電容器鋁箔上制備pedt/pss導電膜的電沉積方法
【專利摘要】一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，包括陽極棒、陰極棒和電解液；陽極棒為表面平整的鋁電極、經化學或電化學腐蝕后的多孔鋁電極或者表面具有氧化膜的化成鋁箔并且氧化膜上預制有一層導電層；陰極箔為石墨或者金屬片；電解液為PEDT/PSS的水溶液。采用本發明的方法可使得PEDT/PSS與鋁基體即陽極棒結合更緊密，也有利于導電高分子材料更好的填充腐蝕鋁箔的孔隙，既可以提高電容的引出率，也可以保證固態電容產品性能的穩定性。
【專利說明】
電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法
技術領域
[0001]
本發明涉及一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法。
【背景技術】
[0002]目前，雖然PEDT/PSS的水溶液已經廣泛應用于固態電容器的生產制造，但其應用方式基本都是采用簡單含浸，既通過含浸使PEDT/PSS附著在電容器的陰陽極箔和電解紙上，這種方式存在以下問題，鋁箔的微小孔隙難以填充，PEDT/PSS導電膜與鋁箔結合不緊密，這會導致電容引出率不高的同時，電容經過后續的組立、高溫老練等工序后PEDT/PSS導電膜容易從鋁箔上脫落，影響電容的性能。在鋁電解電容器中常常在鋁箔上沉積一層導電膜，然而現有的導電膜與鋁基體結合不緊密造成固態電容器產品的性能不穩定，同時也使得電容器的電容引出率不高。
【發明內容】
[0003]本發明要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供一種與鋁基體結合緊密，導電性好的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法。
[0004]為解決上述技術問題，本發明提出的技術方案為:一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，包括陽極棒、陰極棒和電解液;所述陽極棒為表面平整的鋁電極、經化學或電化學腐蝕后的多孔鋁電極或者表面具有氧化膜的化成鋁箔并且氧化膜上預制有一層導電層;所述陰極箔為石墨或者金屬片;所述電解液為PEDT/PSS的水溶液。
[0005]上述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，優選的，所述PEDT/PSS的水溶液的濃度為0.1?30wt%。
[0006]上述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，優選的，在所述電解液中加入0.1?50%vol%的添加劑，所述添加劑包括甲醇、乙醇、乙二醇、二甲基亞砜或氫氟烷中的一種或者多種。
[0007]上述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，優選的，所述陽極棒和陰極棒之間直流的電流密度值取值范圍為0.1?1mA/cm2，電沉積時間為I?60min，溶液溫度為室溫?90 °C。
[0008]與現有技術相比，本發明的優點在于:在外加電場作用下，PEDT/PSS溶液中的PST—離子會引導PEDT/PSS迀移至電解液/鋁界面，從而使得PEDT/PSS逐漸在鋁箔上沉積析出，所以采用本發明的方法可使得PEDT/PSS與鋁基體即陽極棒結合更緊密，也有利于導電高分子材料更好的填充腐蝕鋁箔的孔隙，既可以提高電容的引出率，也可以保證固態電容產品性能的穩定性。
【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0010]圖1為用本發明的方法得到的具有PEDT/PSS導電膜的電容器鋁箔。
【具體實施方式】
[0011]為了便于理解本發明，下文將結合較佳的實施例對本發明作更全面、細致地描述，但本發明的保護范圍并不限于以下具體的實施例。
[0012]需要特別說明的是，當某一元件被描述為“固定于、固接于、連接于或連通于”另一元件上時，它可以是直接固定、固接、連接或連通在另一元件上，也可以是通過其他中間連接件間接固定、固接、連接或連通在另一元件上。
[0013]除非另有定義，下文中所使用的所有專業術語與本領域技術人員通常理解的含義相同。本文中所使用的專業術語只是為了描述具體實施例的目的，并不是旨在限制本發明的保護范圍。
實施例
[0014]一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，包括陽極棒、陰極棒和電解液;所述陽極棒為表面平整的鋁電極、經化學或電化學腐蝕后的多孔鋁電極或者表面具有氧化膜的化成鋁箔并且氧化膜上預制有一層導電層;所述陰極箔為石墨或者金屬片;所述電解液為PEDT/PSS的水溶液。PEDT/PSS的水溶液的濃度為0.1?30wt%。
[0015]本實施例中，在所述電解液中加入0.1?50%vol%的甲醇以改善得到的PEDT/PSS導電膜的電導率，在其他實施例中，添加劑可以為甲醇、乙醇、乙二醇、二甲基亞砜或氫氟烷中的一種或者多種。
[0016]本實施例中，陽極棒和陰極棒之間直流的電流密度值取值范圍為0.1?lOmA/cm2，電沉積時間為I?60min，溶液溫度為室溫?90 °C。
[0017]本實施例中得到的具有PEDT/PSS導電膜的電容器鋁箔如圖1所示，其中中間的條帶為PEDT/PSS導電膜。
[0018]采用本實施例的方法可使得PEDT/PSS與鋁基體即陽極棒結合更緊密，也有利于導電高分子材料更好的填充腐蝕鋁箔的孔隙，既可以提高電容的引出率，也可以保證固態電容產品性能的穩定性。
【主權項】
1.一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，其特征在于:包括陽極棒、陰極棒和電解液;所述陽極棒為表面平整的鋁電極、經化學或電化學腐蝕后的多孔鋁電極或者表面具有氧化膜的化成鋁箔并且氧化膜上預制有一層導電層;所述陰極箔為石墨或者金屬片;所述電解液為PEDT/PSS的水溶液。2.根據權利要求1所述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，其特征在于:所述PEDT/PSS的水溶液的濃度為0.1?30wt%。3.根據權利要求1所述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，其特征在于:在所述電解液中加入0.1?50%vol%的添加劑，所述添加劑包括甲醇、乙醇、乙二醇、二甲基亞砜或氫氟烷中的一種或者多種。4.根據權利要求1-3任一項的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導電膜的電沉積方法，其特征在于:所述陽極棒和陰極棒之間直流的電流密度值取值范圍為0.1?lOmA/cm2，電沉積時間為I?60min，溶液溫度為室溫?90°C。
【文檔編號】C25D9/02GK105908233SQ201610302909
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年5月10日
【發明人】艾立華, 張超, 黎際宇, 賈明
【申請人】湖南艾華集團股份有限公司