射流吸盤裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了射流吸盤裝置,它包括吸附板,在所述的吸附板的底面上安裝有四個導流塊,每一個導流塊的外側側壁上向吸附板外側方向凸出設置有凸塊,所述的凸塊的頂面與吸附板底面平行設置形成導流面,所述的凸塊的底面與吸附板底面平行設置形成硅片吸附狀態(tài)下的支撐面,在吸附板上設置有壓縮空氣通路,壓縮空氣通路具有分別與四個導流塊的導流面相對的噴射孔,噴射孔噴射的氣流被導流塊的導流面阻擋改變運動方向,沿吸附板底面向外側噴出。本實用新型的有益效果是:吸附產(chǎn)品是依靠高速氣體射流產(chǎn)生局部低壓區(qū)以吸附物體,避免了傳統(tǒng)吸入式吸附方式容易吸入異物造成機構污染故障的弊端。
【專利說明】
【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及硅片搬運過程中應用的吸附裝置,本實用新型尤其涉及射流吸 盤。 射流吸盤裝置
【背景技術】
[0002] 太陽能硅片自動生產(chǎn)加工過程中涉及吸取搬運硅片的過程,硅片表面覆水的情況 下用傳統(tǒng)真空吸附的方式會將硅片表面的水吸入真空泵或其他真空發(fā)生裝置,造成裝置故 障或損壞。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 本實用新型的目的在于克服已有技術的缺點,提供一種保證真空發(fā)生裝置不會損 壞的射流吸盤裝置。
[0004] 本實用新型的射流吸盤裝置,它包括吸附板,在所述的吸附板的底面上安裝有四 個導流塊,每一個導流塊的外側側壁上向吸附板外側方向凸出設置有凸塊,所述的凸塊的 頂面與吸附板底面平行設置形成導流面,所述的凸塊的底面與吸附板底面平行設置形成硅 片吸附狀態(tài)下的支撐面,在吸附板上設置有壓縮空氣通路,壓縮空氣通路具有分別與四個 導流塊的導流面相對的噴射孔,噴射孔噴射的氣流被導流塊的導流面阻擋改變運動方向, 沿吸附板底面向外側噴出。
[0005] 本實用新型的有益效果是:吸附產(chǎn)品是依靠高速氣體射流產(chǎn)生局部低壓區(qū)以吸附 物體,避免了傳統(tǒng)吸入式吸附方式容易吸入異物造成機構污染故障的弊端。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0006] 圖1是本實用新型的射流吸盤裝置的整體結構示意圖;
[0007] 圖2是圖1所示的裝置側視剖視示意圖;
[0008] 圖3-1是圖1所示的裝置中的導流塊的結構示意圖;
[0009] 圖3-2是圖3-1所示的導流塊的側視圖。
【具體實施方式】
[0010] 下面結合附圖對本實用新型作進一步說明。
[0011] 本裝置的原理是利用高速氣流造成局部低壓,低壓區(qū)域使得被吸附的硅片上下表 面出現(xiàn)壓差,由此產(chǎn)生吸附力使硅片貼合在吸盤表面。
[0012] 如附圖所示的本實用新型的射流吸盤裝置,它包括吸附板1,在所述的吸附板1的 底面上安裝有四個導流塊3,每一個導流塊3的外側側壁上向吸附板外側方向凸出設置有 凸塊,所述的凸塊的頂面與吸附板1底面平行設置形成導流面6,所述的凸塊的底面與吸附 板1底面平行設置形成硅片吸附狀態(tài)下的支撐面7,在吸附板1上設置有壓縮空氣通路。壓 縮空氣通路具有分別與四個導流塊3的導流面6相對的噴射孔2,使噴射孔2噴射的氣流 被導流塊3的導流面6阻擋改變運動方向,沿吸附板1底面向外側噴出。壓縮空氣通路可 以為兩個,每一個壓縮空氣通路有分別與兩個導流塊3的導流面6相對的噴射孔2。這種高 速氣流造成被吸附物與吸附板之間區(qū)域氣壓壓強降低從而獲得吸取被吸附物的吸附力。
[0013] 如圖1是本射流吸附的裝置的整體結構示意圖,它包括吸附板1,噴射孔2,導流塊 3,壓縮空氣通路4。
[0014] 如圖2是射流吸附裝置側切面示意圖,該圖顯示了吸附狀態(tài)下裝置的工作原理。5 為被吸附的硅片。箭頭方向標識了壓縮空氣射流的流向。
[0015] 圖3-1和3-2是導流塊結構示意圖,6為導流面,7為硅片吸附狀態(tài)下的支撐面。 優(yōu)選的,支撐面7的面積為小于導流面的面積的凸臺結構,支撐面7被設計成較小面積的凸 臺結構是為減少與硅片的接觸面積以防止射流停止后硅片粘附在導流塊上,不能可靠的自 由下落。
[0016] 本裝置的工作過程如下:
[0017] 正常工作過程中,外部機械手帶動吸盤運動至被抓取硅片上方2mm左右處,壓縮 空氣被打開注入壓縮空氣通路4中,噴射孔2與壓縮空氣通路4連通,壓縮空氣通過噴射孔 2高速噴出,噴射氣流被導流塊3的導流面6阻擋改變運動方向,沿吸附板1表面向外側噴 出,此時由于高速氣流流過吸附板1與下方硅片5之間區(qū)域氣壓降低,而硅片5下方仍為外 部標準大氣壓,在這種壓差作用下硅片5被吸起并貼合在吸附板1上,由導流塊3的支撐面 7支撐。吸附動作完成。
[0018] 搬運動作完成后,壓縮空氣被切斷,吸附作用消失,硅片5在其本身重力作用下落 至指定位置。
【權利要求】
1. 射流吸盤裝置,其特征在于:它包括吸附板,在所述的吸附板的底面上安裝有四個 導流塊,每一個導流塊的外側側壁上向吸附板外側方向凸出設置有凸塊,所述的凸塊的頂 面與吸附板底面平行設置形成導流面,所述的凸塊的底面與吸附板底面平行設置形成硅片 吸附狀態(tài)下的支撐面,在吸附板上設置有壓縮空氣通路,壓縮空氣通路具有分別與四個導 流塊的導流面相對的噴射孔,噴射孔噴射的氣流被導流塊的導流面阻擋改變運動方向,沿 吸附板底面向外側噴出。
2. 根據(jù)權利要求1所述的射流吸盤裝置,其特征在于:所述的支撐面的面積為小于導 流面的面積的凸臺結構。
【文檔編號】F16B47/00GK203879908SQ201420292066
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年6月3日 優(yōu)先權日:2014年6月3日
【發(fā)明者】劉海珊, 孫紅喆, 王維熙 申請人:天津源天晟科技發(fā)展有限公司