專利名稱：形成于半導體晶片上的結構的方位掃描的制作方法
技術領域：
本發明涉及光學計量，尤其是涉及形成于半導體晶片上的結構的方位掃描。
背景技術：
光學計量涉及將入射光束引導到一個結構，測量所得到的衍射光束，并且分析所述衍射光束以確定所述結構的特征。在半導體生產中，光學計量典型地用于質量保證。例如，在半導體晶片上靠近半導體芯片處制造一個光柵陣列之后，光學計量系統被用來確定所述光柵陣列的外形。通過確定所述光柵陣列的外形，以及通過擴展靠近所述光柵陣列的半導體芯片，就能評估用于形成所述光柵陣列的制造工藝的質量。
然而，當對一個結構進行光學計量時，如果所述結構和所述入射光束沒有在方位上精確地對準，就可能出現測量誤差。特別是，衍射光束的正交偏振分量可能使信號測量復雜化，并且導致被測信號和光學計量中所使用的分析模型之間的失配。
此外，在半導體行業中，日益增長地使用三維(3-D)結構，例如，具有兩個方向上的維數的光柵陣列，諸如接觸孔陣列。由于與二維(2-D)結構相比增加了一維，諸如線/空間，所以進行三維結構的光學計量是更加復雜的。例如，在二維結構的光學計量中，主要感興趣的是在一個橫向上的重要維(CD，critical dimension)。與此相對比，在三維結構的光學計量中，除了CD以外，所述結構的形狀(來自鳥瞰圖)、CD比和取向都是感興趣的。
發明內容
在一個示例性的實施例中，通過以入射角和方位角將入射光束引導到所述三維結構，來檢查形成于半導體晶片上的三維結構。在方位角的范圍內掃描入射光束以獲得方位掃描。在方位掃描過程中，測量衍射光束的正交偏振分量。
通過參照以下結合附圖的對本發明的詳細說明，將能更好地理解本發明，在附圖中，用相同的數字來表示相同的部件。
圖1描繪一個示例性的光學計量系統；圖2描繪一個示例性的光柵陣列；圖3描繪來自圖2中所描繪的示例性光柵陣列的示例性信號測量仿真結果；圖4描繪來自圖2中所描繪的示例性光柵陣列的另一種示例性信號測量仿真結果；圖5-A至5-D描繪示例性的光柵陣列；圖6描繪另一個示例性的光柵陣列；圖7描繪來自圖6中所描繪的示例性光柵陣列的另一種示例性信號測量仿真結果；圖8描繪來自圖6中所描繪的示例性光柵陣列的示例性光譜掃描仿真結果；圖9描繪另一個示例性的光柵陣列的一部分；圖10描繪來自圖9中所描繪的示例性光柵陣列的另一種示例性信號測量仿真結果；圖11描繪在圖9中所描繪的示例性光柵陣列的光譜掃描；圖12描述差值信號的光譜掃描；以及圖13描述平均信號的光譜掃描。
具體實施例方式
下面的說明將陳述多種特定的配置和參數等。然而，應當認識到，作者不打算用這樣的說明來限制本發明的范圍，取而代之的是，作為示例性實施例的說明而提供。
1.光學計量參照圖1，光學計量系統100可以被用來檢查和分析形成于半導體晶片上的三維結構。例如，光學計量系統100可以被用來確定形成于半導體晶片104上的光柵陣列102的特征。如上所述，光柵陣列102可以形成于晶片104上的測試區域，諸如與形成于晶片104上的器件相鄰。可替代地，光柵陣列102可以形成于器件上不干擾所述器件工作或者沿晶片104上的劃線的區域中。雖然在圖1中，光柵陣列102被描繪為一個接觸孔陣列，但是，應當認識到，光柵陣列102可以包括各種二維和三維結構。
如圖1所示，光學計量系統100可以包括具有光源106和檢測器112的光學計量裝置。光柵陣列102被來自光源106的入射光束108照明。在本示例性的實施例中，入射光束108以相對于光柵陣列102的法線 的入射角θi和方位角(即，入射光束108的平面(入射平面122)和光柵陣列102的周期性方向(光柵平面120)之間的角度)被引導到光柵陣列102。衍射光束110以相對于法線 的角度θd離開，并且被檢測器112接收。檢測器112測量衍射光束110作為被測量的衍射信號，上述被測量的衍射信號可以包括反射率、零階正交偏振效率/幅度、tan(Ψ)、cos(Δ)、傅里葉系數等等。
光學計量系統100還包括處理模塊114，它被配置去接收測量的衍射信號并且分析測量的衍射信號。如下面所述，隨后可以使用各種線性或非線性外形提取技術，諸如基于數據庫的處理、基于回歸的處理等，來確定光柵陣列102的特征。基于數據庫的處理的更詳細說明可參見2001年7月16日提交的題為“GENERATION OF A LIBRARYOF PERIODIC GRATING DIFFRACTION SIGNALS”的美國專利申請第09/907,488號，上述申請以全文的形式在此通過參考而并入。基于回歸的處理的更詳細說明可參見2001年8月6日提交的題為“METHOD AND SYSTEM OF DUNAMIC LEARNING THROUGHA REGRESSION-BASED LIBRARY GENERATION PROCESS”的美國專利申請第09/923,578號，上述申請以全文的形式在此通過參考而并入。關于機器學習系統的更詳細說明可參見2003年6月27日提交的題為“OPTICAL METROLOGY OF STRUCTURES FORMEDON SEMICONDUCTOR WAFERS USING MACHINE LEARNINGSYSTEMS”的美國專利申請第10/608,300號，上述申請以全文的形式在此通過參考而并入。
2.方位掃描參照圖1，如上所述，入射光束108以入射角θi和方位角被引導到光柵陣列102。參照圖2，在一個示例性的實施例中，通過在方位角202的范圍內掃描入射光束108來進行方位掃描。隨著入射光束108在方位角202的范圍內進行掃描，使用檢測器112來獲得衍射光束110、特別是衍射光束110的正交偏振項的測量結果(即，信號測量結果)。如同上面所指出的那樣，該信號測量結果可以包括反射率、零階正交偏振效率/幅度、tan(Ψ)、cos(Δ)、傅里葉系數等等。
例如，對于典型的橢圓計，檢測器112(圖1)測量橢圓計參數(Ψ，Δ)。因此，有效的橢圓計參數 可以表示為ρ~=tanψelΔ=EpEs=RppSinP+RspCosPRpsSinP+RssCosP]]>式中，Ep為平行于入射平面的電場，Es為垂直于入射平面的電場，P為偏振角，Rpp，Rsp，Rps和Rss為偏振項。隨著方位掃描的進行，所有四個偏振項Rpp，Rsp，Rps和Rss改變。正交偏振項Rsp，Rps在數量上典型地小于同相偏振項Rss，Rpp。要注意的是，當P處于20-50°的范圍內時，由于正交偏振項的貢獻不容易與同相偏振項的貢獻區分開，難以測量正交偏振項。然而，當P為0°或90°時，同相偏振項Rss或Rpp其中之一變為零，僅留下正交偏振項作為衍射光束的S或P分量。因此，在本示例性的實施例中，使用0°或90°偏振角來進行方位掃描。
3.確定零方位位置光學計量典型地包括比較實測衍射信號和仿真衍射信號，其中，仿真衍射信號與所述結構的假設外形相關聯。如果實測衍射信號與仿真衍射信號相匹配，或者當實測衍射信號和仿真衍射信號的差值處于預設或匹配標準內時，與匹配的仿真衍射信號相關聯的假設外形被認為代表所述結構的實際外形。
典型地使用建模技術，諸如嚴格耦合波分析(RCWA，rigorouscoupled wave analysis)、積分方法(integral method)、Fresnel方法、有限元分析、模態分析等，來產生光學計量中所使用的仿真衍射信號。關于RCWA的詳細描述，可參見2001年1月25日提交的題為“CACHING OF INTRA-LAYER CALCULATIONS FOR RAPIDRIGOROUS COUPLED-WAVE ANALYSES”的美國專利申請第09/770,997號，上述申請以全文的形式在此通過參考而并入。還可以使用機器學習系統來產生仿真的衍射信號。關于機器學習系統的更詳細說明，可參見2003年6月27日提交的題為“OPTICALMETROLOGY OF STRUCTURES FORMED ONSEMICONDUCTOR WAFERS USING MACHINE LEARNINGSYSTEMS”的美國專利申請第10/608,300號，上述申請以全文的形式在此通過參考而并入。
在產生仿真衍射信號的過程中，假定一個方位角。在產生仿真衍射信號的過程中所假定的方位角(即，假定方位角)和獲得實測衍射信號的過程中所使用的方位角(即，實際方位角)之間的差值可能產生錯誤的結果。例如，由于假定和實際方位角之間的差值，與匹配的仿真衍射信號相關聯的假想外形將不能代表實際外形。
因此，在一個示例性應用中，在方位掃描中獲得的信號測量結果被用來確定一個零方位位置，在此處正交偏振項為零，以便檢測在獲得實測衍射信號過程中所使用的方位角和產生仿真衍射信號的過程中所使用的方位角之間的方位失準。正如將在下面詳細地描述的那樣，在某些方位角，信號測量結果(特別是信號測量結果的正交偏振項)為零。
例如，當使用橢圓計并且偏振角P為0°或90°時，所述橢圓計信號可以表示為ρ~=tanψelΔ=EpEs=RspRss]]>或ρ~=tanψeiΔ=EpEs=RpsRpp]]>如果僅考慮幅度項，則角Ψ可以表示為ψ=atan|Rsp||Rss|]]>或ψ=atan|Rps||Rpp|]]>當為0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°和315°時，信號測量結果(特別是信號測量結果的正交偏振項)為零。
參照圖3，圖中描繪了接觸孔陣列的方位掃描的仿真結果。圖3中所描繪的仿真假定在硅結構上具有光致抗蝕劑的接觸孔陣列，其間距x，y為400nm，所述光致抗蝕劑的厚度為200nm，孔直徑為200nm，入射角為65°，光的波長(λ)為500nm。
圖3描繪了在這個實例中，當從0°到180°時，角Ψ的兩種測量結果。如圖3所示，所述信號測量結果對應于偏振角P為0°和90°的情形(要注意的是，當P為90°時，所描繪的是-Ψ，以便允許對兩種測量結果進行比較)。也如圖3所示，在0°、45°、90°和135°，信號測量結果為零。此外，信號測量結果對稱于這些零點。也如圖3所示，對應于P＝90°的信號測量結果強于對應于P＝0°的信號測量結果，因此，將提供更好的信噪比(SNR，signal-to-noise ratio)。
因此，在本示例性應用中，使用對應于信號測量結果(特別是信號測量結果的正交偏振項)為零時的方位角，諸如為0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°和315°時的方位角，來產生光柵陣列的光學計量中所使用的仿真衍射信號。在從光柵陣列獲得實測衍射信號以便和仿真衍射信號進行比較之前，執行所述光柵陣列的方位掃描。然后，從方位掃描中獲得的信號測量結果可以被用來檢測將用于獲得實測衍射信號的方位角的失準。除了檢測方位角的失準以外，可以根據信號測量結果來確定失準量。由此就能校正所述失準。例如，如果在假定方位角和實際方位角之間存在偏差(例如，如果曲線橫向移動或者零點被移動，諸如從90°到91.2°)，則可以檢測并校準光學計量硬件的方位校準誤差(例如1.2°)。
雖然圖3描繪了在180°的范圍內進行方位掃描，但是應當認識到，可以在假定方位角(即，被用來產生仿真衍射信號的方位角)左右的任何范圍內進行所述方位掃描。例如，圖4描繪了假定方位角0°左右的-5°至+5°范圍內進行方位掃描。如圖4所示，實際和假定方位角之間的角偏移約為0.75°。
再次參照圖2，當在圖2中是孔的光柵陣列102的結構的形狀關于入射平面122為鏡像對稱時，正交偏振項為零。此外，對于鏡像對稱結構的所有均等間距，在＝45°、135°、225°和315°處，正交偏振項為零。
例如，參照圖5-A，圖中描繪了孔502的光柵陣列。在＝0°處，光柵陣列的單元504具有100nm的間距。由于孔502關于＝0°的入射平面為鏡像對稱，所以正交偏振項為零。如圖5-A所示，在＝45°處，單元506具有141.42nm的間距。因為孔502關于＝45°的入射平面為鏡像對稱，正交偏振仍為零。然而，由于單元506的大小和單元506內的結構不同于單元504，所以在＝45°處的同相偏振項不同于在＝0°處的同相偏振項。
更一般地說，當光柵陣列的結構的形狀為鏡像對稱時，在＝tan-1(n/m)處，正交偏振項為零，這里，n，m＝0，±1，±2，±3等。可以根據單元504的間距來確定單元506的間距。更具體地說，單元506的間距為單元504的間距×sqrt(n-2+m-2)。例如，如圖5-B所示，當n＝1和m＝2時，＝tan-1(0.5)＝26.565°。同樣，單元504的間距為100nm，因此，單元506的間距為10×sqrt(5)＝223.6nm。
應當認識到，各種形狀都可以產生如上所述的鏡像對稱。例如，圖5-C描繪了一種方形結構，這種結構在＝0°和＝45°處是鏡像對稱的。因此，對于圖5-C中所描繪的光柵陣列來說，在＝0°和＝45°這兩處的正交偏振項為零。圖5-D描繪了一種形狀，它在＝0°和＝45°這兩處不是鏡像對稱的。
4.確定CD比如上所述，在半導體制造過程中，光學計量典型地用于質量保證。例如，在半導體制造過程中，典型地使用平板印刷工藝將圖案從掩膜轉移到半導體晶片上，以便在晶片上形成多種結構。然而，平板印刷工藝中的像差可能在被轉移到晶片上的圖案中產生不準確并因此產生在晶片上形成的結構的不準確。例如，由于透鏡像差，諸如像散，將使掩膜上的圓形接觸孔在晶片上產生橢圓孔。
因此，在一種示例性應用中，在方位掃描中所獲得的信號測量結果被用來檢測橢圓形接觸孔。更具體地說，參照圖6，信號測量結果可被用來確定CD比。例如，第一軸(對應于圖6中的x軸)中的第一CD 602和第二軸(對應于圖6中的y軸)中的第二CD 604的CD比。要注意的是，圓的CD比為1，而橢圓的CD比不等于1。
參照圖7，圖中描繪了橢圓接觸孔陣列的方位掃描的仿真結果。圖7所描繪的仿真假定在硅結構上具有光致抗蝕劑的接觸孔陣列，其間距x，y為400nm，光致抗蝕劑的厚度為200nm，孔的預期直徑為200nm，入射角為65°，光的波長為500nm，偏振角P為90°。
圖7描繪了在這個實例中，在從0°到180°的范圍內，角Ψ的兩種測量結果。如圖7所示，信號測量結果對應于0.66和0.81的CD比。也如圖7所示，在＝0°、90°和180°處，信號測量結果(特別是信號測量結果的正交偏振項)為零，但在45°和135°處，將不再為零。
因此，在本示例性的實施例中，可以使用在＝45°、135°、225°或315°處的信號測量結果來檢測第一CD 602和第二CD 604之間的不對稱(圖6)，并由此檢測不對稱接觸孔，諸如具有橢圓、超橢圓形、矩形等形狀的接觸孔。更具體地說，當在＝45°、135°、225°或315°處的信號測量結果為零時，第一CD 602和第二CD 604是對稱的，其CD比為1，并且孔是圓形或對稱的。然而，當在＝45°、135°、225°或315°處的信號不為零時，第一CD 602和第二CD 604是不對稱的，其CD比不等于1，并且所述孔具有不對稱的形狀。此外，通過在＝45°、135°、225°或315°處信號偏離零的量，來確定第一CD 602和第二CD 604之間的不對稱量，并因此確定孔的形狀的不對稱性的量，在這里，不對稱性的量將隨著信號偏離零的量的增加而增加。
除了方位掃描以外，可以使用在特定方位角的光譜掃描用于特征化。例如，參照圖8，圖中示出了＝27°時的光譜掃描。在這個實例中，由于在圖7的＝27°處出現強信號，所以選擇＝27°。
如上所述，由于透鏡像差可以形成橢圓接觸孔。因此，在一種示例性應用中，可以通過使用掩膜上的圓形接觸孔、使用掩膜將接觸孔轉移到晶片上，然后，確定在晶片上形成的孔是圓形還是橢圓形，來測試/檢定用于平板印刷術的透鏡。
5.圖案形狀的旋轉參照圖9，平板印刷工藝中的像差可以產生形成于半導體晶片上的結構的旋轉。更具體地說，如圖9所示，當形成圓形接觸孔時，除了接觸孔被形成為橢圓孔以外，孔的實際軸902與預期軸904相比，可能旋轉了一個旋轉角α。
因此，在一個示例性應用中，在方位掃描過程中獲得的信號測量結果可以被用來檢測所述結構的旋轉。更具體地，如圖9所示，當所述結構被旋轉時(例如，在圖9中，當實際軸902偏離于預期軸904而旋轉時)，在＝0°、90°、180°或270°處的信號測量結果(特別是信號測量結果的正交偏振項)不再為零。雖然信號測量結果不再為零時，在＝0°、90°、180°或270°處，仍然存在最小值(在角度上稍有偏移)。此外，信號測量結果的不對稱性將隨著增加旋轉角而增加。因此，可以根據信號測量結果的不對稱性，來確定所述旋轉的存在、數量和方向。
在一個示例性實施例中，在關于＝0°、90°、180°或270°對稱的兩個方位角獲得光譜。差值信號(SΔ)被確定為所述兩個方位角處的兩個光譜之間的差值(即，SΔ＝S1-S2)。不旋轉(即，α＝0)時所述差值信號為零，但所述差值信號將隨著旋轉量的增加而增加，最大值出現在α＝45°處。差值信號(SΔ)的符號表示旋轉的方向。
此外，在本示例性實施例中，在為了確定旋轉而獲得的兩個方位角處的光譜也可以被用來確定CD比。平均信號(Savg)被確定為兩個方位角處的所述兩個光譜之間的平均值(即，Savg＝(S1+S2)/2)。旋轉的橢圓孔的平均信號近似相同于不旋轉的橢圓孔的平均信號。因此，不需要單獨的方位掃描來確定CD比。
參照圖10，圖中描繪了旋轉的橢圓接觸孔陣列的方位掃描的仿真結果。圖10中所描繪的仿真假定在硅結構上具有光致抗蝕劑的接觸孔陣列，其間距x，y為400nm，所述光致抗蝕劑的厚度為200nm，預期的孔直徑為200nm，入射角為65°，光的波長為500nm，以及偏振角P為90°。
圖10描繪了在這個實例中，在從-15°至+15°的范圍內，角Ψ的三種信號測量結果。在圖10中，信號測量結果1002、1004和1006分別對應于α＝0°、10°和45°。要注意的是，在0°處，信號測量結果1002為零，但是在0°處，信號測量結果1004和1006不為零。
參照圖11，圖中描繪了當旋轉角為0°和10°時，在＝-8°和+8°處的光譜掃描。參照圖12，圖中描繪了當旋轉角為-10°、+10°和+45°時，在＝-8°和+8°處的差值信號的光譜掃描。要注意的是，旋轉角為+10°的光譜容易區分于旋轉角為+45°的光譜。此外，要注意的是，旋轉角為+10°的光譜容易區分于旋轉角為-10°的光譜。因此，所述差值信號可以被用來確定旋轉量和旋轉方向。
參照圖13，圖中描繪了當旋轉角為0°和+10°時，在＝-8°和+8°處的平均信號的光譜掃描。要注意的是，旋轉角為0°的光譜與旋轉角為+10°的光譜近似相同，這證實了用于旋轉的橢圓孔的平均信號與用于不旋轉的橢圓孔的平均信號相同。因此，所述平均信號可以被用來確定CD比。
為了圖解和說明的目的，以上已經提供了本發明的特定實施例的說明。作者不打算把它們當作詳盡無遺的，或者將本發明局限于所公開的嚴格的形式，并且，應當理解，根據以上的講授內容，許多修改和變動都是可能的。
權利要求
1.一種用于檢查形成于半導體晶片上的結構的方法，所述方法包括以入射角和方位角將入射光束引導到所述結構；在方位角的范圍內掃描入射光束以獲得方位掃描；以及在方位掃描過程中，測量衍射光束的正交偏振分量。
2.如權利要求1所述方法，其中，入射光束以0°或90°的偏振角偏振。
3.如權利要求1所述方法，還包括根據方位掃描來確定零方位位置，其中，在所述零方位位置，所述正交偏振分量為零。
4.如權利要求3所述方法，其中，方位角的范圍在所述零方位位置左右。
5.如權利要求3所述方法，還包括使用方位角來獲得將用于所述結構的光學計量的實測衍射信號，其中，在獲得所述實測衍射信號之前，執行方位掃描；以及基于確定的零方位位置，來檢測實測衍射信號和仿真衍射信號的方位失準。
6.如權利要求5所述方法，其中，使用假定的零方位位置來產生仿真衍射信號，并且其中，當確定的零方位位置不同于假定的零方位位置時，檢測到實測衍射信號的方位失準。
7.如權利要求1所述方法，其中，所述結構是接觸孔陣列，以及所述方法還包括基于方位掃描來確定所述接觸孔陣列中的接觸孔是否不對稱。
8.如權利要求7所述方法，其中，當在方位角45°、135°、225°和315°的一個或多個上，所述正交偏振分量不為零時，所述接觸孔被確定為不對稱。
9.如權利要求7所述方法，還包括基于確定接觸孔陣列中的所述接觸孔是否不對稱，來測試平板印刷術中所使用的透鏡。
10.如權利要求1所述方法，還包括基于方位掃描來確定所述結構的旋轉。
11.如權利要求10所述方法，其中，當所述正交偏振項達到非零的最小值，并且所述正交偏振項關于所述最小值不對稱時，確定所述結構的旋轉。
12.如權利要求11所述方法，還包括在關于所述最小值對稱的兩個方位角獲得光譜；以及根據在兩個方位角獲得的光譜來確定差值信號，其中，當所述差值信號不為零時，確定所述結構旋轉，并且其中，根據所述差值信號的符號來確定旋轉的方向。
13.一種用于檢查形成于半導體晶片上的三維結構的系統，所述系統包括以入射角和方位角將入射光束引導到所述結構的光源；其中，在方位角的范圍內掃描入射光束，以獲得方位掃描；以及用于在方位掃描過程中測量衍射光束的正交偏振分量的檢測器。
14.如權利要求13所述系統，其中，入射光束以0°或90°的偏振角偏振。
15.如權利要求13所述系統，其中，根據方位掃描來確定零方位位置，并且其中，在所述零方位位置，所述正交偏振分量為零。
16.如權利要求15所述系統，其中，方位角的范圍在所述零方位位置左右。
17.如權利要求15所述系統，其中，使用方位角來獲得將用于所述結構的光學計量的實測衍射信號，其中，在獲得所述實測衍射信號之前，執行方位掃描；并且其中，基于確定的零方位位置，來檢測實測衍射信號和仿真衍射信號的方位失準。
18.如權利要求17所述系統，其中，使用假定的零方位位置來產生仿真衍射信號，并且其中，當確定的零方位位置不同于假定的零方位位置時，檢測到實測衍射信號的方位失準。
19.如權利要求13所述系統，其中，所述三維結構是接觸孔陣列，并且其中，基于方位掃描來確定接觸孔陣列中的接觸孔是不對稱的。
20.如權利要求19所述系統，其中，當在方位角45°、135°、225°和315°中的一個或多個上，所述正交偏振分量不為零時，所述接觸孔被確定為不對稱。
21.如權利要求19所述系統，其中，基于確定所述接觸孔陣列中的所述接觸孔是否不對稱，來測試平板印刷術中所使用的透鏡。
22.如權利要求13所述系統，其中，基于方位掃描來確定所述結構的旋轉。
23.如權利要求22所述系統，其中，當所述正交偏振項達到非零的最小值、并且所述正交偏振項關于所述最小值不對稱時，確定所述結構旋轉。
24.如權利要求23所述系統，其中，在關于所述最小值對稱的兩個方位角上獲得光譜；并且其中，根據在兩個方位角上獲得的光譜，來確定差值信號，其中，當所述差值信號不為零時，確定所述結構旋轉，并且根據所述差值信號的符號來確定旋轉的方向。
25.一種用于檢查形成于半導體晶片上的結構的方法，所述方法包括在方位角的范圍內掃描入射光束以獲得方位掃描；在方位掃描過程中，測量衍射光束的正交偏振分量；以及基于方位掃描，確定包括下列的一種或多種狀態a)零方位位置，其中，在所述零方位位置上，所述正交偏振分量為零；b)接觸孔陣列的接觸孔的對稱性；以及c)所述結構的旋轉。
全文摘要
通過以入射角和方位角將入射光束引導到所述結構，來檢查形成于半導體晶片上的結構。在方位角的范圍內掃描入射光束以獲得方位掃描。在方位掃描過程中，測量衍射光束的正交偏振分量。
文檔編號G01N21/956GK1875244SQ200480031908
公開日2006年12月6日 申請日期2004年10月28日 優先權日2003年10月28日
發明者約爾格·比朔夫, 李世芳, 牛新輝 申請人:音質技術公司