專(zhuān)利名稱(chēng)：一種間接耦合線(xiàn)性陣列閃爍探測(cè)器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及輻射成像系統(tǒng)所用的固體探測(cè)器模塊裝置，屬于輻射檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在集裝箱檢測(cè)、工業(yè)CT等輻射成像系統(tǒng)中，探測(cè)器一般采用氣體或固體探測(cè)器。與氣體探測(cè)器相比，固體探測(cè)器除了具有探測(cè)效率高的優(yōu)點(diǎn)外，還有探測(cè)單元小、易于高密度集成的優(yōu)點(diǎn)，因此現(xiàn)有的技術(shù)一般采用閃爍晶體耦合光電二極管的方法。但由于光電二極管緊鄰晶體，受輻射照射劑量大，影響使用壽命；且二極管與晶體永久粘接，不易檢修。同時(shí)由于光電二極管本身沒(méi)有信號(hào)放大機(jī)制，暗電流、極間電容又較大，對(duì)前端電路的要求很高，不易達(dá)到大的動(dòng)態(tài)范圍。而光電倍增管本身具有10倍到108倍的信號(hào)放大機(jī)制，降低了對(duì)前端電路的要求，容易實(shí)現(xiàn)大的動(dòng)態(tài)范圍。但光電倍增管存在體積大、難以布置的缺點(diǎn)，限制了其在高集成度探測(cè)器系統(tǒng)中的應(yīng)用。
技術(shù)內(nèi)容為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題和缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的是提供一種間接耦合線(xiàn)性陣列閃爍探測(cè)器模塊。它可把光電倍增管與晶體合理布置，不僅可做到體積小，受照射劑量小，而且可以利用光電倍增管的優(yōu)勢(shì)，提高探測(cè)器系統(tǒng)的性能指標(biāo)。
為了達(dá)到上述的發(fā)明目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下方式實(shí)現(xiàn)一種間接耦合線(xiàn)性陣列閃爍探測(cè)器模塊，它包括多根光纖束、多陽(yáng)極光電倍增管及其支架和與其固定的底板。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述底板上、對(duì)應(yīng)于支架的另一端設(shè)置有帶開(kāi)槽的蓋板。沿蓋板的開(kāi)槽中豎置多層隔離片，各隔離片間嵌入晶體形成等間距排列的線(xiàn)性晶體陣列。所述多根光纖束的數(shù)量與所設(shè)置晶體的數(shù)量和多陽(yáng)極光電倍增管的陽(yáng)極數(shù)量相等。各光纖束與各晶體的連接端均設(shè)為與晶體末端相同的端面，并通過(guò)機(jī)械和光學(xué)耦合方式與各晶體相接。各光纖束與多陽(yáng)極光電倍增管的連接端排列成與靈敏區(qū)匹配的形狀及大小，并插入支架中所設(shè)的光纖槽板中，也通過(guò)機(jī)械和光學(xué)耦合方式與多陽(yáng)極光電倍增管的各陽(yáng)極相接。
本實(shí)用新型由于采用了上述設(shè)計(jì)，探測(cè)器單元間距不再受光電二極管尺寸的限制，可以做到很小。光電倍增管縱向排列及間接的耦合方式，使得較大體積的光電倍增管得以應(yīng)用在單元間距很小的陣列探測(cè)器設(shè)計(jì)中。同時(shí)光電倍增管遠(yuǎn)離晶體，受照射劑量減小。更主要的是采用光電倍增管可以降低對(duì)前端電路的要求，并實(shí)現(xiàn)大的動(dòng)態(tài)范圍。另外本實(shí)用新型所有關(guān)鍵器件都易于更換，便于維修。
下面結(jié)構(gòu)附圖和具體的實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1的A-A向剖視圖；圖3是圖1的B-B向局部耦合介質(zhì)結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型的工作狀態(tài)示意圖。
具體實(shí)施方式
參看圖1～圖3，一種間接耦合線(xiàn)性陣列閃爍探測(cè)模塊，它包括多陽(yáng)極光電倍增管及其支架4和與其固定的底板3。在底板3上、對(duì)應(yīng)于支架4的另一端設(shè)置有由上下兩塊金屬板組成、帶開(kāi)槽的蓋板5。沿蓋板5的開(kāi)槽中豎置多層用金屬薄片制成的隔離片6。各隔離片6之間嵌入晶體7，而形成等間距排列的線(xiàn)性晶體陣列1。采用與所設(shè)置晶體7的數(shù)量和多陽(yáng)極光電倍增管的陽(yáng)極數(shù)量相同根數(shù)的光纖束2，使各光纖束2與各晶體7的連接端均設(shè)為與晶體7末端相同的端面8，并通過(guò)機(jī)械和光學(xué)耦合方式與各晶體7相接。各光纖束2與多陽(yáng)極光電倍增管的連接端排列成與靈敏區(qū)相匹配的形狀及大小，并插入支架4中所設(shè)的光纖槽板9中，也是通過(guò)機(jī)械和光學(xué)耦合方式與多陽(yáng)極光電倍增管的各陽(yáng)極相接。
在上述的實(shí)施方式中，本實(shí)用新型的通道數(shù)由單元間距和多陽(yáng)極光電倍增管的寬度決定，也就是說(shuō)是由晶體7的數(shù)量和多極光電倍增管的陽(yáng)極數(shù)量決定。如果本實(shí)用新型需采用多個(gè)光電倍增管，可以根據(jù)模塊的尺寸縱向或橫向排列。
參見(jiàn)圖4，使用本實(shí)用新型時(shí)，將由此組成的多個(gè)探測(cè)器模塊以扇子形或者L形以一定角度排列在集裝箱檢查或工業(yè)CT等輻射成像系統(tǒng)的探測(cè)器的支架上，使入射射線(xiàn)與探測(cè)器的夾角接近0度，既可得到滿(mǎn)意的清晰圖像。
權(quán)利要求1.一種間接耦合線(xiàn)性陣列閃爍探測(cè)器模塊，它包括多根光纖束(2)、多陽(yáng)極光電倍增管及其支架(4)和與其固定的底板(3)，其特征在于所述底板(3)上、對(duì)應(yīng)于支架(4)的另一端設(shè)置有帶開(kāi)槽的蓋板(5)，沿蓋板(5)的開(kāi)槽中豎置多層隔離片(6)，各隔離片(6)間嵌入晶體(7)形成等間距排列的線(xiàn)性晶體陣列(1)，所述多根光纖束(2)的數(shù)量與所設(shè)置晶體(7)的數(shù)量和多陽(yáng)極光電倍增管的陽(yáng)極數(shù)量相等，各光纖束(2)與各晶體(7)的連接端均設(shè)為與晶體(7)末端相同的端面(8)并通過(guò)機(jī)械和光學(xué)耦合方式與各晶體(7)相接，各光纖束(2)與多陽(yáng)極光電倍增管的連接端排列成與靈敏區(qū)匹配的形狀及大小并插入支架(4)中所設(shè)的光纖槽板(9)中也通過(guò)機(jī)械和光學(xué)耦合方式與多陽(yáng)極光電倍增管的各陽(yáng)極相接。
2.按照權(quán)利要求1所述的間接耦合線(xiàn)性陣列閃爍探測(cè)器模塊，其特征在于所述蓋板(5)是由上下兩塊金屬板組成，所述各隔離片(6)為金屬薄片。
專(zhuān)利摘要一種間接耦合線(xiàn)性陣列閃爍探測(cè)器模塊，屬于輻射檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。它包括多根光纖束、多陽(yáng)極光電倍增管及其支架和與其固定的底板。其特點(diǎn)是，在底板上、對(duì)應(yīng)于支架的另一端設(shè)置有帶開(kāi)槽的蓋板，沿蓋板的開(kāi)槽中豎置多層隔離片，各隔離片間嵌入晶體形成等間距排列的線(xiàn)性晶體陣列。各光纖束與各晶體的連接端均設(shè)為與晶體末端相同的端面并通過(guò)機(jī)械和光學(xué)耦合方式與各晶體相接。各光纖束與多陽(yáng)極光電倍增管的連接端排列成與靈敏區(qū)相匹配的形狀及大小，也通過(guò)機(jī)械和光學(xué)耦合方式與多陽(yáng)極光電倍增管的各陽(yáng)極相接。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有設(shè)計(jì)合理、性能指標(biāo)高、易于檢修的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01N23/02GK2630866SQ0326462
公開(kāi)日2004年8月4日 申請(qǐng)日期2003年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月19日
發(fā)明者李玉蘭, 李元景, 高文煥, 代主得, 曹貴祿 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 清華同方威視技術(shù)股份有限公司