非接觸式處理套件的制作方法

專利名稱：非接觸式處理套件的制作方法
技術領域：
本發明的實施例一般涉及半導體處理室的處理套件以及具有處理套件 的半導體處理室。更明確而言，本發明涉及一種處理套件，其包括適用于 物理氣相沉積處理室的環及遮蔽件。
背景技術：
物理氣相沉積(PVD)或濺射為制造電子器件的常用處理之一。物理 氣相沉積是在真空處理室中進行的等離子體處理，其中在真空處理室中受 負偏壓的耙材暴露于具有重原子(如，氬(Ar)或包含此種惰性氣體的氣 體混合物)惰性氣體的電壓中。惰性氣體的離子轟擊靶材后會將靶材材料 原子擊射出。擊射出的原子則在處理室內的襯底支撐座上的襯底上累積成 沉積薄膜。
處理套件可放置于處理室中以便在處理室內相對于襯底的期望區域中 定義出處理區域。該處理套件一般包括遮蓋環、沉積環及接地遮蔽件。將 等離子體及擊射出的原子限定在處理區域中有助于維護處理室中的其它組 件不受沉積材料的影響，并更有效地利用靶材材料以使較高比例的擊射原 子沉積在襯底上。遮蓋環(cover ring)另外可避免襯底支撐座周圍的沉 積。該遮蓋環也可協助控制襯底邊緣處或下方的沉積。
雖然傳統環及遮蔽件設計已有扎實的處理歷史，但臨界尺寸的縮減使 得處理室內的污染備受重視。由于襯底支撐座在傳送及處理位置間上升及 下降使環及遮蔽件彼此有周期性的接觸，使傳統設計已成為可能的特定污 染源。
此外，由于傳統遮蔽環設計通常未與溫度控制源連接(例如處理室壁 或襯底支撐座)，故遮蔽環的溫度在處理循環期間可能會變動。加熱及冷 卻遮蔽環會增加遮蔽環上沉積材料中的應力，使得受應力材料有剝落而形成粒子的傾向。因此，本案發明人認為若處理套件能減少處理室污染將非 常有幫助。
因此，業界對于改良的處理套件仍有需求。

發明內容
本發明大致提供一種用于物理氣相沉積(PVD)處理室的處理套件，
以及一種具有交叉處理套件(interleaving process kit)的物理氣相沉積處理 室。在一種實施例中，處理套件包括交替(interleaving)沉積環及接地遮 蔽件。該沉積環經配置具有大的機座接觸面及數個襯底支撐扣狀部 (buttons)。當裝入物理氣相沉積處理室時，該交叉沉積環及接地遮蔽件 有利地與襯底支撐機座及處理室壁保持接觸，以便促進良好且可預測的控 制溫度，進而將沉積其上的薄膜的處理污染最小化。此外，在物理氣相沉 積處理室內的使用期間該交叉沉積環及接地遮蔽件有利地設置成不會相互 接觸，故可排除傳統設計中因所產生粒子的潛在污染。
在一個實施例中，本發明的處理套件大致包括具有實質平坦柱形本體 的柱形遮蔽件、至少一個由該本體向下延伸的細長柱形環、以及由該本體 的上表面向上延伸的安裝部。
在另一個實施例中，處理套件包括大致柱形的沉積環。該沉積環包括 實質平坦的柱形本體、至少一個向下延伸耦接至該本體的外部的U形通 道、由該本體的內部區域的上表面向上延伸的內壁、以及由該內壁徑向向
內延伸的襯底支撐突出部。
在另一個實施例中，提供一個物理氣相沉積處理室，其包括交叉接地 遮蔽件及沉積環，其經配置于物理氣相沉積處理室使用期間不相互接觸。


本發明更詳細的說明在參照下文實施例及附加圖示后將更可清楚領 會。然而，應理解的是該附加圖示僅繪示本發明一般實施例而不應視為本 發明范圍的限制，本發明亦涵蓋其它同等效果的實施例。
圖l是具有處理套件實施例的半導體處理系統的簡要截面圖；圖2是該處理套件與圖1的襯底支撐機座交叉的部分截面圖3是與襯底支撐機座交叉的處理套件另一實施例的部分截面圖4是與襯底支撐機座交叉的處理套件另一實施例的部分截面圖5是與襯底支撐機座交叉的處理套件另一實施例的部分截面圖；以
及
圖6是與襯底支撐機座交叉的處理套件另一實施例的部分截面圖。 為便于理解，圖中盡可能以相同參考號標示相同組件。應理解的是實 施例中所揭示的組件亦可適用于其它實施例而無需特定說明。
具體實施例方式
本發明大致提供一種用于物理氣相沉積(PVD)處理室的處理套件。
該處理套件較佳之處在于不易產生特定污染，進而促進處理均勻性與再現 性以及較長處理套件的生命周期。
圖1繪示一種具有處理套件114實施例的示例性半導體處理室150。 該處理套件114包括交叉沉積環102及接地遮蔽件162。可受惠于本發明 之一的處理室范例為加州圣塔克拉拉市應用材料公司所提供的IMP VECTRA PVD處理室。但是，應理解的是其它制造商所提供的其它處 理室也可受惠于本發明。
示例性處理室150包括處理室本體152，其具有底部154、蓋組件156 及數個側壁158以界定出可抽空的內部體積160。該處理室本體150大致 由不銹鋼的焊接板或整體鋁塊制成。該等側壁158大致包含可密封的存取 埠口 (未示出)以提供襯底104到處理室150的入口及出口。設于該等側 壁158中的抽吸埠122耦接至抽吸系統120，以抽空并控制內部體積160 的壓力。該處理室150的蓋組件156大致支撐該環形遮蔽件152，其與沉 積環102交叉，以將內部體積160中形成的等離子體限定在襯底104上方 的區域。
機座組件100由處理室150的底部154支撐。該機座組件100在處理 期間可支撐沉積環102與襯底104。該機座組件IOO通過升降機構118耦 接至處理室150的底部154，該升降機構經配置以將機座組件100在上方位置(如圖所示)及下方位置之間移動。在上方位置處，該沉積環102以
間隔關系與遮蔽件162交叉。在下方位置處，該沉積環102則與遮蔽件 162分開，以使襯底104能從處理室150通過該沉積環102及遮蔽件162 之間側壁158所設的存取埠移出。此外，在下方位置處，升降銷(圖2所 示)經由機座組件100移動以將襯底104與機座組件100分開，以利用處 理室150外所設的晶圓傳送機構(如單葉式機械臂，未示出)交換襯底 104。波紋管186通常設于機座組件IOO及處理室底部154之間，以將處理 室本體152的內部體積160與機座組件100的外部及處理室外部隔絕開。
該機座組件100大致包括襯底支撐件140，其密封地耦接至平臺外殼 108。該平臺外殼108通常由例如不銹鋼或鋁的金屬材料制成。冷卻板124 則通常設于該平臺外殼108內以便熱調節襯底支撐件140。可受惠于本發 明的機座組件100描述于1996年4月16日授予Davenport等人的美國專 利第5507499號案中。
該襯底支撐件140可由鋁或陶瓷材料制成。該襯底支撐件140可為靜 電吸盤、陶瓷體、加熱器或其組合。在一種實施例中，該襯底支撐件140 為包括電介質本體106的靜電吸盤，該電介質本體中內含有導電層112。 該電介質本體106通常由高導熱電介質材料制成，例如熱解氮化硼、氮化 鋁、氮化硅、鋁或等同材料。
蓋組件156大致包括蓋130、靶材132、間隔物182及磁電管134。該 蓋130在處于關閉位置時由數個側壁158支撐，如圖1所示。密封件136 置于間隔物182及蓋130與側壁158之間，以避免真空在其間泄漏。
該靶材132耦接至蓋130并暴露于處理室150的外部體積160。該耙 材132在物理氣相沉積處理期間可提供材料沉積于襯底104上。該間隔物 182置于靶材132、蓋130及處理室本體152之間以將靶材132與蓋130及 處理室本體152電隔離。
該靶材132及機座組件IOO藉由電源184相對于彼此偏壓。氣體(例 如氬氣)由氣體源(未示出)供應至體積160中。等離子體則由氣體形成 于襯底104及靶材132之間。等離子體內的離子會加速朝向耙材132并促 使材料從靶材132脫離，而脫離的靶材材料則沉積在襯底104上。磁電管134耦接至該處理室150外部的蓋130。該磁電管134包括至 少一個轉動的磁性組件138，以便于物理氣相沉積處理期間均勻消耗靶材 132。可采用的磁電管描述于1999年9月21日授予Or等人的美國專利第 5953827號中。
樞紐組件110將蓋組件156耦接至處理室150。安裝有馬達的致動器 116可耦接至樞紐組件110及/或蓋130，以便于蓋組件156在開啟及關閉 位置間移動。
圖2為處理套件114與襯底支撐機座組件100接合的部分截面圖。雖 然未示出，但處理套件114的遮蔽件162安裝于處理室本體152上相對于 蓋組件156的固定高度處。圖示的沉積環102位于升高或處理位置，其中 曲折的間隙250界定在沉積環102及接地遮蔽件162之間，以將等離子體 及沉積物限定在襯底104與靶材132之間界定出的區域內。該沉積環102 及接地遮蔽件162另外具有阻擋作用，以避免耙材132擊射出的材料不慎 沉積在處理室的其它部分上。就其本身而論，沉積環102及接地遮蔽件 162可有效地將靶材132變成襯底104上沉積的材料層。
接地遮蔽件162具有大致平坦的柱形本體202，且可由導電材料(例 如金屬)制成或涂覆有導電材料。適用于接地遮蔽件162的金屬包括不銹 鋼及鈦。選用作為接地遮蔽件162的材料應與處理室內進行的處理兼容。 本體202安裝至處理室本體152，以使本體202與機座組件100的中心線 大致共中心。圖2的實施例中所示本體202的中心線200大致為垂直走 向。中心線20的位置僅為說明性質，故其與圖標中的其它特征并未按比 例繪制。
本體202包括上表面204、下表面206、外壁220及內緣224。在圖2 所示實施例中，除了上表面204的傾斜面226 (往下朝向本體202內緣 224傾斜)夕卜，該上表面204及下表面206大致垂直于中心線200。
內環208及外環210從下表面206向下延伸。環208、 210為大致細長 的柱形狀(相較于本體202的大致形狀)。在圖2所示實施例中，環 208、 210定向為大致平行間隔的關系。外環210的外徑也可與外壁220外 徑相同。安裝部分212沿著外壁220從上表面204向上延伸。該安裝部分212 包括內壁214及內錐形部216、外壁222及安裝凸緣218。該內壁214從上 表面大致垂直于內錐形部向上延伸。該內錐形部216向上及向外延伸，以 在遮蔽件162及靶材130間提供空隙(如圖l所示)。該外壁222直徑通 常大于本體202外壁220的外徑。
該安裝凸緣218從外壁222向外延伸并接合本體152及/或蓋組件156 以確保遮蔽件162位于適當位置。該安裝凸緣218可包括數個孔及/或狹長 孔以便于耦接至本體152及/或蓋組件156。由于本體152及/或蓋組件156 (安裝有遮蔽件162)可作熱調節，故安裝凸緣218的溫度控制能經由傳 導方式進行。
接地遮蔽件162的某些部分可作涂覆、紋理化或其它表面處理。在一 種實施例中，該接地遮蔽件162在至少某些表面上被粗糙化。粗糙化(例 如紋理化)可經由蝕刻、浮雕、磨蝕、噴丸、噴砂(grit blasting)、研磨 或用砂紙打磨或及他適合處理獲得。在圖2所示實施例中，接地遮蔽件 162的所有表面都經過噴丸處理。接地遮蔽件的噴丸表面通常有約250或 更高微英寸英寸的RA表面粗糙度。
沉積環102具有大致平坦的柱形本體252且可由導體或非導體材料制 成。在實施例中，該沉積環102由陶瓷材料制成，例如石英、氧化鋁或其 它適合材料。
本體252大致包括外部274、內部276、下表面256及上表面254。該 上表面254包括凹部258,其在遮蔽件162及沉積環102位置彼此接近時 可容納遮蔽件162的唇部228。下表面256被配置位于機座組件100周圍 處形成的突出部240上。該下表面256可呈平坦及/或具有平滑表面拋光 度，以便于和突出部240有良好熱接觸。下表面256及突出部240間相當 大(在與傳統設計相比)的接觸面積以及本體252相當細的環截面積可在 該環102及機座組件IOO之間提供良好熱傳送。就其本身而論，環102溫 度經由與機座組件100的熱傳遞便可輕易維持在固定溫度。
在一個實施例中， 一個或多個溫度控制件246可設于機座組件100中 突出部240正下方，以加強環102的溫度控制而不受機座組件100特征(用以控制襯底104溫度)的影響。溫度控制件246可包括一個或多個導 管(用以于流動熱傳遞流體)、電阻加熱器及類似物。溫度控制件246的 輸出由一個或多個適合的溫度控制源248所控制，例如電源、熱傳遞流體 供應器及類似物。
內壁260由內部276向上延伸至襯底支撐凸緣262。該內壁260具內 徑，其經選擇以維持該壁260及階梯部242 (將該突出部240耦接至機座 組件100的頂表面)間的間隙。該內壁260的高度經選擇以維持該環102 的凸緣262及機座組件100頂表面244間的間隙。
襯底支撐凸緣262由內壁260上端向內延伸，并遮蓋機座組件100頂 表面244的外緣。在一個實施例中，該凸緣262大致垂直該內壁260并平 行下表面256及上表面254。該凸緣262包括數個襯底支撐扣狀部264， 以將襯底104支撐于該凸緣262上表面上方一距離處。該扣狀部264可為 圓形、柱形、斜截錐形(truncated conical shape)或其它適合形狀。該扣狀 部264可將襯底104與環102間的接觸最小化。扣狀部264及襯底104間 的最小接觸能減少可能形成的粒子，同時最小化環102及襯底104間的熱 傳遞。在一種實施例中，三個扣狀部264可對稱地以環形陣列(polar array)方式安置，并呈約lmm的高度。
面朝上的U形通道266通常形成在本體252外部274處。該U形通道 266具有內腿部2686，其藉底部270耦接至外腿部272。該內腿部268由 本體252下表面256向下延伸，其并具有內徑，其經選擇以維持該機座組 件100及該環102間的間隙。
腿部26S、 272大致為細長柱狀(與環102本體252相比)。在圖2所 示實施例中，腿部268、 272定向為大致平行間隔關系，并經配置以與接 地遮蔽件162的內環208交叉。
腿部268、 272及內環208間的間隔可界定出曲折間隙250的外部區。 該曲折間隙250的內部區界定在遮蔽件162的唇部228及沉積環102的壁 面260與凹部258之間。該唇部228及沉積環102間的間距可作選擇，以 促進或減少襯底104面對機座組件IOO側上的沉積。
由于進入曲折間隙250內部區域的入口部分被襯底204遮蓋且背離(face away)內部體積160中濺射耙材材料的軌道，故相較于傳統設計不 太可能會有在曲折間隙250內形成并成為橋接(bridging)的沉積物，因此 可延長處理套件114多次清洗之間的使用壽命。此外，由于處理套件114 的沉積環102及接地遮蔽件162并未接觸，因此可消除形成粒子污染的可 能性。再者，由于處理套件114的沉積環102及接地遮蔽件162與其支撐 結構(如機座組件IOO及處理室本體152/蓋組件156)有良好熱接觸，故 可改善套組114的熱控制。改善熱控制即能對套組114上沉積的薄膜作應 力控制，故相較于傳統設計會有較少的粒子形成。
圖3為處理套件300另一實施例與襯底支撐機座100接合的截面圖。 該處理套件300大致包括沉積環302及接地遮蔽件304交叉形成曲折間隙 350。
接地遮蔽件304大致類似前述接地遮蔽件。在圖3所述實施例中，該 遮蔽件304包括柱形本體306，其具有上表面308、下表面310、內緣312 及外壁314。該上表面308包括斜面316。本體306下表面310包內環208 及外環210。在一種實施例中，內緣312大體上傾斜地截短該斜面316。
沉積環302大致類似前述沉積環，但在環302上表面254上另外形成 捕捉部(trap) 352。該捕捉部352界定在捕捉壁360及環302上表面254 之間。
該捕捉壁360包括一環354，其由環302上表面254向上延伸至唇部 356。該唇部356向內及向下延伸至內壁260及上壁254的接合處。該唇部 356的末端基本上比唇部356臨近環354的部分更靠近上表面254，以使捕 捉部352的上頂部比唇部356末端更高。這樣的幾何關系有利于補獲沉積 材料而不會使沉積物集結，因此避免唇部356及襯底104之間間隙的橋接 (bridging of gap)。
在一種實施例中，該環354的上表面包括內斜壁264及外斜壁262， 其于頂點266交會。該內斜壁264由頂點366向下延伸至該唇部356。外 斜壁262則由頂點366向下延伸至外捕捉壁368。沉積環302的外斜壁262 及遮蔽件304的內緣312界定出從內體積160的處理區域通至曲折間隙 350的入口。圖3處理套件300藉由曲折間隙350將等離子體隔離特征與經由捕捉 部352控制的邊緣沉積物解耦。此外，在遮蔽件304的內徑及外徑間的距 離實質縮減時，按此實施例方式可減少制造成本而不致大幅增加組裝匹配 的沉積環302所需的材料。
圖4為處理套件400另一實施例與襯底支撐機座100接合的截面圖。 該處理套件400大致包括沉積環402及接地遮蔽件404，其交叉形成曲折 間隙450。
該接地遮蔽件404大致類似前述圖l-2所述接地遮蔽件。在圖4所示 實施例中，該遮蔽件404包括平坦柱形本體406，其具有上表面408、下 表面410、內緣412及外壁414。該上表面408包括斜面416。該本體406 的下表面410具有柱形環418。
該柱形環418向下及向外延伸并與沉積環402交叉。在圖4所示實施 例中，該環418相對于遮蔽件404中心線朝向約5至約35度的方位。
沉積環402大致類似前述沉積環，但加上傾斜的U形通道420。該U 形通道420包括內腿部422，藉底部426耦接至外腿部424。腿部422、 424相對于環402的中心線朝向約5至約35度的方位。在圖4所示實施例 中，腿部422、 424與遮蔽件404的柱形環418相同的角度定向。
該外腿部424的末端內徑大致經選擇以不遮住該環418的末端，使得 遮蔽件404及沉積環402可在機座組件100下降以襯底交換時能隔開而不 會彼此阻礙。當機座組件100升至圖4所示處理位置時，腿部422、 424及 環418可界定出該曲折間隙450的外部部分。
亦可選擇的是在外腿部424末端處形成延伸部430 (以虛線表示)。 該延伸部430可延伸并增加曲折間隙450額外的轉折。該延伸部430包括 凸緣432，其由外腿部424末端向外延伸至末端環434。該末端環434具 內徑，其經選擇以按間隔關系在機座組件100位于圖標升降位置時限定該 遮蔽件404的外壁414周圍。
圖4的處理套件400相較于前述傳統設計制造成本較為經濟并具有諸 多優點。
圖5是處理套件500另一實施例與襯底支撐機座100接合時的截面圖。該處理套件500大致包括沉積環502及接地遮蔽件504交叉形成曲折 間隙550。
該接地遮蔽件504大致類似于前述圖3-4所述的接地遮蔽件。在圖5 所示實施例中，該遮蔽件504包括柱形本體506，其具有上表面308、下 表面310、內緣312及外壁314。該外壁308包括斜面316。該本體306下 表面310包括柱形環418。該柱形環418向下并向外延伸且與沉積環502 交叉。
沉積環502內部大致類似于前述圖3的沉積環302。該環502包括捕 捉部352形成在該環502的上表面254上。該捕捉部352界定在捕捉壁 360及上表面254之間。該捕捉壁360包括環354、唇部356及數個交會于 頂點366的斜壁262、 264。
該沉積環502外部大致類似于前述圖4所述的沉積環402。該環502 包括傾斜U形通道420。該U形通道420包括內腿部422，藉底部426耦 接至外腿部424。腿部422、 424經配置以按前述與遮蔽件504柱形環418 交叉。
圖6為處理套件600另一實施例與襯底支撐機座100接合的截面圖。 該處理套件600大致包括沉積環620及接地遮蔽件662，其交叉形成曲折 間隙650。該沉積環620及遮蔽件622大致類似于前述沉積環102及接地 遮蔽件162，且為簡明起見，其類似特征均標以相同參考號而不另作說 明。
在圖6所示實施例中，該沉積環620內壁260具有襯底支撐端622。 該襯底支撐端622并未徑向延伸至內壁260內。該襯底支撐端622具有襯 底安置表面，其經配置以將襯底104支撐在機座組件100表面244上方， 且在一種實施例中，其大致平坦且垂直該環620的中心線。在一種實施例 中，該內壁260高度約0.45英寸。該內壁260及沉積環凸緣262的下表面 256的交點進行倒角(chamfered)，如呈45度角，以提供機座組件100額 外空間。
在圖6所示實施例中，沉積環620也可在其上表面也被紋理化，如虛 線624所示。該紋理化表面可提供環620上的沉積材料更佳的黏附性，使得沉積材料粒子或剝落物不會輕易與環620分離而成為處理過程的處理污
染物。前述黏附的沉積材料可利用原位及/或異位清潔處理由環620移除。
在一種實施例中，該環可如前述方式進行紋理化。
該接地遮蔽件662包括安裝部分212，其在上外徑604上具有階梯部 606。該階梯部606可將外徑604耦接至大致水平的上表面602。過渡半徑 (transition radius) 608可連接該接地遮蔽件662的外壁222及上外壁 604。
唇部610從上外壁604向下延伸并超過該轉換半徑608，如圖6所 示。該唇部610可在處理室及接地遮蔽件662間提供縮減的接觸面積。
該接地遮蔽件662的上內表面也可進行紋理化，如虛線654所示。如 前文所述，該接地遮蔽件的紋理化表面可提供沉積材料更加的黏附性，使 其在之后不會成為處理污染物。
該接地遮蔽件662的唇部228也可包括凹部612，其形成在遮蔽件本 體202的唇部228及下表面206之間的轉換處。該凹部612可在遮蔽件 662及環620間提供額外的空間以容納大量沉積在環620凹部258中的材 料。
如前文所述之處理套件，圖6的處理套件600相較于前述傳統設計其 制造成本較經濟并具有諸多優點。
因此，前述用于物理氣相沉積處理室之處理套件在處理套件的接地遮 蔽件及沉積環操作期間不接觸時可有效的減少可能形成的微粒。此外，當 處理套件的遮蔽件及環以經溫控的表面作接觸時處理套件的溫度可控制以 降低及/或消除熱循環應力，藉以控制沉積在處理套件上的材料應力。再 者，由于設計簡單化，本發明處理套件具有制造上的成本優勢且不需要傳 統處理套件的第三環(third ring)設計。
雖然本發明前述針對較佳實施例，但本發明進一步的實施例亦可在不 悖離發明基本精神下提出，且其范圍系由下文申請專利范圍所界定。
權利要求
1.一種處理套件，其至少包括大致柱形的遮蔽件，其至少包括大致平坦的柱形本體，具有上表面，其向下向內端逐漸變細；至少一個細長的柱形環，由該本體向下延伸；以及安裝部，由該本體的外壁的本體的上表面向上延伸，該安裝部具有徑向向外延伸超過該本體的外壁的安裝凸緣、由該本體上表面延伸的內壁、以及由該內壁沿徑向向外且向上張開的內錐形部。
2. 如權利要求1所述的處理套件 少一者制成。
3. 如權利要求1所述的處理套件 覆有導體材料。
4. 如權利要求1所述的處理套件 面處理。
5. 如權利要求1所述的處理套件 丸表面。
6. 如權利要求1所述的處理套件 對于該本體的中心線具有垂直定向。
7. 如權利要求1所述的處理套件 對于該本體的中心線具有約5至約35度的定向。
8. 如權利要求1所述的處理套件，其中該至少一個細長的柱形環還 至少包括內環；以及外環，其以大致平行關系與該內環間隔一段距離。
9. 如權利要求1所述的處理套件，其中該安裝部還至少包括 唇部，由該凸緣的外徑向下延伸。
10. 如權利要求1所述的處理套件，其中該本體的該內緣是截短該斜 面，且其中該內緣大致平行該本體的中心線。，其中該本體由不銹鋼或鈦中的至 ，其中該本體由導體材料制成或涂 ，其中該本體的至少一部分經過表 ，其中該本體的至少一部分具有噴 ，其中該至少一個細長的柱形環相 ，其中該至少一個細長的柱形環相
11. 如權利要求1所述的處理套件，其還至少包括 大致柱形的沉積環，其至少包含大致平坦的柱形本體，其具有上表面及下表面，該下表面被設置 成支撐在襯底支撐機座的突出部上；至少一個向下延伸的U形通道，其耦接至該本體的外部；以及 內壁，由該本體的內部區域的上表面向上延伸，且具有襯底支撐表面；襯底支撐突出部，由該內壁徑向向內延伸。
12. 如權利要求ll所述的處理套件，其中該沉積環還至少包括 突出部，由該內壁徑向向內延伸；以及數個扣狀部，設于該突出部的上表面上且界定出該襯底支撐表面。
13. 如權利要求12所述的處理套件，其中該數個扣狀部還至少包括三個扣狀部，其以環形陣列方式等間隔配置。
14. 如權利要求11所述的處理套件，其中該U形通道被配置成與該 遮蔽件的至少一個環可交叉。
15. 如權利要求ll所述的處理套件，其中該U形通道還至少包括 第一腿部，耦接至該沉積環的本體；第二腿部，向外與該第一腿部相隔；以及 底部，接合第一和第二腿部。
16. 如權利要求15所述的處理套件，其中第一和第二腿部大致平行 于該沉積環的中心線。
17. 如權利要求15所述的處理套件，其中第一和第二腿部相對于該 沉積環的中心線具有約5至約35度的定向。
18. 如權利要求11所述的處理套件，其中該沉積環的本體還至少包括捕捉壁捕捉壁，由該沉積環的該上表面向上延伸；以及 唇部，由該捕捉壁捕捉壁向內且向下延伸，以突出于該沉積環的該上 表面的內部之上。
19. 如權利要求18所述的處理套件，其中該捕捉壁捕捉壁的上表面 還至少包含內斜壁，與外斜壁交會于頂點。
20. —種處理套件，其至少包括 大致柱形的沉積環，其至少包括大致平坦的柱形本體，其具有上表面以及下表面，該下表面被配 置成支撐在襯底支撐機座的突出部上；至少一個向下延伸的U形通道，耦接至該本體的外部；以及 內壁，由該本體的內部區域的上表面向上延伸且具有襯底支撐表面。
21. 如權利要求20所述的處理套件，其中該沉積環還至少包括 突出部，由該內壁徑向向內延伸；以及數個扣狀部，設于該突出部的上表面上且界定出該襯底支撐表面。
22. 如權利要求21所述的處理套件，其中該數個扣狀部還至少包括三個扣狀部，其以環形陣列方式等間隔配置。
23. 如權利要求20所述的處理套件，其中該U形通道為面朝上。
24. 如權利要求20所述的處理套件，其中該U形通道還至少包括 第一腿部，耦接至該沉積環的本體；第二腿部，向外與第一腿部相隔；以及 底部，接合第一和第二腿部。
25. 如權利要求24所述的處理套件，其中第一和第二腿部大致平行 于該沉積環的中心線。
26. 如權利要求24所述的處理套件，其中該本體由不銹鋼或鈦中的 至少一者制成。
27. 如權利要求20所述的處理套件，其中該沉積環的本體還至少包括捕捉壁捕捉壁，由該沉積環的上表面向上延伸；以及唇部，由該捕捉壁捕捉壁向內且向下延伸，以突出于該沉積環的上表面的內部之上。
28.如權利要求27所述的處理套件，其中該捕捉壁捕捉壁的上表面還至少包含內斜壁，與外斜壁交會于頂點。
全文摘要
本發明提供一種適用于物理氣相沉積處理室的處理套件、以及具有非接觸式處理套件的物理氣相沉積處理室。在一實施例中，處理套件包括大致柱形的遮蔽件，其具有大致平坦的柱形本體、由該本體向下延伸的至少一個細長柱形環、以及由該本體的上表面向上延伸的安裝部。在另一實施例中，處理套件包括大致柱形的沉積環。該沉積環包括大致平坦的柱形本體、向下延伸耦接至該本體外部的至少一個U形通道、由該本體內部區域的上表面向上延伸的內壁、以及由該內壁徑向向內延伸的襯底支撐突出部。
文檔編號F16J15/40GK101563560SQ200780047073
公開日2009年10月21日 申請日期2007年12月13日 優先權日2006年12月19日
發明者卡爾·布朗, 普尼特·班杰 申請人:應用材料公司