，整體為圓錐臺狀，與表面電極部16底端連接的短路部18為錐形，從絕緣層18B的背面到表面，直徑逐漸變小。
另外，如圖8所示，保持部19的直徑R6大于短路部18中與其底端相連端的直徑R3。
而且，絕緣層18B的厚度d小于短路部18的厚度d3。
在絕緣層18b中設置的貫穿孔318內，短路部18可以移動。
絕緣層18B的貫穿孔318的直徑R7最好小于電極結構體15中保持部19的直徑R6和背面電極部17的外徑R5，大于短路部18中絕緣層18B背面側的直徑R4。
滿足這個條件后，電極結構體15的短路部18不會從絕緣層18B上脫落，可以在絕緣層18B的厚度方向上移動。
電極結構體在絕緣層厚度方向上的可移動距離實質上等于短路部18的厚度d3與絕緣層18B的厚度d的差h2。
電極結構體在絕緣層厚度方向上的可移動距離為5～30μm較好，最好為10～25μm。
第2實施方式中片狀探測器的其他結構、尺寸、材料等與第1實施方式中的片狀探測器一樣。
<第2實施例的片狀探測器的制造方法>
下面說明第2實施例中片狀探測器10的制造方法。
按照第1實施例中片狀探測器制造方法的圖14(a)～圖15(c)的工序，得到具有表面電極部16和保持部19的層疊體10A。
然后從層疊體10A上剝離抗蝕膜13A。
然后，如圖20(a)所示，涂抹上述(1)的感光性聚酰亞胺溶液、聚酰亞胺前軀體溶液、用溶劑將聚酰亞胺前軀體和低分子聚酰亞胺稀釋后的液態聚酰亞胺或者清漆后硬化，或者涂抹上述(2)的熱可塑性聚酰亞胺溶液后硬化，或者層疊上述(3)的熱可塑性聚酰亞胺膜后加熱壓，由此形成聚酰亞胺層218A，覆蓋層疊體10A的第1背面側金屬層19A和保持部19。
然后，如圖20(a)所示，層疊層疊聚酰亞胺片，該聚酰亞胺片的一面是第2背面側金屬層17A，例如是42合金構成的金屬層，另一面是金屬層219，使金屬層219側的那一面與層疊體10A的聚酰亞胺層218A連接，并使聚酰亞胺層218A固化。由此，如圖21(a)、圖20(b)所示，得到了層疊體10B，其中，絕緣層18B中層疊了金屬層219和第2背面側金屬層17A。
接著，按照第1實施例中片狀探測器的制造方法的圖16(b)～圖17(b)的工序，如圖21(b)～圖22(b)所示，在層疊體10B的背面分別形成第2背面側金屬層17A的圖案孔17H，通過圖案孔17H對絕緣層218B進行蝕刻處理，除去露出的部分，露出金屬層219。
然后，蝕刻除去金屬層219，接著對絕緣層218A進行蝕刻處理，形成多個短路部形成用凹處18K，使第2背面側金屬層17A的圖案孔17H與絕緣層18B的貫穿孔18H連通。由此得到具有鍍敷用抗蝕膜29A的層疊體10B，與將形成的電極結構體15中的背面電極部17的圖案對應，在第2背面側金屬層17A的表面上形成多個圖案孔29H[參照圖22(b)、圖23(a)]。
如圖23(a)、(b)所示，在該層疊體10B的短路部形成用凹處18K的內壁上形成金屬薄膜220。
金屬薄膜220最好由蝕刻速度快的易蝕刻性金屬構成，易蝕刻性金屬材料可以使用銅。
在短路部形成用凹處18K的內壁上由易蝕刻性的金屬材料形成金屬薄層220后，由鍍敷向短路部形成用凹處18K中填充金屬，形成短路部18[參照圖22(c)、圖23(c)]。
由此，由易蝕刻性的金屬材料形成金屬薄層220后，由鍍敷來填充蝕刻速度較慢的金屬，形成短路部18，由此，在形成電極結構體15后，能夠容易地由蝕刻只除去金屬薄層220。
由此，如圖8所示，電極結構體15的短路部18的絕緣層18B背面側的直徑R4小于絕緣層18B的貫穿孔318的直徑R7，電極結構體15能夠在其厚度方向上移動。
形成金屬薄層220的方法有無電解鍍敷法、電解鍍敷法、濺射法，也可以組合上述方法，進行多次處理形成金屬薄層220。
金屬薄層220的厚度小于等于3μm較好，最好小于等于1μm。
然后，按照第1實施例中片狀探測器制造方法的圖18(a)～圖19(c)的工序，如圖24(a)～圖25(c)所示，得到形成了保持部19的層疊體10C，該保持部19與表面電極部16底端部分的周邊連接，沿著絕緣層18B的表面向外側成放射狀延伸。
接著，如圖26(a)所示，對絕緣層18B實施蝕刻處理，除去絕緣層18B的表面側部分，減小絕緣層的厚度。
這時，由于蝕刻到金屬層219，所以與利用樹脂層蝕刻速度的不同來控制絕緣層18B厚度的方法相比，能夠容易控制絕緣層18B的厚度。另外，也容易除去電極結構體15的保持部19與絕緣層18B之間的聚酰亞胺層18C，能夠在絕緣層18B的整個表面上均勻控制絕緣層18B的厚度。
接著，如圖26(b)所示，層疊體10C中，除去了絕緣層18B表面側部分，減小了絕緣層厚度，對層疊體10C實施蝕刻處理，除去金屬層219和金屬薄層220。
對該金屬層219和金屬薄層220進行蝕刻處理的蝕刻劑根據構成這些金屬層的材料進行選擇，例如這些金屬層為銅時，可以使用氯化鐵水溶液。
蝕刻處理的時間很短，構成金屬層219和金屬薄層220的金屬蝕刻速度快，而構成電極結構體15的金屬蝕刻速度慢，所以能夠只除去金屬層219和金屬薄層220，電極結構體15幾乎沒有被蝕刻。
構成金屬層219和金屬薄層220的金屬最好是銅，而構成電極結構體15的金屬最好是鎳，通過這種金屬種類的組合，能夠只除去金屬層219和金屬薄層220，電極結構體15幾乎沒有被蝕刻。
接著，如圖26(c)所示，除去抗蝕膜14A，在層疊體10C的上面形成抗蝕膜17F，露出金屬框架板25的一部分。在此狀態下對絕緣層18B進行蝕刻處理，如圖26(d)所示，露出金屬框架板25的一部分。
然后從絕緣層18B的表面除去抗蝕膜17F，并從絕緣層18B的背面和背面電極部17上除去保護膜40B和抗蝕膜17E，由此得到圖7所示的片狀探測器10。
第2實施例的片狀探測器的制造方法中，利用上述金屬層219，蝕刻到金屬層219，由此，除去絕緣層18B的表面側部分，并減小絕緣層的厚度，這種方法雖然沒有圖示，但是也適用于上述第1實施例的片狀探測器的制造方法。
<探測卡以及電路裝置的檢查裝置>
圖27為表示本發明的電路裝置的檢查裝置的結構的說明用剖面圖，該電路裝置的檢查裝置對晶片上形成的多個集成電路，在晶片狀態下進行各集成電路的電檢查。
該電路裝置的檢查裝置具有探測卡1(由金屬框架板25支撐絕緣層18B的片狀探測器)，用于使作為被檢查電路裝置的晶片6的各被檢查電極7與測試器電連接。
該探測卡1中，如圖30中擴大顯示，具有檢查用電路基板20，其表面(圖中的下面)上具有多個檢查電極21，與晶片6上所有集成電路中被檢查電極7的圖案對應。
而且，該檢查用電路基板20的表面上設置了各向異性導電連接器30，該各向異性導電連接器30的表面(圖中的下面)上設置了圖1所示結構的片狀探測器10，上面設置了多個電極結構體15，與晶片6上所有集成電路中被檢查電極7的圖案對應。
片狀探測器10中，由導銷50固定，使各向異性導電連接器30、電極結構體15和導電部36一致。
另外，探測卡1中檢查用電路基板20的背面(圖中的表面)設置了對探測卡1向下加壓的加壓片3，探測卡1的下方設置了載置晶片6的晶片載臺4，各加壓片3和晶片載臺4與加熱器5連接。
上述電路裝置的檢查裝置，如圖28所示，片狀探測器10根據需要，金屬框架板25(包括金屬框架板24)的邊緣部固定了支撐部件2。
而且，將上述電路裝置的檢查裝置分解后的結構，如圖29(a)、圖29(b)所示，形成在各向異性導電連接器30的框架板31上的貫穿孔和導銷50相嵌，由此來決定位置。
另外，片狀探測器10中，與金屬框架板25(包括金屬框架板24)的邊緣部連接的支撐部件2與加壓片3的凹部相嵌，由此來決定位置。
構成檢查用電路基板20的基板材料可以使用以往的各種基板材料，具體來說有玻璃纖維加強型環氧樹脂、玻璃纖維加強型酚醛樹脂、玻璃纖維加強型聚酰亞胺樹脂、玻璃纖維加強型bismaleimide三嗪樹脂等復合樹脂材料、玻璃、二氧化硅、礬土等陶瓷材料等。
另外，用于進行WLBI試驗的檢查裝置中，線熱膨脹系數小于等于3×10-5/K較好，1×10-7～1×10-5/K更好，最好為1×10-6～6×10-6/K。
上述基板材料的具體例子如バイレツクス(注冊商標)玻璃、石英玻璃、礬土、氧化鈹、碳化硅、氮化鋁、氮化硼等。
各向異性導電連接器30，如圖32所示，具有框架板31，其上形成了多個開口32，與作為被檢查電路裝置的晶片6上所有集成電路中設置了被檢查電極7的電極區域相對應；該框架板31上有多個各向異性導電片35，分別塞住各開口32，由框架板31的開口邊緣部固定支撐。
框架板31的構成材料沒有特別限定，只要是能夠穩定保持框架板31的形狀、不易變形、具有某種程度的剛性的材料都可以，例如可以使用金屬材料、陶瓷材料、樹脂材料等各種材料，例如框架板31由金屬材料構成時，可以在框架板31的表面上形成絕緣膜。
構成框架板31的金屬材料的具體例子有，鐵、銅、鎳、鈦、鋁等金屬或者2種及2種以上的上述金屬的合金或合金鋼等。
構成框架板31的樹脂材料的具體例子有，液晶聚合物、聚酰亞胺樹脂等。
另外，當該檢查裝置用于進行WLBI(Water Level Burn-in)試驗時，構成框架板31的材料的線熱膨脹系數小于等于3×10-5/K較好，-1×10-7～1×10-5/K更好，最好為1×10-6～8×10-6/K。
上述材料的具體例子有，因瓦合金等因瓦型合金、鎳鉻恒彈性合金等埃林外爾型恒彈性合金、超因瓦合金、科伐鐵鎳鈷合金、42合金等磁性金屬的合金或者合金鋼等。
框架板31的厚度沒有特別限定，只要能夠保持其形狀且能夠支撐各向異性導電片35就可以，具體厚度根據材料不同而不同，例如為25～600μm較好，最好為40～400μm。
各各向異性導電片35由彈性高分子物質構成，具有多個導電部36和使這些導電部36互相絕緣的絕緣部37，上述導電部36與作為被檢查電路裝置的晶片6中1個電極區域的被檢查電極7的圖案對應，分別沿厚度方向延伸。
另外，圖示的例子中，各向異性導電片35的兩面上，在導電部36及其周邊部分以外的表面上，形成了突出部38。
各向異性導電片35中的各導電部36中，沿厚度方向緊密排列了具有磁性的導電粒子P。而絕緣部37中不含有或者幾乎不含有導電粒子P。
各向異性導電片35的厚度(圖示的例子中為導電部36中的厚度)為50～2000μm較好，70～1000μm更好，最好為80～500μm。
此厚度大于等于50μm時，各向異性導電片35能夠有足夠的強度。
另外，此厚度小于等于2000μm時，能夠實現具有所需導電性特性的導電部36。
突出部38的突出高度占整個突出部38厚度的10％或10％以上較好，最好大于等于15％。
具有上述突出高度的突出部38，由很小的加壓力就能夠充分壓縮導電部36，所以能夠得到良好的導電性。
另外，突出部38的突出高度小于等于突出部38最短寬度或直徑的100％較好，最好小于等于70％。
具有上述突出高度的突出部38，對突出部38加壓時，不會有彎曲，所以能夠得到所期望的導電性。
構成各向異性導電片35的彈性高分子物質最好是具有交聯結構的耐熱性高分子物質。
用于上述交聯高分子物質的固化性高分子物質形成材料可以使用各種材料，最好是液狀硅橡膠。
用于得到導電粒子P的磁性芯粒子的數平均粒子直徑最好為3～40μm。
這里的磁性芯粒子的數平均粒子直徑是由激光衍射散射法來測定的。
上述數平均粒子直徑大于等于3μm時，加壓容易變形，容易得到電阻值小、連接信賴度高的導電部36。
另外，上述數平均粒子直徑小于等于40μm時，容易形成微細的導電部36，而且得到的導電部36具有穩定的導電性。
構成磁性芯粒子的材料可以使用鐵、鎳、鈷、由銅、樹脂在這些金屬上涂層的物質，其飽和磁化大于等于0.1Wb/m2較好，大于等于0.3Wb/m2更好，最好大于等于0.5Wb/m2，具體來說，有鐵、鎳、鈷或者他們的合金。
覆蓋在磁性芯粒子表面的高導電性金屬有金、銀、銠、白金、鉻等，其中，最好使用化學上穩定且具有高導電率的金。
導電粒子P中，高導電性金屬與芯粒子的比例[(高導電性金屬的質量/芯粒子的質量)×100]大于等于15質量％，最好為25～35質量％。
高導電性金屬的比例小于15質量％時，在高溫環境下重復使用得到的各向異性導電連接器30時，導電粒子P的導電性顯著降低，不能維持所需的導電性。
另外，導電粒子P的數平均粒子直徑為3～40μm較好，最好為6～25μm。
使用上述導電粒子P得到的各向異性導電片35，加壓時容易變形，并且在導電部36中，導電粒子P之間能夠充分地電接觸。
導電粒子P的形狀沒有特別限定，考慮到容易在高分子物質形成材料中分散這一點，最好是球狀、星狀或者他們結合后的2次粒子的塊狀。
導電部36中導電粒子P的含有比例，體積比例為10～60％，最好為15～50％。
該比例小于10％時，無法得到電阻值足夠小的導電部36。
另外，該比例超過60％時，得到的導電部36易脆，導電部36中沒有足夠的彈性。
上述各向異性導電連接器30可以用特開2002-324600號公報中的方法來制造。
上述檢查裝置中，在晶片載臺4上放置了作為檢查對象的晶片6，接著由加壓片3對探測卡1向下加壓，由此，片狀探測器10的電極結構體15中的各表面電極部16與晶片6的各被檢查電極7接觸，然后由各表面電極部16對晶片6的各被檢查電極7加壓。
此狀態中，各向異性導電連接器30的各向異性導電片35中的各導電部36被檢查用電路基板20的檢查電極21和片狀探測器10的電極結構體15的背面電極部17夾住，沿厚度方向被壓縮。
因此，在導電部36的厚度方向上形成導電通路，結果，晶片6的被檢查電極7與檢查用電路基板20的檢查電極21之間形成電連接。
然后由加熱器5，通過晶片載臺4和加壓片3將晶片6加熱到規定溫度，在此狀態下，對晶片6中多個集成電路進行所需的電檢查。
上述探測卡1具有圖1所示的片狀探測器10，所以能夠與以小螺距形成被檢查電極7的晶片6進行穩定且準確的電連接，而且片狀探測器10中的電極結構體15不會脫落，且絕緣層18B的厚度較大，所以能夠得到很高的耐用性。
上述檢查裝置中，探測卡1具有圖1所示的片狀探測器10，所以能夠與以小螺距形成被檢查電極7的晶片6進行穩定且準確的電連接，而且由于探測卡1具有很高的耐用性，所以在對多個晶片6進行檢查時，能夠長時間進行信賴度高的檢查。
本發明的電路裝置的檢查裝置并不限定于上述例子，如下述，還可以有多種變更。
(1)圖27和圖28所示的探測卡1是對晶片6上所有的集成電路的被檢查電極7進行電連接，但也可以從晶片6上的集成電路中選擇出多個集成電路的被檢查電極7，與之進行電連接。
選擇的集成電路的數量根據晶片6的尺寸、晶片6上形成的集成電路的數量、各集成電路中被檢查電極7的數量等進行適當選擇，例如可以是16個、32個、64個、128個。
具有上述探測卡1的檢查裝置中，從晶片6上的集成電路中選擇出多個集成電路的被檢查電極7與探測卡1電連接后進行檢查，然后從其他集成電路中選擇出多個集成電路的被檢查電極7與探測卡1電連接后進行檢查，重復上述工序，能夠對晶片6上形成的所有集成電路進行電檢查。
對于以高集成度形成在直徑為8英寸或者12英寸的晶片6上的集成電路，由上述檢查裝置進行電檢查時，與對所有集成電路一起進行檢查的方法相比，使用的檢查用電路基板20的檢查電極數和配線數變少，由此，能夠降低檢查裝置的制造成本。
(2)本發明的檢查裝置中，作為檢查對象的電路裝置并不限定于具有多個集成電路的晶片6，可以是形成在半導體芯片、BGA、CSP等封裝LSI、CMC等半導體集成電路裝置上的電路的檢查裝置。
(3)片狀探測器10由圓筒狀的陶瓷等保持體來保持，在此狀態下，各向異性導電片35和檢查用電路基板20可以由如導銷50等固定為一體。
(4)本發明的片狀探測器10的制造方法中，第2背面側金屬層17A并不是必須的，也可以省略，在短路部形成用凹處18K和圖案孔17H中填充金屬，形成與短路部18一體的背面電極部17。
需要金屬框架板25時，可以另外準備金屬框架板25，用粘合劑層疊在制造的片狀探測器10上，實現一體化。
(5)本發明的片狀探測器10中，如圖11(a)所示，由具有電極結構體15的絕緣層18B構成的多個接點膜9，可以設置在金屬框架板25的各開口部26里，由金屬框架板25支撐，也可以如圖11(b)所示，1個接點膜9覆蓋金屬框架板25的多個開口部26。
由獨立的多個接點膜9構成片狀探測器10的結構，例如構成直徑大于等于8英寸的晶片檢查用片狀探測器10時，溫度變化引起的接點膜9的伸縮較小，電極結構體15的位置偏離也變小。
上述片狀探測器10，是在本發明的片狀探測器10的制造方法中圖13(b)或圖26(c)的狀態下，由抗蝕劑對絕緣層18B形成圖案，并且由蝕刻將絕緣層18B分割為任意形狀的接點膜9后形成的。
實施例下面說明本發明具體的實施例，但本發明并不限定于這些實施例。
<試驗用晶片的制作>
如圖33所示，在直徑為8英寸的硅(線熱膨脹系數為3.3×10-6/K)制晶片6上，形成483個尺寸為6.85mm×6.85mm的正方形集成電路L。
在晶片6的集成電路L這一面上，將感光性聚酰亞胺旋轉鍍膜，形成樹脂膜B1，進行預烘烤。
接著，將被檢查電極上部以外區域上由感光性聚酰亞胺形成的樹脂膜B1曝光并烘烤，半固化后，將感光性聚酰亞胺構成的樹脂膜B1的非曝光(未固化)部分顯像后除去，在被檢查電極的上部形成開口K1。
然后，進行高溫烘烤處理，使半固化的感光性聚酰亞胺構成的樹脂膜B1完全固化，形成厚度約為10μm的聚酰亞胺構成的絕緣膜B2，其中，被檢查電極的上部形成了90μm×90μm的矩形開口K1。
晶片6上形成的各集成電路L，如圖34所示，其中央有2列間隔為2500μm的被檢查電極區域A，該被檢查電極區域A中，以120μm的螺距，橫向排列了26個矩形被檢查電極，如圖35(a)所示，縱向[圖35(a)中的上下方向]的尺寸為90μm，橫向[圖35(a)中的左右方向]的尺寸為90μm。
如圖35(b)所示，由厚度約為10μm的絕緣膜覆蓋被檢查電極7的表面的周圍。
整個晶片6的被檢查電極7的數量為26116個，所有被檢查電極7是互相絕緣的。以下將晶片6稱為“試驗用晶片W1”。
另外，所有被檢查電極7也可以不是電絕緣的，從集成電路L中26個被檢查電極的最外側被檢查電極7開始，每隔一個電極，就有2個電連接，其他結構與上述試驗用晶片W1一樣，在晶片6上形成483個集成電路L。
以下將該晶片稱為“試驗用晶片W2”。
(實施例1)準備層疊聚酰亞胺片(以下稱為“層疊體10A”)，該層疊體10A是在直徑為20cm、厚度為12.5μm的聚酰亞胺片的兩面上分別層疊直徑為20cm、厚度為4μm的銅構成的金屬層[參照圖14(a)]。
層疊體10A中，厚度為12.5μm的聚酰亞胺片構成的絕緣片11的一面上，有厚度為4μm的銅構成的第1背面側金屬層19A，另一面上有厚度為4μm的銅構成的表面側金屬層16A。
上述層疊體10A中，在表面側金屬層16A的整個表面上，由厚度為25μm的聚對苯二甲酸乙酯構成的保護片形成保護膜40A，同時，在第1背面側金屬層19A的整個背面上，形成抗蝕膜12A，其上形成直徑為45μm的26116個圓形圖案孔12H，與試驗用晶片W1上的被檢查電極7的圖案對應[參照圖14(b)]。
這里，抗蝕膜12A的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
接著，使用氯化鐵系蝕刻液，在50℃、30秒的條件下對第1背面側金屬層19A實施蝕刻處理，由此形成26116個圖案孔19H，與抗蝕膜12A的圖案孔12H連通[參照圖14(c)]。
然后，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在80℃、10分鐘的條件下對絕緣片11實施蝕刻處理，由此在絕緣片11上形成26116個貫穿孔11H，分別與第1背面側金屬層19A的圖案孔19H連通[參照圖15(a)]。
各貫穿孔11H均為錐形，從絕緣片11的背面到表面，直徑逐漸變小，背面側的孔徑為45μm，表面側的孔徑為25μm(平均值)。
接著，將層疊體10A浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從層疊體10A上除去抗蝕膜12A，然后在層疊體10A上，由厚度為10μm的干膜抗蝕劑(日立化成フオテツク(商品名) RY-3210)形成抗蝕膜13A，覆蓋第1背面側金屬層19A，同時，在抗蝕膜13A上形成與絕緣片11的貫穿孔11H連通的、直徑為60μm的26116個矩形圖案孔13H[參照圖15(b)]。
這里，抗蝕膜13A的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
由此，在絕緣片11的背面上形成26116個表面電極部形成用凹處10K，分別與絕緣片11的貫穿孔11H、第1背面側金屬層19A的圖案孔19H及抗蝕膜13A的圖案孔13H連通。
接著，將層疊體10A浸漬在含有氨基磺酸鎳的鍍敷浴中，在層疊體10A中，將表面側金屬層16A作為電極，實施電解鍍敷處理，向各表面電極部形成用凹處10K內填充金屬，形成由表面電極部16和第1背面側金屬層19A互相連接的保持部19[參照圖15(c)]。
然后，將形成了表面電極部16的層疊體10A浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從層疊體10A上除去抗蝕膜13A。
接著，在層疊體10A的第1背面側金屬層19A和保持部19的表面上涂抹聚酰亞胺清漆(字部興產社制商品名“U-清漆”)，反復干燥后形成厚度約12μm的聚酰亞胺層218A。
然后，在形成的液狀聚酰亞胺層218A上層疊直徑為20.4cm、厚度為25μm的聚酰亞胺膜218B，使聚酰亞胺膜的這一側與聚酰亞胺層218A連接，上述聚酰亞胺膜218B的一面層疊了厚度為10μm、直徑為22cm的42合金構成的金屬片并一體化。
接著，在金屬片中周圍部分與液狀聚酰亞胺層218A連接的這一側上設置內徑為20.4cm、外徑為22cm的聚對苯二甲酸乙酯構成的保護帶，在此狀態下，由熱壓著處理，制成圖16(a)所示的層疊體10B。
層疊體10B中，形成了表面電極部16的層疊體10A的一面上層疊了厚度為36μm的聚酰亞胺片構成的絕緣層18B，該絕緣層18B的表面上具有42合金構成的第2背面側金屬層17A[參照圖16(a)]。
接著，上述層疊體10B中，在第2背面側金屬層17A的整個表面上，形成抗蝕膜28A，其上形成直徑為60μm的26116個圓形圖案孔28H，與試驗用晶片W1上的被檢查電極的圖案對應[參照圖16(b)]。
這里，抗蝕膜28A的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
接著，使用氯化鐵系蝕刻液，在50℃、30秒的條件下對第2背面側金屬層17A實施蝕刻處理，在第2背面側金屬層17A上形成26116個圖案孔17H，分別與抗蝕膜28A的圖案孔28H連通[參照圖16(c)]。
然后，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在80℃、15分鐘的條件下對絕緣層18B實施蝕刻處理，由此在絕緣層18B上形成26116個貫穿孔18H，分別與第2背面側金屬層17A的圖案孔17H連通[參照圖17(a)]。
各貫穿孔18H均為錐形，從絕緣層18B的背面到表面，直徑逐漸變小，其背面上露出背面電極部17，背面側的孔徑為80μm，表面側的孔徑為35μm。
接著，將形成了貫穿孔18H的層疊體10B浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從層疊體10B上除去抗蝕膜28A，然后在層疊體10B上，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑形成抗蝕膜29A，覆蓋第2背面側金屬層17A的整個表面，同時，在抗蝕膜29A上形成與絕緣層18B的貫穿孔18H連通的、尺寸為200μm×80μm的26116個矩形圖案孔29H[參照圖17(b)]。
這里，抗蝕膜29A的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
由此，在絕緣層18B的背面上形成26116個短路部形成用凹處18K，分別與絕緣層18B的貫穿孔18H、第2背面側金屬層17A的圖案孔17H及抗蝕膜29A的圖案孔29H連通。
接著，將層疊體10B浸漬在含有氨基磺酸鎳的鍍敷浴中，在層疊體10B中，將表面側金屬層16A作為電極，實施電解鍍敷處理，向各短路部形成用凹處18K內填充金屬，形成與表面電極部16連接、由短路部18和第2背面側金屬層17A 相連接的背面電極部17[參照圖17(c)]。
然后，將層疊體10B浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從層疊體10B上除去抗蝕膜29A。接著，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑形成圖案后，形成具有圖案孔29K的蝕刻用抗蝕膜29B，覆蓋第2背面側金屬層17A中作為金屬框架板25的部分和背面電極部17[參照圖18(a)]。
這里，抗蝕膜29B的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
接著，從層疊體10B中除去保護膜40A，然后使用氨系蝕刻液，在50℃、30秒的條件下實施蝕刻處理，除去全部表面側金屬層16A，同時除去第2背面側金屬層17A中從圖案孔29K中露出的部分，由此，使各背面電極部17互相分離，同時形成金屬框架板25，其上有多個開口部26，與試驗用晶片W1的集成電路中電極區域的圖案對應[參照圖18(b)]。
設置在金屬框架板25上的各開口部26的尺寸為橫向3600μm×縱向1000μm。
接著，將層疊體10B浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從金屬框架板25背面和背面電極部17上除去抗蝕膜29B。
然后，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑在金屬框架板25背面上形成抗蝕膜17E，覆蓋絕緣層18B背面和背面電極部17，該抗蝕膜17E由厚度為25μm的聚對苯二甲酸乙酯構成的保護膜40B覆蓋[參照圖18(c)]。
然后，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在80℃、10分鐘的條件下對層疊體10B實施蝕刻處理，除去絕緣片11，得到層疊體10C[參照圖19(a)]。
接著，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑形成圖案，形成抗蝕膜14A，覆蓋表面電極部16和第1背面側金屬層19A中作為保持部19的部分[參照圖19(b)]。
這里，抗蝕膜14A的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
接著，使用氯化鐵系蝕刻液，在50℃、30秒的條件下對第1背面側金屬層19A實施蝕刻處理，由此形成直徑為60μm的圓形保持部19，與表面電極部16的底端部分周圍連接，沿著絕緣層18B的表面向外側延伸，由此，形成電極結構體15[參照圖19(c)]。
在此狀態下，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在40℃、3分鐘的條件下對層疊體10C實施蝕刻處理，除去絕緣層18B的表面部分[參照圖13(a)]。
然后，浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從表面電極部16和保持部19上除去抗蝕膜14A。
接著，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑形成抗蝕膜，覆蓋層疊體10C的表面電極部16和絕緣層18B，并形成抗蝕膜17F，覆蓋將成為接點膜9的部分，形成圖案[參照圖13(b)]。
各抗蝕膜17F的尺寸為橫向4600μm，縱向2000μm。
在此狀態下，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在80℃、10分鐘的條件下實施蝕刻處理，得到具有接點膜9的層疊體10C，在金屬框架板的各貫穿孔內形成電極結構體15[參照圖13(c)]。
然后，從層疊體10C上除去保護膜40B，浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，除去抗蝕膜17E和抗蝕膜17F。
接著，從金屬框架板25中的周邊部分除去聚對苯二甲酸乙酯構成的保護帶，在金屬框架板25中的周邊部分涂抹粘合劑[セメダイン(株)雙組份丙烯粘合劑Y-620]，形成粘合劑層。
設置了外徑為22cm、內徑為20.5cm、厚度為2mm的環狀的、由氮化硅構成的保持部件40后，對保持部件40和金屬框架板25加壓50kg的負荷，在25℃中保持8小時，使保持部件40與金屬框架板25連接，由此制成本發明的片狀探測器10。
上述干膜抗蝕劑，特別是沒有指明的部分中，使用的是日立化成制的H-K350。
得到的片狀探測器10中，絕緣層18B的厚度d約為25μm，電極結構體15的表面電極部16的形狀為圓錐臺狀，其底端直徑R1為45μm，頂端直徑R2為25μm，其突出高度h為12.5μm。
另外，短路部18的形狀為圓錐臺狀，其表面側的直徑R3為35μm，厚度d3為36μm，背面側的直徑R4為80μm。而且，背面電極部17的形狀為矩形片狀，其寬(直徑R5)為80μm，長為200μm，厚度d2為35μm，保持部19的形狀為圓形，其直徑為60μm，厚度d1為14μm。
由上述方法制成4個片狀探測器。
這些片狀探測器稱為“片狀探測器M1”～“片狀探測器M4”。
(實施例2)與實施例1一樣，得到具有表面電極部16和保持部19的層疊體10A[參照圖15(c)]。
然后，將形成了表面電極部16的層疊體10A浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從層疊體10A上除去抗蝕膜13A。
接著，在層疊體10A的第1背面側金屬層19A和保持部19的表面上涂抹聚酰亞胺清漆(字部興產社制商品名“U-清漆”)，反復干燥后形成厚度約12μm的聚酰亞胺層218A[參照圖20(a)]。
然后，在形成的液狀聚酰亞胺層218A上層疊直徑為20.4、厚度為25μm的聚酰亞胺膜218B，該聚酰亞胺膜218B一面具有厚度為10μm、直徑為22cm的42合金構成的金屬片，另一面層疊了直徑為20.4、厚度為4μm的銅層，使銅層側與聚酰亞胺層218A連接， 在金屬片中周圍部分與液狀聚酰亞胺層218A連接的這一側上設置內徑為20.4cm、外徑為22cm的聚對苯二甲酸乙酯構成的保護帶，在此狀態下，由熱壓著處理，制成圖21(a)所示的層疊體10B。
層疊體10B中，形成了表面電極部16的層疊體10A的一面上層疊厚度為40μm、內部具有4μm厚的銅質金屬層219的、由聚酰亞胺片構成的絕緣層18B，該絕緣層18B的表面上具有42合金構成的第2背面側金屬層17A[參照圖21(a)]。
接著，上述層疊體10B中，在第2背面側金屬層17A的整個表面上，形成抗蝕膜28A，其上形成直徑為60μm的26116個圓形圖案孔28H，與試驗用晶片W1上的被檢查電極的圖案對應[參照圖21(b)]。
這里，抗蝕膜28A的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
接著，使用氯化鐵系蝕刻液，在50℃、30秒的條件下對第2背面側金屬層17A實施蝕刻處理，在第2背面側金屬層17A上形成26116個圖案孔17H，分別與抗蝕膜28A的圖案孔28H連通[參照圖21(c)]。
然后，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在80℃、10分鐘的條件下對絕緣層18B實施蝕刻處理，由此在絕緣層18B上形成開口部，分別與第2背面側金屬層17A的圖案孔17H連通，其背面露出金屬層219。
接著，使用氯化鐵系蝕刻液，在50℃、30秒的條件下對從絕緣層18B開口部背面露出的金屬層219實施蝕刻處理后除去。
然后，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在80℃、10分鐘的條件下對絕緣層18B實施蝕刻處理，由此在絕緣層18B上形成26116個貫穿孔18H，分別與第2背面側金屬層17A的圖案孔17H連通[參照圖22(a)]。
各貫穿孔18H均為錐形，從絕緣層18B的背面到表面，直徑逐漸變小，其背面上露出背面電極部17，背面側的孔徑為80μm，表面側的孔徑為35μm。
接著，將形成了貫穿孔18H的層疊體10B浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從層疊體10B上除去抗蝕膜28A[參照圖23(a)]。
在此狀態下，對層疊體10B實施無電解鍍銅處理，將表面側金屬層16A作為電極，實施電解鍍銅處理，在貫穿孔18H內壁上形成厚度約1μm、由銅構成的金屬薄層220。
然后，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑在層疊體10B上形成抗蝕膜29A，覆蓋第2背面側金屬層17A的整個表面，同時，在抗蝕劑29A上形成26116個200μm×80μm的矩形圖案孔29H，與絕緣層18B的貫穿孔18H連通。
這里，抗蝕膜29A的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
由此，在層疊體10B的背面上形成26116個短路部形成用凹處18K，分別與絕緣層18B的貫穿孔18H、第2背面側金屬層17A的圖案孔17H及抗蝕膜29A的圖案孔29H連通[參照圖22(b)、圖23(b)]。
接著，將層疊體10B浸漬在含有氨基磺酸鎳的鍍敷浴中，在層疊體10B中，將表面側金屬層16A作為電極，實施電解鍍敷處理，向各短路部形成用凹處18K內填充金屬，形成與表面電極部16連接、由與短路部18和第2背面側金屬層17A互相連接的背面電極部17[參照圖22(c)、圖23(c)]。
然后，將層疊體10B浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從層疊體10B上除去抗蝕膜29A。接著，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑形成圖案后，形成具有圖案孔29K的蝕刻用抗蝕膜29B，覆蓋第2背面側金屬層17A中作為金屬框架板25的部分和背面電極部17[參照圖24(a)]。
這里，抗蝕膜29B的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
接著，從層疊體10B中除去保護膜40A，然后使用氨系蝕刻液，在50℃、30秒的條件下實施蝕刻處理，除去全部表面側金屬層16A，同時除去第2背面側金屬層17A中從圖案孔29K中露出的部分，由此，使各背面電極部17互相分離，同時形成金屬框架板25，其上有多個開口部26，與試驗用晶片W1的集成電路中電極區域的圖案對應[參照圖24(b)]。
設置在金屬框架板25上的各開口部26的尺寸為橫向3600μm×縱向1000μm。
接著，將層疊體10B浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從金屬框架板25背面和背面電極部17中除去抗蝕膜29B。
然后，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑形成抗蝕膜17E，覆蓋金屬框架板25背面、絕緣層18B背面和背面電極部17，該抗蝕膜17E由厚度為25μm的聚對苯二甲酸乙酯構成的保護膜40B覆蓋[參照圖24(c)]。
然后，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在80℃、10分鐘的條件下對層疊體10B實施蝕刻處理，除去絕緣片11，得到層疊體10C[參照圖25(a)]。
接著，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑形成圖案，形成抗蝕膜14A，覆蓋表面電極部16和第1背面側金屬層19A中作為保持部19的部分[參照圖25(b)]。
這里，抗蝕膜14A的形成中，曝光處理是由高壓水銀燈照射80mJ的紫外線；顯像處理是由1％的氫氧化鈉水溶液構成的顯像劑浸漬40秒后再重復1次。
接著，使用氯化鐵系蝕刻液，在50℃、30秒的條件下對第1背面側金屬層19A實施蝕刻處理，由此形成直徑為60μm的圓形保持部19，與表面電極部16的底端部分周圍連解，沿著絕緣層18B的表面向外側延伸，由此，形成電極結構體15[參照圖25(c)]。
在此狀態下，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在80℃、10分鐘的條件下對層疊體10C實施蝕刻處理，除去絕緣層18B的表面部分[參照圖26(a)]。
接著，使用氯化鐵系蝕刻液，在50℃、1分鐘的條件下對除去了該絕緣層18B表面部分的層疊體10C實施蝕刻處理，除去金屬層219和金屬薄層220。
然后，浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，從表面電極部16和保持部19上除去抗蝕膜14A。
接著，由厚度為25μm的干膜抗蝕劑形成抗蝕膜，覆蓋層疊體10C的表面電極部16和絕緣層18B，并形成抗蝕膜17F，覆蓋將成為接點膜9的部分，形成圖案[參照圖26(c)]。
各抗蝕膜17F的尺寸為橫向4600μm，縱向2000μm。
在此狀態下，使用胺系聚酰亞胺蝕刻液[東工程株式會社制，“TPE-3000”]，在80℃、10分鐘的條件下實施蝕刻處理，得到具有接點膜9的層疊體10C，在金屬框架板的各貫穿孔內形成電極結構體15[參照圖26(d)]。
然后，從層疊體10C上除去保護膜40B，浸漬在45℃的氫氧化鈉溶液中2分鐘，由此，除去抗蝕膜17E和抗蝕膜17F。
接著，從金屬框架板25中的周邊部分除去聚對苯二甲酸乙酯構成的保護帶，在金屬框架板25中的周邊部分涂抹粘合劑[セメダイン(株)雙組份丙烯粘合劑Y-620]，形成粘合劑層，設置了外徑為22cm、內徑為20.5cm、厚度為2mm的環狀的、由氮化硅構成的保持部件40后，對保持部件40和金屬框架板25加壓50kg的負荷，在25℃中保持8小時，使保持部件40與金屬框架板25連接，由此制成本發明的片狀探測器10。
上述干膜抗蝕劑，特別是沒有指明的部分中，使用的是日立化成制的H-K350。
得到的片狀探測器10中，絕緣層18B的厚度d約為25μm，電極結構體15的表面電極部16的形狀為圓錐臺狀，其底端直徑R1為45μm，頂端直徑R2為25μm，其突出高度h為12.5μm。
另外，短路部18的形狀為圓錐臺狀，其表面側的直徑R3為35μm，背面側的直徑R4為80μm，厚度d3為40μm。而且，背面電極部17的形狀為矩形片狀，其寬(直徑R5)為80μm，長為200μm，厚度d2為35μm，保持部19的形狀為圓形，其直徑為60μm，厚度d1為14μm。
電極結構體15的移動距離，即短路部18的厚度d3與絕緣層18B的厚度d的差約為15μm。
由上述方法制成4個片狀探測器。
這些片狀探測器稱為“片狀探測器N1”～“片狀探測器N4”。
(比較例1)準備圖44(a)所示的層疊體90C，具有表面側金屬層92A、第2背面側金屬層92B、第1背面側金屬層92C，由絕緣片11和絕緣層18B構成。
層疊體90C中，表面側金屬層92A由厚度為4μm的銅構成，絕緣層18B由厚度為12.5μm的聚酰亞胺構成，第1背面側金屬層92C由厚度為4μm的銅構成，絕緣片91B由厚度為37.5μm的聚酰亞胺構成，第2背面側金屬層92B由厚度為10μm的42合金構成。
在該層疊體90C上，按照特開2004-172589號所記載的方法，形成電極結構體形成用凹處90K，在第2背面側金屬層92B上形成直徑為90μm的圖案孔，依次形成與絕緣層18B、第1背面側金屬層92C、絕緣片11連接的貫穿孔，從貫穿孔的背面露出表面側金屬層92A，一起形成短路部和表面電極部[參照圖41(b)]。
接著，將層疊體90C浸漬在含有氨基磺酸鎳的鍍敷浴中，在層疊體90C中，將表面側金屬層92A作為電極，實施電解鍍敷處理，向各短路部形成用凹處90K內填充金屬[參照圖41(c)]。
然后由蝕刻除去絕緣片11[參照圖41(d)]。
接著，對第1背面側金屬層進行蝕刻，形成保持部，對第2背面側金屬層進行蝕刻，除去其中一部分，由此，形成背面電極部和支持部92E，對絕緣層18B實施蝕刻，將絕緣層分割為各接點膜[參照圖41(e)]。
然后，在外徑為22μm、內徑為20.5μm、厚度為2mm的環狀氮化硅構成的支撐部件2表面，滴下氰丙烯酸系粘合劑[東亞合成(株)制商品名アロンアルフア編號#200]，形成粘接層，在上面層疊形成了接點膜的層疊層，在25℃中保持30分鐘，使粘接層固化，制成片狀探測器。
得到的片狀探測器中，絕緣層的厚度d約為37.5μm，電極結構體的表面電極部的形狀為圓錐臺狀，其底端直徑為37μm，頂端直徑為13μm(平均值)，其突出高度為12.5μm，保持部的寬為60μm，長為200μm，厚度為4μm，短路部的形狀為圓錐臺狀，其表面側的直徑為37μm，背面側的直徑為90μm，背面電極部的形狀為矩形片狀，其寬為90μm，長為200μm，厚度為20μm，。
由上述方法制成4個片狀探測器。
這些片狀探測器稱為“片狀探測器O1”～ “片狀探測器O4”。
<各向異性導電連接器的制作>
(1)磁性芯粒子的調制使用市面上出售的鎳粒子(Westaim社制，“FC1000”)，用下述方法調制磁性芯粒子。
由日清工程株式會社制的空氣分級機“タ一ボクラシフアイア(商品名)TC-15N”，在比重為8.9、風量為2.5m3/min、轉子轉速為2250rpm、分級點為15μm、鎳粒子的供給速度為60g/min的條件下，對2kg鎳粒子進行分級處理，收集粒子直徑小于等于15μm的鎳粒子0.8kg，然后在比重為8.9、風量為2.5m3/min、轉子轉速為2930rpm、分級點為10μm、鎳粒子的供給速度為30g/min的條件下，對0.8kg鎳粒子進行分級處理，收集到鎳粒子0.5kg。
得到的鎳粒子的數平均粒子直徑為7.4μm，粒子直徑的變動系數為27％，BET表面系數為0.46×103m2/kg，飽和磁化為0.6Wb/m2。
將該鎳粒子作為磁性芯粒子Q。
(2)導電粒子的調制在粉末鍍敷裝置的處理槽內投入磁性芯粒子Q100g，加入0.32N的鹽酸水溶液2L后攪拌，得到含有磁性芯粒子Q的漿。在常溫下攪拌該漿30分鐘，進行磁性芯粒子Q的酸處理，然后靜置1分鐘，使磁性芯粒子Q沉淀，除去上面的澄清液。
然后在進行了酸處理的磁性芯粒子Q中加入純水2L，在常溫下攪拌2分鐘，然后靜置1分鐘，使磁性芯粒子Q沉淀，除去上面的澄清液。再重復該操作2次，對磁性芯粒子Q進行清洗處理。
接著，在進行了酸處理和清洗處理的磁性芯粒子Q中，加入含金率為20g/L的鍍金液2L，將處理層內的溫度升至90℃后攪拌，制成漿。在此狀態下，一邊攪拌漿，一邊對磁性芯粒子Q進行金的置換鍍敷。然后使漿冷卻，靜置后沉淀粒子，除去上面澄清液，制成導電粒子P。
在得到的導電粒子中加入純水2L，在常溫下攪拌2分鐘，然后靜置1分鐘，使導電粒子沉淀，除去上面的澄清液。再重復該操作2次，然后加入2L加熱至90℃的純水，用濾紙過濾得到的漿，回收導電粒子。然后由設定在90℃的干燥機對該導電粒子進行干燥處理。
得到的導電粒子的數平均粒子直徑為7.3μm，BET表面系數為0.38×103m2/kg，(形成覆蓋層的金的質量)/[磁性芯粒子(A)的質量]的值為0.3。
將該導電粒子作為“導電粒子(a)”。
(3)框架板的制作按照圖36和圖37所示的結構，由下述條件，形成具有966個開口32、直徑為8英寸的框架板31，上述開口32與上述試驗用晶片W1中各被檢查電極區域對應。
該框架板31的材料為科伐鐵鎳鈷合金(線熱膨脹系數5×10-6/K)，厚度為60μm。
各開口部32的橫向(圖36和圖37中左右方向)的尺寸為3600μm，縱向(圖36和圖37中的上下方向)的尺寸為900μm。
如圖36所示，與試驗用晶片上的1個集成電路L對應形成了2個框架板31的開口32，與同一個集成電路L相對應的框架板31的開口32的間隔距離(圖37中的上下方向)為2000μm。
縱向上相鄰的開口32的中央位置上，形成了圓形的空氣流入孔33，其直徑為1000μm。
(4)各向異性導電片用成形材料的調制在100重量部的附加型液狀硅橡膠中添加30重量部的導電粒子后混合，然后由減壓實施紡絲處理，調制成各向異性導電片用的成形材料。
上述附加型液狀硅橡膠是雙組份材料，分別由粘度為250Pa·s的A液和B液構成，其固化物的壓縮永久變形為5％，肖氏硬度A硬度為32，撕裂強度為25kN/m。
這里，附加型液狀硅橡膠及其固化物的特性由以下方式測定。
(I)附加型液狀硅橡膠的粘度由B型粘度計測定為23±2℃。
(II)硅橡膠固化物的壓縮永久變形由下述方法測定。
等量攪拌混合雙組份的附加型液狀硅橡膠中A液和B液。然后使該混合物流入模具中，由減壓對混合物進行紡絲處理后，在120℃、30分鐘的條件下進行固化處理，制成厚度為12.7mm、直徑為29mm、由硅橡膠固化物構成的圓柱體，在200℃、4小時的條件下對該圓柱體進行二次硬化。將得到的圓柱體作為試驗片，按照JIS K 6249，測定150±2℃中的壓縮永久變形。
(III)硅橡膠固化物的撕裂強度由下述方法測定。
用上述(II)的條件進行附加型液狀硅橡膠的固化處理和二次硬化，制成厚度為2.5mm的片。
對該片進行打孔，制成弓形試驗片，按照JIS K 6249，測定23±2℃中的撕裂強度。
(IV)層疊5個上述(III)中制作的片，將得到的層疊體作為試驗片，按照JIS K 6249，測定23±2℃中肖氏硬度A硬度。
(5)各向異性導電連接器的制作使用上述(3)中制作的框架板31和上述(4)中調制的成形材料，按照特開2002-324600號公報所記載的方法，在框架板31上形成966個圖30所示結構的各向異性導電片35，分別塞住1個開口32，由框架板31的開口邊緣部固定支撐，由此，制成各向異性導電連接器30。
這里，成形材料層的固化處理，在100℃、1小時的條件下，由電磁鐵沿厚度方向作用2T的磁場來進行的。
得到的各向異性導電片35中，每個各向異性導電片35的橫向尺寸為6000μm，縱向尺寸為2000μm，26個導電部36以120μm的螺距，在橫向上排成一列，各導電部36的橫向尺寸為60μm，縱向尺寸為200μm，厚度為150μm，突出部38的突出高度為25μm，絕緣部37的厚度為100μm。
另外，設置在橫向最外側的導電部36與框架板31開口邊緣之間，設置了非連接用的導電部36。
各非連接用導電部36橫向的尺寸為60μm，縱向的尺寸為200μm，厚度為150μm。
另外，調節每個各向異性導電片35的導電部36中導電粒子的含有比例時，與整個導電部36的體積比率約為25％。
由上述方法，制成12個各向異性導電連接器。
這些各向異性導電連接器稱為“各向異性導電連接器C1”～“各向異性導電連接器C12”。
<檢查用電路基板的制作>
基板材料使用礬土陶瓷(線熱膨脹系數為4.8×10-6/K)，制成檢查用電路基板20，其上形成了檢查電極21，與試驗用晶片W1中被檢查電極的圖案對應。
該檢查用電路基板20是整體尺寸為30cm×30cm的矩形，其檢查電極橫向的尺寸為60μm，縱向尺寸為200μm。得到的檢查用電路基板稱為“檢查用電路基板T1”。
<片狀探測器的評價>
(1)試驗1(相鄰電極結構體間的絕緣性)用下面的方法，對片狀探測器M1、M2、片狀探測器N1、N2、片狀探測器O1、O2進行相鄰電極結構體間的絕緣性的評價。
室溫(25℃)下，將試驗用晶片W1設置在試驗臺上，在該試驗用晶片W1表面上設置片狀探測器，使每個表面電極部16與試驗用晶片W1的被檢查電極7位置相對，在該片狀探測器上設置各向異性導電連接器30，使各導電部36與片狀探測器的背面電極部17位置相對，在該各向異性導電連接器30上設置檢查用電路基板T1，使各檢查電極21與各向異性導電連接器30的導電部36位置相對，并對檢查用電路基板T1向下加壓，負荷為200kg(平均每個電極結構體上的負荷約為8g)。
這里，各向異性導電連接器30使用下述表1所示的連接器。
依次對檢查用電路基板T1中26116個檢查電極21外加電壓，外加了電壓的檢查電極和其他檢查電極間的電阻作為片狀探測器中電極結構體15間的電阻(以下稱為“絕緣電阻”)來測量，求出所有測量點中絕緣電阻小于等于10MΩ的測量點的比例(以下稱為“絕緣不良比例”)。
這里，絕緣電阻小于等于10MΩ時，實際上，難以用于晶片上集成電路的電檢查。
上述結果如下面表1所示。
(2)試驗2(電極結構體的連接穩定性)用下面的方法，對片狀探測器M3、M4、片狀探測器N3、N4、片狀探測器O3、O4進行電極結構體15與被檢查電極連接穩定性的評價。
室溫(25℃)下，將試驗用晶片W2設置在具有電熱器的試驗臺上，在該試驗用晶片W2表面上設置片狀探測器，使每個表面電極部16與試驗用晶片W2的被檢查電極7位置相對，在該片狀探測器上設置各向異性導電連接器30，使各導電部36與片狀探測器的背面電極部17位置相對，在該各向異性導電連接器30上設置檢查用電路基板T1，使各檢查電極21與各向異性導電連接器30的導電部36位置相對，并對檢查用電路基板T1向下加壓，負荷為200kg(平均每個電極結構體上的負荷約為8g)。
這里，各向異性導電連接器30使用下述表2所示的連接器。
對于檢查用電路基板T1中的26116個檢查電極21，依次測量通過片狀探測器、各向異性導電連接器30、試驗用晶片W2互相電連接的2個檢查電極21間的電阻，測出的電阻值的1/2的值作為檢查用電路基板T1的檢查電極21與試驗用晶片W2的被檢查電極7之間的電阻(以下稱為“導通電阻”)來記錄，求出所有測量點中導通電阻大于等于1Ω的測量點的比例(以下稱為“接觸不良比例”)。
該操作作為“操作1”。
接著，解除對檢查用電路基板T1的加壓，將試驗臺升溫至125℃，直至溫度穩定，然后對檢查用電路基板T1向下加壓，負荷為200kg(平均每個電極結構體上的負荷約為8g)，與上述操作(1)一樣，求出接觸不良比例。該操作作為“操作2”。
然后將試驗臺冷卻至室溫(25℃)，解除對檢查用電路基板T1的加壓。該操作作為“操作3”。
將上述操作(1)、操作(2)和操作(3)作為1個周期，連續重復200個周期。
這里，絕緣電阻大于等于1Ω時，實際上，難以用于晶片上集成電路的電檢查。
上述結果如下面表2所示。
另外，試驗2結束后觀察各片狀探測器時，任何一個片狀探測器中，電極結構體15都沒有從絕緣層18B上脫落。
根據表2的結果，比較例中的片狀探測器O中，由于表面電極部的突出高度小且絕緣層18B的厚度大，所以對于由絕緣膜覆蓋被檢查電極表面周圍的晶片，無法實現穩定且連續的電連接。
說明書摘要
課題提供一種片狀探測器及其制造方法能夠對以小螺距形成電極的電路裝置進行穩定且連續的連接，電極結構體不會從絕緣膜上脫落，具有很高的耐用性，對于大面積的晶片和被檢查電極螺距小的電路裝置，老化試驗中，能夠防止溫度變化引起電極結構體與被檢查電極的位置偏離，能夠維持穩定良好的連接狀態。
權利要求
1.一種片狀探測器，具有絕緣層；和接點膜，具有在上述絕緣層上沿其面方向分開設置的、沿上述絕緣層厚度方向貫穿而延伸的多個電極結構體，所述片狀探測器的特征在于，上述各電極結構體具有表面電極部，從上述絕緣層的表面露出，并從上述絕緣層的表面突出來，從其底端到頂端，直徑變小；背面電極部，從上述絕緣層的背面露出來；和短路部，沿上述絕緣層的厚度方向，從上述表面電極部的底端連續貫穿上述絕緣層而延伸，并與上述背面電極部相連，其中上述表面電極部的底端直徑比上述短路部的與表面電極部相連的那一端的直徑大；而且上述短路部的厚度比上述絕緣層的厚度大。
2.根據權利要求1所述的片狀探測器，其特征在于，上述短路部能夠相對于上述絕緣層沿其厚度方向移動。
3.根據權利要求2所述的片狀探測器，其特征在于，電極結構體在上述絕緣層厚度方向上能夠移動的距離為5～30μm。
4.一種片狀探測器的制造方法，其特征在于，具有下述工序準備層疊體，該層疊體至少具有絕緣片，形成在該絕緣片的表面上的表面側金屬層，和形成在上述絕緣片的背面上的第1背面側金屬層；形成使上述層疊體中的第1背面側金屬層和絕緣片互相連通的、沿厚度方向延伸的貫穿孔，由此，在上述層疊體的背面形成表面電極部形成用凹處；對上述層疊體進行下述處理將其表面側金屬層作為電極，實施鍍敷處理，以向表面電極部形成用凹處填充金屬，由此形成從絕緣層表面突出的表面電極部，然后在上述層疊體的背面側沿厚度方向形成由多個蝕刻速度不同的樹脂層構成的絕緣層和在上述絕緣層表面上形成的第2背面側金屬層，形成與上述層疊體中的第2背面側金屬層和絕緣層的各個互相連通、將表面電極部從底面露出的短路部形成用凹處；對上述層疊體進行下述處理將其表面側金屬層作為電極實施鍍敷處理，以向短路部形成用凹處填充金屬，由此，形成沿絕緣層的厚度方向從表面電極部底端連續貫穿絕緣層而延伸的短路部，之后對第2背面側金屬層實施蝕刻處理，以形成背面電極部，除去上述表面側金屬層和上述絕緣片，由此露出上述表面電極部和上述第1背面側金屬層，然后對上述第1背面側金屬層實施蝕刻處理，形成從上述表面電極部的底端部分連續的、沿著上述絕緣片表面向外延伸的保持部，然后對絕緣層進行蝕刻處理，除去絕緣層的表面側部分，減小絕緣層的厚度。
5.根據權利要求4所述的片狀探測器的制造方法，其特征在于，構成上述絕緣層的蝕刻速度不同的樹脂層中，與表面電極部相連的那一側的樹脂層的蝕刻速度快。
6.根據權利要求4或5所述的片狀探測器的制造方法，其特征在于，構成上述絕緣層的蝕刻速度不同的多個樹脂層中，至少除去1層樹脂層。
7.根據權利要求4至6中任一項所述的片狀探測器的制造方法，其特征在于，上述絕緣層由隔著金屬層來層疊的多個樹脂層構成，通過蝕刻將表面電極部側的樹脂層從金屬層上除去。
8.一種探測卡，用于進行作為檢查對象的電路裝置與測試器的電連接，其特征在于，具有檢查用電路基板，與作為檢查對象的電路裝置的被檢查電極對應地形成了多個檢查電極；各向異性導電連接器，設置在上述檢查用電路基板上；以及權利要求1至3中任一項所述的片狀探測器，設置在上述各向異性導電連接器上。
9.根據權利要求8所述的探測卡，其特征在于，作為檢查對象的電路裝置是形成了多個集成電路的晶片；各向異性導電連接器具有框架板，與作為檢查對象的晶片上形成的所有集成電路或者一部分集成電路中設置了被檢查電極的電極區域對應地形成了多個開口；各向異性導電片，以塞住上述框架板的各開口的方式設置。
10.一種電路裝置的檢查裝置，其特征在于，具有權利要求8或9所述的探測卡。
11.一種探測卡，用于進行作為檢查對象的電路裝置與測試器的電連接，其特征在于，具有檢查用電路基板，與作為檢查對象的電路裝置的被檢查電極對應地形成了多個檢查電極；各向異性導電連接器，設置在上述檢查用電路基板上；以及用權利要求4至7中任一項所述的方法制造的片狀探測器，設置在上述各向異性導電連接器上。
12.根據權利要求11所述的探測卡，其特征在于，作為檢查對象的電路裝置是形成了多個集成電路的晶片；各向異性導電連接器具有框架板，與作為檢查對象的晶片上形成的所有集成電路或者一部分集成電路中設置了被檢查電極的電極區域對應地形成了多個開口；各向異性導電片，以塞住上述框架板的各開口的方式設置。
13.一種電路裝置的檢查裝置，其特征在于，具有權利要求11或12所述的探測卡。
14.一種晶片的檢查方法，其特征在于，將形成了多個集成電路的晶片的各集成電路通過權利要求8、9、11、12中任一項所述的探測卡與測試器電連接，進行上述各集成電路的電檢查。
全文摘要
本發明提供一種片狀探測器，具有絕緣層，接點膜，具有在上述絕緣層上沿其面方向分開設置的、沿上述絕緣層厚度方向貫穿而延伸的多個電極結構體；其特征在于，各電極結構體具有表面電極部，從絕緣層的表面露出，并從絕緣層的表面突出來，從其底端到頂端，直徑變小，背面電極部，從絕緣層的背面露出來，短路部，沿上述絕緣層的厚度方向，從表面電極部的底端連續貫穿上述絕緣層而延伸，并與背面電極部連接；其中表面電極部的底端直徑比短路部的與表面電極部相連的那一端的直徑大；短路部的厚度比上述絕緣層的厚度大。
文檔編號G01R31/26GK1973207SQ200580013438
公開日2007年5月30日 申請日期2005年4月26日 優先權日2004年4月27日
發明者佐藤克己, 井上和夫, 藤山等, 吉岡睦彥, 五十嵐久夫 申請人:Jsr株式會社