氮化硅結合碳化硅側塊磚的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及電解爐配套使用的耐高溫磚材料技術領域。
【背景技術】
[0002]以氮化娃為主要結合相的碳化娃制品。一般含碳化娃70%?75%，氮化娃18%?25%。具有良好抗腐蝕能力，1400°C抗折強度達50?55MPa，顯氣孔率15%。熱膨脹系數(4.5?5.0) X10-2°C-1。采用高溫燒成法制備。主要用于高爐風口、鋁電解槽內襯等。
[0003]目前在電解鋁行業使用的氮化硅結合碳化硅側塊磚主要有平板式和帶防滑槽式，磚與磚的接觸面均為平面，在使用過程中，容易造成滲液，縮短了氮化硅結合碳化硅側塊磚的壽命，并在砌筑過程中比較繁瑣，一般情況均為一邊處理一邊砌。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型所要解決的技術問題，是針對上述存在的技術不足，提供一種可以快速安裝、結構牢固的氮化硅結合碳化硅側塊磚，它的外觀整齊，構造簡單，提高了氮化硅結合碳化娃側塊磚的壽命。
[0005]本實用新型采用的技術方案是:提供一種氮化硅結合碳化硅側塊磚，包括磚本體，磚本體在厚度方向分為中間的定位層和定位層兩側的接觸層；定位層與接觸層的大小形狀均相同；兩個接觸層在磚本體的厚度方向上對齊設置；定位層相對兩個接觸層偏心設置，形成左上方的L形凸起和右下方的L形凹槽。
[0006]進一步優化本技術方案，氮化硅結合碳化硅側塊磚的兩個接觸層的外表面為光滑面。
[0007]進一步優化本技術方案，氮化硅結合碳化硅側塊磚的L形凸起和L形凹槽的外表面均為光滑面。
[0008]本實用新型的有益效果是:1、砌筑時，磚本體之間通過L形凸起和L形凹槽上下左右均連接起來，結構穩固，并且鋁液不易從間隙中滲出。2、接觸層的外表面為光滑面，可以降低鋁液掛壁，清潔方便。3、L形凸起和L形凹槽的外表面均為光滑面，可以減小砌筑時的空隙，降低鋁液的滲透速度。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的使用狀態示意圖；
[0010]圖2為圖1的分解示意圖。
[0011]圖中，1、磚本體；2、接觸層；3、定位層；4、L形凸起；5、L形凹槽。
【具體實施方式】
[0012]下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細的說明。
[0013]圖2所示，氮化硅結合碳化硅側塊磚，包括磚本體1，磚本體I在厚度方向分為中間的定位層3和定位層3兩側的接觸層4 ;定位層3與接觸層2的大小形狀均相同；兩個接觸層2在磚本體I的厚度方向上對齊設置；定位層3相對兩個接觸層2偏心設置，形成左上方的L形凸起4和右下方的L形凹槽5 ;兩個接觸層2的外表面為光滑面；L形凸起4和L形凹槽5的外表面均為光滑面。
[0014]如圖1所示，本實用新型在砌筑時，無論是上下一列一列的砌筑還是左右一行行的砌筑均可以，磚本體I的四周均通過L形凸起4和L形凹槽5扣接配合，既能保證平整，又能連接牢固，并且鋁液不易從間隙中滲出。接觸層2的外表面為光滑面，可以降低鋁液掛壁，清潔方便。L形凸起4和L形凹槽5的外表面均為光滑面，可以減小砌筑時的空隙，降低鋁液的滲透速度。
[0015]對于與電解槽邊緣對接的磚本體I可以通過切削工具將邊緣削平，只保留與內部的L形凸起4和L形凹槽5即可。
【主權項】
1.一種氮化娃結合碳化娃側塊磚，其特征在于:包括磚本體(1)，磚本體(I)在厚度方向分為中間的定位層(3)和定位層(3)兩側的接觸層(4);定位層(3)與接觸層(2)的大小形狀均相同；兩個接觸層(2)在磚本體(I)的厚度方向上對齊設置；定位層(3)相對兩個接觸層(2)偏心設置，形成左上方的L形凸起(4)和右下方的L形凹槽(5)。
2.根據權利要求1所述的氮化硅結合碳化硅側塊磚，其特征在于:兩個接觸層(2)的外表面為光滑面。
3.根據權利要求1所述的氮化硅結合碳化硅側塊磚，其特征在于:L形凸起(4)和L形凹槽(5)的外表面均為光滑面。
【專利摘要】本實用新型公開了一種氮化硅結合碳化硅側塊磚，涉及電解爐配套使用的耐高溫磚材料技術領域。它包括磚本體，磚本體在厚度方向分為中間的定位層和定位層兩側的接觸層；定位層與接觸層的大小形狀均相同；兩個接觸層在磚本體的厚度方向上對齊設置；定位層相對兩個接觸層偏心設置，形成左上方的L形凸起和右下方的L形凹槽。本實用新型的外觀整齊，構造簡單，提高了氮化硅結合碳化硅側塊磚的壽命。
【IPC分類】F27D1-04, C25C3-08
【公開號】CN204474770
【申請號】CN201520116041
【發明人】巴愛民, 巴愛國
【申請人】山東宇佳新材料有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2015年2月26日