利用反射和熒光圖像檢查電路的系統和方法

專利名稱：利用反射和熒光圖像檢查電路的系統和方法
技術領域：
本發明通常涉及在制造期間的電路檢查，尤其涉及在印刷電路板的檢查期間減少對非缺陷的誤測。
背景技術：
市場上可買到各種自動化光學檢查(AOI)系統來在制造期間檢查諸如印刷電路板之類的電路以檢測缺陷。一些AOI系統利用反射的單色或者多色光獲取要檢查的電路的圖像。反射光AOI系統包括可從以色列Yavne的Orbotech有限公司獲得的InspireTM、SpironTM、和InFinexTMAOI系統。其它AOI系統從對掃描激光束的熒光響應中獲取要檢查的電路的圖像。掃描激光器AOI系統包括也可從以色列Yavne的Orbotech有限公司獲得的VisionTMAOI系統。
為了確保檢測到電路上的所有缺陷，對AOI系統進行調整以便產生足夠靈敏以檢測出全部真實缺陷的檢測結果。這樣的敏感級別還導致一些非缺陷的位置被錯誤地標識為包括缺陷。因此，在檢查之后，在下游的驗證操作中驗證在AOI期間標識的缺陷，以確認該缺陷的確是真實的缺陷還是誤報。

發明內容
本發明尋求提供改進的、用于檢查電路缺陷的系統和方法。
本發明還尋求提供改進的AOI系統，該系統可進行操作來檢查電路的反射和熒光圖像，所述反射和熒光圖像在不同的時間間隔期間獲取。
因此，根據本發明的優選實施例，提供了一種用于檢查電路的方法，包括在第一時間間隔期間，通過在第一圖像中檢測從中反射的光來光學地檢查電路的至少一部分；通過在第二時間間隔期間獲取的第二圖像中的熒光，光學地檢查從該電路的至少一部分發出的光；以及基于幾何一致指示而指示電路中的缺陷，其中這些幾何一致指示來自通過檢測從中反射的光而對電路至少一部分的光學檢查、以及通過熒光對從該電路至少一部分發出的光的光學檢查。
還根據本發明的另一優選實施例提供了用于檢查電路的設備，該設備包括反射檢查功能單元，進行操作以通過檢測從中反射的光來光學地檢查電路的至少一部分；熒光檢查功能單元，進行操作以通過熒光來光學地檢查從該電路的至少一部分發出的光；以及缺陷指示器，進行操作來基于來自反射檢查功能單元和熒光檢查功能單元的幾何一致指示、指示電路中的缺陷。
本發明的其他實施例包括一個或多個下述的附加特征和功能。
使用反射光掃描和檢查電路以獲得候選缺陷。
通常僅僅在由反射檢查指示為可能包含缺陷的區域處，利用熒光圖像檢查該電路。
熒光檢查包括用波長小于420nm、優選大約為410nm的光照射該電路的一部分。
該檢查包括將與第一圖像上的潛在缺陷的位置相對應的第二圖像中的一部分與參考圖像進行比較。該比較可包括從第二圖像中提取第一輪廓(contours)，并且將該第一輪廓與從參考圖像獲得的第二輪廓進行比較。
為缺陷和未被肯定地確定為誤測的候選缺陷中的至少一個獲取該電路的高質量反射圖像，并且評估該高質量反射圖像以進行進一步的缺陷確定。
在例如使用獲取二維圖像的掃描相機來掃描要檢查的電路期間，相繼獲取反射和熒光圖像，在圖像獲取期間用適當的閃光照射來照射該電路。


根據以下結合附圖的詳細說明，本發明將得到更充分的理解，在附圖中圖1是根據本發明的實施例、用于檢查電路的設備和功能單元的簡化圖示；圖2是利用圖1中的設備和功能單元檢查電路的方法的簡化流程；圖3A和3B是說明圖2中的方法的、從檢查電路中獲得的檢查結果的示意圖；以及圖4是在圖1的系統和功能單元中采用的、用于獲取熒光圖像的光學頭的簡化圖示。
具體實施例方式
參見圖1，其是根據本發明的實施例、用于檢查電路的設備和功能單元的簡化圖示。根據本發明的實施例，AOI系統100至少包括第一檢查臺110，其獲取包括要檢查的第一電路(由參考數字114所示)的一個或多個反射圖像112在內的圖像。
反射圖像112通過，例如掃描第一電路114獲取。可選地，反射圖像112可以是電路114的多個二維圖像幀的合成。可以在相同或者不同照射配置下獲取不同的反射圖像。根據本發明的實施例，AOI系統100是可從Orbotech有限公司買到的SpironTMAOI系統，其適用于執行反射圖像的自動光學檢查，然后通過光學地檢查從熒光中獲得的檢查驗證圖像來驗證候選缺陷。
如圖1所示，將反射圖像112提供給缺陷分析器120，其進行操作以另外從計算機文件參考124獲得與第一電路114相對應的、預備的參考圖像122。適當的計算機文件參考可以從CAM文件或者從已知沒有缺陷的印刷電路板獲取的圖像中導出。根據本發明的實施例，計算機文件參考124包含二進制圖像。可選地，計算機文件參考124包含與要檢查的電路相對應的輪廓圖，即在導體和基板之間的邊緣圖。
缺陷分析器120進行操作以自動地光學檢查反射圖像112，并且輸出在電路114上的候選缺陷126的指示。當完成了光學檢查時，將電路向下游傳送到驗證臺130。根據圖1，注意到正經受自動光學檢查的第一電路114位于檢查臺110處，而第二先前檢查的電路115位于驗證臺130處。早已在檢查臺110處對先前檢查過的電路115進行了自動光學檢查，并且已經由缺陷分析器120標識出其上的至少一個候選缺陷。電路115上的候選缺陷的位置一般不同于在同時檢查的其它電路上發現的那些缺陷的位置，但是一些候選缺陷可能是相似的、并且可能在相同類型的連續電路上的位置處重復出現。
由與驗證臺130進行操作通信的驗證控制器134接收候選缺陷126(與在先前已檢查的電路115上所標識的候選缺陷相對應)的指示。如圖1所示，驗證臺130可以在與第一檢查臺110相同的底盤上整體地形成。整體地組合檢查臺110和驗證臺130的系統是可從Orbotech有限公司買到的SpironTMAOI系統。可選地，驗證臺130可以是獨立驗證臺(例如也可以從以色列Yavne的Orbotech有限公司買到的VRS-5TM驗證和修理臺)，其可在獨立自動光學檢查臺(例如也可以從Orbotech有限公司買到的InspireTMAOI系統)的下游進行操作。根據本發明的又一個實施例，在用區域相機掃描電路的期間，順序地獲得反射圖像和熒光圖像。例如，在掃描區域相機時順序地改變閃光照射的配置。用這樣的方式，獲取了圖像的多個集合。每個集合都覆蓋了整個電路，但是，用在圖像獲取期間使用的至少兩個不同照射配置之一進行照射。
根據本發明的實施例，驗證臺130包括照相機140和定位器142，該定位器142可進行操作以根據驗證控制器134的輸出148順序地定位相機140，以順序地觀看候選缺陷146的位置。輸出148提供了由缺陷分析器120所標識的、候選缺陷的幾何位置。在圖1所示的實施例中，定位器142進行操作以獨立地控制相機140的X-Y定位。
在所檢查電路115上的每個被順序觀看的候選缺陷位置146處，以適于提供適用于附加自動計算機化缺陷分析的圖像的光來照射該位置146。根據本發明的實施例，用導致基板部分因此發熒光的波長的光照射候選缺陷位置146。可選地，可以采用其它適當形式的照射，如以掠射角提供的多色光。
根據本發明的實施例，相機140獲取熒光響應的熒光圖像150。在與獲取反射圖像112的時間間隔期間分離的時間間隔期間獲取熒光圖像150。因此，例如根據本發明的實施例，雖然不必是這樣的情況，但是僅僅在掃描了整個電路115并且在為所有電路115獲取了至少一個反射圖像之后才獲取熒光圖像150。在圖1所示的實施例中，當獲取了熒光圖像150之后，將相機140重新定位到由輸出148提供其位置的下一個候選缺陷處，并且在那個位置獲取熒光圖像。將每個候選缺陷位置的至少一個圖像的熒光圖像150提供給缺陷分析器120，該缺陷分析器120自動地分析每個熒光圖像以驗證候選缺陷是實際的缺陷還是非缺陷的誤測，這有時也稱為誤報。可選地，AOI系統100進行操作以在掃描期間的多個分離時間間隔中獲取反射圖像112和熒光圖像150，例如作為利用所選擇的不同照射類型之一獲取的多個時間偏移的圖像。
在圖1所示的實施例中，可看出缺陷分析器120進行操作以便為在初始檢查期間獲取的反射圖像、以及在自動驗證期間獲取的諸如熒光圖像之類的其他圖像而提供圖像分析功能。可以使用如圖1所示的相同計算機中的相同處理器、或使用相同計算機中的不同處理器、或使用不同計算機中的不同處理器來提供這些功能。用于初始檢查和后續自動驗證的圖像分析功能可以利用至少一些相同的圖像處理算法，或者它們可以利用不同的圖像處理算法。
根據本發明的實施例，當進一步分析了每個熒光圖像150之后，缺陷分析器輸出指示在電路上的實際缺陷的缺陷報告160，該電路已被使用反射光至少部分地進行了初始光學檢查，并且已經利用熒光成像為該電路進一步光學檢查了候選缺陷以驗證這些候選缺陷是否為實際缺陷。實際缺陷的每個指示都基于通過至少光學檢查反射圖像、以及進一步光學檢查與相同位置相對應的熒光圖像而確定的候選缺陷位置的幾何一致性。
現在參見圖2，其是利用圖1中的設備和功能單元檢查電路方法的簡化流程200，并且參見圖3A和3B，它們是用于說明圖2中的方法用于兩種不同類型候選缺陷的、從檢查電路獲得的檢查結果的示意圖。
根據本發明的實施例，例如在圖1的檢查臺110處，獲取要檢查的電路的反射圖像。例如在缺陷分析器120處，自動地光學檢查和分析該反射圖像，以檢測在要檢查的電路中的候選缺陷。在這個階段，已經標識出各種缺陷，但是仍然需要驗證這些缺陷是實際的缺陷還是錯誤檢測或者誤報。
圖3A和3B中分別說明了用于兩種不同類型可能缺陷的、使用反射圖像的自動光學檢查操作。圖3A中的圖像幀300說明了與電路一部分相對應的反射圖像，該電路在候選缺陷位置304處具有諸如由氧化物302之類而引起的污點(discoloration)。氧化物與周圍的金屬導體306不同地反射光。在采用反射光的系統中，部分氧化的導體可能被自動光學檢查誤解為畸形和有缺陷。在使用反射光的自動光學檢查之后，將位置304標識為候選缺陷。
圖3B中的圖像幀310說明了在位置314處具有不同類型缺陷的電路一部分的反射圖像，該缺陷即難以檢測的短路，如表面(shallow)短路312。表面短路包含連接在相鄰導體(所指示的導體316和317)之間的金屬的小型沉積。雖然表面短路312中的金屬量可足以電連接導體316和317，但是因為金屬量小且淺，所以表面短路經常難以在反射光下可見。在使用反射光的自動光學檢測之后，將在位置314處的表面短路312指示為候選缺陷。
要注意到，AOI系統需要在多個參數之間相當大的平衡，以便檢測出基本上全部缺陷，而同時避免過多的誤報。例如，使AOI系統靈敏化到便于檢測出表面短路和其它難以檢測的缺陷的級別可能導致過多類似于在基板表面的偽亮斑那樣、各種非缺陷的誤測。相反，將AOI系統靈敏化到導致可接受的少量錯誤檢測報告的級別可能導致至少錯過一些表面短路或者其它難以檢測的缺陷。類似地，使檢查不敏感以便避免氧化物(其不是缺陷)的錯誤檢測可能導致，例如錯過對導體上諸如小劃痕缺陷之類的一些真正缺陷的檢測。相反，增加檢查靈敏度以拾取導體中的小劃痕缺陷可能導致不合需要地、過多地將氧化物誤測為缺陷。
根據本發明的實施例，可選對指示在要檢查的電路上的每個候選缺陷的輸出進行處理，以濾出重復的候選缺陷。這些缺陷包括，例如在一系列類似電路上重復出現的幾何候選缺陷。盡管存在重復出現的幾何畸形，但是如果已經確定在一系列類似電路面板中的各個面板的相同位置處重復出現的重現候選缺陷不構成實際缺陷，則可以過濾掉它們。在當前申請人同時提交的發明名稱為“Verification of Non-Recurring Defects in Pattern Inspection”的臨時專利申請60/550,061中更詳細地描述了濾出重現幾何候選缺陷的方法，該臨時專利申請通過引用全部并入在此。
將指示需要驗證的每個候選缺陷的輸出提供給驗證臺，例如圖1中的驗證臺130。返回參見圖2，例如在驗證臺130(圖1)處，對每個候選缺陷位置獲取至少一個熒光圖像。優選為，該熒光圖像包括該候選缺陷以及在該候選缺陷周圍的小部分區域。還標識了諸如從CAM文件中導出的參考圖之類的參考圖的相應部分。
根據本發明的實施例，分別從熒光圖像和相應的參考文件中提取輪廓，即代表在導體部分和基板之間的邊緣的線。根據本發明的實施例，在離線處理中提取來自參考的輪廓，并且存儲該輪廓。還可以例如在初始檢測期間使用該參考輪廓。將來自熒光圖像的輪廓與來自計算機參考文件的輪廓進行比較。在與通過反射圖像的光學檢查獲得的候選缺陷的指示大致一致的位置處，在相應熒光圖像和參考的輪廓之間的差別指示在正被檢查的電路中的實際缺陷。
在以下的專利和專利申請文檔中，即美國專利5,774,772、美國專利5,774,573、待決美國專利申請公開2003/0174877、待決美國專利申請09/633,756(對應于WO0111565)和待決美國專利申請10/363,982(對應于WO0221105)中特別描述了提取輪廓并且比較該輪廓以檢測缺陷的方法，這些專利和專利申請都轉讓給當前受讓人Orbotech有限公司，并且通過引用全部在此并入。
返回參見圖3A，幀320示出了用于在根據反射圖像(幀300)的光學檢查所確定的候選缺陷位置302周圍區域的CAM圖像的一部分。缺陷302是例如由氧化物引起的污點。幀322中示出了來自幀320中的CAM圖像的輪廓。
幀330示出了為通常與幀300所示區域一致的區域而獲取的熒光圖像。根據本發明的實施例，幀330大約為500×700像素，并且分辨率是從中確定候選缺陷的圖像的分辨率的大約1.5倍。優選為，使用大約350×350像素的子區域用于光學檢查。注意到，對所檢查電路的恰當照射導致基板而不是導體發熒光，由此使熒光成像不受諸如氧化物之類的污點的影響。因此熒光圖像起用于消除氧化物誤報的優異工具的作用。因此，在熒光圖像330中，與反射圖像300中的位置304相對應的、與候選缺陷位置332相關聯的污點是看不見的。
因為熒光圖像對諸如氧化物之類的導體的污點不敏感，所以幀334中所示的、來自熒光圖像的輪廓也對導體污點不敏感。幀340中示出了來自參考圖像(幀322)的輪廓和來自熒光圖像(幀334)的輪廓的比較。注意到，在通常與候選缺陷位置302一致的位置342處，輪廓的比較指示出不存在缺陷。
關于圖3B所示的缺陷，幀350示出了用于在根據反射圖像(幀310)的光學檢查所確定的候選缺陷312周圍區域的CAM圖像的一部分。幀352中示出了來自幀350中的CAM圖像的輪廓。
幀360示出了為通常與幀310所示區域一致的區域而獲取的熒光圖像。根據本發明的實施例，幀360大約為500×700像素，并且分辨率是從中確定候選缺陷的圖像的分辨率的大約1.5倍。優選為，使用大約350×350像素的子區域用于光學檢查。注意到對所檢查電路的恰當照射導致基板而不是導體發熒光，由此因為不存在熒光而使難以檢測的短路相對可見。因此，在與幀310中的候選缺陷位置314大致一致的熒光圖像中的候選缺陷位置364處，可清楚地看見表面短路312。幀366中示出了與幀360中的熒光圖像相對應的輪廓。
因為熒光圖像相對于表面短路312的周圍基板清楚地反襯出該淺短路312，所以可以容易地驗證該缺陷。幀370中示出了來自CAM圖像(幀352)的輪廓和來自熒光圖像(幀366)的輪廓的比較。注意到，在與位置314大致一致的位置374處，輪廓的比較清楚地指示出實際缺陷的存在。
現在返回到圖2，為候選缺陷的期望集合中的每一個完成驗證。在完成了驗證時，傳送該電路以便進行進一步處理。例如，可以將其中全部缺陷已經被確認為是錯誤缺陷檢測的電路傳送到例如經由微細加工的進一步電路制造操作。
其中一些候選缺陷已經被驗證為是實際缺陷的電路，或者其中自動驗證無法確定的電路可能需要另外的缺陷驗證或者修復操作。根據本發明的實施例，相機140被配置來以例如大于在初始檢查期間所獲取圖像的分辨率的分辨率，另外獲取已驗證缺陷的高質量反射圖像。該高質量圖像的分辨率優選為至少是初始檢查所利用的圖像，如檢查臺110處獲取的圖像的分辨率的1.5倍。可選地，使用為選定缺陷的驗證而優化的各種不同的照射配置，來獲取高質量的反射圖像。例如，當利用掠射角照射進行照射時，可以對一些缺陷進行最好的處理。
根據本發明的實施例，為每個確定為實際缺陷或者驗證無法確定的候選缺陷獲取高質量的圖像。利用該高質量的圖像用于另外的自動圖像處理和光學檢查，或者由操作者使用該高質量圖像以進行該缺陷是否是實際缺陷的最終確定。可選地，修復電路。例如，可以將其中已經檢測出表面短路的電路提供給修復操作者，該修復操作者采用柳葉刀或者其它等效的設備刮落或相反除去導致短路的過多的導體材料。
現在參見圖4，其是在圖1的系統和功能單元中采用的、用于獲取熒光圖像的光學頭400的簡化圖示。光學頭400通常包括照射器402、成像和縮放光學器件404、以及布置為獲取在要被光學檢查的電路上的缺陷位置412的圖像的相機406。根據本發明的實施例，由照射控制器410驅動照射器402，其被配置來生成短時間照射脈沖，以在圖像獲取期間用短時間(在大約10-300毫秒之間的范圍內)脈沖照射來照射位置412。
根據本發明的實施例，照射器402包括環狀光照射器，該環狀光照射器包含多個布置成至少一個同心環的LED 414，以照射在要檢查的電路415(例如，對應于圖1中的電路115)上的位置412。LED 414發射主輻射在藍、紫或者紫外光譜中的光，優選為具有小于410nm的波長。適當的LED包括可以從加利福尼亞(California)的ETG公司中獲得的型號為ETG-3UV400-30的LED。
如圖4所示，來自LED 414的光通過低通濾波器416，該低通濾波器416進行操作以通過低于選定波長如低于420nm的光，但是阻擋高于這個波長的光譜中的光。這確保來自LED 414的410nm的光的通過。低通濾波器416被配置為具有開口418，其允許由相機406查看位置412而沒有經低通濾波器416的濾波。
來自LED 414的光在位置412處照射到要檢查的電路，并且導致電路的基板部分發熒光，發射具有較長波長的光，該較長波長取決于制造基板所用的材料類型而一般在480-600nm的范圍內。
由基板發射的熒光通過開口418，并且由成像和縮放光學器件404成像在相機406的傳感器上。允許高于選定波長、例如高于475nm的光通過并且阻止波長低于該值的光通過的高通濾波器420定位在相機406的上游。這確保由相機406獲取的圖像不會被散射照射或者從電路415反射的、來自LED414的照射所破壞。
根據本發明的實施例，相機406是可從Sony公司獲得的型號FCB-IX47，其提供了板載自動聚焦功能，可進行操作來對位置412的圖像自動聚焦。根據本發明的實施例，成像和縮放光學器件404和相機406的布置通常遵循現在已放棄的美國專利申請09/570,972(對應于PCT專利申請公開WO0188592)的示教，該申請的公開通過引用全部并入在此。
根據本發明的實施例，照射器402另外包括第二多個LED 430，它們被布置成環形，以從低通濾波器416的外部來照射位置412，并具有比LED 414所提供的照射更長的波長。例如，來自LED 430的照射通常為多色照射，其適于獲取位置412的高質量可視圖像。例如，該高質量可視圖像適于在其他適當的行式(line)圖像處理中使用，或者適于由人類操作員在評估位置412處的候選缺陷中使用。根據本發明的實施例，自動聚焦相機進行操作來獲取一個或多個圖像，以不同的照射配置來照射每個圖像。
根據本發明的實施例，由照射控制器410響應于要驗證的候選缺陷的類型而自動地選擇照射配置。例如，可以由檢查臺110(圖1)提供這個信息，以便優化由攝像機406獲取的、用于進一步的圖像處理和自動驗證、或者用于人工審查的圖像。因此，例如用于自動驗證氧化物或者表面短路的照射要求可能需要用紫或者紫外光照射的熒光圖像。用于驗證一些短路的自動驗證的照射要求可能需要以掠射角提供反射光。驗證向下變形缺陷(即其中導體的上表面相對于它的周圍被壓下的缺陷)的自動驗證的照射要求可能需要高質量的反射圖像。
本領域技術人員應當理解本發明不局限于在上文中已經具體示出和描述的那些內容。例如，本發明的各種實施例可能包括不同的傳感器和控制設備的組合。本發明的范圍包括此處描述的各種特征以及本領域技術人員通過閱讀上文描述自然地會想到且不屬于先有技術的各種修改和變化的組合和子組合。
權利要求
1.一種檢查電路的方法，包括在第一時間間隔期間，通過在第一圖像中檢測從中反射的光來光學檢查電路的至少一部分；通過在第二時間間隔期間獲取的第二圖像中的熒光，光學地檢查從所述電路的至少一部分發射的光；以及基于幾何一致指示來指示所述電路中的缺陷，其中所述幾何一致指示來自所述通過檢測從中反射的光而對電路至少一部分的光學檢查、以及所述通過熒光對從所述電路至少一部分發射的光的光學檢查。
2.如權利要求1所述的檢查電路的方法，其中，所述通過第二圖像中的熒光來光學檢查從所述電路的至少一部分發出的光，通常僅僅在由所述通過檢測從中反射的光來光學檢查電路的至少一部分而指示為可能包含缺陷的、所述電路上的區域處執行。
3.如權利要求1所述的檢查電路的方法，其中，所述通過檢測從中反射的光來光學檢查電路的至少一部分包括使用反射光來掃描所述電路。
4.如權利要求1所述的檢查電路的方法，其中，所述通過熒光來光學檢查從所述電路的至少一部分發射的光包括用波長小于420nm的光照射所述電路的一部分。
5.如權利要求4所述的檢查電路的方法，其中，所述用波長小于420nm的光照射所述電路一部分包括從環形布置的多個LED提供光，所述LED以下列光譜即藍色、紫色和紫外線中的至少一種發射光。
6.如權利要求1所述檢查電路的方法，還包括根據對所述第一圖像的光學檢查，確定候選缺陷的位置；以及大致在所述位置處獲取所述第二圖像。
7.如權利要求1所述檢查電路的方法，還包括根據對所述第一圖像的光學檢查，確定候選缺陷的位置；以及將所述第二圖像的一部分與參考進行比較，其中所述第二圖像的所述部分對應于候選缺陷的所述位置。
8.如權利要求7所述的檢查電路的方法，其中所述對部分進行比較包括從所述第二圖像中提取第一輪廓；以及將所述第一輪廓與從所述參考獲得的第二輪廓進行比較。
9.如權利要求1所述的檢查電路的方法，還包括為缺陷和未被明確確定為誤測的候選缺陷中的至少一個獲取所述電路的高質量反射圖像；以及評估所述高質量反射圖像以進行進一步的缺陷確定。
10.如權利要求1所述的檢查電路的方法，還包括修復至少一個確定為是實際缺陷的候選缺陷。
11.如權利要求1所述的檢查電路的方法，其中，所述第二圖像的分辨率大于所述第一圖像的分辨率。
12.如權利要求1所述的檢查電路的方法，其中，所述第二時間間隔和所述第一時間間隔時間上分離。
13.如權利要求12所述的檢查電路的方法，其中，所述第二時間間隔在所述第一時間間隔之后。
14.如權利要求13所述的檢查電路的方法，其中，所述通過檢測從中反射的光來光學檢查電路的至少一部分包括掃描電路并獲取反射圖像，以及其中所述通過熒光來光學檢查從所述電路的至少一部分發出的光包括在所述掃描之后獲取至少一個熒光圖像。
15.如權利要求1所述的檢查電路的方法，其中，在掃描期間，所述第一時間間隔和所述第二時間間隔是不重合的時間間隔。
16.一種用于檢查電路的設備，包括反射檢查功能單元，進行操作來通過檢測從中反射的光來光學檢查電路的至少一部分；熒光檢查功能單元，進行操作來通過熒光光學檢查從所述電路的至少一部分發射的光；以及缺陷指示器，進行操作來基于來自所述反射檢查功能單元和所述熒光檢查功能單元的幾何一致指示、指示所述電路中的缺陷。
17.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，其中，所述熒光檢查功能單元通常僅僅在由所述反射檢查功能單元指示為可能包含缺陷的、所述電路上的區域處進行操作。
18.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，其中，所述反射檢查功能單元包括掃描器，其進行操作以使用反射光來掃描所述電路。
19.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，其中，所述熒光檢查功能單元包括照射器，其進行操作以用波長小于420nm的光照射要在其處獲取圖像的所述電路的一部分。
20.如權利要求19所述的用于檢查電路的設備，其中，所述照射器包括多個以環形布局布置的LED，這些LED照射要在其處獲取圖像的所述電路的照射部分。
21.如權利要求20所述的用于檢查電路的設備，還包括覆蓋所述LED的低通濾波器；并且還包括開口，以允許獲取所述照射部分的圖像，所述圖像未由所述低通濾波器濾波。
22.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，還包括缺陷位置確定器，進行操作以根據對所述第一圖像的光學檢查而確定候選缺陷的位置；以及圖像獲取器，進行操作以大致在所述位置獲取所述第二圖像。
23.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，還包括缺陷位置確定器，進行操作以根據對所述第一圖像的光學檢查而確定候選缺陷的位置；以及圖像比較器，進行操作來將所述第二圖像的一部分與參考進行比較，所述第二圖像的所述部分對應于候選缺陷的所述位置。
24.如權利要求23所述的用于檢查電路的設備，其中所述圖像比較器包括輪廓提取器，進行操作以從所述第二圖像中提取第一輪廓；以及輪廓比較器，進行操作以將所述第一輪廓與從所述參考獲得的第二輪廓進行比較。
25.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，還包括反射圖像獲取器，進行操作以便為缺陷或者未被明確確定為誤測的候選缺陷中的至少一個獲取所述電路的高質量反射圖像；以及圖像評估器，進行操作以評估所述高質量反射圖像，以及進行進一步的缺陷確定。
26.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，其中，所述第二圖像包含分辨率大于所述第一圖像的分辨率的圖像。
27.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，其中，所述熒光檢查功能單元在所述反射檢查功能單元的操作之后進行操作。
28.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，其中，所述反射功能單元進行操作，以在掃描電路期間獲取至少一個反射圖像；以及所述熒光檢查功能單元進行操作以在所述掃描之后獲取至少一個熒光圖像。
29.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，其中，所述反射功能單元進行操作，以在掃描電路期間獲取至少一個反射圖像；以及所述熒光檢查功能單元進行操作以在所述掃描期間獲取至少一個熒光圖像。
30.如權利要求16所述的用于檢查電路的設備，其中，在掃描期間分離的間隔處獲取所述至少一個反射圖像和所述至少一個熒光圖像。
31.一種用于制造電路的方法，包括在基板上形成電路；在第一時間間隔期間，通過在第一圖像中檢測從中反射的光來光學檢查所述電路的至少一部分；通過在第二時間間隔期間獲取的第二圖像中的熒光，光學檢查從所述電路的至少一部分發出的光；以及基于幾何一致指示而指示所述電路中的缺陷，其中所述幾何一致指示來自所述通過檢測從中反射的光而對電路至少一部分的光學檢查、以及所述通過熒光對從所述電路至少一部分發射的光的光學檢查；至少丟棄一些被指示為有缺陷的電路。
32.如權利要求31所述的用于制造電路的方法，其中，所述通過第二圖像中的熒光來光學檢查從所述電路的至少一部分發出的光，通常僅僅在由所述通過檢測從中反射的光來光學檢查電路的至少一部分而指示可能包含缺陷的、所述電路上的區域處執行。
33.如權利要求31所述的用于制造電路的方法，其中，所述通過檢測從中反射的光來光學檢查電路的至少一部分包括使用反射光來掃描所述電路。
34.如權利要求31所述的用于制造電路的方法，其中，所述通過熒光來光學檢查從所述電路的至少一部分發射的光包括用波長小于420nm的光照射所述電路的一部分。
35.如權利要求31所述的用于制造電路的方法，還包括根據對所述第一圖像的光學檢查來確定候選缺陷的位置；以及大致在所述位置處獲取所述第二圖像。
36.如權利要求31所述的用于制造電路的方法，還包括根據對所述第一圖像的光學檢查來確定候選缺陷的位置；以及將所述第二圖像的一部分與參考進行比較，其中所述第二圖像的所述部分對應于候選缺陷的所述位置。
37.如權利要求36所述的用于制造電路的方法，其中所述對部分進行比較包括從所述第二圖像中提取第一輪廓；以及將所述第一輪廓與從所述參考獲得的第二輪廓進行比較。
38.如權利要求31所述的用于制造電路的方法，還包括為缺陷或者未被明確確定為誤測的候選缺陷中的至少一個獲取所述電路的高質量反射圖像；以及評估所述高質量反射圖像以進行進一步的缺陷確定。
39.如權利要求31所述的用于制造電路的方法，還包括修復至少一個確定為是實際缺陷的候選缺陷。
40.如權利要求31所述的用于制造電路的方法，其中，所述第二圖像的分辨率大于所述第一圖像的分辨率。
41.如權利要求31所述用于制造電路的方法，其中，所述第二時間間隔在所述第一時間間隔之后。
42.如權利要求31所述的用于制造電路的方法，其中，在掃描期間，所述第一時間間隔和所述第二時間間隔是不重合的時間間隔。
全文摘要
一種用于檢查電路的方法，包括在第一時間間隔期間，通過在第一圖像中檢測從中反射的光來光學檢查電路的至少一部分；根據在第二時間間隔期間獲取的第二圖像中的熒光，光學地檢查從該電路的至少一部分發射的光；以及基于幾何面一致指示而指示電路中的缺陷，其中這些幾何一致指示來自通過檢測從中反射的光而對電路至少一部分的光學檢查、以及通過熒光對從該電路至少一部分發出的光的光學檢查。
文檔編號G01N21/88GK101014850SQ200580006391
公開日2007年8月8日 申請日期2005年1月27日 優先權日2004年3月5日
發明者埃米爾·諾伊, 吉拉德·達瓦拉 申請人:奧博泰克有限公司