專利名稱：輻射檢測器的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種檢測器裝置，該檢測器裝置包括檢測器和測量系統，所述檢測器這樣設置，它響應入射到其上的第一類型輻射，產生測量信號并供給所述測量系統，所述的檢測器設置在一種光學組件的附近。
背景技術：
光刻裝置是將所需的圖案施加到基底的靶部的機器。光刻裝置可以用于，例如，集成電路(IC)的制造中。在該種情況下，構圖部件，例如掩膜，可用于對照該IC的各層來生成電路圖案，并且能夠在具有輻射敏感材料(抗蝕劑)的基底(如硅晶片)的靶部(如包括部分的，一個或多個電路小片)成像化所述構圖。通常，單板會包含依次曝光的網狀相鄰靶部。公知的光刻裝置包含所謂的分檔器，其通過一次性曝光整個靶部上的構圖來輻射每個靶部，以及所謂的掃描器，其通過在給定的方向(該“掃描”方向)上借助投影光束掃描該構圖來輻射每個靶部并且同時以平行或不平行于該方向的方向掃描所述基底。
從美國2003/0052275A1中可以了解到EUV輻射通量的標準不變動的檢測器。US2003/0052275A1中的想法是在多層反射疊層的后面鑲嵌一個集成的EUV光電二極管。在該光電二極管和該多層反射疊層之間存在有水平層。該水平層起到兩個作用，第一個，定義適合該多層反射疊層生長的精密表面，第二，在該多層反射疊層和其周圍環境之間提供絕緣層。由于US2003/0052275A1中的檢測器對周圍環境的變化是相當敏感的，例如傳感器表面的污染，所以不能通過它來獲得光學元件表面污染的信息。
于2002年8月30日以申請人的名字提交的歐洲專利申請NO.02256037.9(P-0349.000)描述了一種檢測從反射體表面所發射的輻射的傳感器。在入射到該表面的輻射光束的作用下，電子激發到高能態，在返回到低能態時產生所發射的輻射。在該過程中，也有一部分入射的輻射會轉變成熱。該發射輻射具有比入射輻射長的波長。該發射輻射也稱作熒光輻射。該傳感器位于反射體的前面。
測量光刻裝置中的EUV輻射通量對于使其性能最大化尤為重要。輻射通量是指單位面積單位時間的輻射能量，以J/sec/m2為單位。需要有關EUV輻射通量的信息來確定EUV的用量和強度以及來確定光學組件上的污染量。由于應該將EUV的損耗保持到盡可能的低，因此使EUV輻射通量檢測器盡可能少地阻擋EUV輻射的光束是重要的。在測量EUV輻射通量的現有技術中，還測量散射的EUV輻射，或者兩者都測量或者選擇性地使用投影光束中“過量”的輻射，即不是用于光刻目的的那部分投影光束，由此來確定該EUV輻射的通量。令人遺憾地的是，這些技術不能夠用于光刻裝置中每個位置。此時，也可以將光學組件受到EUV輻射照射后發出的二次電子通量用作測量EUV的輻射通量。然而，所述技術帶來許多問題。例如，需要電場的存在。這些電場使正離子朝向光學組件加速，這導致了所述光學組件不必要的濺射。而且，由于這種高電流，該次電子通量不再是EUV輻射通量的線性函數了。這就提出了一個未決問題通過測量二次電子通量來檢測EUV的輻射通量是否總是可行的。
發明內容
由此，本發明的一個目的是公開一種用于確定光刻投影裝置中的EUV輻射通量的部件，它更方便，更可靠，并且可用的光學組件比現有的更多。
因此，本發明的特征在于所述的光學組件至少包括-光學層，當所述檢測器組件在使用時，該光學層接收一定量的第二類型輻射，而讓所述第二類型的輻射的所述量的一部分穿過所述光學層，-涂層，所述第二類型的輻射的所述量的一部分照射在該涂層上，所述涂層將所述部分轉換為所述的第一類型輻射，以及-基底，對所述第一類型輻射基本上透明，所述測量系統設置為可從所述測量信號獲得第二輻射類型所述量的一定量，所述第二輻射量的強度和所述光學層污染量中的至少一種。
本發明的優點是多方面的因為檢測使用的是由無用的輻射(如不是反射的而且反正是無用的輻射)構成的，不需要電場，不需要當前光刻投影裝置中所采用的光學組件的轉換，不需要額外的光源，所測量的信號是EUV量的線性函數。將該輻射部分從第二波段轉換為第一波段的該層典型的是(大的)熒光層。所述層與，例如，大的發光二極管相比，相對容易制造。此外，空間解析輻射(spatially resolved radiation)測量可具有該層。輻射的量和強度以及光學組件表面上的污染量在光刻裝置中是重要的參量。光學組件一般包括沉積在基底上的光學層(或涂層)。具體對于EUV輻射，問題在于，盡管要求基底用來支撐光學層，但是其也是輻射的吸收層。通過將該EUV輻射轉換成對于該基底是相對透明的輻射，所述問題也就由本發明解決了。
在另一個實施例中，本發明特征在于所述層包括主晶格和至少一離子，所述主晶格包括硫化鈣(CaS)、硫化鋅(ZnS)和釔鋁石榴石(YAG)中的至少一種，所述的離子包括Ce3+，Ag+和Al3+中的至少一種。已經證實了這些材料非常適合用作這些層來轉換輻射。這些材料將(EUV)輻射轉換成具有更長波長的輻射，并且效率相對較高。
在另一個實施例中，本發明的特征在于所述的檢測器包括CCD照相機，CMOS傳感器和發光二極管陣列中的至少一種。前述的列舉不是限制也不是囊括，對于本領域的技術人員可選擇的檢測器是顯而易見的。這些檢測器的優點是通過使用它們，可以進行位置相關性測量。
在又一個實施例中，本發明特征在于所述光學組件包括多層疊層。包括，例如，鉬(Mo)和硅(Si)的交互層的這些類型的反射鏡通常在以EUV輻射光源工作的光刻投影裝置中使用。
本發明還涉及一種測量組件包括上述的檢測裝置和設置在所述檢測器前面的光學組件。該裝配具體適合光學組件上的劑量/強度和/或污染的測量。本發明的所述實施例具有上述列舉的相似的實施例。
在又一個實施例中，本發明特征在于所述的第二類型輻射包括EUV和IR輻射中的至少一種。對于這些類型的輻射，一些基底是完全透明的，這就意味著這些類型可以被有利的利用。
本發明還涉及一種檢測裝置，用于確定光學組件的光學層的污染量，其包括輻射源，檢測器和與所述檢測器連接以便接收測量信號的測量系統，該輻射源設置為在使用中可以提供射向所述光學組件的檢測光束，設置該檢測器，使得所述光束穿過所述光學組件以后它能夠接收所述檢測光束的至少一部分，其特征在于設置該測量系統以便從所述測量信號來確定所述表面的污染量。這種裝置提供對光刻裝置的輻射光源變化不敏感的測量。
本發明還涉及一種光刻裝置，包括-照明系統，用于提供輻射的投影光束；-支撐結構，用于支撐構圖部件，該構圖部件用于傳遞在其橫截面具有圖案的投影光束；-投影系統，用于在基底的靶部投影該圖案化的光束，特征在于該光刻投影裝置包括如上述的測量組件。
本發明還涉及一種確定輻射劑量，輻射強度和光學層污染量中的至少一種的方法包括-提供一種包括檢測器和測量系統的測量裝置，設置所述檢測器，使得它根據入射到所述檢測器上的輻射提供測量信號到所述的測量系統，其特征在于-在光學組件的后面提供所述檢測器，所述光學組件包括所述光學層，當所述檢測裝置在使用中時，該光學層接收所述輻射，所述輻射的一部分穿過所述光學層并且-標定所述測量系統以便從所述輻射中獲得關于所述輻射劑量，所述輻射的強度和所述光學層污染量中的至少一種的測量信號。
本發明還涉及一種設備的生產方法包括步驟-提供基底；-使用照明系統來提供輻射投影光束；-使用構圖部件來傳輸橫截面具有構圖的投影光束；以及-在該基底的靶部上投影構圖的輻射光束，特征在于使用上述的光刻裝置。
本發明還涉及檢測裝置包括光電二極管和測量裝置，所述光電二極管設置為提供測量信號到所述的測量系統，所述的光電二極管設置在光學組件的后面，所述的光學組件包括光學層，在使用中，來接收一定量的輻射，特征在于所述測量信號與所述光學層上的污染量相關。所述提供了測定光學組件的該光學層的污染的可能性。
盡管具體的參考在本文中涉及光刻裝置在IC生產中使用，但是應該了解的是這里所描述的光刻裝置還具有其它的應用，例如集成光學系統的制造，對磁疇存儲，液晶顯示器(LCD)，薄膜磁頭的引導和檢測構圖。技術人員應該了解，在這種可替換的用途范圍中，這里對術語“晶片”或“電路小片”的使用都被認為是與更常用的術語“基底”或“靶部”分別同義。基底在這里是指，曝光前或者曝光后，在例如磁軌(一種典型地施加抗蝕層在基底上和顯影所曝光的抗蝕層的工具)，計量或檢測工具中被處理過的。只要合適，這里所公開的就可以應用到這種和其它的基底處理工具中。而且，例如為了形成多層的IC，可以對基底進行多次處理，這里所使用的術語基底還可以指包含已經多次被處理的層的基底。
這里所使用的術語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包含紫外輻射(UV)(如，具有365、248、193、157或126nm波長)和極端紫外輻射(EUV)(如，具有范圍在5-20nm之間的波長)，以及粒子輻射，例如離子光束或電子束。
這里所使用的術語“構圖部件”應該廣義地解釋為指能夠用于傳輸其橫截面具有構圖的投影光束的裝置例如在基底的靶部產生構圖。應該注意的是所傳輸到投影光束的構圖可不與基底靶部中的理想構圖相對應。通常，所傳輸到投影光束的構圖應該對應于在裝置中在靶部中產生的具體功能層，例如集成電路。
構圖部件可以是透射式的或反射式的。構圖部件的例子包含掩膜，程控反射鏡陣列，和程控LCD板。掩膜在光刻領域式公知的，并且包含掩膜類型例如，二進制的，可選擇相位變化，和衰減相位變化，以及各種混合的掩膜類型。程控反射鏡陣列的一個實例是使用小反射鏡的矩陣排列，其中的每個都各自傾斜以便反射不同方向上的入射輻射光；通過這種方式，所反射的光束被構圖。在構圖部件的每個實例中，支撐結構可以是，例如相對該投影系統，根據需要固定或移動以及將該構圖部件確定在理想的位置，的框架或者工作臺。這里術語“劃線板”或“掩膜”的任何使用都可以被看作是與更普通的術語“構圖部件”同義。
這里所使用的術語“投影系統”可以廣義地解釋為包含各種類型的投影系統，包含折射光學系統，反射光學系統和反折射的光學系統，以及解釋為適合例如所使用的曝光輻射或例如侵蝕液體的使用或真空的使用的其它因素。這里術語“鏡頭”的任何使用可以被認為是與更普通的術語“投影系統”同義。
照明系統也可以包含各種類型的光學組件，包含折射光學系統，反射光學系統和反折射的光學系統用于準直，成型或控制輻射的投影光束，并且這些組件在下文還可以籠統或者特別地稱作“鏡頭”。
該光刻裝置可以是具有兩個(二級)或更多基底臺(和/或兩個或更多掩膜臺)的類型。在所述“多級”機器中，附加的工作臺可以平行地使用或初步階段在一個或多個工作臺上進行而一個或多個其它工作臺用來曝光。
還有一種光刻裝置，它的基底用折射率相對較高的液體如水浸沒，使其充滿基底和投射系統的最后元件之間的空間。浸液也可以施加到該光刻裝置的其它空間中，例如，在掩膜和投影系統的第一元件之間。浸沒技術在該領域是公知的，它用于提高投影系統的數值孔徑。
現在參照所附示意圖僅僅以舉例的方式來描述本發明的實施例，其中相應的參考標記表示相應的部件，并且其中圖1描述了本發明實施例中的一種光刻裝置；圖2描述了本發明的第一實施例；圖3描述了本發明的第二實施例，其中包含一個熒光層；圖4描述了本發明的第三實施例，其中使用了一個分離輻射源，圖5a和5b示出了存在碳層和不存在碳層的多層疊層的透射圖，以及圖6示出了在圖5a的基礎上計算出的透射率。
具體實施例方式
圖1示意性地描述了本發明一個具體實施例中的一種光刻裝置。該裝置包括-照明系統(照明器)IL用于提供輻射的投影光束PB(如UV或者EUV輻射)。
-第一支撐結構(如掩膜臺)MT用于支撐構圖部件(如掩膜)MA并與用于將該掩膜相對于物體PL精確定位的第一定位裝置PW連接；
-基底臺(如晶片工作臺)WT用于保持基底(如抗蝕涂層晶片)W并與用于將該基底相對于物體PL精確定位的第二定位裝置PW連接；和-投影系統(如反射投影鏡頭)PL用于將由構圖部件MA傳輸到投影光束PB的圖案成像在基板W的靶部C(如包括一個或多個電路小片)上。
如這里所描述地，該裝置是反射型的(如使用反射掩膜或上述指出的程控反射鏡陣列類型)。可選擇地，該裝置可以是透射型的(如使用透射掩膜)。
照明器IL接收來自輻射光源SO的輻射光束。該光源和該光刻裝置可以是分離的機構，例如當該光源是等離子光源時。在這種情況下，不認為該光源構成該光刻裝置的一部分，并且一般地，借助于包括如合適的聚光鏡和/或光譜過濾器在內的聚束器，輻射束從輻射源到達照明器IL。在其它情況下，該光源可以是該裝置整體的一部分，例如當該光源是汞燈時。光源SO和照明器IL，可以稱為輻射系統。
照明器IL可以包括用于調節光束角強度分布的調節裝置。一般，至少可以調節照明器的光瞳平面中強度分布的外和/或內徑向量(一般稱作σ-外和σ-內)。該照明器提供調整過的輻射光束，稱作投影光束PB，在其橫截面具有理想的均一性和強度分布。
投影光束PB入射到保持在掩膜臺MT上的掩膜MA上。經由掩膜MA反射，投射光束PB穿過透鏡PL，該透鏡將光束聚焦于基底W的靶部C。在第二定位裝置PW和定位傳感器IF2(如干涉測量裝置)的幫助下，基底臺WT可以被精確地移動，如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。類似地，可以使用第一定位裝置PM和位置傳感器IF1將掩模MA相對于光束PB的光路進行精確定位，如，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間。通常，目標工作臺MT和WT的移動是借助長沖程模塊(粗略定位)和短-沖程模塊(精確定位)來實現的，所述模塊形成定位裝置PM和PW的一部分。然而，在使用步進器的情況下(與掃描器相對)，該掩膜臺MT僅可以與短沖程激勵器連接或者固定。掩膜MA和基底MT可以使用掩膜準直標記M1，M2以及基底準直際記P1，P2來準直。
所描述的裝置可以以下述優選的模式來使用1.在步進器模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，與此同時整個傳輸到投影光束的圖案一次性地投射(即單靜態曝光)到靶部C上。然后基底臺WT沿X和/或Y方向移動，以便將不同的靶部C曝光。在步進模式中，曝光區域的最大值限制在單次靜態曝光中成像的靶部C的大小。
2.在掃描模式中，同步掃描掩膜臺MT和基底臺WT，并同時將傳輸到投影光束的圖案投影到靶部C上(如單動態曝光)。基底臺WT相對掩膜臺MT的速度和方向由投影系統PL的(縮小率)放大率和圖象反轉特性來確定。在掃描模式中，曝光區域的最大值限制單次動態曝光中成靶部的寬度(在非掃描方向)，而掃描運動的長度決定該靶部的長度(在掃描方向)。
3.在其它的模式中，掩膜臺MT基本靜止地保持程控構圖部件，而將該基底工作臺WT移動或者掃描同時將傳輸到投影光束的圖案投影到靶部C上。在這種模式中，一般使用脈沖輻射光源，而在每次將基底臺WT移動之后或者在掃描期間相繼的輻射脈沖之間，根據需要更新該程控構圖部件。所述的操作模式可以輕易地用于使用程控構圖部件的無掩膜的光刻中，例如上述的程控反射鏡陣列類型。
也可以將上述模式組合和/或變化使用，或者使用完全不同的模式。
圖2中示出了本發明所述的測量裝置29。在圖中示出了光學組件21。該光學組件21是在基板27上沉積光學層22構成的，可以典型地為鏡頭(見上述的鏡頭概念)，或反射鏡(多層)，分劃板等。本發明特別適用于具有反射層22的光學組件。來自EUV輻射源(圖2中沒有示出)的輻射35入射在光學組件21上。該輻射中的一些透過該光學組件21，以標記41表示。然而該輻射的大部分，在光學組件21的光學層22反射，以標記37表示。檢測器31在光學組件21的光學層22的附近，但是不要阻擋輻射35和/或37。該檢測器31與接收其信號的測量系統33連接。該測量系統33可以是例如合適的程控計算機或者具有合適的模擬和/或數字電路的測量裝置。基底27必須對輻射35基本上透明。為此，可以采用200nm厚的硅(Si)層。注意到如圖2中所示的光學組件21至少包括沉積在基底27上的光學層22。
本發明以下述方式操作。盡管要使光學組件21 EUV輻射35的反射最大化，但是EUV輻射35中總會有一部分41穿過光學層22和組件21。所述輻射部分41到達檢測器31。根據入射的輻射部分41，檢測器31產生測量信號到測量系統33。該測量信號指示著光學層22上EUV劑量和/或強度和/或污染的變化。如果該測量信號沒有變化，人們可以假定劑量和污染兩者都沒有改變。如果該測量信號突然地變化，人們可以假定這是由于劑量突然變化造成的。然而，測量信號變化得緩慢說明光學層22的污染增長了。而且，可以在該裝置中提供數個反射鏡，反射鏡后面提供傳感器，由此，提供選擇來發送更多的測量信號到測量系統33中。這樣，可將該測量系統33設置成能夠評估所有的這些信號并且根據這數個測量值進行有關污染和/或劑量的變化的計算。可以進行絕對—在適當的規檢后—和相對的輻射通量的測量，“相對”指的是時刻t1所檢測的輻射量和時刻t2所檢測的輻射量之差，從中可以得出污染/劑量和強度的數據。同樣可以進行一般的(EUV)輻射感應測量(如準直，進一步的光學性質)。在所述實施例中，基底27對第二類型輻射41(35)是透明的。
在圖3中，示出了本發明的另一個實施例。采用如前面圖2中所采用的相同的參考標記。相對于圖2，圖3中的光學組件用標記24來表示。此外，基底27上有一個熒光層25。熒光層25也可以與基底27合為一體，如，例如使用釔鋁石榴石(YAG)晶體作為基底。該光學層22沉積在熒光層25上。來自該熒光層25的輻射用標記39表示。基底27必須基本上對該輻射39透明。如在2001年8月23日申請的EP1182511中公開的，該熒光層35包括主晶格和至少一種離子。該主晶格可包括硫化鈣(CaS)、硫化鋅(ZnS)和釔鋁石榴石(YAG)中的至少一種。離子可包括Ce3+、Ag+和Al3+中的至少一種。注意圖3中所示的光學組件24與圖2中所示的光學組件21相比至少包括沉積在基底27上的光學層22和沉積在中間的熒光層25。
所述實施例以下述方式操作。輻射35的部分37在光學組件24的光學層22上反射。輻射35的部分，用41來表示，穿過光學組件24并碰撞熒光層25。該熒光層25將輻射41轉化為輻射39，輻射39至少部分地照射到檢測器31上。應該注意到該轉換并不意味著100％(或接近100％)的轉換。通常所述的輻射39的波長與輻射35，37或41的波長不同。本領域的技術人員應該了解，基底27必須基本上對輻射39透明。該檢測器31設計成用來測量輻射39的量。所述輻射以多個轉換因素與輻射35的量相關。如果這些轉換因素已知，輻射35的量就能夠確定。熒光層25可以是大的。與例如大的光電二極管相比，這樣的涂層相對容易生產。此外，可以在具有該層的情況下進行空間解析輻射測量(spatially resolved radiation measurements)。在所述實施例中，該基底27對輻射39透明。
在圖4中，示出了本發明的另一個實施例。在圖4中，采用如在圖2和3中所采用的相同的參考標記，并使用單獨的輻射源40如激光器。該輻射源40提供測量光束43。測量光束43的第一部分34穿過光學組件21。第二部分32被反射。由這里的“單獨”應該了解，盡管圖2和3中的測量“在線”(如在光刻投影裝置的操作過程中)進行并且使用存在于該光刻投影裝置中的輻射源SO的輻射投影光束PB，但是該輻射源40僅僅是為了測量這一目的。根據來自光源40的輻射提供的測量光束43的波長以及投影光束PB和來自輻射源40的測量光束43之間(即實際上在投影光束PB和測量光束43的第一部分34之間)的干涉量，可以實現“在線”和“離線”測量。由輻射源40提供的測量光束43典型地包括由激光器(例如低功率Nd:YAG激光器)或者其它紅外線(IR)輻射源產生的輻射。所述的實施例可以用于精確地掃描光學組件。另一個優點是可以進行“獨立”污染測量(即不是由劑量測量污染/干擾的污染測量)。在該實施例中，利用的是以下事實對于多層疊層的透射光譜，在該疊層相對透明的地方存在波長間隔。這些間隔中的一個在13.5nm左右(在電磁光譜的EUV范圍)和一個間隔在1000nm左右(在電磁光譜的IR范圍)。這些情況可以從附圖5a和5b獲悉。在所述的實施例中，基底27對輻射34(43)式透明的。盡管這里的解釋是針對與圖2所示光學組件類似的光學組件21，但是本領域的技術人員會明白所述的實施例也可以在基本不背離本發明范疇的前提下與圖3中所示的光學組件24結合應用。
圖5a和5b示出對由2.5nm Mo和4.4nm Si構成的雙層40所計算的透射值。如圖5a和5b中的曲線A所示，在這個范圍左右的輻射相對容易通過疊層。所述透射受到多層疊層上的1nm厚的污染碳層的影響(曲線B)。光刻投影裝置中存在公知的污染粒子，例如，碳氫化合物分子和水蒸氣。這些污染粒子可包含從該基底飛濺出去的碎屑和副產品，例如由EUV輻射光束帶來的。所述的粒子也可以包括來自EUV光源的碎屑，激勵器，管道電纜等釋放的污染物。由于光刻投影裝置的一些部件，例如輻射系統和投影系統，通常要至少部分地抽空，因此這些污染粒子往往會遷移到這些區域。這樣，這些粒子吸附于這些區域中的光學組件的表面。這種光學組件的污染導致了反射率的損失，這會不利地影響到該裝置的精確性和效率，并且這種污染也會損壞該組件的表面，由此縮短了它們的使用壽命。盡管從圖5a中不能清楚地看出(由于與圖的尺寸相比較該差別是微小的)，但是該透射通常是不同的，即沒有1nm的碳層時更大，有1nm碳層時更小。比率(具有1nm碳層的透射-不具有1nm碳層的透射)/(不具有1nm碳層的透射)可在+1％和-3％之間變化。所述比率在圖6中示出。通過檢測穿過該多層疊層的輻射可以獲得該疊層上強度/劑量和或污染情況。換句話說如果某人測量穿過該多層的輻射透射，就可以獲得碳污染量的情況。輻射的透射取決于波長。
本發明的具體實施例已經在上面描述了，應該理解的是本發明還可以以除了上述以外的方式來實施。例如，在圖4中提到的，該光學組件21也可以具有基底27和熒光層25。所描述地并不意在限制本發明。
權利要求
1.檢測器裝置，包括檢測器(31)和測量系統(33)，所述檢測器(31)設置為根據入射到所述檢測器(31)上的第一類型輻射(39)來提供測量信號給所述檢測系統(33)，所述檢測器設置在光學組件(24)的附近，其特征在于所述光學組件(24)至少包括-光學層(22)，當所述的檢測器組件在使用時，用于接收一定量的第二類型輻射(35)，使所述第二類型輻射(35)的所述量的一部分(41)穿過所述光學層(22)，-涂層(25)，所述部分(41)照射其上，所述涂層(25)將所述部分(41)的至少一部分轉換成所述的第一類型輻射(39)，和-基底(27)，對所述第一類型的輻射(39)基本上透明，所述測量裝置設置為從所述測量信號獲得第二類型輻射(35)的所述一定劑量，所述第二輻射量的強度和所述光學層的污染量(22)中的至少一種。
2.根據權利要求1的檢測器裝置，其特征在于所述層(25)包括主晶格和至少一離子。
3.根據權利要求2的檢測器裝置，其特征在于所述主晶格包括硫化鈣CaS、硫化鋅ZnS和釔鋁石榴石YAG中的至少一種，所述離子包括Ce3+、Ag+和Al3+中的至少一種。
4.根據前述權利要求中的任一項的檢測器裝置，其特征在于所述檢測器(31)包括CCD照相機、CMOS傳感器和光電二極管陣列中的至少一種。
5.根據前述權利要求中的任一項的檢測器裝置，其特征在于所述光學組件(24)包括多層疊層。
6.根據前述權利要求中的任一項的檢測器裝置，其特征在于所述多層疊層包括至少一種硅(Si)層和至少一種鉬(Mo)層。
7.測量裝置(29)，至少包括根據前述權利要求中的任一項的檢測器裝置以及設置在所述檢測器(31)附近的光學組件(24)。
8.根據權利要求1-6中的任一項的檢測器裝置或者根據權利要求7的測量裝置(29)，其特征在于所述的第二類型輻射包括EUV和IR輻射中的至少一種。
9.用于測定光學組件(21)的光學層(22)污染量的測量裝置，包括輻射源(40)，設置為在使用中，提供朝所述光學組件(21)的測量光束(43)；檢測器(31)，設置為在所述測量光束(43)穿過所述光學組件(21)后用于接收所述測量光束(43)的至少一部分(34)；以及測量系統(33)，其連接到所述檢測器(31)上用以接收測量信號，其特征在于該測量系統(33)設置為根據所述測量信號來測定所述光學層(22)的污染量。
10.根據權利要求9的測量裝置，其特征在于所述輻射源設置為提供所述測量光束具有電磁光譜的紅外(IR)部分和紫外(UV)部分中的至少一種波長。
11.光刻裝置，包括-照明系統，用于提供輻射的投影光束；-支撐結構，用于支撐構圖部件，該構圖部件用于傳輸其橫截面上具有圖案的投影光束；-基底臺，用于保持基底；和-投影系統，用于將圖案化的光束投影到該基底的靶部，其特征在于該光刻投影裝置包括根據權利要求7-10任一項的測量裝置(29)。
12.用于測定輻射(35)量、輻射(35)強度和光學層(22)的污染量中的至少一種的方法，包括-提供檢測器裝置，其包括檢測器(31)和測量系統(33)，所述檢測器(31)設置為根據入射到所述檢測器(31)上的輻射(39；41；34)將測量信號提供到所述檢測系統(33)上，其特征在于-提供所述檢測器(31)在光學組件(21；24)后面，所述的光學組件(21；24)包括所述光學層(22)，當所述檢測裝置在使用時，用以接收所述輻射(35；43)，所述輻射(35；43)的一部分穿過所述光學層(22)以及-標定所述測量系統，以便根據所述輻射(39；41；34)得出關于所述輻射(35)量，所述輻射(35)強度和所述光學層(22)的污染量中至少一種的測量信號。
13.一種裝置的制造方法，包括步驟-提供基底；-用照明系統提供輻射投影光束；-使用構圖部件來傳輸橫截面具有圖案的投影光束；和-將圖案化的輻射光束投影在基底的靶部上，其特征在于使用如權利要求8的光刻裝置。
14.檢測器裝置，包括光電二極管和測量系統(33)，設置所述光電二極管以便提供測量信號到所述測量系統(33)，所述光電二極管設置在光電組件(21；24)后面，所述光電組件(21；24)包括光學層(22)，以便在使用中，接收一定量的輻射，其特征在于所述測量信號與所述光學層(22)的污染量相關。
全文摘要
間接檢測輻射通量，也即不是檢測基本輻射通量自己本身而是檢測二次輻射通量。該二次輻射通量由基本輻射通量通過轉換成為二次輻射通量。本發明中的測量系統，可以由經熒光層發射的輻射產生的測量信號得出以下量值EUV輻射的強度，光學組件的光學層的污染量。
文檔編號G01T1/20GK1619422SQ20041010057
公開日2005年5月25日 申請日期2004年11月6日 優先權日2003年11月7日
發明者L·P·巴克 申請人:Asml荷蘭有限公司