發光元件、發光裝置、照明裝置以及電子設備的制作方法

專利名稱：：發光元件、發光裝置、照明裝置以及電子設備的制作方法
技術領域：
：以下所公開的發明涉及一種在一對電極之間具有發光層的發光元件。此外，還涉及一種使用該發光元件的發光裝置以及使用該發光裝置的照明裝置及電子設備。
背景技術：
：近年來，對作為發光物質使用發光性的有機化合物或無機化合物的發光元件的開發積極地進行。尤其是稱為電致發光(以下稱為EL)元件的發光元件的結構為在電極之間僅設置有包含發光物質的發光層的簡單結構，并且因為薄而輕、高速響應以及直流低電壓驅動等的特性而作為下一代的平面顯示元件引人注目。此外，使用這種發光元件的顯示器還具有優異的對比度、清晰的圖像質量以及廣視角的特征。再者，由于這些發光元件為面狀光源，因此期望將這些發光元件應用到液晶顯示器的背光燈、照明等的光源。發光元件通過對設置在一對電極之間的發光層施加電流，并使包含在發光層中的發光物質激發，可以得到預定的發光顏色。為了提高這種發光元件的發光亮度，可以考慮到對發光層施加大量電流的方法，但是該方法喪失低耗電量化的優點。此外，因對發光層施加大量電流而會加速發光元件的劣化。于是，提出了通過層疊多個發光層，并流通與當采用單層時相同的電流密度的電流來提高發光亮度的發光元件(例如專利文獻1)。[專利文獻1]日本專利第3933591號公報在專利文獻1中提出了具有多個發光單元(以下在本說明書中也表示為EL層)，并各發光單元被電荷產生層分隔的發光元件。更具體地公開了具有如下結構的發光元件在用作第一發光單元的電子注入層的金屬摻雜層上具有由五氧化釩構成的電荷產生層，并隔著該電荷產生層層疊第二發光單元。然而，在這種結構的發光元件中，在金屬摻雜層和由氧化物構成的電荷產生層的界面引起相互作用，界面成為強電場，因此為驅動發光元件需要高電壓。
發明內容鑒于上述問題，本發明的目的之一在于提供呈現出高亮度的發光且能夠以低電壓驅動的發光元件。此外，本發明的目的之一在于提供使耗電量降低的發光裝置或電子設備。本說明書所公開的發光元件的結構之一在陽極和陰極之間具有n(n是2以上的自然數)層的EL層，并且在第m(m是自然數，1《m《n-l)EL層和第(m+l)EL層之間從陽極一側按順序具有包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物中的任一種的第一層、與第一層接觸并包含高電子傳輸性物質的第二層、與第二層接觸并包含高空穴傳輸性物質及受體物質的區域。此外，本說明書所公開的發光元件的其他結構之一在陽極和陰極之間具有n(n是2以上的自然數)層的EL層，并且在第m(m是自然數，1《m《n-l)EL層和第(m+l)EL層之間從陽極一側按順序具有包含高電子傳輸性物質和施體物質的第一層、與第一層接觸4并包含高電子傳輸性物質的第二層、與第二層接觸并包含高空穴傳輸性物質及受體物質的區域。此外，在上述包含高電子傳輸性物質和施體物質的第一層中，也可以采用以如下方式添加施體物質的結構含有相對于高電子傳輸性物質的施體物質的質量比為o.ooi:i至o.i:i的施體物質。另外，施體物質優選為堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物。此外，在上述結構中，包含高空穴傳輸性物質及受體物質的區域是以如下方式添加受體物質的區域含有相對于高空穴傳輸性物質的受體物質的質量比為o.i:i至4.0:l的受體物質。在該區域所產生的載流子中，空穴注入到第(m+l)EL層，電子移動到第二層。此外，在上述結構中，包含高空穴傳輸性物質及受體物質的區域也可以是層疊包含高空穴傳輸性物質的層和包含受體物質的層的區域。此外，在上述結構中，作為包含在第二層中的高電子傳輸性物質優選使用具有-5.0eV以上，更優選使用具有-5.0eV以上且-3.0eV以下的LUM0能級的物質。此外，由于具有上述結構的發光元件可以實現低驅動電壓，因此將其用作發光元件的發光裝置(圖像顯示器件或發光器件)可以實現低耗電量。從而，將使用具有上述結構的發光元件的發光裝置以及使用該發光裝置的照明裝置及電子設備也包括在本發明的一個方式中。上述結構解決上述問題中的至少一個。注意，本說明書中的發光裝置包括使用發光元件的圖像顯示裝置等的電子設備或照明裝置。此外，如下模塊也都包括在發光裝置中對發光元件安裝有連接器如各向異性導電膜、TAB(帶式自動接合)膠帶或TCP(帶載封裝)的模塊；TAB膠帶或TCP的前端設置有印刷布線板的模塊；或通過C0G(晶玻接裝，ChipOnGlass)方式將IC(集成電路)直接安裝在發光元件中的模塊。注意，在本說明書中為方便起見附加了第一、第二等序數詞，而且其并不表示工序順序或疊層順序。另外，在本說明書中其并不表示用來特定發明的事項的固有名稱。本發明可以提供具有多個發光層并且能夠以低電壓驅動的發光元件。此外，通過使用上述發光元件而制造發光裝置，可以提供耗電量少的發光裝置。另外，通過將這種發光裝置應用于照明裝置或電子設備，可以提供耗電量少的照明裝置或電子設備。圖1A和1B是示出發光元件的元件結構的一例及能帶圖的圖圖2A和2B是示出發光元件的元件結構的一例及能帶圖的圖圖3A和3B是示出發光元件的元件結構的一例及能帶圖的圖圖4A和4B是示出發光元件的元件結構的一例的圖；圖5A至5C是示出有源矩陣型發光裝置的截面圖；圖6A和6B是示出無源矩陣型發光裝置的圖；圖7A至7E是示出電子設備的圖8是示出照明裝置的圖；圖9A和9B是示出實施例的發光元件及對照發光元件的元件結構的圖；圖10是示出實施例1的發光元件的特性的圖；圖11是示出實施例1的發光元件的特性的圖；圖12A和12B是示出實施例的發光元件及對照發光元件的元件結構的圖；圖13是示出實施例2的發光元件的特性的圖；圖14是示出實施例2的發光元件的特性的圖；圖15是示出實施例3的發光元件的特性的圖；圖16是示出實施例3的發光元件的特性的圖；圖17是示出實施例4的發光元件的特性的圖；圖18是示出實施例4的發光元件的特性的圖；圖19是示出實施例5的發光元件的特性的圖；圖20是示出實施例5的發光元件的特性的圖；圖21是示出實施例6的對照發光元件的元件結構的圖；圖22是示出實施例6的發光元件的特性的圖；圖23是示出實施例6的發光元件的特性的圖；圖24A和24B是示出發光元件的元件結構的一例及發射光譜的圖；圖25是示出實施例7的發光元件的特性的圖；圖26是示出實施例7的發光元件的特性的圖；圖27是示出實施例8的發光元件的特性的圖；圖28是示出實施例8的發光元件的特性的圖；圖29是示出實施例8的發光元件的特性的圖；圖30是示出實施例9的發光元件的特性的圖；圖31是示出實施例9的發光元件的特性的圖；圖32是示出實施例9的發光元件的特性的圖。符號說明10襯底11晶體管12發光元件13電極14電極15含有機化合物的層16層間絕緣膜17布線18隔壁層19層間絕緣膜101陽極102陰極103EL層1第一發光層2第二發光層電子注入緩沖電子繼電層電荷產生區域EL層-1第三發光層-2第四發光層電子傳輸層陽極的費密能級陰極的費密能級第一EL層的LUMO能級電子繼電層的LUMO能級電荷產生區域中受體的受體能級第二EL層的LUMO能級第一發光第二發光襯底電極103103104105106107107107108111112113114115116330340951952953954_______955含有機化合物的層956電極2100玻璃襯底2101電極2102電極2103EL層2103a電荷產生區域2103b空穴傳輸層2103c發光層2103d電子傳輸層2104電子注入緩沖2105電子繼電層2106電荷產生區域2107EL層2107a空穴傳輸層2107b發光層2107c電子傳輸層2107d電子注入層2108EL層2108a發光層2108b電子傳輸層2108c電子注入層3000光源3001照明裝置3002照明裝置9100移動電話機9101框體9102框體9103連結部9104顯示部9106操作鍵9200便攜式信息終端設備9201框體9202顯示部9203框體9205鍵盤9207連結部9400電腦9401框體9402顯示部9403鍵盤9404框體9500數碼攝像機9501框體9503顯示部9600電視裝置9601框體9603顯示部9605支架9607顯示部9609操作鍵9610遙控操作機9703顯示部具體實施例方式以下參照附圖詳細說明實施方式。注意，本說明書所公開的發明不局限于以下說明，所屬
技術領域：
的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是，本發明的方式和詳細8內容可以在不脫離其宗旨及其范圍的情況下被變換為各種各樣的形式。因此，并不限于本說明書的實施方式及實施例所記載的內容而被解釋。注意，在用于說明實施方式的所有附圖中，使用相同的附圖標記來表示相同的部分或具有同樣功能的部分，而省略其重復說明。實施方式l在本實施方式中使用圖1A和IB說明發光元件的一個方式。圖1A所示的元件結構包括如下結構在一對電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發光區域的第一EL層103及第二EL層107，在第一EL層103和第二EL層107之間從陽極101—側按順序層疊電子注入緩沖104、電子繼電(electron-relay)層105以及電荷產生區域106。電荷產生區域106是包含高空穴傳輸性物質和受體物質的區域，產生發光元件的載流子的空穴和電子。在電荷產生區域106中產生的空穴移動到第二EL層107，并且電子移動到電子繼電層105。此外，由于電子繼電層105的電子傳輸性高，因此可以將電子迅速地傳輸到電子注入緩沖104。再者，由于電子注入緩沖104可以緩和將電子注入到第一EL層103時的注入勢壘，因此可以提高對第一EL層103的電子注入效率。作為電子注入緩沖104，可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬以及這些的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等的氧化物、鹵化物、碳酸鋰和碳酸銫等的碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽)或稀土金屬化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽)等的高電子注入性物質。或者，電子注入緩沖104也可以采用包含高電子傳輸性物質和施體物質的結構。圖1B是示出圖1A中的元件結構的能帶圖。在圖1B中，附圖標記111表示陽極101的費密能級，附圖標記112表示陰極102的費密能級，附圖標記113表示第一EL層103的LUMO(最低未占據分子軌道LowestUnoccupiedMolecularOrbital)能級，附圖標記114表示電子繼電層105的LUMO能級，附圖標記115表示電荷產生區域106的受體的受體能級，附圖標記116表示第二EL層107的LUMO能級。在圖1B中，從陽極101注入的空穴注入到第一EL層103。另外，產生在電荷產生區域106中的電子移動到電子繼電層105，然后通過電子注入緩沖104注入到第一EL層103，與空穴重新結合而發光。此外，產生在電荷產生區域106中的空穴移動到第二EL層107，在第二EL層107中與從陰極102注入的電子重新結合而發光。在本實施方式所示的發光元件中，電子繼電層105用作將在電荷產生區域106中產生的電子高效率地注入到第一EL層103的層，因此作為電子繼電層105，優選使用LUMO能級占有電荷產生區域106的受體的受體能級和第一EL層103的LUMO能級之間的能級的材料。具體地，優選使用LUMO能級大約為-5.OeV以上的材料，更優選使用LUMO能級為-5.OeV以上且-3.OeV以下的材料。由于包含在電荷產生區域106中的受體物質和包含在電子注入緩沖104中的高電子注入性物質或施體物質分別具有高受體性或高施體性，因此當電荷產生區域106和電子注入緩沖104接觸時，在界面授受電子，并提高發光元件的驅動電壓。此外，在電荷產生區域106和電子注入緩沖104接觸的界面形成PN結，有可能發光元件的驅動電壓上升。然而，在本實施方式所示的發光元件中，通過使用電子繼電層105可以防止電荷產生區域106和電子注入緩沖104接觸，并可以防止包含在電荷產生區域106的受體物質和包含在電子緩9沖104的高電子注入性物質或施體物質引起相互作用。另外，通過作為電子繼電層105使用具有上述范圍的LUMO能級的材料，可以抑制與電子注入緩沖104的界面成為強電場，并可以將產生在電荷產生區域106中的電子高效率地注入到第一EL層103。另外，如圖IB的能帶圖所示，從電荷產生區域106遷移到電子繼電層105的電子因由電子注入緩沖104緩和注入勢壘而容易注入到第一EL層103的LUMO能級113。另外，在電荷產生區域106中產生的空穴遷移到第二EL層107。以下，具體說明可以用于上述發光元件的材料。陽極101優選由具有高功函數(具體地說，4.0eV以上是優選的)的金屬、合金、導電化合物和它們的混合物等形成。具體地說，例如，可以舉出氧化銦-氧化錫(ITO，即氧化銦錫IndiumTinOxide)、包含硅或氧化硅的氧化銦_氧化錫、氧化銦_氧化鋅(IZO，即氧化銦鋅IndiumZincOxide)、包含氧化鴇和氧化鋅的氧化銦等。雖然這些導電金屬氧化物膜通常通過濺射法形成，但還可以應用溶膠_凝膠法等形成。例如，通過濺射法，使用相對于氧化銦添加lwt^至20wt^的氧化鋅的耙材，可以形成氧化銦_氧化鋅(IZO)。通過濺射法，使用相對于氧化銦包含0.5wt^至5wt%的氧化鎢和0.lwt^至lwt^的氧化鋅的耙材，可以形成含有氧化鴇和氧化鋅的氧化銦。此外，可以使用如下材料形成陽極101，即金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)或金屬材料的氮化物(如氮化鈦等)、鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物、鈦氧化物等。另外，還可以使用諸如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)、以及聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等導電聚合體。但是，在作為第一EL層103的一部分，接觸陽極101地設置電荷產生區域的情況下，可以使用各種導電材料如Al、Ag作為陽極101，而與功函數的大小無關。作為陰極102，優選使用功函數小(具體地說，優選為3.8eV以下)的金屬、合金、導電化合物、以及它們的混合物等。作為這種的陰極材料的具體例子，可以舉出屬于元素周期表中第1族或第2族的元素，即鋰(Li)或銫(Cs)等堿金屬，鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)等堿土金屬以及包含它們的合金(MgAg、AlLi)，銪(Eu)、鐿(Yb)等稀土金屬和包含它們的合金等。此外，可以通過真空蒸鍍法形成堿金屬、堿土金屬、含有它們的合金的膜。另外，包含堿金屬或堿土金屬的合金還可以通過濺射法來形成。另外，還可以使用銀膏等通過噴墨法等來形成膜。此外，還可以通過層疊堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物(例如，氟化鋰(LiF)、氧化鋰(LiOx)、氟化銫(CsF)、氟化f丐(CaF》、氟化鉺(ErF3)等)的薄膜和鋁等金屬膜，形成陰極102。但是，在作為第二EL層107的一部分，接觸陰極102地設置電荷產生區域的情況下，作為陰極102可以使用Al、Ag、ITO、含有硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫等各種導電材料，而與功函數的大小無關。另外，在本實施方式所示的發光元件中，只要陽極及陰極中的至少一方具有透光性，即可。透光性可以通過使用如ITO等透明電極或者通過減薄電極的膜厚度來確保。只要第一EL層103以及第二EL層107形成為至少包括發光層，即可，并且也可以采用還包括發光層以外的層的疊層結構。此外，包括在第一EL層103中的發光層和包括在第二EL層107中的發光層可彼此不同。另外，第一EL層103及第二EL層107也可以分別獨立采用還包括發光層以外的層的疊層結構。作為發光層以外的層，可以舉出由高空穴注入性物質、高空穴傳輸性物質或高電子傳輸性物質、高電子注入性物質、雙極性(高電子及空穴傳輸性物質)物質等構成的層。具體地說，可以舉出空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、空穴阻止層(空穴阻擋層)、電子傳輸層、電子注入層等，這些層可以從陽極一側適當地組合而構成。再者，還可以在第一EL層103中的接觸陽極101—側設置電荷產生區域。以下，示出構成上述EL層中含有的各層的材料的具體例子。空穴注入層是包含高空穴注入性物質的層。作為高空穴注入性物質，例如可以使用鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鴇氧化物、錳氧化物等。除了上述以外，還可以使用諸如酞菁(簡稱H2Pc)和銅酞菁(簡稱CuPc)等的酞菁類化合物或諸如聚(3，4_乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等的高分子等來形成空穴注入層。空穴傳輸層是包含高空穴傳輸性物質的層。作為高空穴傳輸性物質，例如可以舉出4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱NPB或a-NPD)、N，N'-雙(3-甲基苯)-N，N'-二苯基-[l，l'-聯苯]-4，4'-二胺(簡稱:TPD)、4，4，，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱:TCTA)、4，4，，4"-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(簡稱:TDATA)、4，4，，4"-三[N-(3-甲基苯)-N-苯基氨基]三苯胺(簡稱MTDATA)、4，4'-雙[N-(螺環-9，9'-雙芴-2-基)-^苯基氨基]聯苯(簡稱BSPB)等芳香胺化合物、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCAl)、3，6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCNl)等。除了上述以外，還可以使用4，4'-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱CBP)、l，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPA)等的咔唑衍生物等。這里提到的物質主要是空穴遷移率為10—6cm7Vs以上的物質。但是，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質，就可以采用上述以外的物質。另外，包含高空穴傳輸性物質的層不限于單層，還可以將由上述物質構成的層層疊兩層以上。除了上述以外，還可以使用聚(N-乙烯咔唑)(簡稱PVK)、聚(4-乙烯三苯胺)(簡稱PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](簡稱PTPDMA)、聚[N，N'-雙(4-丁基苯基)-N，N'-雙(苯基)聯苯胺](簡稱Poly-TPD)等高分子化合物作為空穴傳輸層。發光層是含有發光物質的層。作為發光物質，可以使用以下所示的熒光化合物。例如，可以舉出N，N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基二苯乙烯_4，4'-二胺(簡稱YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡稱2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四-叔-丁基二萘嵌苯(簡稱TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBAPA)、N，N"-(2-叔-丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亞苯基)雙[N，N'，N，-三苯基-1，4-苯二胺](簡稱0八8八)、^9-二苯基-^[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]_9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N，，N，-三苯基-1，4-苯二胺(簡稱2DPAPPA)、N，N，N'，N'，N"，N"，N"'，N"'-八苯基二苯并[g，p]篇(chrysene)-2，7，10，15-四胺(簡稱DBC1)、香豆素30、N-(9，10-二11苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPA)、N-[9，10-雙(l，l'-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N'，N，-三苯基-1，4-苯二胺(簡稱:2DPAPA)、N-[9，10-雙(l，l'-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N，N'，N'-三苯基-l，4-亞苯基二胺(簡稱:2DPABPhA)、9，10-雙(1，l'-聯苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(簡稱DPhAPhA)、香豆素545T、N，N'-二苯基喹吖啶酮(簡稱DPQd)、紅熒烯、5，12-雙(1，1'-聯苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(簡稱BPT)、2-(2-(2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基普妣喃-4-亞基(ylidene))丙二腈(簡稱:DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪(quinolizine)-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基l丙二月青(簡稱:DCM2)、N，N，N，，N，-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(簡稱:p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N，，N，-四(4-甲基苯基)苊并(ace卿htho)[1，2-a]熒蒽-3，10-二胺(簡稱*-11^1^0)、2-{2-異丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-lH，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱DCJTI)、2-(2-叔-丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫_1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基]丙二腈(簡稱DCJTB)、2-(2，6-雙{2_[4_(二甲基氨基)苯基]乙烯基卜4H-妣喃-4-亞基)丙二腈(簡稱BisDCM)、2-(2，6-雙[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-lH，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱BisDCJTM)等。另外，作為發光物質，還可以使用以下所示的磷光化合物。例如，可以舉出雙[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶醇-N，C2']銥(III)四(l-吡唑基)硼酸鹽(簡稱FIr6)、雙[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶醇-N，C2']銥(III)吡啶甲酸酯(簡稱FIrpic)、雙[2-(3'，5'-雙三氟甲基苯基)吡啶醇-N，C2，]銥(III)吡啶甲酸酯(簡稱Ir(CF3TOy)2(piC))、雙[2-(4'，6'-二氟苯基)]吡啶醇-N，C2']銥(III)乙酰丙酮(簡稱FIracac)、三(2-苯基吡啶醇)銥(ni)(簡稱Ir(卯y)3)、雙(2-苯基吡啶醇)銥(III)乙酰丙酮(簡稱lr(ppy)2(acac))、雙(苯并[h]喹啉)銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(bzq)2(acac))、雙(2，4-二苯基-l，3-噁唑-N，C2，)銥(III)乙酰丙酮(簡稱lr(dpo)2(acac))、雙[2-(4'-全氟苯基苯基)吡啶醇]銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(p-PF-ph)2(acac))、雙(2-苯基苯并噻唑-N，C2')銥(III)乙酰丙酮(簡稱lr(bt)2(acac))、雙[2_(2'-苯并[4，5-ci]噻吩基)吡啶醇-N，C3，]銥(III)乙酰丙酮(簡稱lr(btp)2(acac))、雙(1-苯基異喹啉-N，C2，)銥(III)乙酰丙酮(簡稱:Ir(piq)如c))、(乙酰丙酮)雙[2，3_雙(4-氟苯基)喹喔啉合]銥(III)(簡稱:Ir(Fdpq)如c))、(乙酰丙酮)雙(2，3，5_三苯吡啶(triphenylpyrazinato))銥(III)(簡稱Ir(tppr)2(acac))、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉鉑(II)(簡稱PtOEP)、三(乙酰丙酮)(單菲咯啉)鋱(III)(簡稱Tb(acac)3(Phen))、三(1，3_二苯基_1，3_丙二酮)(單菲咯啉)銪(III)(簡稱:Eu(DBM)3(Phen))、三[1_(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](單菲咯啉)銪(III)(簡稱:Eu(TTA)3(Phen))等。另外，優選地是，這些發光物質被分散在主體材料中而使用。作為主體材料，例如可以使用NPB(簡稱)、TPD(簡稱)、TCTA(簡稱)、TDATA(簡稱)、MTDATA(簡稱)、BSPB(簡稱)等芳香胺化合物，PCzPCAl(簡稱)、PCzPCA2(簡稱)、PCzPCNl(簡稱)、CBP(簡稱)、12TCPB(簡稱)、CzPA(簡稱)、4-(1-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-三苯胺(簡稱PCBANB)等咔唑衍生物，PVK(簡稱)、PVTPA(簡稱)、PTPDMA(簡稱)、Poly-TPD(簡稱)等包含高分子化合物的高空穴傳輸性物質，三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱:Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉(quinolinato))鈹(簡稱:BeBq2)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡稱BAlq)等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物，雙[2-(2-羥基苯基)苯并噁唑]鋅(簡稱Zn(B0X)2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(簡稱Zn(BTZ)2)等具有噁唑類或噻唑類配體的金屬配合物，2-(4-聯苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-l，3，4-噁二唑(簡稱PBD)、l，3-雙[5-(p-叔-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡稱0XD-7)、9-[4-(5-苯基-l，3，4-噁二唑-2-基)苯基]咔唑(簡稱COl1)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(簡稱TAZ)、紅菲繞啉(簡稱BPhen)、浴銅靈(簡稱BCP)、聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-co-(吡啶-3，5-二基)](簡稱PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-co-(2，2'-聯吡啶-6，6'-二基)](簡稱PF-BPy)等高電子傳輸性物質。電子傳輸層是包含高電子傳輸性物質的層。作為高電子傳輸性物質，例如可以使用Alq(簡稱)、Almq3(簡稱)、BeBq2(簡稱)、BAlq(簡稱)等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等。除了上述以外，還可以使用Zn(B0X)2(簡稱)、Zn(BTZ)2(簡稱)等具有噁唑類或噻唑類配體的金屬配合物等。除了金屬配合物以外，還可以使用PBD(簡稱)、0XD-7(簡稱)、C011(簡稱)、TAZ(簡稱)、BPhen(簡稱)、BCP(簡稱)等。這里提到的物質主要是電子遷移率為10—6cm7Vs以上的物質。但是，只要是電子傳輸性高于空穴傳輸性的物質，就還可以采用上述以外的物質。另外，電子傳輸層不限于單層，還可以將由上述物質構成的層層疊兩層以上。除了上述以外，還可以將PF-Py(簡稱)、PF-BPy(簡稱)等高分子化合物用于電子傳輸層。電子注入層是包含高電子注入性物質的層。作為高電子注入性物質，可以舉出氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等堿金屬、堿土金屬或它們的化合物。另外，還可以使用其中含有堿金屬、堿土金屬或它們的化合物的電子傳輸物質，例如其中含有鎂(Mg)的Alq等。通過采用這種結構，可以進一步提高從陰極102的電子注入效率。當在第一EL層103或第二EL層107中設置電荷產生區域時，電荷產生區域是包含高空穴傳輸性物質和受體物質的區域。另外，電荷產生區域有如下兩種情況在同一個膜中含有高空穴傳輸性物質和受體物質；層疊有包含高空穴傳輸性物質的層和包含受體物質的層。但是，在采用將電荷產生區域設置在陽極一側的疊層結構的情況下，得到包含受體物質的層接觸陽極101的結構，而在采用將電荷產生區域設置在陰極一側的疊層結構的情況下，得到包含高空穴傳輸性物質的層接觸陰極102的結構。通過在第一EL層103或第二EL層107中形成電荷產生區域，可以形成陽極101或陰極102，而不考慮形成電極的材料的功函數。作為用于電荷產生區域的受體物質，可以舉出過渡金屬氧化物或屬于元素周期表中的第四族至第八族的金屬的氧化物。具體地說，氧化鉬是特別優選的。另外，氧化鉬具有吸濕性低的特征。作為用于電荷產生區域的高空穴傳輸性物質，可以使用各種有機化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴和高分子化合物(低聚物、樹狀聚合體、聚合體等)。具體地，優選使用空穴遷移率為10—6cm7Vs以上的物質。但是，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質，就可以采用上述以外的物質。另外，通過適當地組合而層疊這些層，可以形成第一EL層103或第二EL層107。作為第一EL層103或第二EL層107的形成方法，可以根據使用的材料適當地選擇各種方法(例如，干法或濕法等)。例如，可以采用真空蒸鍍法、噴墨法、旋涂法等。另外，還可以對每個層采用不同的方法而形成。另外，在第一EL層103和第二EL層107之間從陽極101—側按順序設置有電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產生區域106。電荷產生區域106是接觸于第二EL層107而形成的，電子繼電層105是接觸于電荷產生區域106而形成的，并且電子注入緩沖104是接觸于電子繼電層105和第一EL層103之間而形成的。電荷產生區域106是包含高空穴傳輸性物質和受體物質的區域。另外，電荷產生區域106可以使用與以上說明的可以形成在第一EL層103或第二EL層107的一部分中的電荷產生區域同樣的材料并由同樣的結構形成。因此，電荷產生區域106有如下兩種情況在同一個膜中含有高空穴傳輸性物質和受體物質；層疊有包含高空穴傳輸性物質的層和包含受體物質的層。但是，在采用疊層結構的情況下，得到包含高空穴傳輸性物質的層接觸第二EL層107的結構。另外，優選地是，在電荷產生區域106中，以如下方式添加受體物質使受體物質相對于高空穴傳輸性物質的質量比為O.1:1至4.0:1。電子繼電層105是能夠將在電荷產生區域106中被受體物質抽出的電子及時接收的層。因此，電子繼電層105是包含高電子傳輸性物質的層，并且優選使用其LUM0能級占據電荷產生區域106中的受體的受體能級與第一EL層103的LUMO能級之間的能級的材料而形成。具體地說，優選使用具有大約_5.OeV以上的LUMO能級的材料，更優選使用具有大約-5.OeV以上且-3.OeV以下的LUMO能級的材料。作為用于電子繼電層105的物質，例如，可以舉出二萘嵌苯衍生物或含氮稠環芳香化合物。另外，因為含氮稠環芳香化合物是穩定的化合物，所以優選用于電子繼電層105。再者，在含氮稠環芳香化合物中，通過使用具有氰基或氟基等吸電子基(electron-withdrawinggroup)的化合物，可以使電子繼電層105中的電子接收變得更容易，因此是優選的。作為二萘嵌苯衍生物的具體例子，可以舉出3，4，9，10-茈四羧酸二酐(perylenetetracarboxylicdianhydride)(簡稱PTCDA)、3，4，9，10-菲四羧酸-雙-苯并咪唑(perylenetetracarboxylic-bis-benzimidazole)(簡稱PTCBI)、N，N'-二辛基_3，4，9，10-菲四羧酸二酰亞胺(perylenetetracarboxylicdiimide)(簡稱:PTCDI-C8H)、N，N，-二己基-3，4，9，10-茈四羧酸二酰亞胺(簡稱HexPTC)等。另外，作為含氮稠環芳香化合物的具體例子，可以舉出吡嗪并(pirazino)[2，3-f][1，10]菲咯啉_2，3-二甲月青(dicarbonitrile)(簡稱:PPDN)、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮三苯并苯(簡稱HAT(CN)6)、2，3-二苯基吡啶并[2，3_b]吡嗪(簡稱:2PYPR)、2，3-雙(4-氟苯基)吡啶并[2，3-b]吡嗪(簡稱:F2PYPR)等。除了上述以外，電子繼電層105還可以使用如下材料全氟并五苯、7，7，8，8，-四氰基對醌二甲烷(簡稱TCNQ)、l，4，5，8-萘四羧酸二酐(簡稱NTCDA)、十六烷氟代酞菁銅(簡稱F16CuPC)、N，N，-雙(2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8，十五烷氟辛基-l，4，5，8-萘四羧酸二酰亞胺(簡稱NTCDI-C8F)、3'，4'-二丁基_5，5"-雙(二氰基亞甲基)_5，5"-二氫-2，2，5'，2"-三聯噻吩)(簡稱:DCMT)、甲醇富勒烯(例如[6，6]-苯基C61酪酸甲酉旨(簡稱:PCBM))等。電子注入緩沖104是能夠將被電子繼電層105接收的電子注入到第一EL層103的層。通過設置電子注入緩沖104，可以緩和電荷產生區域106與第一EL層103之間的注入勢壘，從而可以將在電荷產生區域106中產生的電子容易注入到第一EL層103。電子注入緩沖104可以使用如下物質堿金屬、堿土金屬、稀土金屬和它們的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、卣化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽))等高電子注入性物質。另外，在電子注入緩沖104包含高電子傳輸性物質和施體物質而形成的情況下，優選地是，以如下方式添加施體物質使施體物質相對于高電子傳輸性物質的質量比為o.ooi:i至o.i:i。另外，作為施體物質，除了堿金屬、堿土金屬、稀土金屬和它們的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、卣化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽))以外，還可以使用四硫并四苯(tetrathian即hthacene)(簡稱TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。另外，作為高電子傳輸性物質，可以使用與以上說明的可以形成在第一EL層103的一部分中的電子傳輸層的材料同樣的材料而形成。通過組合上述材料，可以制造本實施方式所示的發光元件。從該發光元件可以得到來自上述發光物質的發光，通過改變用于發光層的發光物質的種類而可以得到各種發光顏色。另外，通過使用發光顏色不同的多種發光物質作為發光物質，還可以得到寬光譜的發光或白色發光。注意，在本實施方式中示出設置有兩層的EL層的發光元件，但是EL層的層數不局限于兩層，還可以為兩層以上，例如三層。當將n(n是2以上的自然數)層的EL層設置在發光元件中，在第m(m是自然數，l《m《n-l)EL層和第(m+l)EL層之間從陽極一側按順序層疊電子注入緩沖、電子繼電層以及電荷產生區域，可以抑制發光元件的驅動電壓的上升。此外，本實施方式所示的發光元件可以形成在各種襯底上。作為襯底，例如可以使用玻璃、塑料、金屬板、金屬箔等。當從襯底一側取得發光元件的發光時，使用具有透光性的襯底即可。但是，只要襯底是在發光元件的制造工序中用作支撐體的襯底，就也可以使用上述以外的襯底。注意，通過采用本實施方式所示的發光元件的元件結構可以制造兩個電極以格子狀形成在一個襯底上的無源矩陣型發光裝置。此外，還可以制造具有與用作開關的薄膜晶體管(TFT)等電連接的發光元件，并使用TFT控制發光元件的驅動的有源矩陣型發光裝置。注意，對TFT的結構沒有特別的限制。TFT可以為交錯型或反交錯型。此外，作為由TFT構成的驅動電路，可以使用含有N型TFT和P型TFT的電路，也可以使用僅包含N型TFT和P型TFT中的任一種的電路。另外，對用于TFT的半導體膜的結晶性沒有特別的限制。可以使用非晶半導體膜或結晶半導體膜。此外，可以使用單晶半導體膜或微晶半導體(微晶體半導體)。再者，可以使用氧化物半導體，例如包含銦、鎵以及鋅的氧化物半導體。此外，通過使用各種方法，不管干法工序(例如真空蒸鍍法、濺射法等)還是濕法工序(例如噴墨法、旋涂法、涂敷法等)，可以形成本實施方式所示的發光元件。通過采用本實施方式所示的元件結構，可以使其驅動電壓不容易受到電荷產生區域106的厚度的影響，因此可以抑制發光元件的驅動電壓的上升，并且通過光學調整提高顏色純度。此外，通過采用本實施方式所示的元件結構，形成在電荷產生區域106和電子注入緩沖104之間夾住電子繼電層105的結構，因此可以得到如下結構包含在電荷產生區域106中的受體和包含在電子注入緩沖104中的高電子注入性物質或施體物質不容易受到相互作用，并且不容易阻礙雙方的功能。從而，可以以低電壓驅動發光元件。注意，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式2在本實施方式2中，使用圖2A和2B說明包括在實施方式1所說明的基本結構的發光元件的一例。具體地，說明在實施方式l所示的發光元件中，作為電子注入緩沖104使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬或這些的化合物的單層的情況。如圖2A所示那樣，本實施方式所示的發光元件包括如下結構在一對電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發光區域的第一EL層103及第二EL層107，并且在第一EL層103和第二EL層107之間從陽極101—側按順序層疊電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產生區域106。本實施方式2中的陽極101、陰極102、第一EL層103、第二EL層107、電荷產生區域106以及電子繼電層105可以使用與實施方式1所說明的材料同樣的材料。在本實施方式中，作為用于電子注入緩沖104的物質，可以舉出如下高電子注入性物質鋰(Li)或銫(Cs)等堿金屬、鎂(Mg)、鈣(Ca)或鍶(Sr)等堿土金屬、銪(Eu)或鐿(Yb)等稀土金屬、堿金屬化合物(包括氧化鋰等的氧化物、鹵化物、碳酸鋰和碳酸銫等的碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽)或稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)等。在本實施方式所示的發光元件中，作為電子注入緩沖104，設置有上述金屬或其化合物的單層，并且使其厚度形成得極薄(具體地，lnm以下)，以避免驅動電壓的上升。此外，在本實施方式中，優選在第一EL層103中與電子注入緩沖104接觸地形成電子傳輸層108，并且電子注入緩沖104大致存在于電子繼電層105和EL層103的一部分的電子傳輸層108的界面。注意，當在形成電子傳輸層108之后在電子傳輸層108上形成電子注入緩沖104時，形成電子注入緩沖104的物質的一部分也會存在于EL層103的一部分的電子傳輸層108中。圖2B示出圖2A中的元件結構的能帶圖。通過在圖2B中在電子繼電層105和第一EL層103的界面設置電子注入緩沖104，可以緩和電荷產生區域106和第一EL層103之間的注入勢壘，因此可以將在電荷產生區域106中產生的電子容易注入到第一EL層103。此外，在電荷產生區域106中產生的空穴移動到第EL層107。通過采用本實施方式所示的電子注入緩沖的結構，與實施方式3所示的電子注入緩沖(對高電子傳輸性物質添加施體物質而形成)相比，可以降低發光元件的驅動電壓。此16外，在本實施方式中，作為電子注入緩沖104的高電子注入性物質，優選使用堿金屬化合物(包括氧化鋰等的氧化物、卣化物、碳酸鋰和碳酸銫等的碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽)或稀土金屬化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽)等。由于這些高電子注入性物質是在空氣中穩定的物質，因此生產率好，并適合于大量生產。注意，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式3在本實施方式3中，使用圖3A和3B說明包括在實施方式1所說明的基本結構中的發光元件的一例。具體地，說明在實施方式1所示的發光元件中包含高電子傳輸性物質和施體物質而形成電子注入緩沖104的情況。如圖3A所示那樣，本實施方式所示的發光元件包括如下結構在一對電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發光區域的第一EL層103及第二EL層107，并且在第一EL層103和第二EL層107之間從陽極101—側按順序層疊電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產生區域106。此外，電子注入緩沖104包含高電子傳輸性物質和施體物質而形成。此外，在本實施方式中，優選以如下方式添加施體物質使施體物質相對于高電子傳輸性物質的質量比為o.ooi:i至o.i:i。由此，可以得到膜性質好且反應性好的電子注入緩沖104。本實施方式3中的陽極101、陰極102、EL層103、電荷產生區域106以及電子繼電層105可以使用與實施方式1所說明的材料同樣的材料。在本實施方式中，作為用于電子注入緩沖104的高電子傳輸性物質，例如可以使用具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等，如三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(簡稱BeBq2)、雙(2-甲基_8_羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(簡稱BAlq)等。另外，還可以使用具有噁唑類或噻唑類配體的金屬配合物等，如雙[2-(2-羥基苯基)苯并噁唑]鋅(簡稱Zn(B0X)2)、雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(簡稱Zn(BTZ)2)等。再者，除了金屬配合物以外，也可以使用2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l，3，4-噁二唑(簡稱PBD)、1，3_雙[5-(對-叔丁基苯基)-l，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡稱0XD-7)、9-[4-(5-苯基-l，3，4-噁二唑-2-基)苯基]咔唑(簡稱C011)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-l，2，4-三唑(簡稱TAZ)、紅菲繞啉(簡稱BPhen)、浴銅靈(簡稱BCP)等。這里所述的物質主要是電子遷移率為10—6cm7Vs以上的物質。除了上述物質以外，還可以使用如下高分子化合物，如聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-co-(吡啶-3，5-二基)](簡稱PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-co-(2，2'-聯吡啶_6，6'-二基)](簡稱PF-BPy)等。此外，在本實施方式中，作為用于電子注入緩沖104的施體物質，可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬以及這些的化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等的氧化物、鹵化物、碳酸鋰和碳酸銫等的碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、卣化物、碳酸鹽)或稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)等。另外，也可以使用四硫并四苯(簡稱TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。此外，在本實施方式中，在第一EL層103中也可以與電子注入緩沖104接觸地形成電子傳輸層108，并且當形成電子傳輸層108時，用于電子注入緩沖104的高電子傳輸性物質和用于EL層103的一部分的電子傳輸層108的高電子傳輸性物質可以相同或不相同。本實施方式所示的發光元件的特征在于如圖3A所示那樣在EL層103和電子繼電層105之間形成包含高電子傳輸性物質和施體物質的電子注入緩沖104。圖3B示出該元件結構的能帶圖。換言之，通過形成電子注入緩沖104，可以緩和電子繼電層105和EL層103之間的注入勢壘，因此可以將產生在電荷產生區域106中的電子容易注入到EL層103。此外，將產生在電荷產生區域106中的空穴移動到第二EL層107。注意，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式4在本實施方式4中，使用圖4A和4B說明電荷產生區域106的結構作為包括在實施方式1所說明的基本結構的發光元件的一例。圖4A和4B所示的元件結構包括如下結構在一對電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發光區域的第一EL層103及第二EL層107，并且在第一EL層103和第二EL層107之間從陽極101—側按順序層疊電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產生區域106。在圖4A和4B中，作為陽極101、陰極102、第一EL層103、電子注入緩沖104、電子繼電層105以及第二EL層107，可以使用與實施方式1所說明的材料同樣的材料，并可以采用同樣的結構。在圖4A和4B所示的發光元件中，電荷產生區域106是包含高空穴傳輸性物質和受體物質的區域。此外，在電荷產生區域106中，通過受體物質從高空穴傳輸性物質抽出電子，產生空穴及電子。圖4A所示的電荷產生區域106具有在同一個膜中包含高空穴傳輸性物質和受體物質的結構。在此情況下，通過以如下方式添加受體物質使受體物質相對于高空穴傳輸性物質的質量比為O.1:1至4.0:1，在電荷產生區域106中容易產生載流子，因此是優選的。由于在圖4A中采用使受體物質摻雜在高空穴傳輸性物質中的結構，因此在使電荷產生區域106厚膜化的情況下也可以抑制驅動電壓的上升。因此，可以抑制發光元件的驅動電壓的上升，并且通過光學調整提高顏色純度。此外，通過使電荷產生區域106厚膜化，可以防止發光元件的短路。另外，圖4B所示的電荷產生區域106具有層疊包含高空穴傳輸性物質的層106a和包含受體物質的層106b的結構。在圖4B所示的發光元件的電荷產生區域106中，高空穴傳輸性物質和受體物質接觸，并產生電子的授受而形成的電子轉移絡合物只形成在包含高空穴傳輸性物質的層106a和包含受體物質的層106b的界面。從而，至于圖4B所示的發光元件，在使電荷產生區域106的厚度變厚的情況下也不容易形成可見光的吸收帶，因此是優選的。此外，通過將圖4B所示的發光元件和實施方式2所說明的結構組合，并作為電子注入緩沖104使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬或這些的化合物的單層，可以第一EL層103和第二EL層107之間的層即電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產生區域106不使用摻雜而制造，并可以將這些層的總厚度設定為5nm以下左右而實現薄膜化。此外，作為用于形成電荷產生區域106的高空穴傳輸性物質，可以使用各種有機化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴以及高分子化合物(低聚物、樹狀聚合體、聚合體等)等。具體地，優選使用空穴遷移率為10—6cm7Vs以上的物質。但是，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質，就可以使用上述以外的物質。作為芳香胺化合物的具體例子，可以舉出4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯苯基(簡稱NPB或a-NPD)、N，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基-[l，l'-聯苯基]-4，4'-二胺(簡稱:TPD)、4，4，，4"-三(咔唑_9_基)三苯基胺(簡稱TCTA)、4，4'，4"-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(簡稱:TDATA)、4，4，，4"-三[N_(3_甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(簡稱MTDATA)、N，N'-雙(4-甲基苯基)-N，N'-二苯基-對-苯二胺(簡稱:DTDPPA)、4，4，-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱DPAB)、4，4'-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱DNTPD)、l，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱DPA3B)等。作為咔唑衍生物的具體例子，可以舉出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCAl)、3，6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCA2)、3-[N-(l-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCNl)等。此外，可以舉出4，4'-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱CBP)、l，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPA)、l，4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。作為芳烴的具體例子，可以舉出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(l-萘基)蒽、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡稱DPPA)、2_叔丁基_9，10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱DNA)、9，10-二苯基蒽(簡稱DPAnth)、2-叔丁基蒽(簡稱t-BuAnth)、9，10-雙(4-甲基-l-萘基)蒽(簡稱DMNA)、9，10-雙[2-(l-萘基)苯基]-2-叔丁基-蒽、9，10-雙[2-(l-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(l-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9'-聯蒽、10，10'-二苯基-9，9'-聯蒽、10，10'-雙(2-苯基苯基)-9，9'-聯蒽、10，10'-雙[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]_9，9'-聯蒽、蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，ll-四(叔丁基)二萘嵌苯等。此外，也可以使用并五苯、暈苯等。像這樣，更優選使用具有1X10—6cm7Vs以上的空穴遷移率且碳數為14至42的芳烴。此外，芳烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如可以舉出4，4'-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯苯(簡稱DPVBi)、9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱DPVPA)等。另外，也可以使用高分子化合物如聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱PVK)或聚(4-乙烯基三苯基胺)(簡稱PVTPA)等。作為用于形成電荷產生區域106的受體物質，可以舉出7，7，8，8_四氰基_2，3，5，6-四氟醌二甲烷(簡稱FfTCNQ)、氯醌等。另外，可以舉出過渡金屬氧化物。另外，還可以使用屬于元素周期表第4族至第8族的金屬的氧化物。具體地，優選使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳以及氧化錸，因為它們的電子接受性高。注意，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式5在本實施方式5中，使用圖24A和24B說明包括在實施方式1所說明的基本結構中的發光元件的其他一例。如圖24A所示那樣，本實施方式所示的發光元件包括如下結構在一對電極(陽極101、陰極102)之間夾住包括發光區域的第一EL層103及第二EL層107，并且在第一EL層103和第二EL層107之間從陽極101—側按順序層疊電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產生區域106。本實施方式中的陽極101、陰極102、電子注入緩沖104、電子繼電層105以及電荷產生區域106可以使用與實施方式1所說明的材料同樣的材料。在本實施方式中，第一EL層103具有呈現在藍色至藍綠色的波長范圍具有峰的發射光譜的第一發光層103-1、呈現在黃色至橙色的波長范圍具有峰的發射光譜的第二發光層103-2。此外，第二EL層107具有呈現在藍綠色至綠色的波長范圍具有峰的發射光譜的第三發光層107-1、呈現在橙色至紅色的波長范圍具有峰的發射光譜的第四發光層107-2。此外，第一發光層103-1和第二發光層103-2也可以反順序層疊。另外，第三發光層107-1和第四發光層107-2也可以反順序層疊。當對這種發光元件以陽極101—側為正且陰極102—側為負的方式來施加偏壓時，從陽極101注入的空穴和產生在電荷產生區域106中的通過電子繼電層105及電子注入緩沖104注入的電子在第一發光層103-1或第二發光層103-2中重新結合而得到第一發光330。再者，從陰極102注入的電子和產生在電荷產生區域106中的空穴在第三發光層107-1或第四發光層107-2中重新結合而得到第二發光340。由于第一發光330是將從第一發光層103-1及第二發光層103_2的雙方的發光組合的發光，因此如圖24B所示那樣呈現在藍色至藍綠色的波長范圍以及黃色至橙色的波長范圍的雙方具有峰的發射光譜。換言之，第一EL層103呈現2波長型的白色或近似白色的顏色的發光。此外，由于第二發光340是將從第三發光層107-1及第四發光層107-2的雙方的發光組合的發光，因此如圖24B所示那樣呈現在藍綠色至綠色的波長范圍以及橙色至紅色的波長范圍的雙方具有峰的發射光譜。換言之，第二EL層107呈現與第一EL層103不同的2波長型的白色或近似白色的顏色的發光。從而，在本實施方式中的發光元件中，第一發光330及第二發光340重疊，其結果可以得到覆蓋藍色至藍綠色的波長范圍、藍綠色至綠色的波長范圍、黃色至橙色的波長范圍、橙色至紅色的波長范圍的發光。在本實施方式中，例如即使第一發光層103-1(呈現在藍色至藍綠色的波長范圍具有峰的發射光譜)的發光亮度隨時間劣化或因電流密度變化，也對于整個光譜的第一發光層103-1的影響為1/4左右，因此色度的偏差較小。注意，上述說明第一EL層103呈現在藍色至藍綠色的波長范圍以及黃色至橙色的波長范圍的雙方具有峰的光譜，并且第二EL層107呈現在藍綠色至綠色的波長范圍以及橙色至紅色的波長范圍的雙方具有峰的光譜的情況作為例子，但是也可以彼此相反。換言之，也可以采用第二EL層107呈現在藍色至藍綠色的波長范圍以及黃色至橙色的波長范圍的雙方具有峰的發射光譜，并且第一EL層103呈現在藍綠色至綠色的波長范圍以及橙色至紅20色的波長范圍的雙方具有峰的光譜的結構。此外，第一EL層103及第二EL層107也可以分別具有形成有發光層以外的層的疊層結構。接著，說明可以用于本實施方式所示的發光元件的EL層的材料作為發光性的有機化合物。注意，可以應用于本實施方式所示的發光元件的材料不局限于如下材料。例如，通過使用二萘嵌苯、2，5，8，ll-四-叔丁基二萘嵌苯(簡稱TBP)、9，10-二苯蒽等作為客體材料并將該客體材料分散在合適的主體材料中，可以得到藍色至藍綠色發光。此外，可以從苯乙烯基亞芳香基衍生物如4，4'-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯苯(簡稱DPVBi)等或蒽衍生物如9，10-二-2-萘基蒽(簡稱DNA)、9，10-雙(2-萘基)-2-叔丁基蒽(簡稱t-BuDNA)等得到藍色至藍綠色發光。另外，還可以使用聚合體如聚(9，9-二辛基芴)等。此外，作為藍色發光的客體材料，優選使用苯乙烯胺衍生物，可以舉出N，N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(簡稱YGA2S)、N，N'-二苯基-N，N'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯乙烯-4，4'-二胺(簡稱PCA2S)等。尤其是，優選使用YGA2S，因為它在450nm附近具有峰。此外，作為主體材料，優選使用蒽衍生物，并優選使用9，10-雙(2-萘基)-2-叔丁基蒽(簡稱t-BuDNA)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱CzPA)。尤其是，優選使用CzPA，因為它在電化學上穩定。例如，通過使用香豆素30、香豆素6等香豆素類色素、雙[2-(2，4-二氟苯基)吡啶醇]吡啶甲酰合銥(簡稱FIrpic)、雙(2-苯基吡啶醇)乙酰丙酮銥(簡稱Ir(ppy)2(acac))等作為客體材料并將該客體材料分散在合適的主體材料中，可以得到藍綠色至綠色發光。此外，通過將上述的二萘嵌苯或TBP以5wt^以上的高濃度分散在合適的主體材料中，也可以得到藍綠色至綠色發光。另外，也可以從BAlq、Zn(BTZ)2、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)氯鎵(Ga(mq)2Cl)等金屬配合物得到藍綠色至綠色發光。此外，也可以使用聚合體如聚(對-亞苯基亞乙烯基)等。另外，作為藍綠色至綠色的發光層的客體材料，優選使用蒽衍生物，因為它可以得到高效率的發光。例如通過使用9，10-雙(4-[N-(4-二苯基氨基)苯基-N-苯基]氨基苯基}-2-叔丁基蒽(簡稱DPABPA)可以得到高效率的藍綠色發光。此外，由于可以得到高效率的綠色發光，所以優選使用其2位由氨基取代的蒽衍生物，其中優選使用N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPA)，因為它的使用壽命尤其長。作為這些的主體材料，優選使用蒽衍生物，其中優選使用上述的CzPA，因為它在電化學上穩定。另外，在組合綠色發光和藍色發光來制造在藍色至綠色的波長范圍具有兩個峰的發光元件的情況下，若使用CzPA之類的電子傳輸性蒽衍生物作為藍色發光層的主體并且使用NPB之類的空穴傳輸性芳香胺化合物作為綠色發光層的主體，則可以在藍色發光層和綠色發光層的界面得到發光，因此是優選的。換言之，在此情況下，作為2PCAPA之類的綠色發光材料的主體，優選使用如NPB之類的芳香胺化合物。例如，通過使用紅熒烯、4-(二氰基亞甲基)-2-[對-(二甲基氨基)苯乙烯基]-6-甲基-4H-妣喃(簡稱DCMl)、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基_6-(9_久洛尼定(julolidyl))乙炔基-4H-吡喃(簡稱DCM2)、雙[2-(2-噻吩基)吡啶醇]乙酰丙酮銥(Ir(thp)2(acac))、雙-(2-苯基喹啉)乙酰丙酮銥(Ir(pq)2(acac))等作為客體材料并將該客體材料分散在合適的主體材料中，可以得到黃色至橙色發光。尤其是，優選使用紅熒烯之類的并四苯衍生物，因為它具有高效率并在化學上很穩定。作為在此情況下的主體材料，優選使用NPB之類的芳香胺化合物。作為其他主體材料，還可以使用雙(8-羥基喹啉)鋅(簡稱Znq2)或雙[2-肉桂酰-8-羥基喹啉]鋅(簡稱ZnSq2)等的金屬配合物。此外，也可以使用聚合體如聚(2，5-二烷氧基-1，4-亞苯基乙烯)等。例如，通過使用4-(二氰基亞甲基)-2，6-雙[對-(二甲氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(簡稱BisDCM)、2-(2-(2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}_6_甲基_4H_吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱DCMl)、4-(二氰基亞甲基)_2-甲基-6-(9-久洛尼定)乙炔基-4H-吡喃(簡稱DCM2)、雙[2-(2-噻吩基)吡啶醇]乙酰丙酮銥(Ir歸如c))等作為客體材料并將該客體材料分散在合適的主體材料中，可以得到橙色至紅色發光。也可以從雙(8-羥基喹啉)鋅(簡稱Znq2)、雙[2-肉桂酰基-8-羥基喹啉]鋅(簡稱ZnSq2)等金屬配合物得到橙色至紅色發光。此外，也可以使用聚合體如聚(3-烷基噻吩)等。作為呈現紅色發光的客體材料，優選使用4-(二氰基亞甲基)_2，6-雙[對-(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(簡稱BisDCM)、2-(2-(2-[4-(二甲基氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基)丙二腈(簡稱DCM1)、4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(9-久洛尼定)乙炔基-4H-吡喃(簡稱DCM2)、{2-異丙基-6-[2-(2，3，6，7-四氫-1，1，7，7-四甲基_1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基l丙二腈(簡稱DCJTI)、{2，6-雙[2-(2，3，6，7-四氫_8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-lH，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈(簡稱BisDCJTM)之類的4H-吡喃衍生物，因為它的效率高。尤其是，由于DCJTI、BisDCJTM在620nm附近具有發光的峰，因此是優選的。注意，可以使用其波長短于發光有機化合物的主體材料或其能隙較大的主體材料作為在上述結構中的合適主體材料。具體地，主體材料可以從以實施方式1所示的例子為代表的空穴傳輸材料或電子傳輸材料中適當地選擇。此外，也可以使用4，4'-雙(N-咔唑基)-聯苯(簡稱:CBP)、4，4，，4"-三(N-咔唑基)三苯胺(簡稱TCTA)、l，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱TCPB)等。在本實施方式所示的發光元件中，第一EL層的發射光譜及第二EL層的發射光譜重疊，其結果可以得到覆蓋藍色至藍綠色的波長范圍、藍綠色至綠色的波長范圍、黃色至橙色的波長范圍、橙色至紅色的波長范圍的白色發光。再者，也可以通過調節各個疊層的膜厚來有意圖地稍微地干涉光，抑制突出的尖銳峰產生而得到梯形的發射光譜，以將其光接近于具有連續光譜的自然光。另外，也可以通過調節各個疊層的膜厚來有意圖地稍微地干涉光，改變發射光譜的峰的位置。通過調節各個疊層的膜厚以使在發射光譜中出現的多個峰的強度大致相同，并且縮短各個峰的間隔，可以得到具有近于梯形的發射光譜的白色發光。此外，在本實施方式中示出在多層的發光層的每一個中重疊彼此處于補色關系的發光顏色而可以得到白色發光的EL層。如下說明因補色關系而呈現白色發光的EL層的具體結構。設置在本實施方式所示的發光元件中的EL層例如可以采用如下結構從陽極101一側按順序層疊包含高空穴傳輸性物質和第一發光物質的第一層、包含高空穴傳輸性物質和第二發光物質的第二層、包含高電子傳輸性物質和第二發光物質的第三層。在本實施方式所示的發光元件的EL層中，為了得到白色發光，需要第一發光物質和第二發光物質的雙方發射光。從而，為了調節EL層內的載流子的傳輸性，優選高空穴傳輸性物質和高電子傳輸性物質都是主體材料。此外，作為可以用于EL層的高空穴傳輸性物22質或高電子傳輸性物質，可以適當地使用實施方式1所示的物質。此外，第一發光物質及第二發光物質可以選擇性地使用各個發光顏色處于補色關系的物質。作為補色關系，可以舉出藍色和黃色或藍綠色和紅色等。作為發出藍色光、黃色光、藍綠色光和紅色光的物質，例如從以上列舉的發光物質中適當地選擇出即可。另外，通過使第二發光物質的發光波長比第一發光物質的發光波長短，可以將第二發光物質的一部分激發能量傳遞到第一發光物質中，而使第一發光物質發光。由此，在本實施方式的發光元件中，優選第二發光物質的發光峰值波長比第一發光物質的發光峰值波長短。在本實施方式所示的發光元件的結構中，可以得到從第一發光物質的發光和從第二發光物質的發光的雙方，并由于第一發光物質和第二發光物質的發光顏色彼此處于補色關系，因此可以得到白色發光。此外，通過采用本實施方式所示的發光元件的結構，可以得到使用壽命長的發光元件。注意，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而使用。實施方式6在本實施方式中，使用圖5A至5C說明包括上述實施方式所示的發光元件的發光裝置的一個方式。圖5A至5C是該發光裝置的截面圖。在圖5A至5C中，被矩形的虛線包圍的部分是用來驅動發光元件12而設置的晶體管11。發光元件12在第一電極13和第二電極14之間具有包括有機化合物的層15，該包括有機化合物的層具有n(n是2以上的自然數)層的EL層，并且在第m(m是自然數，1《m《n-l)EL層和第(m+l)EL層之間從陽極一側按順序包括電子注入緩沖、電子繼電層以及電荷產生區域。此外，每個EL層至少設置有發光層，并且采用除了發光層以外，適當地設置空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層的結構。換言之，發光元件12的結構是實施方式1至實施方式4所示的結構。晶體管11的漏區通過穿過第一層間絕緣膜16(16a、16b、16c)的布線17與第一電極13電連接。通過隔壁層18，發光元件12與相鄰地設置的其它發光元件分離。具有這種結構的本實施方式的發光裝置在本實施方式中設置在襯底10上。此外，圖5A至5C所示的晶體管11是以半導體層為中心在與襯底相反一側設置有柵電極的頂柵型晶體管。注意，晶體管11的結構沒有特別的限制，例如也可以使用底柵型晶體管。此外，當采用底柵型時，既可以使用在形成溝道的半導體層上形成保護膜的晶體管(溝道保護型)，又可以使用形成溝道的半導體層的一部分成為凹狀的晶體管(溝道蝕刻型)。此外，構成晶體管11的半導體層可以使用結晶性、非晶性的任一種。另外，也可以使用微晶半導體(微晶體半導體)、氧化物半導體等。作為氧化物半導體層，可以使用選自銦、鎵、鋁、鋅以及錫中的元素的復合氧化物。例如，作為該例子，可以舉出氧化鋅(ZnO)、含有氧化鋅的氧化銦(IZO)、由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅構成的氧化物(IGZO)。作為結晶半導體層的具體例子，可以舉出由單晶硅、多晶硅、硅鍺等形成的半導體層。它可以通過激光結晶來形成，例如，可以通過使用鎳等的固相生長法結晶來形成。此外，在半導體層由非晶物質例如非晶硅形成的情況下，優選發光裝置具有電路，23該電路通過使晶體管ll以及其他晶體管(構成用來驅動發光元件的電路的晶體管)都為N溝道型晶體管而構成。另外，由于大多數的氧化物半導體例如氧化鋅(Zn0)、含有氧化鋅的氧化銦(IZO)、由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅構成的氧化物(IGZO)等為N型半導體，所以將這些化合物用作激活層的晶體管成為N溝道型。在除了上述以外的情況下，既可以采用具有由N溝道型和P溝道型中的任一種晶體管構成的電路的發光裝置，又可以采用具有由雙方的晶體管構成的電路的發光裝置。此外，第一層間絕緣膜16可以為如圖5A和5C所示的多層或單層。此外，層間絕緣膜16a由無機物如氧化硅或氮化硅形成，層間絕緣膜16b由丙烯酸樹脂、硅氧烷(由硅(Si)和氧(0)鍵形成骨架結構的作為取代基至少包含氫的有機基)或可以通過可涂布成膜的具有自我平整性物質例如氧化硅形成。再者，層間絕緣膜16c由含氬(Ar)的氮化硅膜形成。另外，對構成各個層的物質沒有特別的限制，而還可以使用除了以上物質之外的物質。此外，還可以進一步地組合由上述物質以外的物質構成的層。如上所述，可以使用無機物和有機物的雙方形成層間絕緣膜16a至16c，或可使用無機膜和有機膜的任一種形成層間絕緣膜16a至16c。隔壁層18的邊緣部優選具有曲率半徑連續變化的形狀。此外，隔壁層18通過使用丙烯酸樹脂、硅氧烷、抗蝕劑、氧化硅等形成。另外，隔壁層18可以由無機膜和有機膜中的任一方或雙方形成。此外，在圖5A和5C中采用只有第一層間絕緣膜16a至16c設置在晶體管11和發光元件12之間的結構。但是，如圖5B所示，也可以采用在晶體管11和發光元件12之間除了第一層間絕緣膜16(16a、16b)以外還設置第二層間絕緣膜19(19a、19b)的結構。在圖5B所示的發光裝置中，第一電極13穿過第二層間絕緣膜19與布線17連接。與第一層間絕緣膜16同樣，第二層間絕緣膜19可以為多層或單層。此外，層間絕緣膜19a由丙烯酸樹脂、硅氧烷(由硅(Si)和氧(0)鍵形成骨架結構的作為取代基至少包含氫的有機基)或可以通過可涂布成膜的具有自我平整性物質例如氧化硅形成。再者，層間絕緣膜1%由含氬(Ar)的氮化硅膜形成。另外，對構成各個層的物質沒有特別的限制，而還可以使用除了以上物質之外的物質。此外，還可以進一步地組合由上述物質以外的物質構成的層。如上所述，可以使用無機物和有機物的雙方形成層間絕緣膜19a、19b，或可使用無機膜和有機膜的任一種形成層間絕緣膜19a、19b。當在發光元件12中第一電極和第二電極都由具有透光性的物質構成時，如圖5A的空心箭頭所示，可以從第一電極13—側和第二電極14一側的雙方取得發光。此外，當只有第二電極14由具有透光性的物質構成時，如圖5B的空心箭頭所示，可以只從第二電極14一側取得發光。在此情況下，第一電極13優選由具有高反射率的材料構成或者優選將由具有高反射率的材料構成的膜(反射膜)設置在第一電極13的下方。當只有第一電極13由具有透光性的物質構成時，如圖5C的空心箭頭所示，可以只從第一電極13—側取得發光。在此情況下，第二電極14優選由具有高反射率的材料構成或者優選將反射膜設置在第二電極14的上方。此外，發光元件12既可以采用當施加電壓以使第二電極14的電位高于第一電極13的電位時工作的方式層疊層15的結構，又可以采用當施加電壓以使第二電極14的電位低于第一電極13的電位時工作的方式層疊層15的結構。在前一情況中，晶體管11是N溝道型晶體管，在后一情況中，晶體管11是P溝道型晶體管。此外，雖然在圖5A至5C所示的截面圖中只示出一個發光元件，但是在像素部中，以矩陣形狀設置有多個發光元件。另外，在進行由R(紅)、G(綠)、B(藍)的彩色成分構成的彩色顯示時，在像素部中分別形成有多個可得到三種(R、G、B)發光的發光元件。此外，彩色成分不局限于三種顏色，既可以使用四種以上的顏色，又可以使用RGB以外的顏色。例如，還可以加上白色來實現RGBW(W是白色)。作為彩色成分不同的發光元件的制造方法，可以使用如下方法等對每個EL層進行分別涂敷的方法；以可得到白色發光的方式形成所有EL層，并與濾色片組合來得到不同彩色成分的發光元件的方法；以可得到藍色發光或與其波長相比短的波長的發光的方式形成所有EL層，并與顏色轉換層組合來得到不同彩色成分的發光元件的方法。如上所述，在本實施方式中，說明了使用晶體管而控制發光元件的驅動的有源矩陣型發光裝置，此外，也可以采用無源矩陣型發光裝置，其中將晶體管等的驅動元件不設置在與發光元件同一襯底上而驅動發光元件。圖6A示出應用實施方式1至實施方式4所示的發光元件而制造的無源矩陣型發光裝置的立體圖。另外，圖6B是沿著圖6A的虛線X-Y的截面圖。在圖6A和6B中，在襯底951上在電極952和電極956之間設置有含有機化合物的層955。該含有機化合物的層具有n(n是2以上的自然數)層的EL層，并且在第m(m是自然數，1《m《n-l)EL層和第(m+l)EL層之間從陽極一側按順序包括電子注入緩沖、電子繼電層以及電荷產生區域。此外，每個EL層至少設置有發光層，并且采用除了發光層以外，適當地設置空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層或電子注入層的結構。電極952的端部被絕緣層953覆蓋。在絕緣層953上設置隔壁層954。隔壁層954的側壁具有傾斜，使得一方的側壁和另一方的側壁之間的距離越靠近襯底表面越變窄。換言之，短邊方向的隔斷層954的截面是梯形，底邊(朝向與絕緣層953的面方向同樣的方向并且與絕緣層953接觸的邊)比上邊(朝向與絕緣層953的面方向同樣的方向并且與絕緣層953不接觸的邊)短。如上所述，通過設置隔壁層954，可以防止發光元件的起因于靜電等的缺陷。另外，通過使無源矩陣型發光裝置包括實施方式1至實施方式4所示的發光元件，可以得到耗電量低的發光裝置。由于本實施方式所示的發光裝置使用在上述實施方式中示出一例的發光元件，因此可以得到亮度高且驅動電壓低，并且耗電量低的發光裝置。實施方式7在本實施方式中說明其一部分包括實施方式6所示的發光裝置的電子設備。本實施方式所示的電子設備包括實施方式1至實施方式4所示的發光元件，并且具有亮度高且驅動電壓低，并且耗電量低的顯示部。作為本實施方式的電子設備，可以舉出攝像機、數碼相機、護目鏡型顯示器、導航系統、聲音回放裝置(車載音響、立體聲組合音響等)、計算機、游戲機、便攜式信息終端(便攜式計算機、移動電話、便攜式游戲機或電子圖書等)、具有記錄介質的圖像回放裝置(具體為回放數字通用光盤(DVD)等記錄介質并且具有可以顯示其圖像的顯示裝置的裝置)等。在圖7A至7E中示出這些電子設備的具體例子。圖7A示出便攜式信息終端設備9200的一例。便攜式信息終端設備9200內置有計算機而可以進行各種數據處理。作為這種便攜式信息終端設備9200，可以舉出PDA(PersonalDigitalAssistance:個人數字助理)。便攜式信息終端設備9200由框體9201及框體9203的兩個框體構成。框體9201和框體9203由連結部9207連結為可折疊方式。框體9201組裝有顯示部9202，框體9203具備有鍵盤9205。當然，便攜式信息終端設備9200的結構不局限于如上所述的結構，可以采用適當地設置其它輔助設備的結構。將與上述實施方式所說明的發光元件相同的發光元件排列成矩陣形狀以構成顯示部9202。該發光元件具有亮度高、驅動電壓低且耗電量少的特征。由于由該發光元件構成的顯示部9202也具有同樣的特征，因此該便攜式信息終端設備實現低耗電量化。圖7B示出根據本實施方式的數碼攝像機9500的一例。數碼攝像機9500的框體9501組裝有顯示部9503，并且還設置有各種操作部。注意，對數碼攝像機9500的結構沒有特別的限制，而可以采用適當地設置其他輔助設備的結構。在該數碼攝像機中，將與上述實施方式所說明的發光元件相同的發光元件排列成矩陣形狀以構成顯示部9503。該發光元件具有驅動電壓低、亮度高并且耗電量少的特征。由于由該發光元件構成的顯示部9503也具有同樣的特征，因此該數碼攝像機實現低耗電量化。圖7C示出根據本實施方式的移動電話機9100的一例。移動電話機9100由框體9102及框體9101的兩個框體構成，并且框體9102和框體9101由連結部9103連結為可折疊方式。框體9102組裝有顯示部9104，框體9101設置有操作鍵9106。注意，對移動電話機9100的結構沒有特別的限制，而可以采用適當地設置其他輔助設備的結構。在該移動電話機中，將與上述實施方式所說明的發光元件相同的發光元件排列成矩陣形狀以構成顯示部9104。該發光元件具有亮度高、驅動電壓低且耗電量少的特征。由于由該發光元件構成的顯示部9104也具有同樣的特征，因此該移動電話機實現低耗電量化。此外，也可以使用上述實施方式所示的發光元件作為設置在移動電話機等中的顯示器的背光燈。圖7D示出便攜式計算機9400的一例。計算機9400具備能夠開閉地連結的框體9401和框體9404。框體9401組裝有顯示部9402，框體9404具備有鍵盤9403等。注意，對計算機9400的結構沒有特別的限制，而可以采用適當地設置其它輔助設備的結構。在該計算機中，將與上述實施方式所說明的發光元件相同的發光元件排列成矩陣形狀以構成顯示部9402。該發光元件具有亮度高、驅動電壓低并且耗電量少的特征。由于由該發光元件構成的顯示部9402也具有同樣的特征，因此該計算機實現低耗電量化。圖7E示出電視裝置9600的一例。在電視裝置9600中，框體9601組裝有顯示部9603。利用顯示部9603可以顯示圖像。此外，在此示出利用支架9605支撐框體9601的結構。可以通過利用框體9601所具備的操作開關、另外提供的遙控操作機9610進行電視裝置9600的操作。通過利用遙控操作機9610所具備的操作鍵9609，可以進行頻道及音量的操作，并可以對在顯示部9603上顯示的圖像進行操作。此外，也可以采用在遙控操作機9610中設置顯示從該遙控操作機9610輸出的信息的顯示部9607的結構。此外，電視裝置9600采用具備接收機及調制解調器等的結構。可以通過利用接收機接收一般的電視廣播。再者，通過調制解調器連接到有線或無線方式的通信網絡，也可以進行單向(從發送者到接收者)或雙向(在發送者和接收者之間或在接收者之間等)的信息通信。在該電視裝置中，通過將與上述實施方式所說明的發光元件相同的發光元件排列成矩陣形狀而構成顯示部9603和顯示部9607的至少一方。該發光元件具有亮度高、驅動電壓低并且耗電量少的特征。由于由該發光元件構成的顯示部也具有同樣的特征。如上所述，上述實施方式所示的發光裝置的應用范圍很廣泛，可以將該發光裝置應用于各種領域的電子設備。通過使用實施方式1至實施方式4所示的發光元件，可以提供具有呈現高亮度的發光的耗電量低的顯示部的電子設備。此外，也可以將上述實施方式所示的發光裝置用作照明裝置。使用圖8對將上述實施方式所示的發光裝置用作照明裝置的一個方式進行說明。圖8是將在上述實施方式中示出一例的發光裝置用作照明裝置的臺燈以及室內的照明裝置的例子。圖8所示的臺燈包括光源3000，作為光源3000使用在上述實施方式中示出一例的發光裝置。從而，可以得到耗電量低的發光裝置。此外，因為該發光裝置可以實現大面積化，所以可以將照明裝置用作大面積照明。另外，由于該發光裝置是薄型且耗電量低，因此可以用作薄型化、低耗電量化的照明裝置。此外，由于該發光裝置可以實現柔性化，因此例如像照明裝置3002那樣可以得到巻曲型照明裝置(roll-typelightingdevice)。如上所述，也可以在將本實施方式所示的發光裝置用作室內照明裝置3001、3002的房間內設置圖7E所說明的電視裝置。如上所述，實施方式6所示的發光裝置的應用范圍很廣泛，可以將該發光裝置應用于各種領域的電子設備。注意，本實施方式可以與實施方式1至實施方式5適當地組合而使用。實施例1在本實施例中使用圖9A和9B說明本發明的一個方式的發光元件。以下示出在本實施例及實施例2至6中使用的材料的化學式。PTCBI以下示出本實施例的發光元件1及對照發光元件1的制造方法。首先，說明發光元件1(參照圖9A)。在玻璃襯底2100上通過濺射法形成含氧化硅的銦錫氧化物膜來形成第一電極2101。此外，其膜厚度為110nm，并電極面積為2mmX2mm。接著，以將形成有第一電極2101的面成為下面的方式將形成有第一電極2101的28DPA巳PACzPA襯底固定在設置在真空蒸鍍裝置內的襯底支架上，并減壓到10—4Pa左右，然后在第一電極2101上共蒸鍍空穴傳輸性高的4，4'-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱NPB)和受體物質的氧化鉬(VI)，從而形成包含復合有機化合物和無機化合物而形成的復合材料的第一電荷產生區域2103a。其膜厚度為50nm，并且將NPB和氧化鉬(VI)的重量比調節為4:1(=NPB:氧化鉬)。另外，共蒸鍍法是指在一個處理室中從多個蒸發源同時進行蒸鍍的蒸鍍法。接著，通過用電阻加熱的蒸鍍法在第一電荷產生區域2103a上形成10nm厚的NPB膜，來形成空穴傳輸層2103b。再者，通過共蒸鍍9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡稱CzPA)和9，10-雙(4-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯基}_2-叔丁基蒽(簡稱DPABPA)，在空穴傳輸性2103b上形成30nm厚的發光層2103c。在此，將CzPA和DPABPA的重量比調節為1:0.l(=CzPA:DPABPA)。此外，CzPA是具有電子傳輸性的物質，并且客體材料的DPABPA是呈現藍綠色發光的物質。然后，通過使用電阻加熱的蒸鍍法在發光層2103c上形成10nm厚的三(8_羥基喹啉)鋁(簡稱Alq)的膜，來形成電子傳輸層2103d。因此，形成包括第一電荷產生區域2103a、空穴傳輸層2103b、發光層2103c以及電子傳輸層2103d的第一El層2103。接著，通過共蒸鍍紅菲繞啉(簡稱BPhen)和鋰(Li)，在電子傳輸層2103d上形成10nm厚的電子注入緩沖2104。在此，將BPhen和Li的重量比調節為1:0.02(=BPhen!Li)。接著，通過蒸鍍3，4，9，10-菲四羧酸-雙-苯并咪唑(perylenetetracarboxylic-bis-benzimidazole)(簡稱PTCBI)，在電子注入緩沖2104上形成3nm厚的電子繼電層2105。此外，根據循環伏安法(CV)測量的結果可知PTCBI的LUMO能級為-4.OeV左右。接著，通過在電子繼電層2105上共蒸鍍高空穴傳輸性物質的NPB和受體物質的氧化鉬(VI)，來形成第二電荷產生區域2106。將其膜厚度設定為20nm，并且將NPB和氧化鉬(VI)的重量比調節為4:1(=NPB:氧化鉬)。接著，在第二電荷產生區域2106上形成第二EL層2107。其形成方法是如下方法首先，通過用電阻加熱的蒸鍍法在第二電荷產生區域2106上形成10nm厚的NPB膜，來形成空穴傳輸層2107a。然后，通過共蒸鍍三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱Alq)和4_二氰基亞甲基_2_異丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-lH，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡稱DCJTI)，在空穴傳輸層2107a上形成40nm厚的發光層2107b。在此，將Alq和DCJTI的重量比調節為1:0.01(=Alq:DCJTI)。此外，Alq是具有電子傳輸性的物質，并且客體材料的DCJTI是呈現紅色的發光的物質。接著，通過在發光層2107b上蒸鍍10nm厚的Alq，然后蒸鍍20nm厚的BPhen而層疊，形成電子傳輸層2107c。在電子傳輸層2107c上蒸鍍lnm厚的氟化鋰(LiF)來形成電子注入層2107d。因此，形成包括空穴傳輸層2107a、發光層2107b、電子傳輸層2107c以及電子注入層2107d的第二EL層2107。最后，通過使用電阻加熱的蒸鍍法在電子注入層2107d上形成200nm厚的鋁膜形成第二電極2102，而制造發光元件1。29下面，說明對照發光元件1(參照圖9B)。對照發光元件1采用從發光元件1去除電子繼電層2105的結構，并采用與發光元件1同樣的制造方法來形成其他層。在對照發光元件l中，在形成電子注入緩沖2104之后，在電子注入緩沖2104上形成第二電荷產生區域2106。通過上述工序，得到本實施例的對照發光元件1。以下表1示出發光元件1以及對照發光元件1的元件結構。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>在氮氣氣氛的手套箱中，以不使各發光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發光元件1及對照發光元件1進行封裝，然后對這些發光元件的工作特性進行測量。此外，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進行測量。圖10示出發光元件1及對照發光元件1的電壓_亮度特性。在圖10中，橫軸表示所施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。此外，圖ll示出電流密度-亮度特性。在圖11中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm2)。另外，以下表2示出1000cd/m2附近的各元件的主要初始特性值。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>此外，根據表2的CIE色度坐標可知，發光元件1及對照發光元件1都示出白色發光。這是因為得到源自包含在第一EL層2103中的DPABPA的藍綠色發光以及源自包含在第二EL層2107中的DCJTI的紅色發光的雙方的緣故。根據圖IO可知當施加相同的電壓時，與對照發光元件I相比，設置有電子繼電層的發光元件1可以得到高亮度。此外，根據圖11可知發光元件1的電流密度高于對照發光元件1的電流密度。如上所述，可以確認到本實施例的發光元件1可以得到作為發光元件的特性，并且其充分地工作。此外，可以確認到發光元件1是能夠以低電壓驅動的發光元件。實施例2在本實施例中，使用圖12A和12B說明本發明的一個方式的發光元件。此外，在本實施例所示的發光元件及對照發光元件中，對與上述實施例同一部分或具有相同功能的部分使用同一附圖標記，并且省略重復說明。以下示出本實施例的發光元件2及對照發光元件2的制造方法。首先，說明發光元件2(參照圖12A)。直至電子繼電層2105，本實施例的發光元件2與實施例1所示的發光元件1相同地制造。在本實施例的發光元件2中，通過在電子繼電層2105上蒸鍍20nm厚的受體物質的氧化鉬(VI)，接著蒸鍍10nm厚的高空穴傳輸性物質的NPB而層疊，形成第二電荷產生區域2106。接著，在第二電荷產生區域2106上制造第二EL層2108。其制造方法是如下方法首先，通過共蒸鍍Alq和DCJTI，在第二電荷發生區域2106上形成40nm厚的發光層2108a。在此，將Alq和DCJTI的重量比調節為1:0.01(=Alq:DCJTI)。此外，Alq是具有電子傳輸性的物質，并且客體材料的DCJTI是呈現紅色的發光的物質。接著，通過在發光層2108a上蒸鍍lOnm厚的Alq，然后蒸鍍20nm厚的BPhen而層疊，形成電子傳輸層2108b。在電子傳輸層2108b上蒸鍍lnm厚的氟化鋰(LiF)來形成電子注入層2108c。因此，形成包括發光層2108a、電子傳輸層2108b以及電子注入層2108c的第二EL層2108。最后，通過使用電阻加熱的蒸鍍法在電子注入層2108c上形成20nm厚的鋁膜形成第二電極2102，而制造發光元件2。下面，說明對照發光元件2(參照圖12B)。本實施例的對照發光元件2采用從發光元件2去除電子繼電層2105的結構，并采用與發光元件2同樣的制造方法來形成其他層。在對照發光元件2中，在形成電子注入緩沖2104之后，在電子注入緩沖2104上形成第二電荷產生區域2106。通過上述工序，得到本實施例的對照發光元件2。以下表3示出發光元件2以及對照發光元件2的元件結構。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>在氮氣氣氛的手套箱中，以不使各發光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發光元件2及對照發光元件2進行封裝，然后對這些發光元件的工作特性進行測量。此外，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進行測量。圖13示出發光元件2及對照發光元件2的電壓-亮度特性。在圖13中，橫軸表示所施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。此外，圖14示出電流密度-亮度特性。在圖14中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm2)。另外，以下表4示出1000cd/m2附近的各元件的主要初始特性值。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>此外，根據表4的CIE色度坐標可知，發光元件2及對照發光元件2都示出白色發光。這是因為得到源自包含在第一EL層2103中的DPABPA的藍綠色發光以及源自包含在第二EL層2108中的DCJTI的紅色發光的雙方的緣故。根據圖13可知當施加相同的電壓時，與對照發光元件2相比，設置有電子繼電層的發光元件2可以得到高亮度。此外，根據圖14可知發光元件2的電流密度高于對照發光元件2的電流密度。如上所述，可以確認到本實施例的發光元件2可以得到作為發光元件的特性，并且其充分地工作。此外，可以確認到發光元件2是能夠以低電壓驅動的發光元件。實施例3在本實施例中使用圖9A和9B說明本發明的一個方式的發光元件。此外，在本實施例所示的發光元件及對照發光元件中，對與上述實施例同一部分或具有相同功能的部分使用同一附圖標記，并且省略重復說明。以下示出本實施例的發光元件3及對照發光元件3的制造方法。首先，說明發光元件3(參照圖9A)。在本實施例的發光元件3中，第一EL層2103的電子傳輸層2103d以及電子注入緩沖2104以外與實施例1所示的發光元件1相同地制造。在本實施例的發光元件3中，通過在發光層2103c上蒸鍍10nm厚的Alq，然后蒸鍍10nm厚的BPhen而層疊，形成電子傳輸層2103d。接著，通過在電子傳輸層2103d上蒸鍍0.lnm厚的氧化鋰(Li20)，形成電子注入緩沖2104。通過上述工序，得到本實施例的發光元件3。下面，說明對照發光元件3(參照圖9B)。本實施例的對照發光元件3采用從發光元件3去除電子繼電層2105的結構，并采用與發光元件3同樣的制造方法來形成其他層。在對照發光元件3中，在形成電子注入緩沖2104之后，在電子注入緩沖2104上形成第二電荷產生區域2106。通過上述工序，得到本實施例的對照發光元件3。以下表5示出發光元件3以及對照發光元件3的元件結構。[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>在氮氣氣氛的手套箱中，以不使各發光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發光元件3及對照發光元件3進行封裝，然后對這些發光元件的工作特性進行測量。此外，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進行測量。圖15示出發光元件3及對照發光元件3的電壓-亮度特性。在圖15中，橫軸表示所施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。此外，圖16示出電流密度-亮度特性。在圖16中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm2)。另外，以下表6示出1000cd/m2附近的各元件的主要初始特性值。[表6]電壓(V)色度(x，y)電流效率(cd/A)外部量子效率(％)發光元件311(0.31，0.27)3.62.7對照發光元件312(0.31，0.29)4.33此外，根據表6的CIE色度坐標可知，發光元件3及對照發光元件3都示出白色發光。這是因為得到源自包含在第一EL層2103中的DPABPA的藍綠色發光以及源自包含在第二EL層2107中的DCJTI的紅色發光的雙方的緣故。根據圖15可知當施加相同的電壓時，與對照發光元件3相比，設置有電子繼電層的發光元件3可以得到高亮度。此外，根據圖16可知發光元件3的電流密度高于對照發光元件3的電流密度。如上所述，可以確認到本實施例的發光元件3可以得到作為發光元件的特性，并且其充分地工作。此外，可以確認到發光元件3是能夠以低電壓驅動的發光元件。實施例4在本實施例中，使用圖12A和12B說明本發明的一個方式的發光元件。此外，在本實施例所示的發光元件及對照發光元件中，對與上述實施例同一部分或具有相同功能的部分使用同一附圖標記，并且省略重復說明。以下示出本實施例的發光元件4及對照發光元件4的制造方法。首先，說明發光元件4(參照圖12A)。在本實施例的發光元件4中，第一EL層2103的電子傳輸層2103d以及電子注入緩沖2104以外與實施例2所示的發光元件2相同地制造。在本實施例的發光元件4中，通過在發光層2103c上蒸鍍10nm厚的Alq，然后蒸鍍10nm厚的BPhen而層疊，形成電子傳輸層2103d。接著，通過在電子傳輸層2103d上蒸鍍0.lnm厚的氧化鋰(Li20)，形成電子注入緩沖2104。通過上述工序，得到本實施例的發光元件4。下面，說明對照發光元件4(參照圖12B)。本實施例的對照發光元件4采用從發光元件4去除電子繼電層2105的結構，并采用與發光元件4同樣的制造方法來形成其他層。在對照發光元件4中，在形成電子注入緩沖2104之后，在電子注入緩沖2104上形成第二電荷產生區域2106。通過上述工序，得到本實施例的對照發光元件4。以下表7示出發光元件4以及對照發光元件4的元件結構。[表7]33<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>在氮氣氣氛的手套箱中，以不使各發光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發光元件4及對照發光元件4進行封裝，然后對這些發光元件的工作特性進行測量。此外，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進行測量。圖17示出發光元件4及對照發光元件4的電壓-亮度特性。在圖17中，橫軸表示所施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。此外，圖18示出電流密度-亮度特性。在圖18中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm2)。另外，以下表8示出1000cd/m2附近的各元件的主要初始特性值。[表8]電壓(V)色度(x，y)電流效率(cd/A)外部量子效率(％)發光元件411(0.30,0.26)32.3對照發光元件413(0.30,0.28)3.92.8此外，根據表8的CIE色度坐標可知，發光元件4及對照發光元件4都示出白色發光。這是因為得到源自包含在第一EL層2103中的DPABPA的藍綠色發光以及源自包含在第二EL層2108中的DCJTI的紅色發光的雙方的緣故。根據圖17可知當施加相同的電壓時，與對照發光元件4相比，設置有電子繼電層的發光元件4可以得到高亮度。此外，根據圖18可知發光元件4的電流密度高于對照發光元件4的電流密度。如上所述，可以確認到本實施例的發光元件4可以得到作為發光元件的特性，并且其充分地工作。此外，可以確認到發光元件4是能夠以低電壓驅動的發光元件。實施例5在本實施例中使用圖9A說明本發明的一個方式的發光元件。此外，在本實施例所示的發光元件及對照發光元件中，對與上述實施例同一部分或具有相同功能的部分使用同一附圖標記，并且省略重復說明。以下示出本實施例的發光元件3及對照發光元件5的制造方法。本實施例的發光元件3與實施例3所示的發光元件3相同地制造(參照圖9A)。此外，在本實施例的對照發光元件5中，第二電荷產生區域2106以外與發光元件3相同地制造。在本實施例的對照發光元件5中，通過在電子繼電層2105上蒸鍍20nm厚的NPB，形成第二電荷產生區域2106(參照圖9A)。通過上述工序，得到本實施例的對照發光元件5。以下表9示出發光元件3以及對照發光元件5的元件結構。[表9]34<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>在氮氣氣氛的手套箱中，以不使各發光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發光元件3及對照發光元件5進行封裝，然后對這些發光元件的工作特性進行測量。此外，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進行測量。圖19示出發光元件3及對照發光元件5的電壓-亮度特性。在圖19中，橫軸表示所施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。此外，圖20示出電流密度-亮度特性。在圖20中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm2)。另外，以下表10示出1000cd/m2附近的各元件的主要初始特性值。[表10]<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>此外，如實施例3所述，發光元件3呈現白色發光，但是對照發光元件5源自DCJTI的紅色的光譜強度較弱，而呈現藍綠色發光(參照表10的色度坐標)。據此可知，當第二電荷產生區域2106只由高空穴傳輸性物質(在本實施例中NPB)構成時，空穴不容易注入到第二EL層2107。另一方面，由于發光元件3在第二電荷產生區域2106中包含高空穴傳輸性物質(在本實施例中NPB)和受體物質(在本實施例中氧化鉬)，因此在第二電荷產生區域2106中產生電子的授受，并在第二電荷產生區域2106中產生空穴和電子。所產生的空穴通過施加電壓容易移動在NPB上，并注入到第二EL層2107。此外，電子通過施加電壓容易注入到電子繼電層2105，并到達第一EL層2103。從而，如圖19所示發光元件3的亮度高于對照發光元件5的亮度。另外，如圖20所示，與對照發光元件5相比，發光元件3可以以低電壓流過更多的電流。如上所述，可以確認到本實施例的發光元件3可以得到作為發光元件的特性，并且其充分地工作。此外，可以確認到發光元件3是能夠以低電壓驅動的發光元件。實施例6在本實施例中使用圖9A及21說明本發明的一個方式的發光元件。此外，在本實施例所示的發光元件及對照發光元件中，對與上述實施例同一部分或具有相同功能的部分使用同一附圖標記，并且省略重復說明。以下示出本實施例所使用的材料的化學式。注意，省略對于已表示結構式的材料的說明。2PCAPA以下示出本實施例的發光元件5及對照發光元件6的制造方法。首先，說明發光元件5(參照圖9A)。在本實施例的發光元件5中，第一EL層2103的發光層2103c以及第二EL層2107的發光層2107b以外與實施例3所示的發光元件3相同地制造。在本實施例的發光元件5中，通過共蒸鍍CzPA、香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPA)，在空穴傳輸層2103b上形成30nm厚的發光層2103c。此外，與發光層2103c相同，通過共蒸鍍CzPA和2PCAPA，在空穴傳輸層2107a上形成30nm厚的發光層2107b。在發光層2103c及發光層2107b中，將CzPA和2PCAPA的重量比調節為l:0.05(=CzPA:2PCAPA)。此外，CzPA是具有電子傳輸性的物質，并且客體材料的2PCAPA是呈現綠色的發光的物質。通過上述工序，得到本實施例的發光元件5。下面，說明對照發光元件6(參照圖21)。本實施例的對照發光元件6采用從發光元件5去除電子繼電層2105、電荷產生區域2106以及第二EL層2107的結構，并采用與發光元件5同樣的制造方法來形成其他層。如圖21所示，本實施例的對照發光元件6采用在一對電極之間具有一層EL層的結構。在對照發光元件6中，在形成電子注入緩沖2104之后，在電子注入緩沖2104上形成第二電極2102。通過上述工序，得到本實施例的對照發光元件6。以下表11示出發光元件5以及對照發光元件6的元件結構。[表ll]2101'2103210421052106層'2102203a2腸2J03c扁d測a麗b2107c2107d發光元件5ITSO110nmNPB:MoOx50nmNPB10nmCzPA:2PCAPA(=0,05)30nmAlq10nmBPhen10nmLipO,lnmPTCBI3nm鵬:MoOx(=4:)60nmNPB10nmCzPA:2PCAPA(=1掘)30nmAlq10nmBPhen20nmLiFI腦Al200nm對照發光元件6ITSOllOiim鵬:MoOx(=4:1)50nmNPB10nmCzPA:2PCAPA(=1:0.05)30nmAlq10nmBPhen10ramU20O-lnm--Al200nm在氮氣氣氛的手套箱中，以不使各發光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發光元件5及對照發光元件6進行封裝，然后對這些發光元件的工作特性進行測量。此外，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進行測量。圖22示出發光元件5及對照發光元件6的電壓-電流密度特性。在圖22中，橫36軸表示所施加的電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm2)。此外，圖23示出電流密度-亮度特性。在圖23中，橫軸表示電流密度(mA/cm2)，縱軸表示亮度(cd/cm2)。另外，以下表12示出1000cd/m2附近的各元件的主要初始特性值。[表12]<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>根據圖22可知，具有兩層EL層的本實施例的發光元件5當與具有一層EL層的對照發光元件6相同的電流密度的電流流過時，可以以大致2倍電壓驅動。此外，根據圖23可知，發光元件5當與對照發光元件6相同的電流密度的電流流過時，呈現大致2倍的亮度(換言之電流效率大致為2倍)。由此可知，在本實施例的發光元件5中，幾乎沒有因在兩層EL層之間引入電子注入緩沖、電子繼電層以及電荷產生區域而導致的多余的電壓上升。如上所述，可以確認到本實施例的發光元件5可以得到作為發光元件的特性，并且其充分地工作。此外，可以確認到發光元件5幾乎沒有因在兩層EL層之間引入電子注入緩沖、電子繼電層以及電荷產生區域而導致的多余的電壓上升，而是能夠以低電壓驅動的發光元件。實施例7在本實施例中使用圖9A及9B說明本發明的一個方式的發光元件。此外，在本實施例所示的發光元件及對照發光元件中，對與上述實施例同一部分或具有相同功能的部分使用同一附圖標記，并且省略重復說明。以下示出本實施例所使用的材料的化學式。注意，省略對于已表示結構式的材料的<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>HexPTC以下示出本實施例的發光元件6及對照發光元件7的制造方法。首先，說明發光元件6(參照圖9A)。在本實施例的發光元件6中，電子繼電層2105以外與實施例6所示的發光元件5相同地制造。在本實施例的發光元件6中，通過蒸鍍N，N'-二己基-3，4，9，10-茈四羧酸二酰亞胺(簡稱HexPTC)，在電子注入緩沖2104上形成3nm厚的電子繼電層2105。通過上述工序，得到本實施例的發光元件6。下面，說明對照發光元件7(參照圖9B)。本實施例的對照發光元件7采用從發光元件6去除電子繼電層2105的結構，并采用與發光元件6同樣的制造方法來形成其他層。在對照發光元件7中，在形成電子注入緩沖2104之后，在電子注入緩沖2104上形成電荷產生區域2106。通過上述工序，得到本實施例的對照發光元件7。以下表13示出發光元件6以及對照發光元件7的元件結構。[表13]21012J03210421052106210721022103a2103b2103c2103d2107a2107b2107c2，07d發光元件6n'so1IO則NPB:MoOx(=4:1)50imiNPBlOnmCzP八！2PCAPAiAlq(=1:0.05)!10nm30nniBPhen20nm0.1runHexPTC3nmNPB:M。()x(=4:1)60nmNPB10nm(=1:0.05)八lq20nm'lnmAI200nm對照發先元件7ITSO10ninNPB:MoOx(=4:1)50nmNPB10nmCzPA:2PCAPA;Alq(=1:0.05):IOnm30nmBPhen20nmu2oO.lrnnNPB:MoOx(=4:1)60iiniNPBl(hrniOPA..2PCAPA(=1:0.05)30nmAlqlOnmBPhen2()nmUFAl200nm在氮氣氣氛的手套箱中，以不使各發光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發光元件6及對照發光元件7進行封裝，然后對這些發光元件的工作特性進行測量。此外，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進行測量。圖25示出發光元件6及對照發光元件7的電壓-亮度特性。在圖25中，橫軸表示所施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。此外，圖26示出電壓-電流密度特性。在圖26中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm2)。另外，以下表14示出1000cd/m2附近的各元件的主要初始特性值。[表14]電壓色度電流效率外部量子(V)(x，y)(cd/A)效率(％)發光元件67.4(0.25，0.64)318.9對照發光7.8(0.25，0.63)308.9元件7根據圖25可知當施加相同的電壓時，與對照發光元件7相比，設置有電子繼電層的發光元件6可以得到高亮度。此外，根據圖26可知發光元件6的電流密度高于對照發光元件7的電流密度。如上所述，可以確認到本實施例的發光元件6可以得到作為發光元件的特性，并且其充分地工作。此外，可以確認到發光元件6是能夠以低電壓驅動的發光元件。實施例8在本實施例中使用圖9A及9B說明本發明的一個方式的發光元件。此外，在本實施例所示的發光元件及對照發光元件中，對與上述實施例同一部分或具有相同功能的部分使用同一附圖標記，并且省略重復說明。38以下示出本實施例所使用的材料的化學式。注意，省略對于已表示結構式的材料的說明。BAIq以下示出本實施例的發光元件7及對照發光元件8的制造方法。首先，說明發光元件7(參照圖9A)。在本實施例的發光元件7中，第一EL層2103中的發光層2103c及電子傳輸層2103d、第二電荷產生區域2106以及第二EL層2107中的發光層2107b及電子傳輸層2107c以外與實施例3的發光元件3相同地制造。在本實施例的發光元件7中，發光層2103c通過以20nm的膜厚度共蒸鍍4_(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBAPA)和4_(1_萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-三苯胺(簡稱PCBANB)，然后以30nm的膜厚度共蒸鍍CzPA和SDl(商品名稱SFCCo.，Ltd制造)層疊來形成。此夕卜，將PCBAPA和PCBANB的重量比調節為1:1(=PCBAPA:PCBANB)。此外，將CzPA和SD1的重量比調節為1:0.05(=CzPA:SDl)。接著，在發光層2103c上蒸鍍30nm厚的BPhen來形成電子傳輸層2107c。此外，在發光元件7中，第二電荷產生區域2106通過在電子繼電層2105上共蒸鍍高空穴傳輸性物質的NPB和受體物質的氧化鉬(VI)來形成。將其膜厚度設定為40nm，并且將NPB和氧化鉬(VI)的重量比調節為4:1(=NPB:氧化鉬)。此外，在發光元件7中，發光層2107b通過以10nm的膜厚度共蒸鍍4_(9H_咔唑-9-基)-4'-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)三苯胺(簡稱YGAOll)和(乙酰丙酮)雙(2，3，5-三苯吡啶(triphenylpyrazinato))銥(III)(簡稱Ir(tppr)2(acac))，然后以20nm的膜厚度共蒸鍍YGA011和雙(2-苯基吡啶醇_N，C2')銥(乙酰丙酮)(簡稱Ir(卯y)2(acac))來形成。此外，YGA011和Ir(t卯r)2(acac)的重量比調節為1:0.03(=YGA011:Ir(t卯rh(acac))。另夕卜，YGA011和Ir(ppy)2(acac)的重量比調節為l:0.06(=YGA011:Ir(ppy)2(acac))。接著，通過在發光層2107b上蒸鍍10nm厚的BAlq，然后蒸鍍20nm厚的BPhen而層疊，形成電子傳輸層2107c。通過上述工序，得到本實施例的發光元件7。下面，說明對照發光元件8(參照圖9B)。本實施例的對照發光元件8采用從發光元件7去除電子繼電層2105的結構。此外，在對照發光元件8中，通過共蒸鍍BPhen和鋰(Li)，形成20nm厚的電子注入緩沖2104。在此，將BPhen和Li的重量比調節為l:0.02(=BPhen:Li)。采用與發光元件7相同的制造方法形成其他層。在對照發光元件8中，在形成電子注入緩沖2104之后，在電子注入緩沖2104上形成電荷產生區域2106。通過上述工序，得到本實施例的對照發光元件8。以下表15示出發光元件7以及對照發光元件8的元件結構。[表15]簡21072隱2l(Bb:，c層，鳩層a層b2107c層d觀發光元件ns()IJOnmNPIJ:M"(,x5flnmW、U;PO)ANB20nmCzP八SDL30肌U,()0-1iim3咖卿1)咖nIO咖Y(iA(川(40,03>Y(iAOU:lrtppyj:acai;20訓BAkiBP!ioi20nmLirlam200iun對照發光元件—Jl.SO鵬"5Di"nIOmn(*|,-)20nm(,.115)3UnmUl'h印(=1:0.02>20nmN服M"Ox040卿NI'UJO帥&鵬Y(iAOII'lr(ppy);iicac(叫:0.06)'20腿BltienLit'在氮氣氣氛的手套箱中，以不使各發光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發光元件7及對照發光元件8進行封裝，然后對這些發光元件的工作特性進行測量。此外，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進行測量。圖27示出發光元件7及對照發光元件8的電壓-亮度特性。在圖27中，橫軸表示所施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。此外，圖28示出電壓-電流密度特性。在圖28中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm2)。另外，以下表16示出1000cd/m2附近的各元件的主要初始特性值。40[表16]<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>根據圖27可知當施加相同的電壓時，與對照發光元件8相比，設置有電子繼電層的發光元件7可以得到高亮度。此外，根據圖28可知發光元件7的電流密度高于對照發光元件8的電流密度。此外，根據表16的CIE色度坐標及圖29可知，發光元件7及對照發光元件8都示出白色發光。這是因為得到源自包含在第一EL層2103中的PCBAPA及SD1的藍色發光、源自包含在第二EL層2107中的Ir(t卯r)2(acac)的紅色發光以及源自Ir(ppy)2(acac)的綠色發光的緣故。如上所述，可以確認到本實施例的發光元件7可以得到作為發光元件的特性，并且其充分地工作。此外，可以確認到發光元件7是能夠以低電壓驅動的發光元件。此外，當將本發明的結構的一個方式應用于各EL層呈現不同發射光譜的白色發光元件時也是有效的。實施例9在本實施例中使用圖9A及9B說明本發明的一個方式的發光元件。此外，在本實施例所示的發光元件及對照發光元件中，對與上述實施例同一部分或具有相同功能的部分使用同一附圖標記，并且省略重復說明。以下示出本實施例所使用的材料的化學式。注意，省略對于已表示結構式的材料的說明。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>以下示出本實施例的發光元件8及對照發光元件9的制造方法。首先，說明發光元件8(參照圖9A)。在本實施例的發光元件8中，第一EL層2103中的發光層2103c、第二電荷產生區域2106以及第二EL層2107中的發光層2107b及電子傳輸層2107c以外與實施例8的發光元件7相同地制造。在本實施例的發光元件8中，以10nm的膜厚度共蒸鍍2，3-雙(4-[N-(4-聯苯基)-N-苯基氨基]苯基}喹喔啉(簡稱BPAPQ)和(乙酰丙酮)雙[2，3-雙(4-氟代苯基)喹喔啉合]銥(III)(簡稱lr(Fdpq)2(acac))，然后以5nm的膜厚度共蒸鍍NPB和N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]_9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPPA)，然后以30nm的膜厚度共蒸鍍CzPA和2PCAPPA而層疊來形成發光層2103c。此夕卜，將BPAPQ禾PIr(Fdpq)2(acac)的重量比調節為1:0.06(=BPAPQ:Ir(Fdpq)2(acac))。另夕卜，將NPB禾P2PCAPPA的重量比調節為1:0.1(=NPB:2PCAPPA)。此夕卜，將CzPA和2PCAPPA的重量比調節為1:0.1(=CzPA:2PCAPPA)。此外，在發光元件7中，第二電荷產生區域2106通過在電子繼電層2105上共蒸鍍高空穴傳輸性物質的NPB和受體物質的氧化鉬(VI)來形成。將其膜厚度設定為70nm，并且將NPB和氧化鉬(VI)的重量比調節為4:1(=NPB:氧化鉬)。此外，在發光元件7中，以20nm的膜厚度共蒸鍍NPB和紅熒稀，然后以10nm的膜厚度共蒸鍍9-苯基-9'-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-3，3'-雙(9H-咔唑)(簡稱PCCPA)和N，N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基二苯乙烯_4，4'-二胺(簡稱42YGA2S)，然后以20nm的膜厚度共蒸鍍CzPA和YGA2S來形成發光層2107b。此外，將NPB和紅熒稀的重量比調節為1:0.015(=NPB:紅熒稀)。另外，將PCCPA和YGA2S的重量比調節為1:0.05(=PCCPA:YGA2S)。此外，將CzPA和YGA2S的重量比調節為1:0.05(=CzPA:YGA2S)。接著，通過在發光層2107b上蒸鍍30nm厚的BPhen，形成電子傳輸層2107c。通過上述工序，得到本實施例的發光元件8。下面，說明對照發光元件9(參照圖9B)。本實施例的對照發光元件9采用從發光元件8去除電子繼電層2105的結構。此外，在對照發光元件9中，通過共蒸鍍BPhen和鋰(Li)，形成20nm厚的電子注入緩沖2104。在此，將BPhen和Li的重量比調節為l:0.02(=BPhen:Li)。與發光元件8相同的制造方法形成其他層。在對照發光元件9中，在形成電子注入緩沖2104之后，在電子注入緩沖2104上形成電荷產生區域2106。通過上述工序，得到本實施例的對照發光元件9。以下表17示出發光元件8以及對照發光元件9的元件結構。[表17]<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>在氮氣氣氛的手套箱中，以不使各發光元件暴露于大氣的方式對通過上述方法得到的發光元件8及對照發光元件9進行封裝，然后對這些發光元件的工作特性進行測量。此外，在室溫(保持為25t:的氣氛)下進行測量。圖30示出發光元件8及對照發光元件9的電壓-亮度特性。在圖30中，橫軸表示所施加的電壓(V)，縱軸表示亮度(cd/m2)。此外，圖31示出電壓-電流密度特性。在圖31中，橫軸表示電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm2)。另夕卜，以下表18示出1000cd/m2附近的各元件的主要初始特性值。[表18]<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>根據圖30可知當施加相同的電壓時，與對照發光元件9相比，設置有電子繼電層的發光元件8可以得到高亮度。此外，根據圖31可知發光元件8的電流密度高于對照發光元件9的電流密度。此外，根據表18的CIE色度坐標及圖32可知，發光元件8及對照發光元件9都示出白色發光。這是因為得到源自包含在第一EL層2103中的Ir(Fdpq)Jacac)的紅色發光、源自2PCAPPA的藍綠色發光、源自包含在第二EL層2107中的紅熒稀的黃色發光、源自YGA2S的藍色發光的緣故。另外，通過組合這些四種發光顏色，可以得到顯色指數(CRI)為92的高顯色性。如上所述，可以確認到本實施例的發光元件8可以得到作為發光元件的特性，并且其充分地工作。此外，可以確認到發光元件8是能夠以低電壓驅動的發光元件。此外，當將本發明的結構的一個實施方式應用于各EL層呈現不同發射光譜的白色發光元件時也是有效的。(參考例)在本參考例中具體地說明上述實施例所使用的材料的合成方法。《4-(1_萘基)-4'-(9-苯基普咔唑_3_基)-三苯胺(簡稱:PCBANB)的合成例》4-(1-萘基)-4'-(9-苯基-9H-咔唑_3_基)-三苯胺的合成圖解示于下述(A-1)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>將1.2g(3.Ommol)的3_(4_溴苯基)_9_苯基_9H_咔唑、0.9g(3.Ommol)的4-(l-萘基)二苯胺、0.5g(5.0mmo1)的叔丁醇鈉、6.Omg(0.Olmmol)的雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)放在50mL三口燒瓶中，對該混合物添加15mL的脫水二甲苯。將該混合物在減壓下攪拌的同時進行脫氣，然后添加0.06mL(0.03mmo1)的三(叔丁基)磷化氫(10wt^己烷溶液)。將該混合物在氮氣氛下以12(TC加熱攪拌4.5小時，引起反應。在反應結束后，對該反應混合物添加250mL的甲苯，通過硅碳鎂載體、硅膠、礬土、硅藻土過濾該懸浮液。在利用水洗滌得到的濾液之后，添加硫酸鎂去除水分。通過硅碳鎂載體、礬土、硅膠、硅藻土過濾該懸浮液而得到濾液。通過濃縮得到的濾液，添加丙酮和甲醇施加超聲波，然后重結晶，以82%的收率得到收量為1.5g的目的物的白色粉末。通過硅膠薄層析法(TLC)而得到的Rf值(展開劑乙酸乙酯己烷=1:10)是如下目的物為0.34，3-(4-溴苯基)-9-苯基-9H-咔唑為0.46，并且4-(1-萘基)二苯胺為0.25。使用核磁共振法Chnmr)測量在上述步驟中得到的化合物。以下示出測量數據。從測量結果可知得到了目的物的PCBANB(簡稱)。力NMR(CDC13，300MHz):S(ppm)=7.07(t，J=6.6Hz，1H)，7.25-7.67(m，26H)，7.84(d，J=7.8Hz，1H)，7.89-7.92(m，1H)，8.03-8.07(m，1H)，8.18(d，J=7.8Hz，lH)，8.35(d，J=0.9Hz，1H)。本說明書根據2008年12月1日在日本專利局受理的日本專利申請編號2008-306425以及2009年5月29日在日本專利局受理的日本專利申請編號2009-131518而制作，所述申請內容包括在本說明書中。4權利要求一種發光元件，包括陽極；位于所述陽極上的第一EL層；位于所述第一EL層上的第一層；位于所述第一層上并與其接觸的第二層；包含空穴傳輸性物質和受體物質的區域，該區域位于所述第二層上并與其接觸；所述區域上的第二EL層；以及所述第二EL層上的陰極，其中，所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種，并且，所述第二層包含電子傳輸性物質。2.—種發光元件，包括第一電極；包括第一發光層和第二發光層的第一EL層，該第一EL層位于所述第一電極上；位于所述第一EL層上的第一層；位于所述第一層上并與其接觸的第二層；包含空穴傳輸性物質和受體物質的區域，該區域位于所述第二層上并與其接觸；包括第三發光層和第四發光層的第二EL層，該第二EL層位于所述區域上；以及位于所述第二EL層上的第二電極，其中，所述第一層包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物以及稀土金屬化合物中的至少一種，所述第二層包含電子傳輸性物質，所述第一發光層的發射光譜與所述第二發光層的發射光譜不同，并且，所述第三發光層的發射光譜與所述第四發光層的發射光譜不同。3.—種發光元件，包括陽極；位于所述陽極上的第一EL層；位于所述第一EL層上的第一層；位于所述第一層上并與其接觸的第二層；包含空穴傳輸性物質和受體物質的區域，該區域位于所述第二層上并與其接觸；位于所述區域上的第二EL層；以及位于所述第二EL層上的陰極，其中，所述第一層包含電子傳輸性物質和施體物質，并且，所述第二層包含電子傳輸性物質。4.一種發光元件，包括第一電極；包括第一發光層和第二發光層的第一EL層，該第一EL層位于所述第一電極上；位于所述第一EL層上的第一層；位于所述第一層上并與其接觸的第二層；包含空穴傳輸性物質和受體物質的區域，該區域接觸于所述第二層上；包括第三發光層和第四發光層的第二EL層，該第二EL層位于所述區域上；以及所述第二EL層上的第二電極，其中，所述第一層包含電子傳輸性物質和施體物質，所述第二層包含電子傳輸性物質，所述第一發光層的發射光譜與所述第二發光層的發射光譜不同，并且，所述第三發光層的發射光譜與所述第四發光層的發射光譜不同。5.根據權利要求3或4所述的發光元件，其中所述施體物質相對于所述電子傳輸性物質的質量比為o.ooi:i至o.i:i。6.根據權利要求1至4中任一項所述的發光元件，其中所述區域是層疊包含所述空穴傳輸性物質的第三層和包含所述受體物質的第四層的區域。7.根據權利要求6所述的發光元件，其中所述第三層與所述第二EL層接觸。8.根據權利要求1至4中任一項所述的發光元件，其中所述受體物質相對于所述區域中的所述空穴傳輸性物質的質量比為o.i:l至4.0:i。9.根據權利要求1至4中任一項所述的發光元件，其中包括在所述第二層中的所述電子傳輸性物質的LUMO能級為-5.OeV以上。10.根據權利要求1至4中任一項所述的發光元件，其中所述第一EL層的發射光譜與所述第二EL層的發射光譜不同。全文摘要本發明的目的之一在于提供呈現出高亮度的發光并且能夠以低電壓驅動的發光元件。此外，本發明的目的之一在于提供使耗電量降低的發光元件或電子設備。在陽極和陰極之間，設置有n(n是2以上的自然數)層的EL層，在第一EL層和第二EL層之間從陽極一側按順序具有包含選自堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物或稀土金屬化合物中的任一種的第一層，與第一層接觸并包含高電子傳輸性物質的第二層，與第二層接觸并包含高空穴傳輸性物質及受體物質的區域。文檔編號H01L51/54GK101752512SQ200910253370公開日2010年6月23日申請日期2009年12月1日優先權日2008年12月1日發明者大澤信晴,瀨尾哲史,牛洼孝洋,筒井哲夫,能渡廣美申請人:株式會社半導體能源研究所